2023年半導(dǎo)體封測行業(yè)研究報告

2023年半導(dǎo)體封測行業(yè)爭論報告一、半導(dǎo)體封測行業(yè)概述半導(dǎo)體的生產(chǎn)過程可分為晶圓制造工序〔WaferFabrication〔Packaging〔Test〕等幾個步驟。其中晶圓制造工序為前道〔FrontEnd〕工序，而封裝工序、測試工序為后道〔BackEnd〕工序。封裝是指將生產(chǎn)加工后的晶圓進(jìn)展切割、焊線塑封，使電路與使其免受物理、化學(xué)等環(huán)境因素?fù)p失的工藝。測試是指利用專業(yè)設(shè)備，對產(chǎn)品進(jìn)展功能和性能測試，測試主要分為中測和終測兩種?！惨弧程幱诎雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈下游半導(dǎo)體是電子終端產(chǎn)品的關(guān)鍵組成局部，產(chǎn)業(yè)鏈可分為設(shè)計、制造、封測三大環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體 設(shè)計人員依據(jù)需求完成電路設(shè)計和布線，晶圓廠在晶圓上完成這些電路的制造刻好電路圖的晶圓再送到封測廠進(jìn)展封裝和測試，檢測合格的產(chǎn)品便可應(yīng)用于終端產(chǎn)品中。半導(dǎo)體企業(yè)的經(jīng)營模式可分為垂直整合和垂直分工兩大類。采用垂直整合模式〔IntegratedDeviceManufacturer，IDM〕的企業(yè)可以獨立完成芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝和測試等生產(chǎn)環(huán)節(jié)，代表企業(yè)包括英特爾、三星等。垂直分工模式為 Fabless設(shè)計+Foundry制造+OSAT封測。Fabless芯片設(shè)計公司承受無晶圓廠模式，只負(fù)責(zé)研發(fā)設(shè)計和銷售，將晶圓制造、封裝、測試外包出去，代表企業(yè)包括高通、英偉達(dá)等；Foundry晶圓代工廠僅負(fù)責(zé)晶圓制造，代表企業(yè)包括臺積電、中 OSAT〔OutsourcedSemiconductorAssemblyandTesting〕為外包封測企業(yè)，僅負(fù)責(zé)封裝測試環(huán)節(jié)，代表企業(yè)包括日月光、安靠、長電科技等?！捕撤鉁y行業(yè)市場規(guī)模依據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，全球封測行業(yè)市場規(guī)模保持平穩(wěn)2023年的680億美元增長到2025年的850億美元，年均復(fù)合增速約4%協(xié)會的數(shù)據(jù)，中國封測行業(yè)市場規(guī)模從2023年的976億元增長到了2023年的2350億元，年均復(fù)合增速約11.6%二、封測技術(shù)及進(jìn)展方向〔一〕封測生產(chǎn)流程晶圓代工廠制造完成的晶圓在出廠前會經(jīng)過一道電〔WaferAcceptanceTestWAT〕，WAT測試通過的晶圓被送去封測廠。封測廠首先對晶圓進(jìn)展中測〔ChipProbeCP〕。由于工藝緣由會引入各種制造缺陷，導(dǎo)致晶圓上的裸Die中會有肯定量的殘次品，CP測試的目的就是在封裝前將這些殘次品找出來，縮減后續(xù)封測的本錢。在完成晶圓制造后， 通過探針與芯片上的焊盤接觸，進(jìn)展芯片功能的測試，同時標(biāo)記不合格芯片并在切割后進(jìn)展篩選。