PSIM中文教程全解

PSIM?用戶指南9版版本32010五月版權(quán)？2001-2010Powersim公司保留所有權(quán)利。本手冊的任何部分不得復(fù)印或以任何形式或任何手段沒有寫轉(zhuǎn)載公司的權(quán)限模型免責(zé)聲明Powersim公司(“Powersim”)作出任何陳述或保證相對于此的充分性或準(zhǔn)確性文檔或它所描述的軟件。在任何情況下將模型或其直接或間接供應(yīng)商承擔(dān)任何任何性質(zhì)的損害，但不限于，直接，間接，附帶或相應(yīng)的損害賠償?shù)娜魏巫址?，不限于，商業(yè)利潤損失，數(shù)據(jù)，商業(yè)信息，或任何和所有其他商業(yè)損害或損失，或?qū)θ魏螕p害賠償超過清單價(jià)格的許可證的軟件和文件PowersimInc.mailto:info@mailto內(nèi)容1一般資料1.1引言11.2電路結(jié)構(gòu)21.3軟件/硬件需求31.4安裝程序31.5模擬電路31.6組件參數(shù)規(guī)范和格式32電源電路組件2.1電阻電感電容器分支72.1.1電阻器、電感器和電容器，7變阻器8飽和電感8非線性元件9開關(guān)10二極管、LED、ZenerDiode、和移民局10晶閘管和雙向可控硅12GTO和晶體管13雙向開關(guān)15線性開關(guān)16開關(guān)門17座單相開關(guān)模塊19三相開關(guān)模塊19耦合電感22變壓器23理想變壓器23單相變壓器23三相變壓器25磁元件26繞組26漏磁通路徑27空氣間隙27線性核心29SaturableCore29其他元素30運(yùn)算放大器30理想運(yùn)算放大器30我章：非理想運(yùn)算放大器31并聯(lián)穩(wěn)壓器TL43132Optocoupler33dv/dt的34塊熱模塊35設(shè)備數(shù)據(jù)庫編輯器3542在數(shù)據(jù)庫2.7.2二極管器件二極管損耗計(jì)算43在數(shù)據(jù)庫452.7.4IGBT器件IGBT損耗計(jì)算47在數(shù)據(jù)庫502.7.6MOSFET器件MOSFET的損耗計(jì)算51電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊54機(jī)械系統(tǒng)542.8.1參考方向直流機(jī)56感應(yīng)機(jī)58感應(yīng)電機(jī)飽和61無刷直流電機(jī)62同步機(jī)與外部激勵(lì)66永磁同步電機(jī)68永磁同步電機(jī)飽和70開關(guān)磁阻電機(jī)73MagCouplerModule76magcouplerDL76塊MagCouplerBlock77magcouplerRT模塊81機(jī)械元件和傳感器85機(jī)械元件和傳感器85恒轉(zhuǎn)矩負(fù)載85恒功率負(fù)荷85恒速負(fù)荷86TypeLoad將軍86外部控制負(fù)荷87齒輪箱87機(jī)械耦合塊88機(jī)電接口88塊速度/轉(zhuǎn)矩傳感器89位置傳感器91絕對編碼器91增量式編碼器92解析器92霍爾效應(yīng)傳感器93可再生能源模型94II章節(jié)：-3太陽能模塊94風(fēng)機(jī)973控制電路元件傳遞函數(shù)塊99比例控制器100積分100微分器102比例積分控制器102單極控制器103修改PI控制器1033型控制器104在過濾塊105內(nèi)置3.1.8計(jì)算功能塊106106夏季

3.2.2乘數(shù)和Divider1063.2.3平方根107塊3.2.4指數(shù)/電力/對數(shù)功能塊1073.2.5均方根107塊3.2.6絕對和符號(hào)功能塊1083.2.7三角函數(shù)1083.2.8快速傅里葉變換塊1083.2.9最大/最小功能塊1093.3其他功能塊1103.3.1比較器1103.3.2限制器1103.3.3梯度（dv/dt）限制器1103.3.4梯形、方形塊1113.3.5采樣/保持111塊3.3.6舍入塊1123.3.7時(shí)間延遲塊1123.3.8器1133.3.9THD114塊3.4邏輯組件115邏輯Gates115設(shè)置復(fù)位觸發(fā)器115JK觸發(fā)器116D觸發(fā)器117單