SiC行業(yè)深度報(bào)告：SiC東風(fēng)已來關(guān)注襯底與外延環(huán)節(jié)的材料+設(shè)備國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇 20230821 -東吳證券

日究報(bào)告·機(jī)械行業(yè)深度報(bào)告ouesdwzqcomcn析師：劉曉旭dwzqcomcn助理：李文意liwenyidwzqcomcnSiC：需求乘“車”而起，材料&設(shè)備商迎國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇及主要預(yù)測(cè)2)我們預(yù)計(jì)到2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅單晶爐新增市場(chǎng)空間約100/40億元，2023-2025年CAGR為63%/75%。23-2025年CAGR約75%/88%。2、我們與市場(chǎng)不同的觀點(diǎn)代。投資要點(diǎn)iCSiC有多家車企的多款車型使用SiC，例?SiC襯底：材料端良率提升是關(guān)鍵，設(shè)備端生長(zhǎng)、切片、研磨拋光各環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化率逐步提升。(1)襯底：隨著較低約50%，而海外龍頭良率已達(dá)85%左右。(2)長(zhǎng)晶：物理氣相傳輸(PVT)最成熟，難點(diǎn)在于溫度控制、雜質(zhì)控制、生長(zhǎng)速度緩慢等，隨著國(guó)內(nèi)SiC襯底加速擴(kuò)產(chǎn)，我們預(yù)計(jì)2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅單晶爐新增市場(chǎng)激光切片損耗少、效率高，有望替代金剛線成為新一代主流切割技術(shù)，我們預(yù)計(jì)到2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅切片設(shè)備新增市場(chǎng)空間約30/13億元，金剛線切割方面高測(cè)股份已推出分別兼容4-8英寸的SiC金剛線切片機(jī)并持續(xù)推進(jìn)國(guó)產(chǎn)替代，激光切割方面大族激光和德龍激光市場(chǎng)份額各占約50%。(4)研磨拋光：我們預(yù)計(jì)2025年全SiCSiC工藝難度大，我們預(yù)計(jì)2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅外延爐新增市場(chǎng)空間約130/53億元，目前以意大利LPE(水平氣流)、德國(guó)愛思強(qiáng) (垂直氣流)、日本的Nuflare(垂直氣流)為主，其MOCVD設(shè)備的核心差異是對(duì)氣體流量的控制，國(guó)內(nèi)晶盛機(jī)電、北方華創(chuàng)、芯三代、中電48所和深圳納設(shè)智能等均在積極推進(jìn)國(guó)產(chǎn)替代。此外在外延完成后，SiC仍需要激光劃片進(jìn)行晶圓的切割，我們預(yù)計(jì)2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅激光切割設(shè)備新增市場(chǎng)空間約5/2億元，國(guó)內(nèi)德龍激光、大族激光市占率各50%。?投資建議：重點(diǎn)推薦晶盛機(jī)電(SiC襯底片&外延爐)、邁為股份(SiC研磨機(jī))、高測(cè)股份(SiC金剛線切片機(jī))、德龍激光(SiC激光切片&劃片機(jī))、北方華創(chuàng)(SiC外延爐)，建議關(guān)注晶升股份(SiC長(zhǎng)晶爐)、大族激光(SiC激光切片&劃片機(jī))、納設(shè)智能(未上市，SiC外延爐)等。提升不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)、SiC設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率提升不及預(yù)4 子漂移速率(107cm/s)2.02.5WcmK)405?第一代半導(dǎo)體(間接帶隙&窄帶隙)：1950年起，以硅(Si)為代表的半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管，推動(dòng)了電子產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展。硅材料屬于間接帶隙(電子躍遷至導(dǎo)帶時(shí)需要改變動(dòng)量，光利用率低)且?guī)墩?不耐壓)，適用于低壓、低頻、中功率集成電路，在光電子領(lǐng)域和高頻高功率器件方面受限。?第二代半導(dǎo)體(直接帶隙&窄帶隙)：1990年起，以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的半導(dǎo)體材料嶄露帶隙且具有相對(duì)寬的帶隙，載流子速度更快、噪音更低。其適用于制作高速、高頻、大功率以但受限于材料本身，難以滿足更高功率、更高電壓、更高頻率的器件需求。?第三代半導(dǎo)體(直接帶隙&寬帶隙)：近年來，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的半導(dǎo)體材料備受關(guān)注，直接帶隙&寬帶隙的物理特性使其具有更高熱導(dǎo)率(2倍+)、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)(~10倍)、高飽和電子漂移速率(~2倍)等優(yōu)點(diǎn)，適用于制作高溫、高頻、高功率器件，在國(guó)防、新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用?！魣D：半導(dǎo)體材料從第一代到第三代的發(fā)展過程◆圖：半導(dǎo)體材料性能對(duì)比低頻、中功率電子信息、新能源、光伏產(chǎn)業(yè)等噪聲無線通信、光通訊以及國(guó)防軍工高國(guó)防、新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)來源：《第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用發(fā)展現(xiàn)狀》，東吳證券研究所1.2SiC作為第三代半導(dǎo)體材料具有耐高壓、耐高頻和耐高溫的優(yōu)勢(shì)是硅(Si)開關(guān)速度的3-10倍，從而適用于更高頻率和更快的開關(guān)速度。(3)耐高溫：SiC材料具有禁帶寬度a.低功耗：SiC器件導(dǎo)通電阻僅為Si的1/10c.高速開關(guān)：SiC高電子遷移率更高，開關(guān)快d.散熱：SiC的熱導(dǎo)率約是Si的3倍，散熱快6數(shù)數(shù)據(jù)來源:三菱電機(jī)官網(wǎng)，東吳證券研究所1.3新能源汽車+光伏發(fā)電雙輪驅(qū)動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)放量BDCAGR達(dá)34%；2027年新能源汽車導(dǎo)電型SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)50億美元，占比高達(dá)79%。單位：百萬美元新能源汽車78,,63%單位：百萬美元113,3113,3%2%458,7%4986,79%77數(shù)據(jù)來源:Yole，東吳證券研究所81.4全球已有多款SiC車型量產(chǎn)交付，SiC迎來上車導(dǎo)入期8發(fā)展前景不明的猜測(cè)，但近期全球汽車市場(chǎng)卻用實(shí)際行動(dòng)表達(dá)了對(duì)SiC的支持，如全球第四大汽車集團(tuán)Stellantis宣布，已與多家供應(yīng)商簽訂包括SiC在內(nèi)的半導(dǎo)體合作協(xié)議，總價(jià)值超80億元；博格華納向安森美SiC產(chǎn)品下定金額超72億元；瑞薩電子也與全球已有多款SiC車型量產(chǎn)交付2023上半年銷量iCModel328日意法半導(dǎo)體(Wolfspeed)、安森美15日2月714比亞迪(自研模塊)、意法半導(dǎo)體、博世、欣銳(Wolfspeed)7月26日4329日797汽車Q99自研電驅(qū)(蔚來驅(qū)動(dòng)科技)、安森美汽車12月汽車月40汽車月汽車月汽車月021日11蘇州斯科(三安)0月斯達(dá)半導(dǎo)(模塊)、瞻芯電子數(shù)據(jù)來源:愛集微，東吳證券研究所?碳化硅器件產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件制造(設(shè)計(jì)、制造、封測(cè))三大環(huán)節(jié)。