CP測試完成后進(jìn)入封裝環(huán)節(jié)，封裝工藝流程一般可以分為兩個局部，用塑料封裝之前的工藝步驟稱為前段操作，在成型之后的工藝步驟稱為后段操作。根本工藝流程包括晶圓減薄、晶圓切割、芯片貼裝、固化、芯片互連、注塑成型、去飛邊毛刺、上焊錫、切筋成型、打碼等。因封裝技術(shù) 不同，工藝流程會有所差異，且封裝過程中也會進(jìn)展檢測。封裝完成后的產(chǎn)品還需要進(jìn)展終測〔FinalTest，F(xiàn)T〕，通過FT測試的產(chǎn)品才能對外出貨?！捕嘲雽?dǎo)體封裝類型依據(jù)封裝材料的不同，半導(dǎo)體封裝可分為塑料封裝、金屬封裝、陶瓷封裝和玻璃封裝。塑料 特制的模具，在肯定的壓力和溫度條件下，用環(huán)氧樹脂等模塑料將鍵合后的半成品封裝保護(hù)起來，是目前使用最多的封裝形式。金屬封裝以金屬作為集成電路外殼，可在高溫、低溫、高濕、強(qiáng)沖擊等惡劣環(huán)境下使用，較多用于軍事和高牢靠民用電子領(lǐng)域。陶瓷封裝以陶瓷為外殼，多用于有高牢靠性需求和有空封構(gòu)造要求的產(chǎn)品，如聲外表波器件、帶空氣橋的GaAs器件、MEMS器件等。玻璃封裝以玻璃為外殼，廣泛用于二極管、存儲器、LEDMEMS傳感器、太陽能電池等產(chǎn)品。其中金屬封裝、陶瓷封裝和玻璃封裝屬于氣密性封裝，能夠防止水汽和 物侵入，是高牢靠性封裝；塑料封裝是非氣密性封裝。依據(jù)封裝互連的不同，半導(dǎo)體封裝可分為引線鍵合〔適用于引腳數(shù)3-257〕、載帶自動焊〔適用于引腳數(shù)12-600〕、倒裝焊〔適用于引腳數(shù)6-16000〕和埋入式。引線鍵合是用金屬焊線連接 芯片電極和基板或引線框架等載帶自動焊是將芯片上的凸點與載帶上的焊點焊接在一起再對焊接后的芯片進(jìn)展密封保護(hù)的一種封裝技術(shù)。倒裝焊是在芯片的電極上預(yù)制凸點，再將凸點與基 板或引線框架對應(yīng)的電極區(qū)相連。埋入式是將芯片嵌入基板內(nèi)層中。依據(jù)與PCB連接方式的不同，半導(dǎo)體封裝可分為通孔插裝類封裝和外表貼裝封裝。通孔插 裝器件是1958年集成電路制造時最早的封裝外形，其外形特點是具有直插式引腳，引腳插入PCB上的通孔后，使用波峰焊進(jìn)展焊接，器件和焊接點分別位于 PCB的兩面。外表貼裝器件是在通孔插裝封裝的根底上，隨著集成電路高密度、L”形引腳、“J”形引腳、焊球或焊盤〔凸塊〕，器件貼裝在PCB用回流焊進(jìn)展高溫焊接，器件與焊接點位于PCB的同一面上。目前，引線鍵合技術(shù)因本錢相對低廉，仍是主流的封裝互聯(lián)技術(shù)，但它不適合對高密度、高頻有要求的產(chǎn)品。倒裝焊接技術(shù)適合對高密度、高頻及大電流有要求的產(chǎn)TAB封裝技術(shù)主要應(yīng)用于大規(guī)模、多引線的集成電路的封裝。〔三〕先進(jìn)封裝是后摩爾時代的必定選擇1、封裝技術(shù)進(jìn)展史封裝技術(shù)的進(jìn)展需要滿足電子產(chǎn)品小型化、輕量化、高性能等需求，因此，封裝技術(shù)過去和 均是高密度、高腳位、薄型化、小型化。依據(jù)《中國半導(dǎo)體封裝業(yè)的進(jìn)展》，半導(dǎo)體封裝技術(shù)的進(jìn)展歷史可大致分為以下五個階段：20世紀(jì)70年月以前〔通孔插裝時代〕，封裝技術(shù)是以DIP為代表的針腳插裝，特點是插孔安裝到PCB板上。這種技術(shù)密度、頻率難以提高，無法滿足高效自動化生產(chǎn)的要求。20世紀(jì)80年月以后〔外表貼裝時代〕，PCBSOP和QFP為代表。這種技術(shù)封裝密度有所提高，體積有所削減。20世紀(jì)90年月以后〔面積陣列封裝時代〕，該階段消滅了BGACSP、WLP為代表的先進(jìn)封裝技術(shù)，其次階段的引線被取消。