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器117脈沖寬度計(jì)數(shù)器118向上/向下計(jì)數(shù)器118A/D和D/A轉(zhuǎn)換器119數(shù)字控制模塊1202章：零階保持120Z傳遞函數(shù)方框121122積分器微分器123數(shù)字濾波器123單位延遲125量化塊126循環(huán)緩沖區(qū)128卷積塊129內(nèi)存讀取塊129數(shù)據(jù)陣列130棧130多采樣率系統(tǒng)1313.6simcoupler模塊132361設(shè)立在PSIM和Simulink132在Simulink1333.6.2求解器的類型和時(shí)間步長的選取4其他組件參數(shù)文件137來源138時(shí)間138常數(shù)138直流電源138正弦源139方波電源139三角/鋸齒來源140步源141分段線性源142隨機(jī)源143數(shù)學(xué)函數(shù)源143電壓/電流控制的來源144非線性電壓控制源145電壓/電流傳感器146探頭和146米電壓/電流范圍148初始值150開關(guān)控制器151開關(guān)控制器151a控制器15PWM控制器152查找表功能塊154控制電源接口15塊四章節(jié)：-1變換塊154ABCdq0變換155ABCa/卩不能轉(zhuǎn)化14.823a/卩-dq變換笛卡爾坐標(biāo)變換157數(shù)學(xué)功能塊157查找表158C座160簡化C座1614.8.7外部DLL模塊162嵌入式軟件164塊分析規(guī)格仿真控制165交流分析166參數(shù)掃描168電路原理圖設(shè)計(jì)創(chuàng)建一個(gè)電路171文件菜單173編輯菜單173視圖菜單174支路菜單175創(chuàng)建在主電路176支路-創(chuàng)建子電路內(nèi)的支路177連接支路-在主電路178電路的1786.5.4其他功能傳遞變量從主電路支路178定制電路圖179包括在PSIM180子元素列表模擬菜單180選項(xiàng)菜單183實(shí)用工具菜單1876.9管理PSIM圖書館187創(chuàng)造一次圖像188添加新的子電路元件為圖書館189693添加一個(gè)新的DLL元到圖書館191v0章：波形處理文件菜單193編輯菜單194軸菜單194屏幕菜單195測量菜單196分析菜單197視圖菜單198選項(xiàng)菜單198標(biāo)簽菜單199出口數(shù)據(jù)199錯(cuò)誤/警告消息和其他模擬問題模擬問題201時(shí)間步長的選取201傳播延遲的邏輯電路201界面之間的電源和控制電路201FFT分析2028.2錯(cuò)誤/警告消息202調(diào)試203指數(shù)205一般信息引言PSIM仿真軟件1是專為電力電子與電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?？旆抡婧陀押玫挠脩艚缑妫峁┝艘粋€(gè)強(qiáng)大的 PSIM電力電子仿真環(huán)境,模擬和數(shù)字控制、磁、電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的研究。PSIM包括最基本的軟件包，以及下面的附加選項(xiàng)：電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊數(shù)字控制模塊simcoupler模塊熱模塊magcoupler模塊magcouplerRT模塊simcoder2模塊

可再生能源計(jì)劃電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊有內(nèi)置的電機(jī)模型和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的機(jī)械負(fù)荷模型研究。數(shù)字控制模塊提供的分立元件如零階保持器、 Z傳遞函數(shù)塊，量化塊，數(shù)字濾波器，用于數(shù)字控制系統(tǒng)分析。simcoupler模塊提供的接口之間的PSIM和MATLABSimulink聯(lián)合仿真3熱模塊提供了計(jì)算半導(dǎo)體器件損耗的能力。的magcoupler模塊提供PSIM和電磁場分析軟件之間的接口JMAG4協(xié)同仿真。