從工藝流程上看，首先由粉末通過長(zhǎng)晶形成晶碇，然后經(jīng)過切片、打磨、拋光得到碳化硅襯底；襯底經(jīng)過外延生長(zhǎng)得到外延片；SiC?！魣D：碳化硅器件成本結(jié)構(gòu)◆圖：碳化硅器件成本結(jié)構(gòu)◆圖：硅基器件的成本結(jié)構(gòu)9數(shù)據(jù)來源:中商產(chǎn)業(yè)研究院，億渡數(shù)據(jù)，東吳證券研究所 半絕緣型電阻率較高(電阻率≥105Ω·cm)，步分成N型(空穴導(dǎo)電)或者P型(電子導(dǎo)電)半導(dǎo)體。半絕緣型SiC襯底+GaN外延，主要用于制造射頻器件，為主，導(dǎo)電型碳化硅襯底以6寸為主。大尺寸可以攤薄單位芯片的成本，當(dāng)襯底從6寸擴(kuò)大到8寸時(shí)，可切割出◆圖：碳化硅可根據(jù)電化學(xué)性質(zhì)進(jìn)行分類半絕緣型導(dǎo)電型◆圖：碳化硅可根據(jù)電化學(xué)性質(zhì)進(jìn)行分類半絕緣型導(dǎo)電型GaN等異質(zhì)外延微波射頻器件極用G工雷達(dá)0mm數(shù)數(shù)據(jù)來源：天岳先進(jìn)招股書，東吳證券研究所2.1.襯底：導(dǎo)電型Wolfspeed一家獨(dú)大，絕緣型天岳先進(jìn)入圍前三WolfspeedWolfspeed襯底YoleSiCCR其中Wolfspeeded數(shù)數(shù)據(jù)來源：Yole，億渡數(shù)據(jù)，東吳證券研究所2.1.襯底：海外龍頭積極擴(kuò)產(chǎn)，保障8寸碳化硅襯底批量供應(yīng)(1)美國(guó)Wolfspeed在2012年成功研制并規(guī)?；a(chǎn)6寸碳化硅襯底(全球首發(fā))，2019年成功研制8寸碳化硅并d5年內(nèi)SiC襯底的生產(chǎn)能力將提高5-10倍(包括6/8寸)。升35倍?！舯恚簢?guó)外龍頭企業(yè)碳化硅襯底研究進(jìn)展與產(chǎn)能規(guī)劃公公司襯底進(jìn)展襯底進(jìn)展2012年全球首次成功研制2019年宣布產(chǎn)/年通過通過收購(gòu)Ascatron和2015年成功研制8寸導(dǎo)電襯底和外延的生產(chǎn)能力寸半絕緣SiC襯底生產(chǎn)/年數(shù)數(shù)據(jù)來源：億渡數(shù)據(jù)，Infineon，中國(guó)經(jīng)濟(jì)網(wǎng)，IT之家，中國(guó)證券網(wǎng)，面包板，東吳證券研究所速爬(2)天科合達(dá)同樣已經(jīng)實(shí)現(xiàn)6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底的量產(chǎn)，2021年徐州生產(chǎn)基地6英寸系列產(chǎn)品產(chǎn)能達(dá)(3)晶盛機(jī)電(晶越)已經(jīng)掌握了6英寸碳化硅的長(zhǎng)晶技術(shù)和晶片加工工藝，預(yù)期產(chǎn)能為40萬片/年，此外◆表：國(guó)內(nèi)企業(yè)碳化硅襯底研究進(jìn)展與產(chǎn)能規(guī)劃襯底進(jìn)展已經(jīng)研發(fā)8英寸產(chǎn)品生產(chǎn)線，已過自主擴(kuò)徑實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量8英寸產(chǎn)品的制備已實(shí)現(xiàn)6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品量產(chǎn)底進(jìn)展20-30萬片/年天岳先進(jìn)天科合達(dá)已實(shí)現(xiàn)6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品量產(chǎn)布將于2023年實(shí)現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底小規(guī)模量產(chǎn)20-30萬片/年晶晶盛機(jī)電已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底工藝和技術(shù)，公司通過自有籽晶經(jīng)過多輪擴(kuò)徑，成功生長(zhǎng)出8英寸N型碳化硅晶體，解決了8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)過程中溫場(chǎng)不均，晶體開裂、氣相原料分布等難點(diǎn)問題已具備6英寸碳化硅的長(zhǎng)晶技術(shù)和晶片加工工藝晶盛機(jī)電(晶越)40萬片/年數(shù)據(jù)來源：億渡數(shù)據(jù)，Infineon，中國(guó)經(jīng)濟(jì)網(wǎng)，東吳證券研究所14產(chǎn)品性能WolfspeedII-VI產(chǎn)品性能WolfspeedII-VImm/-0.5微管密度cm2cm-2-·cm--≤10μm≤6μm≤10μm彎曲度(絕≤30μm≤25μm翹曲度≤40μm≤40μm≤40μm表面粗糙度Ra≤0.5nmRa≤0.2nmRa≤0.2nmWolfspeed已達(dá)85%左右，這導(dǎo)致國(guó)內(nèi)碳化硅功碳化硅襯底的量產(chǎn)進(jìn)度仍與海外龍頭有較大差比產(chǎn)品性能WolfspeedII-VI天科合達(dá)天岳先進(jìn)直徑150.0mmmm未披露＋150.0mm0.0/-0.5mm150.0mm±0.2mm微管密度未披露＜0.1cm-2≤5cm-2≤0.5cm-2多型面積≤5%(面未披露不允許不允許電阻率范圍·cmcmmm總厚度變化≤10μm未披露≤6μm≤10μm彎曲度(絕對(duì)值)未披露未披露≤30μm≤25μm翹曲度≤40μm未披露≤40μm≤40μm表面粗糙度未披露Ra≤0.5nmRa≤0.2nmRa≤0.2nm數(shù)據(jù)來源：天岳先進(jìn)招股說明書，東吳證券研究所152.1.襯底：我們預(yù)計(jì)2025年全球6寸碳化硅襯底新增市場(chǎng)空間約380億元?我們預(yù)計(jì)到2025年6寸碳化硅襯底新增市場(chǎng)空間約380億元，其中導(dǎo)電型碳化硅襯底市場(chǎng)空間約260億元(新能源汽車Sic襯底為主要來源，貢獻(xiàn)市場(chǎng)空間約245億元)，半絕緣型碳化硅襯底市場(chǎng)空間約120億元。襯底片市場(chǎng)空間測(cè)算2022A2023E2024E2025E25.30%2%0%18.40%12.3%306%34%348.74%54258%460.08%75.361.444.7碳化硅滲透率(2)6寸碳化硅襯底片的單車需求量(片/輛)(3)全球新能源汽車6寸碳化硅需求量(萬片)(4)=(1)*(2)*(3)全球新增光伏裝機(jī)量(GW)全球光伏逆變器需求量(萬臺(tái))(5)碳化硅滲透率(6)6寸碳化硅襯底片的單臺(tái)需求量(片/臺(tái))(7)全球光伏逆變器6寸碳化硅襯底片需求量(萬片)(8)=(5)*(6)*(7)全球新增風(fēng)電裝機(jī)量(GW)全球風(fēng)能變流器需求量(萬臺(tái))碳化硅滲透率6寸碳化硅襯底片的單臺(tái)需求量(片/臺(tái))全球風(fēng)能變流器6寸碳化硅襯底片需求量(萬片)(9)全球儲(chǔ)能新增(GWh)全球儲(chǔ)能逆變器需求量(萬臺(tái))碳化硅滲透率6寸碳化硅的單臺(tái)需求量(片/臺(tái))全球儲(chǔ)能逆變器6寸碳化硅襯底片需求量(萬片)(10)全球軌道交通6寸碳化硅襯底片需求量(萬片)(11)6寸碳化硅襯底片售價(jià)(元/片)(12)全球6寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片需求量(萬片)全球6寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片市場(chǎng)空間(億元)14)=(13)*(12)/10000全球射頻器件市場(chǎng)空間(億元)碳化硅器件滲透率碳化硅襯底價(jià)值量占比全球半絕緣型碳化硅襯底市場(chǎng)空間(億元)(15)6寸碳化硅襯底片市場(chǎng)空間合計(jì)(億元)(16)=(14)+(15)379.816.3.9數(shù)據(jù)來源：數(shù)據(jù)來源：IEA等，東吳證券研究所測(cè)算2.1.襯底：我們預(yù)計(jì)2025年國(guó)內(nèi)6寸碳化硅襯底新增市場(chǎng)空間約156億元?我們預(yù)計(jì)到2025年6寸碳化硅襯底新增市場(chǎng)空間約156元，其中導(dǎo)電型碳化硅襯底市場(chǎng)空間約108億元(新能源汽車Sic襯底為主要獻(xiàn)市場(chǎng)空間約103億元)，半絕緣型碳化硅襯底市場(chǎng)空間約47億元。/40%。 