這種技術(shù)在縮減體積的同時提高了系統(tǒng)性能。20世紀(jì)末以后，多芯片組件、三維封裝、系統(tǒng)級封裝開頭消滅。第五階段：21世紀(jì)以來，主要是系統(tǒng)級單芯片封裝〔SoC〕、微機(jī)電機(jī)械系統(tǒng)封裝〔MEMS〕。目前全球半導(dǎo)體封裝的主流正處在第三階段的成熟期和快速進(jìn)展期，以CSP、BGA、WLP等主要封裝形式進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)時期，同時向第四、第五階段進(jìn)展。從進(jìn)展歷史可以看出，半導(dǎo)體封裝技術(shù)的進(jìn)展趨勢可歸納為有線連接到無線連接，芯片級封裝到晶圓級封裝，二維封裝到三 維封裝。2、封裝技術(shù)依據(jù)技術(shù)先進(jìn)性，封裝技術(shù)可分為傳統(tǒng)封裝技術(shù)和先進(jìn)封裝技術(shù)兩大類。傳統(tǒng)封裝技術(shù)包括 DIP、SOP、QFP、WBBGA等，先進(jìn)封裝技術(shù)包括FC、WLP、FO、3D封裝、系統(tǒng)級封裝等。隨著晶圓代工制程不斷縮小，摩爾定律逼近極限，先進(jìn)封裝是后摩爾時代的必定選擇。SIP/DIP單列直插封裝〔SingleInlinePackageSIP〕的引腳從封裝體的一個側(cè)面引出，排列成一SIP的引腳數(shù)量一般為2-23個。雙列直插封裝〔DualInlinePackage，DIP〕的外形為長方形，在兩側(cè)有兩排平行的金屬引 腳，稱為排針。DIP封裝的產(chǎn)品需要插入到具有 DIP構(gòu)造的芯片插座上，或者直接插在有一樣焊 孔數(shù)和幾何排列的電路板上再進(jìn)展焊接。引腳數(shù)一般不超過100，適合中小規(guī)模集成電路封裝。SOP/QFP小外形封裝〔SmallOut-LinePackage，SOP〕的引腳從封裝兩側(cè)引出，呈海鷗翼狀〔L字形〕。方型扁平式封裝〔QuadFlatPackageQFP〕的管腳很細(xì)，引腳之間距離很小，可實現(xiàn)更多的I/O數(shù)，但仍受限于0.3mm的引腳間距極限。BGA球柵陣列封裝〔BallGridArrayPackage，BGA〕用焊球代替周邊引線，成陣列分布于封裝 基板的底部平面上，是在生產(chǎn)具有數(shù)百根引腳的集成電路時，針對封裝必需縮小的難題所衍生出的解決方案。與上一代的QFP相比，BGA在減小體積和重量的狀況下增加了I/O數(shù)量，但引腳的間距可品率反而提高了；由于焊球間距明顯短于引線，BGA電性能更好；焊球的共面性也改善了散熱性。依據(jù)芯片的位置不同可分為芯片外表對上和向下兩種；按焊球排列方式可為球柵陣列均勻分 布、球柵陣列穿插分布、球柵陣列周邊分布等；按密封方式可分為模制密封和澆注密封等；按基 板材料可分為塑料球柵陣列PBGA(PlasticBallGridArray)、陶瓷球柵陣列CBGA〔CeramicBallGridArray〕、載帶球陣列TBGA〔TapeBallGridArray〕等。FC〔FlipChipFC技術(shù)由IBM在20世紀(jì)60年月20世紀(jì)90年月后期形成規(guī)?；慨a(chǎn)，主要應(yīng)用于高端領(lǐng)域產(chǎn)品。隨著銅柱凸塊技術(shù)的消滅，結(jié)合消費電子產(chǎn)品的快速發(fā)展和產(chǎn)品性能的需求，越來越多的產(chǎn)品轉(zhuǎn)向倒裝芯片封裝。所謂“倒裝”是相對于傳統(tǒng)的金屬線鍵合連接方式〔WireBonding，WB〕而言的。