的magcouplerRT模塊鏈接PSIM與jmag-rt4數(shù)據(jù)文件。simcoder模塊提供的DSF硬件自動(dòng)代碼生成能力?？稍偕茉窗ɑ綪SIM軟件包，電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，和可再生能源模型，如太陽能模塊和風(fēng)力渦輪機(jī)在可再生能源應(yīng)用的模擬。此外，PSIM支持通過自定義DLL模塊的第三方軟件鏈接。整體 PSIM環(huán)境如下所示。1。PSIM和simview是注冊商標(biāo)，和版權(quán)， Powersim公司2001-2010年2。SimCoder是一個(gè)商標(biāo)，是由模型公司，模型公司版權(quán)， 2008-2010年三.Simulink和MATLAB是MathWorks公司的注冊商標(biāo)，Inc.4。和jmag-rtJMAG的作業(yè)調(diào)度選項(xiàng)表公司版權(quán)， 1997-20101章：一般信息PS1MHArdnun-05卩二IIAuluCudeHArdnun-05卩二IIAuluCudeii-th'!ihuIMlrir"I-1rJI■技DllTliird-parly"■PowerEtectroniuM^Cwpier-lTlJMAG

JM^G-RTM^Cwpier-lTlJMAG

JM^G-RT-uldtRjniL'-uldtRjniL'觸-Avwksg.'ili^iUilc0nLr1.1l-Mninrdrives--Finiteelerrueflianalysis-ElectricTnachirne^dniJotheruiELi￡i]>clicdevicesPSIM仿真環(huán)境包括電路原理圖程序 PSIM模擬器引擎，和波形處理程序simview1。仿真過程如下所示CircuitSehcmudcEditor(inpul;*wh)IPSIMSiiTiuhlor(output*^rnventWavctnrmProccswr?input: or*.m)本手冊涵蓋了PSIM和所有附加模塊除了SimCoderModule。使用的SimCoder模塊是在單獨(dú)的文件中simcoder用戶手冊。本手冊的第1章介紹了電路結(jié)構(gòu)，軟件/硬件的要求和參數(shù)規(guī)范格式。第2章通過4描述電源和控制電路組件。5章介紹了瞬態(tài)分析和交流分析的技術(shù)指標(biāo)。在 PSIM示意程序的使用和simview在6章討論7。最后，錯(cuò)誤/警告消息在第8章進(jìn)行了討論1.2電路結(jié)構(gòu)電路為代表的是在PSIM四塊：電源電路、控制電路、傳感器和開關(guān)控制器控制電路以方框圖表示。在s域元件和Z域，邏輯元件（如邏輯門和觸發(fā)器），和非線性元件（如乘法器和除法器）中使用控制電路。傳感器被用來測量電源電路數(shù)量，并將它們傳遞給控制電路。門控信號(hào)，然后產(chǎn)生的控制電路，并通過開關(guān)控制器發(fā)送回電源電路控制開關(guān)。1.3軟件/硬件需求PSIM軟件運(yùn)行在微軟WindowsXP/Vista 的個(gè)人電腦。最小內(nèi)存需求

是128字節(jié)。1.4安裝程序快速安裝指南提供飛行員“PSIM-快速指南”的光盤在PSIM目錄下的一些文件是如下表所示。FilesDescriptionPSIM.exeSIMVIEW.exePcdEdilor.exeSetSimPath.exePSIMcircuitschematiceditorWavclbrmdisplayprogramSIMVIEWDevicedatabaseeditorProgramtosetuptheSimCoupIcrModule在PSIM使用的文件擴(kuò)展名:psimschPSIMschematic111c憑libPSIMlibraryfiles*JraPSIMacanalysisoutputlile(text)*.devDevicedatabasefile*.txtSimulationoutputfileintextformal*.smvSimulationoutpulfileinbinaryformal注意，PSIM示意文件擴(kuò)展名是。學(xué)校在PSIM8或以上，但在PSIM9分機(jī)改變。psimsch為了區(qū)分PSIM文件從其他軟件的文件。1.5模擬電路模擬樣品的一個(gè)象限斬波電路”印章。學(xué)?！保簡?dòng)PSIM從“文件”菜單中選擇打開加載文件”印章，SCH。從模擬的菜單，選擇“運(yùn)行PSIM仿真開始。仿真結(jié)果將被保存文件”印章。txt"o如果選擇自動(dòng)運(yùn)行simview不在選項(xiàng)菜單中選擇，從模擬菜單，選擇“運(yùn)行simview開始simview。如果該選項(xiàng)被選中，simview將推出自動(dòng)。在SIMVIEW選擇曲線顯示。1.6組件參數(shù)規(guī)范和格式