中國(guó)碳化硅襯底片市場(chǎng)空間測(cè)算2022A2023E2024E2025E 中國(guó)新能源汽車銷量(萬輛)(1)70690011621500 碳化硅滲透率(2)2%6%18%25% 6寸碳化硅襯底片的單車需求量(片/輛)(3)0.50.50.50.5 中國(guó)新能源汽車6寸碳化硅需求量(萬片)(4)=(1)*(2)*(3)527105188 中國(guó)新增光伏裝機(jī)量(GW)87118120124 中國(guó)光伏逆變器需求量(萬臺(tái))(5)527613543503 碳化硅滲透率(6)31%39%47%55% 6寸碳化硅襯底片的單臺(tái)需求量(片/臺(tái))(7)0.030.030.030.03 中國(guó)光伏逆變器6寸碳化硅襯底片需求量(萬片)(8)=(5)*(6)*(7)4.16.06.46.9 中國(guó)新增風(fēng)電裝機(jī)量(GW)0000 中國(guó)風(fēng)能變流器需求量(萬臺(tái))2.42.32.11.9 碳化硅滲透率26%34%42%50% 6寸碳化硅襯底片的單臺(tái)需求量(片/臺(tái))0.090.090.090.09 中國(guó)風(fēng)能變流器6寸碳化硅襯底片需求量(萬片)(9)0.10.10.10.1 中國(guó)儲(chǔ)能新增(GWh)113161108 中國(guó)儲(chǔ)能逆變器需求量(萬臺(tái))8.225.358.9121.8 碳化硅滲透率26%34%42%50% 6寸碳化硅的單臺(tái)需求量(片/臺(tái))0.050.050.050.05 中國(guó)儲(chǔ)能逆變器6寸碳化硅襯底片需求量(萬片)(10)0.10.41.23.0 中國(guó)軌道交通6寸碳化硅襯底片需求量(萬片)(11)0.000.000.010.01 6寸碳化硅襯底片售價(jià)(元/片)(12)6600630060005500中國(guó)6寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片需求量(萬片)(13)=(4)+(8)+(9)+(10)+(11)9.533.5112.3197.5中國(guó)6寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片市場(chǎng)空間(億元)(14)=(13)*(12)/100006.321.167.4108.7 -新能源汽車3.517.062.7103.1 -風(fēng)光儲(chǔ)逆變器2.84.14.65.5 全球射頻器件市場(chǎng)空間(億元)190205229253 碳化硅器件滲透率7%8%9%10% 碳化硅襯底價(jià)值量占比50%55%60%65% 全球半絕緣型碳化硅襯底市場(chǎng)空間(億元)(15)47.964.888.9118.4 34%36%40% 156 數(shù)據(jù)來源：IEA等，東吳證券研究所測(cè)算合成碳化硅晶錠碳化硅粉2.1.碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)合成碳化硅晶錠碳化硅粉?長(zhǎng)晶：核心環(huán)節(jié)，通過物理氣相傳輸法(PVT)在高溫高壓的條件下，將碳化硅原料氣化并沉積在種子晶上，段。使用較小粒徑的硬磨料，如B4C或金剛石等。精拋主要采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方式，利用化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨損協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)晶片表面的全局平坦化。研磨、拋光碳化硅襯底碳化硅晶片碳化硅晶棒18碳化硅襯底碳化硅晶片數(shù)數(shù)據(jù)來源：晶升股份招股書，東吳證券研究所2.2.長(zhǎng)晶：碳化硅晶體生長(zhǎng)的主流方法是物理氣相傳輸(PVT)?碳化硅單晶爐的長(zhǎng)晶方式(晶體制備方法)主要包括物理氣相傳輸(PhysicalVaporTransport,PVT)、高溫化學(xué)氣相積淀(HTCVD)及液相外延(LPE)。(1)物理氣相傳輸(PVT)是最成熟的制備方法。由于設(shè)備簡(jiǎn)單，操作易控制，運(yùn)行成本低等優(yōu)點(diǎn)，國(guó)外廠商SiCrystalPVT(2)HTCVD法的主要技術(shù)挑戰(zhàn)是沉積溫度的控制。HTCVD法生長(zhǎng)晶體純度較高、可實(shí)現(xiàn)近勻速晶體生長(zhǎng)，但良TCVD(3)LPE法的主要技術(shù)挑戰(zhàn)是生長(zhǎng)速率和結(jié)晶質(zhì)量的平衡。LPE法生長(zhǎng)的晶體質(zhì)量高、缺陷密度低，但其生長(zhǎng)速度緩慢、生長(zhǎng)長(zhǎng)度受限。日本的住友金屬公司采用LPE方法?！舯恚禾蓟鑶尉t三種長(zhǎng)晶方法長(zhǎng)晶方式長(zhǎng)晶方式物理氣相傳輸(PVT)高溫化學(xué)氣相積淀(HTCVD)液相外延(LPE)示意圖工藝氣體沿著溫度梯度輸送，在較冷的尾部SiC籽晶凝聚為晶體具有技術(shù)方案成熟、生長(zhǎng)過程簡(jiǎn)單、設(shè)備成本低等特點(diǎn)。技術(shù)難點(diǎn)主要為大尺寸襯底制備、缺陷水平控制及良率提升器的底部通入，在中部熱區(qū)發(fā)生反應(yīng)并形成在1800°C的溫度下碳硅溶液共溶，從過冷SiC簇，升華至反應(yīng)器頂端籽晶處生長(zhǎng)，工飽和溶液中析出SiC晶體藝溫度為1800-2300°C可制備高純度、高質(zhì)量的半絕緣型碳化硅晶目前技術(shù)成熟度仍相對(duì)較低，具有質(zhì)量高、體，具有工藝參數(shù)可調(diào)性、產(chǎn)品多樣性等優(yōu)易擴(kuò)徑、易實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的P型摻雜、長(zhǎng)晶過程生長(zhǎng)工藝尚未成熟等因素制約，商業(yè)化進(jìn)展、結(jié)晶質(zhì)量更高、成本更低的碳化硅單晶生緩慢，未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用長(zhǎng)方法19簡(jiǎn)介勢(shì)。受晶體生長(zhǎng)設(shè)備、高純氣體成本較高、可觀測(cè)等特點(diǎn)，有望成為未來制備尺寸更大數(shù)數(shù)據(jù)來源：晶升股份招股書，東吳證券研究所2.2.長(zhǎng)晶：碳化硅晶體生長(zhǎng)的主流方法是物理氣相傳輸(PVT)數(shù)數(shù)據(jù)來源：晶升股份招股書，上海皓越電爐技術(shù)有限公司，東吳證券研究所2.2.長(zhǎng)晶：工藝難點(diǎn)在于溫度控制，熱場(chǎng)材料仍依賴進(jìn)口(1)溫度控制：PVT制的精度。熱場(chǎng)分為保溫材料和坩<5ppm。坩堝主要采用高純度石墨，純度要求<5ppm。C?熱場(chǎng)主要的材料仍依賴進(jìn)口(歐洲斯柯達(dá)、日本東洋碳素等)。保溫材料和坩堝的更換周期分別為3~4◆圖：電阻加熱式熱場(chǎng)的特征區(qū)域和物理原理數(shù)據(jù)來源：人工晶體學(xué)報(bào)，晶升股份招股書，東吳證券研究所?(2)雜質(zhì)控制：碳化硅晶體結(jié)構(gòu)類型眾多，但僅少數(shù)幾種晶體結(jié)構(gòu)的碳化硅為襯底所需材料，雜質(zhì)控制難易產(chǎn)生多晶型夾雜，降低產(chǎn)品良率。023年7月，國(guó)內(nèi)碳化硅襯底環(huán)◆圖：碳化硅長(zhǎng)晶過程中壓力、溫度、氣體流量變化控制需要復(fù)雜的工藝數(shù)數(shù)據(jù)來源：上海依陽(yáng)實(shí)業(yè)，華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，晶升股份招股書，東吳證券研究所2.2.長(zhǎng)晶：預(yù)計(jì)2025年全球/國(guó)內(nèi)SiC單晶爐新增市場(chǎng)空間約100/40億元?