傳統(tǒng)WB工藝，芯片通過金屬線鍵合與基板連接，電氣面朝上；倒裝芯片工藝是指在芯片的I/O焊盤上直接沉積，或通過RDL布線后沉積凸塊〔Bump〕，然后將芯片翻轉(zhuǎn)，進(jìn)展加熱，使熔融的焊料與基板或框架相結(jié)合，芯片電氣面朝下。與 WB相比，F(xiàn)C封裝技術(shù)的I/O數(shù)多；互連長度縮短，電性能得到改善；散熱性好，芯片溫度更低；封裝尺寸與重量也有所削減。倒裝芯片工藝流程中晶圓減薄、芯片倒裝和底部填充是關(guān)鍵工藝。在倒裝芯片的工藝中，晶 圓來料上已經(jīng)完成了凸塊的制作，因此晶圓正面并不平坦。由于晶圓沒有凸塊的區(qū)域是空心構(gòu)造，所以研磨過程中，晶圓會產(chǎn)生振動，簡潔造成晶圓龜裂甚至破片，尤其是超薄晶圓的研磨，目前一般承受底部填充工藝技術(shù)來解決該問題。在芯片倒裝工藝中，需要承受高精度坐標(biāo)對準(zhǔn)技術(shù)將 芯片上的凸塊焊接在高密度線路基板上，在此過程中，各方應(yīng)力相互拉扯，基板簡潔產(chǎn)生翹曲現(xiàn) 象，這會造成焊接消滅偏移、冷焊橋接短路等質(zhì)量問題。底部填充是在芯片、凸塊及基板三種材料之間填充底部材料，以避開三種材料因膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生剪應(yīng)力破壞，底部填充的關(guān)鍵因素是黏度、溫度、流淌長度與時間。凸塊工藝被稱為中道工序，是先進(jìn)封裝的核心技術(shù)之一，通過高周密曝光、離子處理、電鍍 等設(shè)備和材料，基于定制的光掩模，在晶圓上實現(xiàn)重布線，允許芯片有更高的端口密度，縮短了信號傳輸路徑，削減了信號延遲，具備了更優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性及牢靠性。主流的凸塊工藝均承受晶圓級加工，即在整塊晶圓外表的全部芯片上加工制作凸塊，晶圓級凸塊工藝包括蒸發(fā)方式、印刷 方式和電鍍方式三種，目前業(yè)界廣泛承受的是印刷方式和電鍍方式。晶圓代工廠在凸塊工藝方面 具有肯定優(yōu)勢。WLP晶圓級封裝〔WaferLevelPackaging，WLP〕直接在晶圓上進(jìn)展大局部或全部的封裝測試 程序，之后再進(jìn)展切割制成單顆芯片。承受這種封裝技術(shù)，不需要引線框架、基板等介質(zhì)，芯片的封裝尺寸減小，批量處理也使生產(chǎn)本錢大幅下降。WLP可分為扇入型晶圓級封裝〔Fan-InWLP〕和扇出型晶圓級封裝〔Fan-OutWLP〕兩大類。扇入型直接在晶圓上進(jìn)展封裝，封裝完成后進(jìn)展切割，布線均在芯片尺寸內(nèi)完成，封裝大小和芯片尺寸一樣；扇出型則基于晶圓重構(gòu)技術(shù)，將切割后的各芯片重布置到人工載板上，芯片間距離視需求而定，之后再進(jìn)展晶圓級封裝，最終再切割，布線可在芯片內(nèi)和芯片外，得到的封 裝面積一般大于芯片面積，但可供給的I/O數(shù)量增加。依據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，全球晶圓級封裝2023年的市場規(guī)模為33億美元，估量2025年增加到55億美元，CAGR為8.9%2023年的20億美元增加到2025年的25億美元，CAGR為3.2%2023年蘋果公布的iPhone12承受了扇入型晶圓級封裝，將來將會有更多的手機(jī)、平板、可穿戴設(shè)備承受此封裝形式。FO扇出〔FanOut，F(xiàn)O〕是相對扇入而言，“扇入”只能向內(nèi)走線，而在扇出型封裝中，既可 以向內(nèi)走線，也可以向外走線，從而可以實現(xiàn)更多的I/O，以及更薄的封裝。目前量產(chǎn)最多的是晶圓級扇出型產(chǎn)品。