在PSIM的每個(gè)組件的參數(shù)對話框有三個(gè)標(biāo)簽：參數(shù)，其他信息，和顏色,如下圖所示?？Э?Hd葉Bp崛車氧|和* 廠H?idir-!uv在仿真中使用的參數(shù)選項(xiàng)卡中的參數(shù)。在“其他信息”選項(xiàng)卡上的信息另一方面，在仿真中不使用。它只用于報(bào)告的目的，并將出現(xiàn)在零件清單中視圖->元在PSIM上市。信息，如設(shè)備評級，制造商和零件號(hào)可以存儲(chǔ)在“其他信息”選項(xiàng)卡下組件顏色可設(shè)置在“顏色”選項(xiàng)卡中。參數(shù)下的參數(shù)選項(xiàng)卡可以是一個(gè)數(shù)值或數(shù)學(xué)表達(dá)式。一個(gè)阻力，為例如，可以在下列方式中指定：十二點(diǎn)五12.5k12.5ohm12.5kohm25/2.ohmR1+R2R1X0.5+（旁白+0.7）/IO其中R1,R2,VO和艾奧符號(hào)定義在一個(gè)參數(shù)文件（見4.1節(jié)），或在主電路如這個(gè)電阻在電路（見第）。十后綴字母的力量是允許在PSIM。支持下面的后綴字母：G109M106K或K310M10-3U6-10n9-10P12-10數(shù)學(xué)表達(dá)式可以包含括號(hào)，并且不區(qū)分大小寫。以下的數(shù)學(xué)功能是允許的：+添加-減法*乘法/分*的權(quán)力［例如：2X3=2*2*2］平方根函數(shù)罪惡的正弦函數(shù)因?yàn)橛嘞液瘮?shù)在正弦反函數(shù)ACOS余弦反函數(shù)譚正切函數(shù)阿坦反正切函數(shù)但反正切函數(shù)［n<=atan2(y,x)<=雙曲正弦雙曲正弦函數(shù)雙曲余弦雙曲余弦函數(shù)進(jìn)出口指數(shù)(基E)［例如：exp(x)=Ex］對數(shù)對數(shù)函數(shù)(基)［例：日志(x)=log10對數(shù)函數(shù)(10)ABS絕對值函數(shù)符號(hào)函數(shù)［例子：符號(hào)(1.2)=1；符號(hào)(-1.2)=-1)電源電路元件電阻電感電容支路電阻器、電感器和電容器，單個(gè)電阻，電感，電容，和集總 RLC支路提供在PSIM。初始條件

電感電流和電谷電壓可以被定義。為了方便三相電路的設(shè)置，提供對稱三相 RLC支路。初始三相支路的電感電流和電容電壓都為零。圖像：[XRIX'0S2TR<KI^<5?『一("Or-TlUe't^TnrIndiiCTor 廠叩nc■腫fR3L3C3RL3RC3RLC3~II_0an—o—A/*—1|—=Q—II—O對于三相分支，相位與一個(gè)點(diǎn)是第一階段。屬性：一個(gè)分支的電阻、電感或電容都不能全部為零。至少有一個(gè)參數(shù)是一個(gè)非零的值。參數(shù)描述電阻，歐姆電感電感，在H在F中的電容初始電流初始電感電流最初的Cap。電壓初始電容電壓，在V支路電流輸出的當(dāng)前標(biāo)志標(biāo)志。如果標(biāo)志為零，則沒有當(dāng)前的輸出。如果國旗是 1電流將是可用于運(yùn)行時(shí)圖中的顯示（在模擬運(yùn)行時(shí)圖）。它也將顯示在simview保存到輸出文件。當(dāng)它流到分支的虛線終端時(shí)，電流是正的。目前flag_a；目前flag_b；目前flag_c三相支路的A、B和C的電流標(biāo)志。2.1.2變阻器變阻器是一個(gè)抽頭電阻。圖像：屬性：參數(shù)描述總電阻變阻器的電阻R（總節(jié)點(diǎn)k和m之間），歐姆抽頭位置（0至1）的抽頭位置抽頭。節(jié)點(diǎn) K和T之間的電阻是：R*抽頭當(dāng)前流到節(jié)點(diǎn)K的當(dāng)前標(biāo)志標(biāo)志。