第4章練習(xí)題專業(yè)知識講座

1、晶體管能夠放大內(nèi)部條件是()。A、兩個(gè)背靠背PN結(jié)B、空穴和電子都參與了導(dǎo)電C、有三個(gè)摻雜濃度不同樣區(qū)域D、發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，并且基區(qū)很薄，集電結(jié)面積比發(fā)射結(jié)大D練習(xí)題第1頁2、晶體管能夠放大外部條件是()。A、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏

B、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏C、發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正D、發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏B第2頁3、測得晶體管三個(gè)電極靜態(tài)電流分別為0.06mA、3.66mA和3.6mA，則該管β為()。A、60B、61

C、100D、50A第3頁4、在一種由NPN型晶體管組成放大電路中，有關(guān)晶體管三個(gè)電極電位，下列說法正確是()。A、集電極電位一定最高B、集電極電位一定最低C、發(fā)射極電位一定最高D、基極電位一定最低A第4頁5、只用萬用表鑒別晶體管三個(gè)電極，最先鑒別出應(yīng)是()。A、基極B、發(fā)射極C、集電極D、發(fā)射極或集電極A第5頁6、當(dāng)晶體管集電極電流Ic＞Icm時(shí)，下列說法正確是()。A、晶體管一定被燒毀B、晶體管Pc＝PcMC、晶體管β一定減小D、晶體管β一定增大C第6頁7、某放大電路中，晶體管各電極對地電位如下列圖所示．由此可判斷該晶體管為()。A、NPN型硅管B、NPN型鍺管C、PNP型硅管D、PNP型鍺管D第7頁8、

某晶體管各電極相對于“地”電壓如圖所示，由此可判斷該晶體管()。A、處于放大狀態(tài)B、處于飽和狀態(tài)C、處于截止?fàn)顟B(tài)D、已損壞D第8頁9、共發(fā)射極接法晶體管工作在放大狀態(tài)下．對直流而言其()。A、輸入具有近似恒壓特性，而輸出具有恒流特性B、輸入和輸出均具有近似恒流特性C、輸入和輸出均只有近似恒壓特性D、輸入具有近似恒流特性，而輸出具有恒壓特性A第9頁10、晶體管參數(shù)受溫度影響較大．當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體管β、ICBO、UBE變化情況為()。A、β增加、ICBO和UBE減小B、β和ICBO增加，UBE減小C、β和UBE減小，ICBO增加D、β

、UBE和ICBO都增加B第10頁11、利用微變等效電路能夠計(jì)算晶體管