核心假設(shè)：(1)2022-25年碳化硅單晶爐單價(jià)約60/55/50/50萬元/臺(tái)，單臺(tái)產(chǎn)能(已考慮良率)分別為全球?qū)щ娦吞蓟枰r底需求量(萬片)(1)3.3全球半絕緣型碳化硅襯底市場(chǎng)空間(億元)(2)半絕緣型碳化硅襯底平均價(jià)格(元/片)(3)全球半絕緣型碳化硅襯底需求量(萬片)(4)=(2)/(3)全球6寸碳化硅襯底需求量(萬片)(5)=(1)+(4)碳化硅單晶爐平均單臺(tái)產(chǎn)能(片/年，已考慮良率)(6)5)/(6)*10^42)碳化硅單晶爐廠商產(chǎn)能臺(tái)數(shù)(9)=(7)/(8)7全球碳化硅單晶爐單臺(tái)價(jià)格(萬元)(10)全球碳化硅單晶爐市場(chǎng)空間(億元)(11)=(9)*(10)/10^4中國(guó)導(dǎo)電型碳化硅襯底需求量(萬片)(1)中國(guó)半絕緣型碳化硅襯底市場(chǎng)空間(億元)(2)4半絕緣型碳化硅襯底平均價(jià)格(元/片)(3)中國(guó)半絕緣型碳化硅襯底需求量(萬片)(4)=(2)/(3)中國(guó)6寸碳化硅襯底需求量(萬片)(5)=(1)+(4)碳化硅單晶爐平均單臺(tái)產(chǎn)能(片/年，已考慮良率)(6))中國(guó)碳化硅單晶爐單臺(tái)價(jià)格(萬元)(10)中國(guó)碳化硅單晶爐市場(chǎng)空間(億元)(11)=(9)*(10)/10^48數(shù)數(shù)據(jù)來源：Yole，東吳證券研究所研/自產(chǎn)晶體生長(zhǎng)設(shè)備，主要用于其自身碳化硅襯底的生產(chǎn)制造，不對(duì)外大批量銷售?！舯恚簢?guó)內(nèi)龍頭碳化硅單晶爐廠商設(shè)備對(duì)比名稱單價(jià)(含稅)下降。(1)市場(chǎng)占有率約50%以上；(2)北方華創(chuàng)為半絕緣型碳化硅材料，主(1)市場(chǎng)占有率約27.47%-29.01%； (2)公司為導(dǎo)電型碳化硅材料龍頭廠24數(shù)數(shù)據(jù)來源：晶升股份招股書，東吳證券研究所2.2.長(zhǎng)晶：設(shè)備規(guī)格與國(guó)外齊平，部分晶體生長(zhǎng)控制參數(shù)優(yōu)于國(guó)外ar◆表：國(guó)內(nèi)碳化硅單晶爐廠商設(shè)備規(guī)格指標(biāo)參數(shù)◆圖：北方華創(chuàng)/晶升股份碳化硅單晶爐(左/右)設(shè)備規(guī)格指標(biāo)參數(shù)晶升股份北方華創(chuàng)國(guó)外主流廠商熱方式設(shè)備規(guī)格指標(biāo)參數(shù)線圈安裝及運(yùn)動(dòng)精度(mm)腔室材料及冷卻方式寸感應(yīng)/電阻寸應(yīng)/電阻/應(yīng)/電阻/控溫精度(控溫精度(°C)控壓精度(mbar)極限真空(mbar)10-6壓壓升率(Pa/12h)/25數(shù)數(shù)據(jù)來源：晶升股份招股書，東吳證券研究所2.3.切片：切割是SiC襯底加工的首道工序，線鋸切割是主流技術(shù)、研磨和拋光，其中切割是SiC襯底加工的第一道工序，對(duì)后續(xù)襯底外延以及晶圓制造至關(guān)重要。WARPBOW、TTV(總厚度偏差)等精度控制要求很高。統(tǒng)鋸切(如內(nèi)圓鋸片、金剛石帶鋸)切縫大、材料損耗多，不適用于SiC晶體切割；激光切割通過激光在晶體但c(d)電火花切片數(shù)據(jù)來數(shù)據(jù)來源：《碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)》，《碳化硅晶圓切割方法綜述》等，東吳證券研究所2.3.切片：未來金剛線切割和激光切割將替代砂漿線成為主流技術(shù)激光切割方法也形成了比較成熟的研究體系并逐漸興起。技術(shù)路線技術(shù)路線砂漿切割金剛線切割激光切割材料去除原理磨料研磨磨料研磨脈沖激光改性點(diǎn)度較高；2、材料損耗??；較低境污染小2、SiC晶錠損耗小，單個(gè)晶錠有數(shù)高，產(chǎn)量高；3、切割效率更高，超過線鋸切式靈活點(diǎn)4、游離的磨粒對(duì)鋼線同樣具用：使切片厚度不均且降低線鋸的使用壽命2、線鋸磨損快：極大影響線3、不適用于生產(chǎn)超薄大尺寸2、激光切割區(qū)域易出現(xiàn)熱熔損供單位面積的切削力降低，生較大的形變應(yīng)力數(shù)據(jù)來源：《碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)》，《碳化硅晶圓切割方法綜述》，東吳證券研究所2.3.切片：砂漿切割成熟度高但速度低、成本高，難滿足加工要求?砂漿線切割又稱為游離磨料線鋸切割，切片加工過程實(shí)際上是三體磨料磨損的過程(切割線、切削液中的磨相互作用)。工作原理為：排線輪上的多根金屬線組成線網(wǎng)，線網(wǎng)在排線輪的旋轉(zhuǎn)帶動(dòng)下高速往復(fù)運(yùn)動(dòng)，同時(shí)晶棒在進(jìn)給單元的作用下以一定的進(jìn)給速度向線網(wǎng)移動(dòng)。切割時(shí)，攜帶磨料(金剛石或SiC)(切片厚度<0.3mm)，切片的產(chǎn)率更高(采用多線切割，克服了單次只能切割一片的缺點(diǎn))，且切出的晶片會(huì)在晶片表面產(chǎn)生較大的微裂紋、殘余應(yīng)力和較深的相變層，導(dǎo)致晶片翹曲變形并增加后續(xù)加工工作量；4)磨料對(duì)金屬線同樣有磨削作用，金屬絲磨損較快且切割出來的SiC晶片厚度不均勻?！魣D：砂漿切割原理示意圖◆圖：砂漿多線切割系統(tǒng)示意圖數(shù)據(jù)來源：《線鋸切片技術(shù)及其在碳化硅晶圓加工中的應(yīng)用》，《金剛石線鋸切割SiC的加工質(zhì)量研究》，高測(cè)股份招股意向書，東吳證券研究所◆圖：金剛線切割原理示意圖◆圖：金剛線切割原理示意圖SiC的主流工藝。不同的是該技術(shù)通常使用水基冷卻劑，因此環(huán)境污染小；2)相較砂漿切割的“三體加工”，金剛線切割屬于“二體加工”，切割效率是前者的數(shù)倍以上；3)細(xì)線徑下的金剛線切片具有切縫窄、材料損耗少等優(yōu)點(diǎn)；4)金剛線切和耐熱性，能夠承受更大的切削力，切削時(shí)間大幅降低，使用壽命更長(zhǎng)。命和晶片的翹曲度?？梢娊饎偩€切割也不會(huì)是超薄大尺寸SiC單晶片生產(chǎn)的終局解決方案。數(shù)據(jù)來源：數(shù)據(jù)來源：《碳化硅晶圓切割方法綜述》等，梅耶博格官網(wǎng)，高測(cè)股份招股意向書，東吳證券研究所2.3.切片：激光切割有望替代金剛線成為新一代主流切割技術(shù)而達(dá)到去除材料，實(shí)現(xiàn)切割的SiC藝。激光半劃適用于解理性較好的材料加工，成本低。但碳化硅晶圓的解理性差，不易裂片，裂開的一面容易崩邊，劃過的部分粘連現(xiàn)象。◆圖：主流的激光切割技術(shù)有水導(dǎo)激光加工、冷切割技術(shù)等數(shù)據(jù)來源：數(shù)據(jù)來源：Synova，DISCO，東吳證券研究所2.3.切片：激光切割有望替代金剛線成為新一代主流切割技術(shù)。損耗；激光切割的切面較為光滑，研磨拋帶來的損耗非常少。一片SiC晶圓大約幾千元，對(duì)于客戶的原材料節(jié)◆圖：激光切割工藝材料損耗小、加工效率高、綜合成本具備優(yōu)勢(shì)工藝參數(shù)激光切割金剛線切割砂漿切割切口(um)40損傷層(um)4~7翹曲度(um)5856寸晶錠平均有效切割片數(shù)切割速度(mm/min)6.9單個(gè)晶錠切割周期4~5天設(shè)備單價(jià)(萬元/臺(tái))~10000~300，耗材價(jià)格另算-數(shù)據(jù)來源：德龍激光，東吳證券研究所2.3.切片：我們預(yù)計(jì)到2025年全球切片設(shè)備新增市場(chǎng)空間約30億元200/200/190/190萬元/臺(tái)，技術(shù)滲透率90%/78%/60%/40%，良率約70%，設(shè)備稼動(dòng)率約50%;(2)金剛線切片0/800萬元/臺(tái)，滲透率0%/2%/5%/10%，良率約80%，設(shè)備稼動(dòng)率70%?！舯恚何覀冾A(yù)計(jì)到2025年全球切片設(shè)備新增市場(chǎng)空間約30億元，2023-2025年CAGR約48%23E4E5E全球?qū)щ娦?寸碳化硅襯底需求量(萬片).35.3全球半絕緣型6寸碳化硅襯底需求量(萬片)全球6寸碳化硅襯底片需求量(萬片)(1)9.1%砂漿切片機(jī)年產(chǎn)能(萬片/臺(tái))(考慮整體良率70%)(3)砂漿切片機(jī)需求量(臺(tái))(5)=(1)*(2)/(3)/(4)/70%砂漿切片機(jī)單價(jià)(萬元/臺(tái))(6)砂漿切片機(jī)市場(chǎng)規(guī)模(億元)(7)=(5)*(6)%金剛線切片機(jī)年產(chǎn)能(萬片/臺(tái))(考慮整體良率75%)(9)金剛線切片機(jī)需求量(臺(tái))(11)=(1)*(8)/(9)/(10)/75%金剛線切片機(jī)單價(jià)(萬元/臺(tái))(12)0金剛線切片機(jī)市場(chǎng)規(guī)模(億元)(13)=(11)*(12)激光切片機(jī)年產(chǎn)能(萬片/臺(tái))(考慮整體良率80%)(15)0246激光切片機(jī)需求量(臺(tái))(17)=(1)*(14)/(15)/(16)/80%029激光切片機(jī)單價(jià)(萬元/臺(tái))(18)激光切片機(jī)市場(chǎng)規(guī)模(億元)(19)=(17)*(18)全球切片機(jī)市場(chǎng)空間(億元)(20)=(7)+(13)+(19)1.0數(shù)數(shù)據(jù)來源：高測(cè)股份，東吳證券研究所測(cè)算2.3.