扇出型封裝工藝主要分為Chipfirst和Chiplast兩大類，其中Chipfirst又分Diedown和Dieup兩種。扇出型封裝生產(chǎn)工藝的關(guān)鍵步驟包括芯片放置、包封和布線。芯片放置對速度和精度的要求 很高，放置速度直接打算生產(chǎn)效率，從而影響制造本錢；放置精度也是打算后續(xù)布線精度的關(guān)鍵性因素。包封需要對包封材料進(jìn)展填充和加熱，這一過程不僅可能導(dǎo)致已放置好的芯片發(fā)生移位，還有可能因包封材料與芯片的膨脹系數(shù)的不同而造成翹曲，這兩者都會影響后續(xù)的布線環(huán)節(jié)。布 成功率是打算最終封裝成品率的關(guān)鍵因素，另一方面，布線設(shè)備是整個生產(chǎn)設(shè)備中最昂貴的， 對制造本錢的影響很大。依據(jù)封裝芯片數(shù)量，扇出型封裝分為晶圓級扇出型〔Fan-outWaferLevelPackaging,FOWLP〕和板級扇出〔Fan-outPanelLevelPackaging,FOPLP〕，F(xiàn)OWLP對單個芯片進(jìn)展封裝，F(xiàn)OPLP對多個芯片進(jìn)展封裝。雖然FOPLP的增速更快，F(xiàn)OWLP在將來幾年仍占主導(dǎo)。依據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2023-2025年FOPLP的CAGR達(dá)57%FOWLP的CAGR為14%FOWLP在2025年的占比仍會在2/3以上。eWLB〔EmbeddedWaferLevelBallGridArray〕是目前量產(chǎn)規(guī)模最大的晶圓級扇出型封裝。依據(jù)密度的凹凸，Yole將扇出型封裝分為UHD扇出〔UltraHighDensity〕、HD扇出〔HighDensity〕和UHD扇出的需求將隨著的HPC產(chǎn)品的消滅而增加，估量2023-2025年的CAGR20.2%2025年市場規(guī)模達(dá)15.32億美元，占扇出型一半的市場；HD扇出的CAGR為15.8%2025年達(dá)12.91億美元；核心扇出增長緩慢，CAGR僅1%?！?〕3D/2.5D封裝3D封裝又稱為疊層芯片封裝技術(shù)，是指在不轉(zhuǎn)變封裝體尺寸的前提下，在同一個封裝體內(nèi) 于垂直方向疊放兩個以上芯片的封裝技術(shù)，它起源于快閃存儲器(NOR/NAND)及SDRAM的疊層封裝可以實現(xiàn)不同類型芯片的異質(zhì)集成，目前在存儲芯片上已有較多應(yīng)用。3D封裝可承受凸塊或硅通孔技術(shù)〔ThroughSiliconVia，TSV〕，TSV是利用垂直硅通孔完成芯片間互連的方法，由于連接距離更短、強(qiáng)度更高，能實現(xiàn)更小更薄而性能更好、密度更高、尺寸和重量明顯減小的封裝，而且還能用于異種芯片之間的互連。2.5D封裝是在基板和芯片之間放一個硅中間層，這個中間層通過 TSV連接上下局部?！?〕SiP系統(tǒng)級封裝〔SysteminPackag，SiP〕是將多種功能芯片，包括處理器、存儲器、FPGA等功能芯片集成在一個封裝內(nèi)，從而實現(xiàn)一個根本完整的功能。與系統(tǒng)級芯片〔SystemonChip，SoC〕相對應(yīng)，不同的是系統(tǒng)級封裝是承受不同芯片進(jìn)展并排或疊加的封裝方式，而 則是高度集成的芯片產(chǎn)品。SiP解決方案需要多種封裝技術(shù)，如引線鍵合、倒裝芯片、芯片堆疊、晶 圓級封裝等，是超越摩爾定律的重要實現(xiàn)路徑。依據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2023年全球SiP封裝的市場規(guī)模為134億美元，估量2025年增加到188億美元，CAGR為6%。