二極管三極管

第第#頁共8頁稱為中功率管，耗散功率大于等于5W稱為大功率管。3、頻率特性參數(shù)包括特征頻率fT和最高振蕩頻率fM。將fT小于等于3MHz稱為低頻管，大于等于30MHz稱為高頻管，在3MHz至30MHz之間的稱為中頻管。4、集電極最大電流ICM，在集電極電流IC超過集電極最大電流ICM時，將影響電路的正常工作，甚至損壞。5、最大反向電壓.，指三極管在工作時所允許施加的最高工作電壓，包括集電極—發(fā)射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓、基極—發(fā)射極反向擊穿電壓。6、反向電流包括集電極—基極反向電流、集電極—發(fā)射極反向電流。五、三極管的工作條件：三個電極的作用：發(fā)射極用來發(fā)射電子；基極用來控制發(fā)射電子的數(shù)量；集電極用來收集電子。三極管各電極之間的電流關(guān)系：IE=IB+IC三極管的基本工作條件是發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。其中發(fā)射結(jié)正向偏置電壓約等于PN結(jié)電壓，硅管0.6V—0.7V，鍺管0.2V—0.3V。六、三極管的命名方法：國產(chǎn)三極管的命名方法第一部分：名稱第二部分：極性和材料第三部分：類別第四部分：序號第五部分：規(guī)格數(shù)字含義字母含義字母含義用數(shù)字表示同一類型產(chǎn)品的序號用字母表示同一類型的不同檔次等3三極管A鍺材料G高頻小功率管PNP型X低頻小功率管B鍺材料A高頻大功率管NPN型D低頻大功率管C硅材料T閘流管PNP型K開關(guān)管D硅材料V微波管NPN型B雪崩管E化合物材料J階躍恢復管U光敏管J結(jié)型場效應(yīng)管七、用萬用表判斷三極管的極性：用機械萬用表的RX100或RX1K檔，或者數(shù)字萬用表的二極管電阻測試檔，用兩個表筆測量三極管的任意兩個引腳間的正反向電阻。在測量中發(fā)現(xiàn)，當黑表筆（或紅表筆）分別接觸另外兩個引腳，萬用表上顯示均為低阻值，此時，所測三極管與黑表筆（或紅表筆）連接的引腳便為基極B,另外兩個引腳為集電極C和發(fā)射極E,若此時基極接的是紅表筆，則該三極管為PNP管，否則位NPN管。測出基極后，再比較基極與另外兩個引腳之間的正向電阻，通常正向電阻值較大的引腳為發(fā)射極E，較小的為集電極C。說明：數(shù)字萬用表和機械萬用表在電阻檔中的表筆極性正好相反，數(shù)字萬用表紅表筆相當于機械萬用表的黑表筆。日本半導體器件的命名方法第一部分：器件類型或有效電極數(shù)第二部分：極性和材料第三部分：類別第四部分：序號第五部分：規(guī)格數(shù)字含義字母含義字母含義用兩位以上的整數(shù)表示在日本電子工業(yè)協(xié)會注冊登記順序號用字母表示對原來型號的改進0光敏二極管、晶體管或其組合管S表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會注冊登記的半導體分立器件APNP型高頻管BPNP型低頻管CNPN型高頻管1二極管DNPN型低頻管FP門極晶閘管2三極管GN門極晶閘管3具有四個電極或具有三個PN結(jié)的晶體管HN基極單結(jié)晶體管JP溝道場效應(yīng)晶體管KN溝道場效應(yīng)晶體管M雙向晶閘管八、三極管好壞的判斷：三極管好壞的判斷可通過測量其PN結(jié)得正、反向電阻值來確定，同時還可判斷三極管所使用的材料。一般鍺管PN結(jié)（B、E極之間，B、C極之間）的正向電阻為200—500Q,反向電阻大于100kQ；硅管PN結(jié)的正向電阻為3—15kQ，反向電阻大于500kQ。若測的三極管某個PN結(jié)的正、反向電阻值均為0或者無窮大，則可判斷該三極管已擊穿短路或開路損壞。