切片：我們預(yù)計(jì)到2025年國(guó)內(nèi)切片設(shè)備新增市場(chǎng)空間約13億元200/200/190/190萬元/臺(tái)，技術(shù)滲透率90%/78%/60%/40%，良率約70%，設(shè)備稼動(dòng)率約50%;(2)金剛線切片0/800萬元/臺(tái)，滲透率0%/2%/5%/10%，良率約80%，設(shè)備稼動(dòng)率70%。◆表：我們預(yù)計(jì)到2025年國(guó)內(nèi)切片設(shè)備新增市場(chǎng)空間約13億元，2023-2025年CAGR約58%223E4E5E中國(guó)導(dǎo)電型6寸碳化硅襯底需求量(萬片)中國(guó)半絕緣型6寸碳化硅襯底需求量(萬片)9.3中國(guó)6寸碳化硅襯底片需求量(萬片)(1)1.4.5%砂漿切片機(jī)年產(chǎn)能(萬片/臺(tái))(考慮整體良率70%)(3)設(shè)備稼動(dòng)率(4)砂漿切片機(jī)需求量(臺(tái))(5)=(1)*(2)/(3)/(4)/70%1砂漿切片機(jī)單價(jià)(萬元/臺(tái))(6)0砂漿切片機(jī)市場(chǎng)規(guī)模(億元)(7)=(5)*(6)金剛線切片機(jī)滲透率(8)%金剛線切片機(jī)年產(chǎn)能(萬片/臺(tái))(考慮整體良率75%)(9)設(shè)備稼動(dòng)率(10)金剛線切片機(jī)需求量(臺(tái))(11)=(1)*(8)/(9)/(10)/75%4金剛線切片機(jī)單價(jià)(萬元/臺(tái))(12)00金剛線切片機(jī)市場(chǎng)規(guī)模(億元)(13)=(11)*(12)7機(jī)滲透率(14)激光切片機(jī)年產(chǎn)能(萬片/臺(tái))(考慮整體良率80%)(15)0246設(shè)備稼動(dòng)率(16)激光切片機(jī)需求量(臺(tái))(17)=(1)*(14)/(15)/(16)/80%014激光切片機(jī)單價(jià)(萬元/臺(tái))(18)激光切片機(jī)市場(chǎng)規(guī)模(億元)(19)=(17)*(18)中國(guó)切片機(jī)市場(chǎng)空間(億元)(20)=(7)+(13)+(19)33數(shù)數(shù)據(jù)來源：高測(cè)股份，東吳證券研究所測(cè)算MeyerBuger線切割機(jī)是行業(yè)內(nèi)最成熟的也是市場(chǎng)占有率最大的品牌，其藍(lán)寶石多線切片機(jī)是國(guó)際上起步最早、市占率最高的機(jī)臺(tái)，公司的SiC切割將充分受益于在藍(lán)寶石領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)。高鳥的SiC砂漿切片機(jī)型號(hào)包括D套性等方面與國(guó)外設(shè)備仍有一定差距?！魣D：日本高鳥的SiC砂漿切割機(jī)，MWS是MultiWireSaw的(多剛線切割，前者最高線速達(dá)1200m/min)mond數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)，中國(guó)粉體網(wǎng)，東吳證券研究所2.3.切片：金剛線切割工藝主要設(shè)備供應(yīng)商：日本安永、高測(cè)股份等00m/min，相比業(yè)內(nèi)較多的砂漿線切工藝，線速提升約4倍以上，可極大提高生產(chǎn)效率，使加工成本較砂。兼容4-8英寸的SiC金剛線切片機(jī)(GC-SCDW8300和6500)并持續(xù)推進(jìn)國(guó)產(chǎn)替代。高測(cè)在SiC領(lǐng)域推出的SiCGCSCDWmminC數(shù)數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)，高測(cè)股份投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表，東吳證券研究所DISCO東京精密及其他統(tǒng)工藝傳統(tǒng)工藝KABRA工藝KABRA藝DISCO東京精密及其他統(tǒng)工藝傳統(tǒng)工藝KABRA工藝KABRA藝基設(shè)備根據(jù)加工方式的不同可分為冷加工的砂切削領(lǐng)域，作為半導(dǎo)體晶圓減薄切削設(shè)備、耗SiC特點(diǎn)，傳統(tǒng)加工方法單片6寸SiC晶圓的切割時(shí)間由3.1小時(shí)大幅縮短至10分鐘，且不再需要后續(xù)研磨，單位材料損耗降低56%。%% (a)激光切片大幅縮短加工時(shí)間 (b)激光切片不再需要后續(xù)研磨 (c)激光切片大幅降低材料損耗統(tǒng)工藝KABRAKABRA藝數(shù)數(shù)據(jù)來源：DISCO，VLSI，東吳證券研究所SiC大族激光作為國(guó)內(nèi)激光廠商龍頭，具有明用于第三代半導(dǎo)體的SiC晶錠激光切片機(jī)已經(jīng)交付客戶進(jìn)行驗(yàn)證。期內(nèi)暫無其他明顯競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。2.8%2.0%7%7.3%◆圖：大族激光和德龍激光主導(dǎo)國(guó)內(nèi)激光切片設(shè)備市場(chǎng)數(shù)據(jù)來源：中商情報(bào)網(wǎng)，大族激光，數(shù)據(jù)來源：中商情報(bào)網(wǎng)，大族激光，德龍激光，東吳證券研究所2.4.磨拋：研磨初步去除SiC晶片切割中形成的表面刀痕和損傷層形成外延缺陷進(jìn)而切削去除方式使被加工材料的表面脫落，從而提高工件的形狀精度、尺寸和降低材料的表面粗糙具有上、下兩個(gè)研磨盤，可以同時(shí)研磨襯底的兩個(gè)面。磨削或單◆圖：襯底的磨削與雙面研磨時(shí)的變形過程數(shù)據(jù)來源：數(shù)據(jù)來源：《碳化硅襯底超精密加工技術(shù)》，《碳化硅單晶襯底超精密拋光關(guān)鍵技術(shù)研究》，東吳證券研究所2.4.磨拋：拋光進(jìn)一步保障表面質(zhì)量，以滿足后續(xù)外延&器件制造SiC硬粒和殘留損傷層，避免在切割過程中產(chǎn)生破片。拋光指用高速旋轉(zhuǎn)的低彈性材料(人造革、棉布等)拋光盤，或者用低速旋轉(zhuǎn)的軟質(zhì)彈性或粘彈性材料?拋光也分為兩道工藝：粗拋和精拋，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是精拋中應(yīng)用最為廣泛的拋光技術(shù)。粗拋是針對(duì)雙面的機(jī)械拋光，目的在于提高拋光的加工效率，同時(shí)提高襯底表面的總厚度變化(TTV)、彎曲度(BOW)、翹曲度(Warp)，改善襯底表面的表面粗糙度(Ra)；CMP是單面拋光，作用為去除碳化硅片硅面表面的劃傷緣進(jìn)行加工以防止晶片開裂。，只使用干式拋光磨輪進(jìn)行拋光的去除應(yīng)力加工工藝?！魣D：干法和濕法的拋光工藝路線數(shù)據(jù)來源：數(shù)據(jù)來源：《碳化硅單晶襯底超精密拋光關(guān)鍵技術(shù)研究》等，Disco官網(wǎng)，華海清科招股書，東吳證券研究所2.4.磨拋：我們預(yù)計(jì)2025年全球/國(guó)內(nèi)磨拋設(shè)備的市場(chǎng)空間約56/23億元機(jī)+2臺(tái)單面精磨機(jī)。2022-25年雙面粗磨機(jī)價(jià)格分別為150/150/140/140萬元，單面精磨機(jī)精度更高，降價(jià)稍緩◆圖：我們預(yù)計(jì)到2025年6寸磨拋設(shè)備的市場(chǎng)空間約56/23億元，2023-2025年CAGR約81%/94%全球?qū)щ娦?寸碳化硅襯底需求量(萬片)3.3全球半絕緣型6寸碳化硅襯底需求量(萬片)全球6寸碳化硅襯底片需求量(萬片)①.1雙面粗磨機(jī)價(jià)值量(萬元/臺(tái))②單面精磨機(jī)價(jià)值量(萬元/臺(tái))*2③全球研磨機(jī)市場(chǎng)空間(億元)④=①*(②+③*2)雙面拋光機(jī)價(jià)值量(萬元/臺(tái))⑤全球拋光機(jī)市場(chǎng)空間(億元)⑥=①*⑤全球研磨+拋光市場(chǎng)空間(億元)⑦=④+⑥7中國(guó)中國(guó)導(dǎo)電型6寸碳化硅襯底需求量(萬片)中國(guó)半絕緣型6寸碳化硅襯底需求量(萬片)3中國(guó)6寸碳化硅襯底片需求量(萬片)①4276.5雙面粗磨機(jī)價(jià)值量(萬元/臺(tái))②單面精磨機(jī)價(jià)值量(萬元/臺(tái))*2③中國(guó)研磨機(jī)市場(chǎng)空間(億元)④=①*(②+③*2)雙面拋光機(jī)價(jià)值量(萬元/臺(tái))⑤中國(guó)拋光機(jī)市場(chǎng)空間(億元)⑥=①*⑤中國(guó)研磨+拋光市場(chǎng)空間(億元)⑦=④+⑥40數(shù)據(jù)來源：數(shù)據(jù)來源：IEA等，東吳證券研究所測(cè)算?SiC行業(yè)中所使用的磨拋設(shè)備均由藍(lán)寶石、硅晶等行業(yè)中的單一設(shè)備所改造延伸而來，因此廠商眾多。