從應(yīng)用領(lǐng)域來看，移動設(shè)備和消費電子是最大市場，2023-2025年的CAGR為5%；通訊/根底設(shè)施和汽車電子緊隨其后，兩者的CAGR均為11%使用的封裝技術(shù)來看，F(xiàn)C/WBSiP占比超過90%2023年市場規(guī)模為122億美元，預(yù)計到2025年將到達(dá)171億美元，2023年至2025年的復(fù)合年增長率為 6%。FOSiP仍受限于本錢效益比，參與者需要把握FO技術(shù)，所以從20232023年市占率超過90%3、先進(jìn)封裝市場規(guī)模摩爾定律的放緩、異質(zhì)集成和各種大趨勢〔包括 5G、AI、HPC、物聯(lián)網(wǎng)等〕推動著先進(jìn)封裝市場強(qiáng)勢進(jìn)展。依據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2023年全球先進(jìn)封裝市場規(guī)模約290億美元，估量2025年增長到420億美元，年均復(fù)合增速約6.6%4%1.9%的增速。從下游應(yīng)用市場來看，移動設(shè)備和消費電子對集成度要求高，是先進(jìn)封裝最大的細(xì)分市場， 2023年占比達(dá)85%2023-2025的CAGR為5.5%略低于整體增速2025年將占先進(jìn)封裝市場的80%。電信和根底設(shè)施是先進(jìn)封裝市場中增長最快的細(xì)分市場，CAGR約為13%市場份額將從2023年的10%增至2025年的14%汽車與運輸細(xì)分市場在2023年至2025年期間將以10.6%的CAGR增長，到2025年到達(dá)約19億美元，但其在先進(jìn)封裝市場中所占的份額仍將持平，約4%。3D堆疊封裝、嵌入式芯片封裝、扇出型封裝在2023年到2025年的增速更高，CAGR分別為21%18%、16%。扇出型技術(shù)進(jìn)入移動設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)和汽3D堆疊技術(shù)進(jìn)入AI/MLHPC、數(shù)據(jù)中心、CIS、MEMS/傳感器領(lǐng)域；嵌入式芯片封裝進(jìn)入移動設(shè)備、汽車和基站領(lǐng)域。從先進(jìn)封裝收入構(gòu)成來看，倒裝技術(shù)占比遙遙領(lǐng)先，2023年占比81%2023年約2900萬片晶圓承受先進(jìn)封裝，到2025年增長為4300萬片，年均復(fù)合增速為7%。其中倒裝技術(shù)占比最高，3D封裝增速最快。三、封測領(lǐng)域競爭格局原來封測領(lǐng)域的廠商主要有兩類，一類是 IDM公司的封測部門，主要完本錢公司半導(dǎo)體產(chǎn) 品的封測環(huán)節(jié)，屬于對內(nèi)業(yè)務(wù)；其次類是外包封測廠商 OSAT，其作為獨立封測公司承接半導(dǎo)體設(shè)計公司產(chǎn)品的封測環(huán)節(jié)。隨著摩爾定律極限接近，基于硅平臺的先進(jìn)封裝技術(shù)不斷發(fā)展，晶圓代工廠利用其在硅平臺 的積存正在進(jìn)入封測領(lǐng)域，尤其是先進(jìn)封裝。我們的重點是關(guān)注OSAT公司和晶圓代工廠在封測領(lǐng)域的競爭狀況?！惨弧城笆驩SAT企業(yè)1968年，美國公司安靠的成立標(biāo)志著封裝測試業(yè)從IDM模式中獨立出來，直到2023年安靠始終是全球封測龍頭。1987年臺積電成立，成為全球第一家專業(yè)晶圓代工企業(yè)，并且長期占據(jù)全球晶圓代工50%份額。臺積電的成功也帶動了本地封測需求，中國臺灣成為全球封測重地，日月光在2023年取代安靠成為全球封測龍頭。