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申請(專利權(quán)) 復(fù)旦大 主分類 B32B17/06(2006.01)IB32B9/04(2006.01)IG02F1/1337(2006.01)IC03C17/22(2006.01)I 專利機(jī) 盛志(21)(22)(71)地址200433市楊浦區(qū)邯鄲路220(72)發(fā)明人(74)專利機(jī)構(gòu)正旦專

(10)申請公布號 (43)人權(quán)利要求書1權(quán)利要求書1說明書5附圖3A其方法。該復(fù)合薄膜中液晶高分子為含有光AA權(quán)利要求1/1驟如下：所述光劑為可見光劑；0.1-10%80-200述述一種根據(jù)權(quán)利要求1--6所述方法的可逆光致變形液晶高分子和碳納米[0004]本發(fā)明的目的是提供一種機(jī)械性能和電學(xué)性能良好的可逆光致變形液晶高分子和碳納米管復(fù)合薄膜及其方法。[0005]本發(fā)明提供的可逆光致變形液晶高分子和碳納米管復(fù)合薄膜的方法，以含有[0006]本發(fā)明從化學(xué)氣相沉積方法合成的碳納米管陣列中直接紡出碳納米管薄膜，與含 體與交聯(lián)劑的摩爾比為1:99-99:1，光劑為液晶單體和交聯(lián)劑總量的摩爾百分?jǐn)?shù)為 [0014]由本發(fā)明方法的上述復(fù)合薄膜中，液晶高分子可以為含有光敏性偶氮苯液晶基 本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：的結(jié)構(gòu)缺陷和靜電等問題。同時通過引入碳納米管進(jìn)一步提高復(fù)合材料的機(jī)械性能，）[0018]圖2取向液晶高分子/碳納米管復(fù)合薄膜過程示意圖。其過程為1化學(xué)氣），a[0020]4a偏光顯微鏡AA⊥分別表示偏振光平行和垂直于碳納米管取向方向。過程。 法合成和純化。高度取向的碳納米管薄膜通過干法紡絲。首先碳納米管陣列通過化學(xué)[0023]圖3a是碳納米管陣列的掃描電鏡，可以看出碳納米管是垂直于玻璃基片高度 [0027]液晶高分子/碳納米管復(fù)合薄膜在不同方向顯示不同的力學(xué)性能。分別測試在平 本發(fā)道了一種新方法來光致變形液晶高分子復(fù)合薄膜快速可逆變形可 具體實(shí)例1高度取向的碳納米

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