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第第頁(yè)單相光伏發(fā)電系統(tǒng)中前級(jí)Boost電路硬件設(shè)計(jì)實(shí)例本文以單相光伏發(fā)電系統(tǒng)中前級(jí)Boost電路為例對(duì)其進(jìn)行(硬件)設(shè)計(jì),Boost電路的硬件電路主要包括能量轉(zhuǎn)換電路、開(kāi)關(guān)管(驅(qū)動(dòng)電路)和(信號(hào))(檢測(cè))電路的設(shè)計(jì)。

1、系統(tǒng)指標(biāo)

2、能量轉(zhuǎn)換(電路設(shè)計(jì))

2.1能量轉(zhuǎn)換(電路原理)圖

圖2能量轉(zhuǎn)換電路原理圖

2.2能量轉(zhuǎn)換電路器件選型

(1)儲(chǔ)能電感L的器件選型(圖2中的L1)

已知Boost電路的輸入輸出電壓關(guān)系:

根據(jù)上式計(jì)算占空比可得:0.625

將系統(tǒng)指標(biāo)中的參數(shù)代入上式可得:

另外,結(jié)合實(shí)際情況,認(rèn)為輸入電壓平均在100V左右,此時(shí)電感所要承受的最大電流為:

綜上所述,考慮到系統(tǒng)的的裕量,電感要適當(dāng)取得大一些,本例中的電感參數(shù)取5mH,其飽和(電流)參數(shù)取為10A。

圖3定制鐵硅鋁(磁環(huán)電感)實(shí)物圖(5mH/10A)

(2)輸出濾波(電容)C的器件選型(圖2中的C3~C6)

已知輸出濾波電容的選取依據(jù):

將系統(tǒng)指標(biāo)中的參數(shù)代入上式可得:

由于本例中Boost電路的輸出濾波電容同時(shí)作為系統(tǒng)的母線電容,因此在設(shè)計(jì)時(shí)通常留5~10倍裕量(一般情況下2倍裕量即可)。本例中輸出濾波電容取2000μF,且輸出電容的耐壓必須大于輸出電壓400V。在硬件設(shè)計(jì)時(shí)使用了8個(gè)1000μF/315V的(電解電容),并采用兩個(gè)串聯(lián)為一組,然后四組并聯(lián),最終得到2000μF/600V的輸出電容。

圖4牛角型電解電容實(shí)物圖(1000μH/315V)

(3)開(kāi)關(guān)管VQ的器件選型(圖2中的Q1)

在對(duì)開(kāi)關(guān)管器件進(jìn)行選型時(shí)應(yīng)考慮器件所能承受的最大電壓和最大電流,另外還需考慮最大開(kāi)關(guān)頻率等因素。從電路拓?fù)淇梢钥闯?,開(kāi)關(guān)管所承受的最大電壓即為母線電壓400V??紤]到電路中可能存在尖峰脈沖,需要保留一定的耐壓裕量,因此耐壓參數(shù)設(shè)計(jì)為600V。

從耐流角度分析,輸出的最大電流為:

而開(kāi)關(guān)管所要承受的最大電流為:

同樣考慮一定的裕量,這里耐流參數(shù)設(shè)計(jì)為50A。

綜合考慮以上兩點(diǎn)因素,開(kāi)關(guān)管選擇(英飛凌)公司的絕緣柵雙極型(晶體管)IKW50N60T,該型號(hào)的(IGBT)具有600V的耐壓和50A的耐流,并且最大開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)20kHz。

圖5開(kāi)關(guān)管IKW50N60T實(shí)物圖(600V/50A)

(4)(二極管)VD的器件選型(圖2中的D1)

二極管VD所承受的最大電壓也是母線電壓400V,而所承受的最大電流同樣認(rèn)為是20A。Boost電路中的二極管選擇威世公司的快恢復(fù)二極管VS-75EPU12L-N3,該型號(hào)的二極管具有1200V的耐壓和75A的耐流,其反向恢復(fù)時(shí)間最快可達(dá)62ns。

圖6二極管VS-75EPU12L-N3實(shí)物圖(1200V/75A)

補(bǔ)充:一個(gè)用(MATLAB)編寫(xiě)的小工具

圖7計(jì)算Boost電路儲(chǔ)能器件參數(shù)的工具

3、開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

Boost能量轉(zhuǎn)換電路中的開(kāi)關(guān)管采用IKW50N60T(IGBT管),由于(處理器)的IO口無(wú)法直接驅(qū)動(dòng)IGBT的開(kāi)關(guān)動(dòng)作,因此必須設(shè)計(jì)相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電路。M57959L是為驅(qū)動(dòng)IGBT而設(shè)計(jì)的厚膜(集成電路),該模塊采用高速(光耦)隔離輸入,且與TTL電平兼容,可直接與處理器的IO口連接。