至今全球前十大OSAT企業(yè)中有6家來自中國臺灣。封測是我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中國產(chǎn)化水平較高的環(huán)節(jié)，全球前十大外包封測廠中，我國占了三 的長電科技、第六的通富微電和第七的天水華天?！捕尘A廠入局1、臺積電領(lǐng)先地位凸顯臺積電于2023年底成立集成互連與封裝技術(shù)整合部門，經(jīng)過超十年的構(gòu)建，目前已經(jīng)完成 晶圓級系統(tǒng)整合〔WLSI〕技術(shù)平臺，該平臺利用臺積電公司工藝制程與產(chǎn)能的核心競爭力，建立支援異質(zhì)系統(tǒng)整合與封裝力量，以滿足特定客戶在芯片性能、功耗、輪廓、 周期時間及本錢的需求。至今，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，臺積電的領(lǐng)先地位已經(jīng)尤其突顯。從2023年封裝收入排名來看，臺積電在OSAT中排名第4，約30億美元，約占臺積電收入的8.4%。從技術(shù)來看，臺積電重心在進(jìn)展扇出型封裝InFO〔IntegratedFanOut，整合扇出型封裝〕、2.5D封裝CoWoS〔Chip-on-Wafer-on-Substrate ，基板上晶圓上芯片封裝〕 和 3D封 裝 SoIC〔System-on-Integrated-Chips，集成芯片系統(tǒng)〕。CoWoS于2023年推出，2023年在賽靈思28nm的FPGA上量產(chǎn)，之后隨著AI的進(jìn)展被大量承受，包括英偉達(dá)的GP100、谷歌的TPU2.0等；InFO于2023年2023年臺積電利用該技術(shù)獲得了蘋果APU〔A10〕InFO成為臺積電獨占蘋果A系列處理器訂單的關(guān)鍵；SoIC還處于研發(fā)中，估量2023年量產(chǎn)。2、中芯國際攜手封測廠入局2023年中芯國際與長電科技合資成立中芯長電，由中芯國際控股。中芯長電是全球首家采 芯片制造體系和標(biāo)準(zhǔn)，承受獨立專業(yè)代工模式效勞全球客戶的中段硅片制造企業(yè)。以先進(jìn)的凸塊和再布線加工起步，中芯長電致力于供給中段硅片制造和測試效勞，并進(jìn)一步進(jìn)展先進(jìn)的三維系統(tǒng)集成芯片業(yè)務(wù)。目前中芯長電位于江陰的基地供給 12英寸中段硅片加工，專注于12英寸凸塊和先進(jìn)硅片級封裝；上?；毓┙o8英寸中段凸塊和硅片級封裝。另外在江陰以及上海兩地均擁有測試廠， 能夠供給測試程序開發(fā)、探針卡制作、晶圓測試、失效分析以及失效測試效勞。中芯國際來自先進(jìn)封裝〔凸塊加工及測試業(yè)務(wù)〕的收入占比逐年提升，但2023年也僅實現(xiàn)收入4.76億元，占總營收的比例為2.2%2023年12月15日中芯國際聘任蔣尚義博士為公司董事會副董事長、其次類執(zhí)行董事及戰(zhàn)略委員會成員。封裝技術(shù)的開發(fā)。參加中芯國際后，蔣尚義博士公開表示中芯國際將同時進(jìn)展先進(jìn)工藝和先進(jìn)封裝。隨著蔣尚義博士的參加，中芯國際在先進(jìn)封裝方面的進(jìn)展值得期盼。四、封測廠商經(jīng)營狀況〔一〕封測廠商通過外延增加競爭力封測廠商的進(jìn)展歷史是圍圍著并購開放的，其中日月光和中國三巨頭尤其明顯。日月光1984年成立，1989年上市時便已全球排名其次，之后十年完成了三次重要并購， 于2023年成功超過安靠成為全球第一大封測廠商。之后公司仍舊沒有停頓并購步伐，至今仍舊保持著全球第一的位置。