SaturableInductor一個(gè)飽和電感考慮磁芯的飽和效應(yīng)。圖像：屬性:參數(shù)描述電流與電感特性的電流與電感（I1，L1），（I2，L2）等當(dāng)前顯示的當(dāng)前標(biāo)志標(biāo)志非線性B-H曲線的分段線性近似表示。由于磁通密度B正比于磁通入和磁化力H是目前我成正比，B-H曲被入代表我曲線相反，如下圖所示1kJiuL^ati:jki -2lixluctAno!￡=k'f'"■■7TE E/ji/'Ib hF罰電感的定義為：L=入/我，比我在每一個(gè)點(diǎn)入vs.。的飽和特性的疋由一系列的數(shù)據(jù)點(diǎn)為：（I1,L1）,（I2,L2）,（I3,L3），等注意定義的飽和特性必須使磁鏈入是單調(diào)遞增的也就是說，L1*我2*2*我3*1*我3,等等。此外，類似于在現(xiàn)實(shí)世界中的飽和特性，每一個(gè)線性段的斜率必須隨著電流的增加而單調(diào)減小。在某些情況下，含有飽和電感的電路可能無法收斂。連接一個(gè)非常小的橫跨飽和電感的電容器可以幫助收斂。第2章：電源電路元件2.1.4非線性元件提供了具有非線性電壓電流關(guān)系的下列元素：電阻型［V=F（I）］具有附加輸入x的電阻型［V=F（I，x）］電導(dǎo)型［I=F （V）］-電導(dǎo)型與附加的輸入x［I=F （V,x）］附加的輸入x必須是一個(gè)電壓信號(hào)圖像：NonhriMrtkmcinlNonlinearrkmcnl(withiiddilim^linput)|InpulxO-IXI1T~X~i屬性：用于電阻型元件：參數(shù)描述表達(dá)式F（I）或F（I，X）的V的表達(dá)在I和X［V=F（I）或V=F（I，X）］表達(dá)DF/診斷衍生的電壓與電流I，即DF（我）/診斷初始值I0為當(dāng)前I的初始值我的下限我目前的下限我的上限我目前的上限電導(dǎo)型元素：

參數(shù)描述表達(dá)式F(V)或F (V, X)的表達(dá)，我在 V和X[I=F (V)或I=F (V, X)]表達(dá)DF/DV的電流與電壓的導(dǎo)數(shù)，即DF(v)/DV初始值為電壓V的初始值V的下限的電壓的下限V的上限的電壓VVdle-14*(EXP(4O*v)-1)T非線性有限元(Noni)在上述模型的非線性二極管電路。二極管電流被表示為一個(gè)功能的電壓為：I=14-10* (E40*1 )。在PSIM,非線性元件的規(guī)格將：Expression/(V)le-14*(EXP(40*v)-l)Expressiondfldv40e-14*EXP(40*v)InitialValuev00LowerLimitofv-le3UpperLimitofv12.2開關(guān)有在PSIM的兩個(gè)基本類型的開關(guān)。一個(gè)是開關(guān)型。它工作在截止區(qū)域(關(guān)閉狀態(tài))或飽和區(qū)(狀態(tài))。另一種是線性型。它可以工作在任一截止,線性或飽和區(qū)。開關(guān)在開關(guān)模式包括以下：二極管和開關(guān)閘流管和雙向可控硅自換相開關(guān)，具體：-門關(guān)斷開關(guān)NPN雙極結(jié)型晶體管(BJT)PNP雙極結(jié)型晶體管-絕緣柵雙極晶體管（IGBT）-N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（ MOSFET和P溝道MOSFET雙向開關(guān)開關(guān)模型是理想的。也就是說，無論是開啟和關(guān)斷瞬變被忽視。開關(guān)上有10口Q阻力。當(dāng)沒有RLC支路并聯(lián)連接的開關(guān)，一10Q電阻將連接在交換機(jī)內(nèi)部。這種電阻可以被看作是關(guān)閉狀電阻。在某些情況下，這種電阻可能需要修改。要改變關(guān)閉狀態(tài)的阻力，為例如，100米Q,連接一個(gè)百米◎并聯(lián)開關(guān)。自從 PSIM看到已經(jīng)有一個(gè)電并聯(lián)開關(guān)，10mQ電阻不會(huì)添加緩沖電路不需要開關(guān)。線性開關(guān)包括以下：NPN和PNP雙極晶體管-N和P溝道MOSFET2.2.1二極管、LEDZenerDiode、和雙向觸發(fā)二極管二極管和LED當(dāng)它進(jìn)行的時(shí)候，一個(gè)發(fā)光二極管（LED發(fā)光。