國(guó)外廠商包括日本的秀和工業(yè)、Disco和東京精密，法國(guó)的Soitec，瑞士的梅耶博格，美國(guó)的AppliedMaterials和Speedfam等；國(guó)內(nèi)廠商包括邁為、特思迪、揚(yáng)帆半導(dǎo)體等。為滿足產(chǎn)業(yè)化需求，切磨拋的全自動(dòng)量產(chǎn)化正在逐步開展。?DISCO是全球半導(dǎo)體制造設(shè)備龍頭，多年專注于晶圓減薄、拋光等領(lǐng)域。產(chǎn)品包括研磨機(jī)(Grinders)、拋光機(jī)(Polishers)、研磨拋光一體機(jī)(Grinder/Polisher)、表面平坦機(jī)(SurfacePlaner)等；在SiC減薄方面，公司采用4軸磨削和干法拋光以提高產(chǎn)品質(zhì)量。?國(guó)內(nèi)，邁為股份對(duì)標(biāo)Disco所有型號(hào)，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展符合預(yù)期。邁為在2019年立項(xiàng)研磨機(jī)，是國(guó)內(nèi)最早將全自動(dòng)減薄機(jī)推向量產(chǎn)的廠商(23年1月)，截至2023年7月，8英寸減薄機(jī)已量產(chǎn)?！魣D：DISCO采用4軸磨削和干法拋光以提高SiC晶片減薄質(zhì)量圖：DISCO磨拋產(chǎn)品◆圖：邁為MX-SSG1A半導(dǎo)體晶圓研磨設(shè)備數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)，《TechBriefing2022-DISCOCorporation》，東吳證券研究所 3.外延片3.外延.襯底片器件3.1.外延片：晶體結(jié)構(gòu)優(yōu)質(zhì)可控，可分為同質(zhì)外延&3.外延片3.外延.襯底片器件相，再制作器件。外延可分為①同質(zhì)外延：在導(dǎo)電型SiC襯底生長(zhǎng)SiC，常用度15000V則需要上百微米(約150μm)?！鬝iC外延分為異質(zhì)/同質(zhì)兩種類型應(yīng)用領(lǐng)域同質(zhì)外延導(dǎo)電型15-30mΩ·cm碳化硅SiC低功率器件/射頻歸到交通(≥650V)通訊、無線電探測(cè)≥10^5Ω·cm◆圖：Sic晶體-襯底-外延-器件-模塊-系統(tǒng)全產(chǎn)業(yè)鏈外延數(shù)據(jù)來源：電子發(fā)燒友，東吳證券研究所底缺陷3.1.外延片：工藝難度大，Wolfspeed的SiC外延厚度已實(shí)現(xiàn)200μm底缺陷SiCSiC因此外延層缺陷包括來自襯底的缺陷(如微管、貫穿螺型位錯(cuò)TSD、貫穿刃型位錯(cuò)TED、基平面位錯(cuò)BPD)，以及生長(zhǎng)過程的位錯(cuò)以及宏觀缺陷(如掉落物、三角形缺陷、胡蘿卜缺陷/彗星型缺陷、淺坑、生長(zhǎng)的堆垛層錯(cuò))。TSDTED影響碳化硅器件性能，只有BPD會(huì)敗(擊穿電壓VB降低20%~90%)，良率大幅降低。米。Wolfspeed(Cree)的N/P型碳化硅外延厚度均可達(dá)到200μm，國(guó)內(nèi)存在一定差距，瀚天天成N型碳化硅外延厚度達(dá)40μm，東莞天域N型碳化硅外延厚度做到30μm?！鬝iC外延常見的缺陷類型缺陷/器件無無貫無無貫貫穿刃型位錯(cuò)TED(無蝕無無基平面位錯(cuò)BPD(包括界無，但會(huì)引發(fā)MPS無，但會(huì)引發(fā)二極雙級(jí)退化(導(dǎo)通電阻及漏面位錯(cuò)、半環(huán)陣列)二極管退化管退化電流增加)內(nèi)內(nèi)生堆垛層錯(cuò)VB降低(20~-50%)VB降低(20~-50%)VB降低(20~-50%)生長(zhǎng)缺陷胡蘿卜缺陷、三角形缺陷VB降低(30~-70%)VB降低(30~-70%)VB降低(30~-70%)VVB降低(50~-90%)VB降低(50~-90%)VB降低(50~-90%)落物缺陷數(shù)數(shù)據(jù)來源：基本半導(dǎo)體，DT新材料，東吳證券研究所◆SiC外延片競(jìng)爭(zhēng)格局◆SiC外延片國(guó)產(chǎn)率低◆SiC外延片競(jìng)爭(zhēng)格局◆SiC外延片國(guó)產(chǎn)率低定(濃度、厚度一致lfspeed3%的市場(chǎng)份額，合計(jì)高達(dá)95%，形成雙寡頭壟斷。由于進(jìn)口外延爐供貨短缺+國(guó)內(nèi)外延爐仍需驗(yàn)證+目標(biāo)約140萬片；東莞天域2022年6寸產(chǎn)能達(dá)8萬片，并且啟動(dòng)年產(chǎn)100萬片的6/8寸外延項(xiàng)目，預(yù)計(jì)2025年竣工◆國(guó)內(nèi)外碳化硅外延廠商產(chǎn)品/產(chǎn)能布局廠商廠商外延片尺寸產(chǎn)能/規(guī)劃外延設(shè)備供應(yīng)商230萬片230萬片190萬片SKSiltron6寸/8寸-QorvoSKSiltron6寸/8寸-3月宣布擴(kuò)產(chǎn)6英寸和8英寸SiC襯底和外延片(廠房近30萬平方英尺)-萬片--公司與意法半導(dǎo)體擬32億美元(228億公司與意法半導(dǎo)體擬32億美元(228億碳化硅外延/芯片代工廠數(shù)據(jù)來源：芯世相，芯智訊，集邦半導(dǎo)體，東吳證券研究所數(shù)據(jù)來源：芯世相，芯智訊，集邦半導(dǎo)體，SiH4和C3H8續(xù)不斷地薄膜材料SiH4和C3H8續(xù)不斷地薄膜材料，但量好且量不佳且量最好但發(fā)不均化學(xué)氣相沉積CVD、液相外延LPE、分子束外延MBE等，其中CVD兼?zhèn)涑杀具m中+外延質(zhì)量好+生長(zhǎng)速度快的優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用最廣。CVD工藝流程：①利用載氣(H2)將反應(yīng)源氣體(如SiH4/C3H8)輸送到生長(zhǎng)室內(nèi)的熱區(qū)；②氣體達(dá)到被加熱的SiC襯底，反應(yīng)沉積單晶薄膜(外延片)。D傳統(tǒng)CVD(900-2000℃)，且能在不同襯底上沉積超薄層甚至原子層的特殊結(jié)構(gòu)表面?！鬋VD制作SiC外延片過程長(zhǎng)SiC晶體利利用載氣(H2)將反應(yīng)源氣體(如SiH4和C3H8等)輸送到生長(zhǎng)室內(nèi)的熱區(qū)反應(yīng)前驅(qū)氣體烷、甲烷、乙烯等雜源氮?dú)釴2和三甲基鎵(TMGa)等數(shù)據(jù)來源：數(shù)據(jù)來源：ICSPEC，東吳證券研究所3.2.外延爐：水平/垂直式多技術(shù)并行，多腔&多片有效提高產(chǎn)能導(dǎo)致加熱效率很低，且溫場(chǎng)/流場(chǎng)不均勻，晶體表面溫度梯度很大(>100K/mm)，容易翹曲；熱壁CVD克服了這些缺點(diǎn)，改變加熱方式&增加絕熱材料(如石墨)，溫場(chǎng)/流場(chǎng)更均勻，溫度梯度顯著降低(<10長(zhǎng)，膜厚和摻雜濃度不穩(wěn)定，同時(shí)氣體入口距襯底近，流場(chǎng)和溫場(chǎng)不均勻，容易形成難度大&設(shè)備昂貴，使用垂直式的主要是Nuflare?！鬝iC-CVD按照氣流方向可分為垂直/水平式(行星式是水平式的一種)冷壁熱壁NuflareLPE代表企業(yè)：愛思強(qiáng)47數(shù)據(jù)來源：數(shù)據(jù)來源：ICSPEC，東吳證券研究所3.2.外延爐：水平/垂直式多技術(shù)并行，多腔&多片有效提高產(chǎn)能VS腔室中的單步工藝，這種設(shè)計(jì)有利于簡(jiǎn)化腔室內(nèi)的他腔室的工藝，提高 0%以上。◆SiC-CVD按照技術(shù)路線可分為單機(jī)單腔/單機(jī)多腔，單腔多腔腔多片單片多片代表企業(yè)：愛思強(qiáng)、晶盛機(jī)電、芯三代48數(shù)數(shù)據(jù)來源：晶盛機(jī)電，MKS，東吳證券研究所流場(chǎng)均勻、particle少、產(chǎn)能大，缺陷在于設(shè)備成本高(3500萬元單腔)、厚度和摻雜的均勻性略差、耗材成本氣流(公轉(zhuǎn)+自轉(zhuǎn))，優(yōu)勢(shì)在于厚度和摻雜的均勻性好，缺陷在于重復(fù)性差(不適用量產(chǎn))、Particle較多。