集成電路集成電路（集成電路用字母IC表示，即IntegratedCircuit的縮寫）是在同一塊半導體材料上，利用各種不同的加工方法，同時制作出許多極少的電阻，電容及晶體管等電路元器件，并將它們聯(lián)接起來，使其具有特定的電路功能，集成電路與普通電路的最大區(qū)別在于一塊集成電路上的各個元件不可分離，從設(shè)計，制造，檢測到使用均作為一個整體來處理，而普通電路的各分立元件是單獨制造的，再一個個連接于是電路之中的！人們根據(jù)集成電路內(nèi)所含元器件的多少來劃分其“規(guī)?！钡拇笮?，通常，內(nèi)含元器件數(shù)小于100的集成電路稱為小規(guī)模的集成電路（SSIC）,把內(nèi)含元件100-1000個的集成電路稱為中規(guī)模集成電路（MSIC），所內(nèi)含元器件數(shù)為1000-10000的集成電路稱為大規(guī)模集成電路（LSIC），把內(nèi)含元器件數(shù)為10000-100000個的集成電路稱為超大集成電路（VLSIC）。1、集成電路的封裝與管腳的識別1）小外型封裝小外型封裝又稱為SOP封裝，其引腳數(shù)目在28以下，引腳分布在兩邊。判別管腳的方法是：IC的一角有一個黑點標記的，按逆時針方向數(shù)，諾IC沒有標記點,將IC上的文字方向放正，從左下角開始逆時針方向數(shù)！2）四方扁平封裝四方扁平封裝適用于高頻和引腳較多的模塊，簡稱QEP封裝，四方都有引腳，其引腳數(shù)目一般為20以上，如許多中頻模塊，數(shù)據(jù)處理器，音頻模塊，微處理器，電源模塊都采用這種封裝！判別管腳的方法是：IC的一角有一個黑點標記的，按逆時針方向數(shù)，諾IC沒有標記點,將IC上的文字方向放正，從左下角開始逆時針方向數(shù)！3）柵格陣引腳封裝柵格陣引腳封裝又稱BGA封裝，是一個多層的芯片載體封裝，這類封裝的引腳集成在集成電路的“肚皮”下面，引線是以陣列式排列的，所以引腳的數(shù)目要遠遠超過引腳分布在封裝外圍的封裝。利用陣列式封裝，可以省去電路板多達70%的位置！BGA封裝充分利用封裝的整個底部來與電路板互聯(lián)，而且利用不是引腳，而是焊錫球，因此兩袖清風縮短了互聯(lián)的距離。BGAIC的管腳由于在集成電路的肚皮下，其管腳不能像小外型封裝的四方扁平封裝集成電路那樣進行定義，其定義方法是：行用英文字母表示，列則用數(shù)字表示，用行與列的組合來表示管腳，如：A1，B2等！2、集成電路的檢測對于集成電路的質(zhì)量檢測，應(yīng)了解它在電路中的作用，各管腳的電氣參數(shù)以及和其它元件和互相關(guān)系等，有的放矢地用頻譜儀，示波器或萬能表來測試！1）邏輯分析法所謂的邏輯分析法是指，如果懷疑一集成電路有問題，可以先測量該集成電路的輸入信號是否正常，再測量其輸出信號是否正常，如果有輸入而無輸出，一般即可斷定該集成電路損壞！2）直流電阻比較法直流電阻比較法是把要檢測的集成電路各管腳的直流阻值與正常集成電睡的直流電阻值相比較，以此來對該集成電路進行論斷。測量時應(yīng)使用同一只萬用表，同一個電阻檔位，以盡量減少誤差。直流電阻比較法可以對不同機型，不同結(jié)構(gòu)的集成電路進行檢測，但需要用相同型號的正常集成電路與其作比較！3）排除法排除法是指維修中如果論斷任一部分電路（包含有集成電路）有故障，可先檢測此部分電路的分立元件是否正常，如果分立元件正常，則說明該集成電路有問題，應(yīng)考慮更換集成電路！4）直流電壓測量法直流電壓測量法是檢測集成電路的常用方法，主要是測量集成電路各管腳對地的直流工作電壓值，再與其標稱值直比較，從而論斷集成電路的好壞！但是，測量時，我認為應(yīng)注意以下幾個問題：（1）標稱電壓有靜態(tài)與動態(tài)之分，集成電路的一些管腳在有信號與無信號時，測得的電壓值差別很大；（2）注意外圍元件在線故障會引起管腳電壓的變化，外圍電路短路，斷路及元件的損壞，都可能會引起集成電路管腳電壓值的異常；（3）應(yīng)盡量減少測量誤差。不同的電壓表的內(nèi)阻是不同的，在測量時電表內(nèi)阻與被測電路并聯(lián)，因而帶來測量的誤差，一般情況下，應(yīng)選用內(nèi)阻大于20K歐/V的萬