二極管或LED的導(dǎo)通是由電路工作條件。當(dāng)正偏置電壓大于閾值時(shí)，二極管被打開電壓，當(dāng)電流下降到零時(shí)，關(guān)斷。圖像：屬性：參數(shù)描述二極管的閾值電壓二極管的閾值電壓Vd_th，在五二極管開始進(jìn)行當(dāng)正偏置電壓大于Vd_th。二極管電阻二極管的電阻RD,在歐姆，之后開始進(jìn)行。初始二極管位置的初始位置標(biāo)志。如果標(biāo)志是 0,二極管關(guān)閉。如果它是1,二極管在。二極管的電流標(biāo)志電流標(biāo)志。二極管的I-V特性和LED顯示如下：i|i-yh；ir；iclcn、Liu!iVdJJ1Zener:齊納二極管的電路模型如下圖所示。圖像：屬性：參數(shù)描述齊納二極管的擊穿電壓，擊穿電壓VB，V正向閾值電壓正向傳導(dǎo)的閾值電壓（從陽極到陰極），在V正向?qū)娮璧恼螂娮椠R納電流輸出電流國旗（從陽極到陰極）當(dāng)齊納二極管正向偏置，它的行為作為一個(gè)普通的二極管。當(dāng)它是反向偏見，它會(huì)阻擋導(dǎo)通，只要陰極陽極電壓V萬卡的擊穿電壓小于。什么時(shí)候V卡超過VB，電壓V卡將被鉗位到VB。注意當(dāng)齊納箝位，由于二極管是一個(gè)在 10口Q電阻為藍(lán)本，陰極陽極電壓將等于：VKa=VB+10口Q*我KA。因此，取決于我的價(jià)值，V將略高于VB。如果我KA是非常大的，V家可以大大高于VB。DIAC（雙向觸發(fā)二極管）：是雙向觸發(fā)二極管。雙向觸發(fā)二極管不進(jìn)行到導(dǎo)通電壓達(dá)到。之后 ，雙向觸發(fā)二極管進(jìn)入雪崩導(dǎo)通，和導(dǎo)通壓降是靜電壓。圖像：屬性：參數(shù)描述導(dǎo)通，導(dǎo)通時(shí)，移民局開始進(jìn)行電壓電壓 V靜電壓導(dǎo)通電壓降，V當(dāng)前標(biāo)志當(dāng)前標(biāo)志2.2.2晶閘管、雙向可控硅晶閘管在開啟時(shí)被控制。關(guān)閉是由電路條件?？煽毓枋且环N可以在兩個(gè)方向上傳導(dǎo)電流的裝置。它的行為以同樣的方式作為兩個(gè)相反的并聯(lián)的晶閘管。圖像：屬性：參數(shù)描述電壓降晶閘管導(dǎo)通電壓降，在V保持該設(shè)備停止傳導(dǎo)和返回的最小導(dǎo)通電流到關(guān)閉狀態(tài)（只適用于晶閘管）閂鎖電流最小的狀態(tài)所需的電流保持裝置在后的狀態(tài)觸發(fā)脈沖被刪除（僅晶閘管）初始開關(guān)位置的初始位置標(biāo)志（僅用于晶閘管）用于開關(guān)電流輸出的電流標(biāo)志標(biāo)志注意，雙向可控硅裝置，保持電流和保持電流設(shè)置為零。有兩種方法來控制晶閘管或可控硅。一種是使用一個(gè)選通塊，另一個(gè)是使用一個(gè)開關(guān)控制器.一個(gè)晶閘管或可控硅柵極節(jié)點(diǎn)必須連接到一個(gè)澆注塊或開關(guān)控制器?下面的例子說明了晶閘管開關(guān)的控制。左邊的這個(gè)電路使用一個(gè)開關(guān)選通塊。開關(guān)選通模式和頻率是預(yù)先一定義，并保持不變，在整個(gè)模擬。右邊的電路使用一個(gè)阿爾法開關(guān)控制器.在度的延遲角a,通過電路中的直流源的指定223GTO和晶體管自整流的開關(guān)的開關(guān)，除了PNP雙極結(jié)型晶體管（BJT）和P溝道MOSFE的開啟門控信號(hào)是當(dāng)高（當(dāng)1V或更高的電壓施加到柵極節(jié)點(diǎn)）和開關(guān)正偏置（集電極發(fā)射極或漏極源極電壓為正）。它被關(guān)閉了每當(dāng)選通信號(hào)是低或電流下降到零。PNP晶體管和P溝道MOSFETF關(guān)打開時(shí)，門控信號(hào)低，開關(guān)負(fù)偏置（集電極-發(fā)射極或漏極-源極電壓為負(fù)）。GTC開關(guān)是一個(gè)對稱的裝置與正向和反向阻斷能力。 IGBT或MOSFETF關(guān)包括一個(gè)反并聯(lián)二極管的有源開關(guān)。

注意，在PSIMBJT開關(guān)模型的局限性，與現(xiàn)實(shí)生活中的