噴之際，時(shí)間上不允許國(guó)外幾家廠商進(jìn)行大的技術(shù)方案革新或者推倒重來。我們預(yù)計(jì)接下來2-3年EDMOCVDE德國(guó)愛思強(qiáng)(GSWW)噴淋頭和托盤距離短均勻性勻性5/cm25/cm22/cm22/cm290μm/hm/hμm/hm/h升溫/冷卻時(shí)間min/65+14minminnmin4”wafer<1℃6”wafer<2℃fer價(jià)值量00萬RMB單腔RMB雙腔單腔產(chǎn)能(6寸)/月單腔*3片(可擴(kuò)更多和摻雜的均勻性較好和摻雜的均勻性好用率高厚度和摻雜的均勻性好，生長(zhǎng)速率高，價(jià)格低PM周期短Particle復(fù)性差(不適于量產(chǎn))，襯污染厚度和摻雜的均勻性略差，設(shè)備成本高，耗材成本高代需要時(shí)間數(shù)據(jù)來源：芯三代，東吳證券研究所?晶盛機(jī)電北方華創(chuàng)?中電48?晶盛機(jī)電北方華創(chuàng)?中電48所深圳納設(shè)碳化硅外延設(shè)備(型號(hào)為150A，產(chǎn)能350-400片)已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代，22年公司外延設(shè)備市占率居國(guó)內(nèi)前列。23?！鬝iC-CVD設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)格局◆SiC-CVD設(shè)備進(jìn)展/產(chǎn)能規(guī)劃設(shè)備進(jìn)展/產(chǎn)能規(guī)劃NuFlare。2018年開始開發(fā)單片式外延設(shè)備，2023年發(fā)布雙片式外延設(shè)備2010年就啟動(dòng)外延裝備的研發(fā)工作，歷經(jīng)十年，已發(fā)布20余款量產(chǎn)型外延設(shè)數(shù)數(shù)據(jù)來源：北方華創(chuàng)，第三代半導(dǎo)體，ICSPEC，東吳證券研究所平222023E2024E2025E全球?qū)щ娦?寸碳化硅襯底需求量(萬片)2.375.3全球半絕緣型6寸碳化硅襯底需求量(萬片)全球6寸碳化硅襯底片需求量(萬片)①49.1單臺(tái)設(shè)備產(chǎn)能(萬片/年/臺(tái))②設(shè)備需求量(臺(tái))③=①/②設(shè)備價(jià)格(萬元/臺(tái))④市場(chǎng)空間(億元)市場(chǎng)空間(億元)⑤=③*④中國(guó)導(dǎo)電型6寸碳化硅襯底需求量(萬片)中國(guó)半絕緣型6寸碳化硅襯底需求量(萬片)9.3中國(guó)6寸碳化硅襯底片需求量(萬片)①.4.5單臺(tái)設(shè)備產(chǎn)能(萬片/年/臺(tái))②0011設(shè)備需求量(臺(tái))③=①/②設(shè)備價(jià)格(萬元/臺(tái))④市場(chǎng)空間(億元)⑤=③*④8數(shù)數(shù)據(jù)來源：各公司官網(wǎng)，東吳證券研究所(a)SiC晶圓劃片切劃道(a)SiC晶圓劃片切劃道SiC統(tǒng)機(jī)械切割(砂輪)方法是最常見的晶圓劃片方法，刀片可根產(chǎn)品選擇。而SiC晶圓莫氏硬度分布在9.2-9.6，高硬度、高脆性、低使得其磨削加工過程中易引起材料的脆性斷裂，切割槽的背◆圖：砂輪切割為常見晶圓劃片方法日本DISCO針對(duì)SiC晶圓難以使用普通金剛石刀片進(jìn)行劃切加工的問題，開發(fā)了一種激光開槽加工工藝。先在切割道內(nèi)切開2條細(xì)槽(開槽)，然后再使用磨輪刀片在2條細(xì)槽的中間區(qū)域?qū)嵤┤懈罴庸?。通過采用該項(xiàng)◆圖：激光開槽有效降低高硬度SiC晶圓機(jī)械劃切崩邊帶來的不良影響梯((b)π激光開槽加工((c)ω激光開槽加工?激光劃片有效解決砂輪劃片崩刃、刀具磨損等問題，但是熱效應(yīng)和熔渣仍是不可忽視的問題。激光劃片是指將激光能量于極短的時(shí)間內(nèi)集中在微小區(qū)域，使固體升華、蒸發(fā)的全切割加工，開槽加工方式，屬于激光燒蝕加工技術(shù)。激光劃片屬于非接觸式加工，加工效率跟晶圓厚度有密切關(guān)系，厚度越厚，劃片速度越慢，吞吐量就越低。?采用隱形激光切割技術(shù)，有效減小切割道損耗，是主流的激光劃片技術(shù)路線。激光隱形切割通過將脈沖激光的單個(gè)脈沖通過光學(xué)整形，讓其透過材料表面在材料內(nèi)部聚焦，在焦點(diǎn)區(qū)域能量密度較高，形成多光子吸收非線性吸收效應(yīng)，使得材料改性形成裂紋。每一個(gè)激光脈沖等距作用，形成等距的損傷即可在材料內(nèi)部形成一個(gè)改質(zhì)層。在改質(zhì)層位置材料的分子鍵被破壞，材料的連接變的脆弱而易于分開。切割完成后通過拉伸承載膜的方式，將產(chǎn)品充分分開，并使得芯片與芯片之間產(chǎn)生間隙。激光切割技術(shù)更適用于第三代半導(dǎo)體劃片，減小材料加工損耗，簡(jiǎn)化加工工序參數(shù)對(duì)比激光表面直接劃片隱形激光劃片優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)工藝示意圖①不會(huì)產(chǎn)生崩刃、刀具磨損和水污染；②適用于異形工件、較脆材料的加工，比如第三代半導(dǎo)體材料、超薄硅片的劃片，避免傳統(tǒng)刀片劃片進(jìn)給速度引發(fā)的破片風(fēng)險(xiǎn)。①熱影響和夾渣是不可忽視的問題，通過冷加工355nm紫外激光或超快激光，在非常高的加工要求規(guī)則下，仍具有一定的熱效應(yīng)；②激光聚焦無法精確控制到刀具的深度，晶圓完全切穿時(shí)，藍(lán)膜往往會(huì)被破壞，影響后續(xù)的晶體膨脹過程；③激光燒蝕在表面會(huì)產(chǎn)生碎屑，需要額外的濕法清洗工序，有切割道，相對(duì)而言生產(chǎn)效率較低。①由于工件內(nèi)部改質(zhì)，因此可以抑制加工屑的產(chǎn)生，適用于抗污垢性能差②適用于抗負(fù)荷能力差的工件，且采用干式加工工藝，無需清洗；③可以減小切割道寬度，因此有助于減小芯片間隔，適用于窄劃道工件。數(shù)數(shù)據(jù)來源：DISCO，東吳證券研究所%大族激光%激光%大族激光%激光%?以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料基本采用激光切割劃片。截至2023年7月，劃片行業(yè)晶圓切割約70%市場(chǎng)份額為砂輪切割。傳統(tǒng)硅基類90%采用砂輪切割；碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，主要用于功率器件芯片以及射頻芯片器件的制造，生產(chǎn)、加工難度較大，采用傳統(tǒng)砂輪切割工藝，材料耗損高，產(chǎn)出率、良率、切割效率均存在一定問題，因此基本采用激光切割。?德龍激光、大族激光是國(guó)內(nèi)唯二的激光劃片設(shè)備廠商，市場(chǎng)份額接近平分。在晶圓激光切割領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)主要參與者僅有德龍激光和大族激光兩家，早期德龍激光市場(chǎng)占比更多，隨著大族激光加入晶圓激光切割市場(chǎng)，截至2022年12月，兩家市場(chǎng)份額各占約50%?！魣D：第三代半導(dǎo)體基本采用激光切割劃片◆圖：德龍激光、大族激光平分激光劃片設(shè)備市場(chǎng)2%硅硅基類激光切割數(shù)據(jù)來源：德龍激光，數(shù)據(jù)來源：德龍激光，大族激光，東吳證券研究所(3.00萬片/年對(duì)應(yīng)2500片/月，即德龍激光切割設(shè)備單臺(tái)產(chǎn)能)；(2)2022-2025年激光切割設(shè)備平均價(jià)格CAGR%220222023E2024E2025E0075.3802.3349.1全球半絕緣型6寸碳化硅襯底需求量(萬片)全球6寸碳化硅襯底片需求量(萬片)①單臺(tái)設(shè)備產(chǎn)能(萬片/年/臺(tái))②設(shè)備需求量(臺(tái))③=①/②設(shè)備價(jià)格(萬元/臺(tái))④市場(chǎng)空間(億元)⑤=③*④9.39.3.580.91.400中國(guó)半絕緣型6寸碳化硅襯底需求量(萬片)中國(guó)6寸碳化硅襯底片需求量(萬片)①單臺(tái)設(shè)備產(chǎn)能(萬片/年/臺(tái))②設(shè)備需求量(臺(tái))③=①/②設(shè)備價(jià)格(萬元/臺(tái))④市場(chǎng)空間(億元)⑤=③*④0.40.71.42.155數(shù)據(jù)來源：德龍激光，數(shù)據(jù)來源：德龍激光，大族激光，東吳證券研究所 碳化硅領(lǐng)域，2022年晶盛機(jī)電行業(yè)首發(fā)6寸單片式碳化硅外延設(shè)備(型號(hào)為150A，產(chǎn)能350-400片)并實(shí)現(xiàn)600-650片)，同年6月再次成功推出8寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備。碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備的自主研發(fā)與調(diào)試，外延的厚度均勻性1.5%以內(nèi)、摻雜均勻性4%以內(nèi)，未來外延設(shè)備迭代方向?qū)膯纹蕉嗥?單腔多片式或單片多腔式)，增加單位產(chǎn)能、降低生產(chǎn)成本。均勻性4%以內(nèi)，已達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平數(shù)數(shù)據(jù)來源：晶盛機(jī)電公眾號(hào)，東吳證券研究所向客戶送樣，通過了下游客戶和第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)的驗(yàn)證，且已取得客戶A意向性合同，2022年-2025年公司將SiCSiC體，晶坯(風(fēng)險(xiǎn)提示：研發(fā)進(jìn)展不及預(yù)期，下游擴(kuò)產(chǎn)不及預(yù)期)數(shù)數(shù)據(jù)來源：晶盛機(jī)電公眾號(hào)，東吳證券研究所應(yīng)用于8/12英寸硅晶圓及碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體內(nèi)部改質(zhì)切割備高功率紅外激光器(極小的激光濺射)應(yīng)用于8/12英寸硅晶圓及碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體內(nèi)部改質(zhì)切割備高功率紅外激光器(極小的激光濺射)，兼容不同厚度晶高精密直線電機(jī)，高速度X-Y運(yùn)動(dòng)平臺(tái)配備SLM激光調(diào)制技術(shù),具有光斑整型及補(bǔ)償功能?配備雙光束(2-Beam)同時(shí)加工作業(yè)SEMICON展示了針對(duì)碳化硅的、經(jīng)過主軸功率改造的碳化硅研磨設(shè)備，應(yīng)用于4/6/8英寸碳化硅、藍(lán)寶石等硬質(zhì)材晶圓的減薄。同時(shí)展示半導(dǎo)體晶圓激光改質(zhì)切割設(shè)備，應(yīng)(風(fēng)險(xiǎn)提示：研發(fā)進(jìn)展不及預(yù)期，下游擴(kuò)產(chǎn)不及預(yù)期)應(yīng)用于應(yīng)用于4/6/8英寸碳化硅、藍(lán)寶石等硬質(zhì)材晶圓的減薄?可視化操作管理，實(shí)時(shí)顯示和監(jiān)控關(guān)鍵加工信息?視覺檢測(cè)和定位系統(tǒng)可識(shí)別晶圓正反面，自動(dòng)定位補(bǔ)償?物料信息掃描錄入、防止晶圓斜插?雙高剛性氣浮主軸設(shè)計(jì)，搭配自主研制的高目數(shù)磨輪數(shù)數(shù)據(jù)來源：邁為股份公眾號(hào)，東吳證券研究所W3年7月，已在行業(yè)形成銷售。h供電異常時(shí)設(shè)備停機(jī)不斷線概率提升至95%以上。◆圖：2023中國(guó)半導(dǎo)體新材料發(fā)展(唐山)論壇◆圖：GC-SCDW8300型碳化硅切片機(jī)設(shè)備參數(shù)數(shù)數(shù)據(jù)來源：高測(cè)股份公眾號(hào)，東吳證券研究所GCSCDW的同時(shí)，高測(cè)推出碳化硅專用金剛線、碳化硅倒角砂輪、碳化硅減薄持型好，壽命(風(fēng)險(xiǎn)提示：研發(fā)進(jìn)展不及預(yù)期，下游擴(kuò)產(chǎn)不及預(yù)期)◆圖：公司碳化硅專用金剛線產(chǎn)品及參數(shù)◆圖：碳化硅倒角砂輪◆圖：碳化硅減薄砂輪數(shù)數(shù)據(jù)來源：高測(cè)股份公眾號(hào)，東吳證券研究所◆圖：應(yīng)力誘導(dǎo)方法下劃片截面光滑(a)175um厚SiC晶圓劃片效果◆圖：應(yīng)力誘導(dǎo)方法下劃片截面光滑(a)175um厚SiC晶圓劃片效果iC個(gè)且晶圓廠商通常在產(chǎn)能擴(kuò)展時(shí)才考慮設(shè)備更新迭代，設(shè)備進(jìn)入難度極高。德龍激光2018年開始進(jìn)入SiC領(lǐng)域，公司研發(fā)的應(yīng)力誘導(dǎo)切割方法擅長(zhǎng)切割超硬和超脆材料，并順利用該方法實(shí)現(xiàn)了SiC晶圓的品質(zhì)快速切割，切割截面均勻度較傳統(tǒng)機(jī)械方法有明顯的改善。針對(duì)主流6寸SiC晶圓，最大切割速度為500mm/s，工藝成熟，可針對(duì)航天航空、電力電子等行業(yè)微波器件以及功率器件的SiC晶圓片進(jìn)行SiCSiC晶圓劃片設(shè)備關(guān)鍵參數(shù)(b)350(b)350um厚SiC晶圓劃片效果Inducer-5560碳化硅電力電子器件晶圓碳化硅基氮化鎵射頻芯片6寸(可升級(jí)至8寸)500mm/s適用產(chǎn)品適用尺寸最大切割速度最大切割厚度X軸：行程450mm，解析度0.1umY軸：行程Y軸：行程700mm，解析度0.1umZ軸：行程20mm，解析度0.1um紅外皮秒脈沖激光器，≥4W風(fēng)冷(c)(c)低倍率SiC晶圓劃片SEM冷卻方式數(shù)據(jù)來源：德龍激光，東吳證券研究所激光激光聚焦到到材料內(nèi)部，從內(nèi)部打斷材料的分子鍵，穿透力強(qiáng)且有效避免熱效應(yīng)的影帶來的切割道口損失，且無需后續(xù)二次研磨加工，在確保良率的情況下顯著提升(風(fēng)險(xiǎn)提示：研發(fā)進(jìn)展不及預(yù)期，下游擴(kuò)產(chǎn)不及預(yù)期)數(shù)數(shù)據(jù)來源：德龍激光，DISCO，東吳證券研究所(b)SiC產(chǎn)品切割效果正面圖(c)SiC(b)SiC產(chǎn)品切割效果正面圖(c)SiC產(chǎn)品切割效果背面圖IC用，并持續(xù)加大對(duì)基礎(chǔ)器件以及專用設(shè)備業(yè)務(wù)C光內(nèi)部改質(zhì)切割設(shè)備，率先打破國(guó)外技術(shù)壟斷。自2015年開始， (a)碳化硅晶圓改質(zhì)切割設(shè)備DSI-S-TC9310大族激光配合半導(dǎo)體行業(yè)客戶需求，該技術(shù)已形成批量銷售，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空白。關(guān)鍵參數(shù)關(guān)鍵參數(shù)SiC晶圓改質(zhì)切割設(shè)備數(shù)據(jù)來源：大族激光，東吳證券研究所(a)SiC晶錠激光切片機(jī)(b)SiC超薄晶圓激光切片機(jī)(a)SiC晶錠激光切片機(jī)(b)SiC超薄晶圓激光切片機(jī)QCBSiCSiC錠激光切片機(jī)已交付客戶驗(yàn)證QCBSiC割效果。QCB切片技術(shù)利用高能量密度的脈沖激描激光能夠在目標(biāo)平面引導(dǎo)出基面方向擴(kuò)展的裂紋陣列；最后利用第三代半導(dǎo)體晶體學(xué)上的基面滑移機(jī)制來實(shí)現(xiàn)高精度、低損傷的晶圓剝離。SiC最新發(fā)布的兩款設(shè)備SiC晶錠激光切片機(jī)(HSET-S-LS6200)、SiC超薄晶圓激光切片機(jī)(HSET-S-LS6210)，采用全新QCB技術(shù)，以切割2cm厚度的(風(fēng)險(xiǎn)提示：研發(fā)進(jìn)展不及預(yù)期，下游擴(kuò)產(chǎn)不及預(yù)期)項(xiàng)目多線切割QCB技術(shù)單片切口損耗0um單片研磨損耗50um單片總損耗(350um晶圓)240-260um50um最薄切割厚度450um數(shù)數(shù)據(jù)來源：大族激光，東吳證券研究所SiC備領(lǐng)域多方位布局，有望充分受益產(chǎn)業(yè)協(xié)同爐等多種設(shè)備機(jī)型，滿足SiC芯片生產(chǎn)流程中晶錠生長(zhǎng)和晶片處理兩大環(huán)節(jié)的需求。SEMIHBLED望參與制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，引領(lǐng)SiC設(shè)◆圖：北方華創(chuàng)SiC設(shè)備布局覆蓋晶錠生長(zhǎng)和晶片處理兩大環(huán)節(jié)原料合成原料合成晶體生長(zhǎng)晶體退火火數(shù)數(shù)據(jù)來源：北方華創(chuàng)官網(wǎng)，東吳證券研究所4.6.北方華創(chuàng)：提供