2023年日月光更與排名第四的矽品以股份轉(zhuǎn)換方式設(shè)立日月光投控，日月光投控的規(guī)模約為其次名安靠的兩倍，封測領(lǐng)域龍頭地位進(jìn)一步穩(wěn)固。中國三大封測廠商長電科技、通富微電、華天科技均在2023年前后通過收購海外封測廠而 其中長電科技以當(dāng)時全球第六的地位收購加坡全球第四的星科金朋，成為全球第三大封測廠商?！捕硣鴥?nèi)四大封測廠商經(jīng)營數(shù)據(jù)在國內(nèi)四大封測廠商中，長電科技的體量遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先，通富微電、華天科技體量接近，晶方科 技聚焦傳感器市場體量較小。從研發(fā)投入來看，晶方科技全部收入均來自于先進(jìn)封裝，所以研發(fā)投入率高達(dá)22%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過其他三家；通富微電聚焦在處理器、存儲等高端封裝市場，研發(fā)投入率也明顯高于長電科技和華天科技。從人均創(chuàng)收角度，長電科技最高，通富微電、晶方科技接 科技較低。從毛利率和凈利率來看，晶方科技由于專注于傳感器領(lǐng)域的晶圓級芯片尺寸封裝，毛利率和凈利率均遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其他封測廠商，但隨著2023年收購的資產(chǎn)進(jìn)入折舊而收入并未跟上，其毛利率和凈利率均在2023年明顯下降。2023年將收購的企業(yè)并表后，由于處于整合階段，整體毛利率、凈利率11%左右，并且屢次出現(xiàn)虧損。從2023年開頭，國內(nèi)四大封測廠商均迎來了業(yè)績改2023年因CIS缺貨漲價表現(xiàn)最好，毛利率和凈利率從2023Q2開頭同比改善。2023Q4四大封測廠毛利率均同比提高，2023年四大封測廠商業(yè)績連續(xù)改善，毛利率、凈利率均同比提高。2023年前三季度長電科技、華天科技、晶方科技超過80%于常常性收益，其中長電科技扣非后凈利潤實現(xiàn)扭虧為盈；通富微電約42%的凈利潤來自非經(jīng)常性損益，其中主要是政府補(bǔ)助。四家封測廠商的經(jīng)營性現(xiàn)金流狀況均很好，2023年前三季度的凈利潤現(xiàn)金含量均在100%從客戶集中度來看，長電科技、華天科技客戶相對分散，2023年前五大客戶收入占比分別 為33%、17%；通富微電、晶方科技客戶相對集中，2023年前五大客戶收入占比分別為67%、80%。通富微電由于收購AMD的封測廠，AMD成為其第一大客戶，2023年奉獻(xiàn)49%的收入。晶方科技由于集中于傳感器領(lǐng)域，客戶也相對集中。長電科技、通富微電、華天科技均曾大額收購海外封測廠，從而形成了較高的商譽(yù)。截止 2023年12月31日，商譽(yù)分別為22.14億元、10.99億元、8.11億元，占全年收入的比例分別為9%、13%、10%。長電科技的商譽(yù)來自收購星科金朋100%的股權(quán)；通富微電商譽(yù)來自收購?fù)ǜ怀K州和通富超威檳城 85%的股權(quán)；華天科技商譽(yù)來自多個收購，其中最主要的是Unisem〔友尼森〕和宇芯成都，分別為3.67億元和4.26億元?！踩吃黾釉诋a(chǎn)能供不應(yīng)求的狀況下，國內(nèi)四大封測廠商均于近期公布定增擴(kuò)產(chǎn)打算，其中通富微電、晶方科技分別于2023年2月和3月首次公告定增預(yù)案，已于2023年11月和2023年1月發(fā)行股份完畢；長電科技于2023年8月公告定增預(yù)案，2023年12月已拿到證監(jiān)會批復(fù)文件；華天科技于2023年1月公告預(yù)案。從四大封測廠的投資工程來看，