驅(qū)動(dòng)電路的控制信號(hào)由處理器產(chǎn)生,并從M57959L的13號(hào)腳輸入,(驅(qū)動(dòng)芯片)的8號(hào)腳能夠輸出故障信號(hào),并通過(guò)光耦隔離(芯片)PC817將故障信號(hào)傳遞給處理器;IGBT的驅(qū)動(dòng)信號(hào)由5號(hào)腳輸出,連接IBGT的G極;其中R3是柵極的限流(電阻),需要選取合適的阻值,取值太大影響開(kāi)關(guān)頻率,取值過(guò)小無(wú)法起到保護(hù)作用。二極管D2和D3是短路/過(guò)載檢測(cè)二極管,而穩(wěn)壓管DZ1則用來(lái)補(bǔ)償D2和D3的反向恢復(fù)時(shí)間;穩(wěn)壓管DZ2和DZ3用來(lái)對(duì)輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)的進(jìn)行限幅處理,以保護(hù)IGBT的發(fā)射結(jié)。

圖8開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)電路原理圖

4、信號(hào)檢測(cè)電路設(shè)計(jì)

信號(hào)檢測(cè)電路負(fù)責(zé)對(duì)能量轉(zhuǎn)換電路的運(yùn)行狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)測(cè),并將采集到的信息反饋至處理器以實(shí)現(xiàn)對(duì)系統(tǒng)的實(shí)時(shí)控制。需要采集的信號(hào)包括輸入直流電壓信號(hào)(最大150V)、輸出直流電壓信號(hào)(最大400V)和輸入直流電流信號(hào)(最大10A)。

(1)輸入電壓檢測(cè)電路(VSM025A匝數(shù)比n=2.5)

輸入電壓信號(hào)的檢測(cè)電路,如圖9所示。電壓(傳感器)選擇VSM025A的霍爾傳感器,轉(zhuǎn)換比例n=2.5。首先通過(guò)功率電阻R4將待測(cè)大電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為小電流信號(hào),傳感器將該電流信號(hào)按照1:2.5比例進(jìn)行輸出。進(jìn)入調(diào)理電路后先經(jīng)過(guò)電阻R5將電流信號(hào)轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào),再經(jīng)RC一階濾波電路濾除高頻干擾信號(hào)(R6和C16)。然后通過(guò)一級(jí)電壓跟隨器來(lái)實(shí)現(xiàn)阻抗匹配,最后再經(jīng)過(guò)比例運(yùn)算放大電路將電壓信號(hào)調(diào)整到符合處理器輸入要求的范圍內(nèi),這里采用的LMV358運(yùn)放可以將輸出限制在0~3.3V。圖12中的C17和C18是濾波電容。

待測(cè)電壓信號(hào)為V(dc)1,調(diào)理輸出信號(hào)為V(ad)1,傳感器原副邊的轉(zhuǎn)換比例為n,因此調(diào)理輸出信號(hào)與待測(cè)信號(hào)的關(guān)系為:

圖9輸入電壓檢測(cè)電路原理圖

(2)輸出電壓檢測(cè)電路(VSM025A匝數(shù)比n=2.5)

輸出電壓信號(hào)的檢測(cè)電路如圖10所示,其實(shí)現(xiàn)原理參考輸入電壓檢測(cè)電路,這里不再贅述。待測(cè)電壓信號(hào)為Vdc2,調(diào)理輸出信號(hào)為Vad2,傳感器原副邊的轉(zhuǎn)換比例為n,因此調(diào)理輸出信號(hào)與待測(cè)信號(hào)的關(guān)系為:

圖10輸出電壓檢測(cè)電路原理圖

(3)輸入(電流檢測(cè))電路(CSM005A匝數(shù)比n=200)

輸入電流信號(hào)的檢測(cè)電路如圖11所示,實(shí)現(xiàn)原理同樣參考輸入電壓檢測(cè)電路。待測(cè)電流信號(hào)為(Idc)1,調(diào)理輸出信號(hào)為Vad3,傳感器原副邊的轉(zhuǎn)換比例為n,因此調(diào)理輸出信號(hào)與待測(cè)信號(hào)的關(guān)系為:

圖11輸入電流檢測(cè)電路原理圖

5、實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

(1)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

對(duì)Boost電路進(jìn)行測(cè)試,驗(yàn)證其能否正常工作。利用(STM32)產(chǎn)生50%占空比的PWM信號(hào)對(duì)電路的開(kāi)關(guān)管進(jìn)行控制,給Boost電路加70V的直流電壓作為輸入,并在輸出端接100Ω的電阻作為負(fù)載,通過(guò)(示波器)觀察電路的輸出電壓波形。

圖12Boost電路功能驗(yàn)證測(cè)試平臺(tái)

(2)實(shí)驗(yàn)波形

如下圖

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