第三講器件仿真

光電子器件綜合設計器件仿真本講主要內容器件結構材料特性物理模型計算方法特性獲取和分析2器件仿真流程00:13Silao學習3器件結構器件結構?怎樣得到器件的結構？、工藝生成、TLAS描述、Dvdit編輯? 需要注意的情況除了精確定義尺寸外也需特別注意網格電極的定義（器件仿真上的短接和懸空）金屬材料的默認特性devedit：thena之外的另一種可以生成器件信息的工具。功能:（1）勾畫器件。（2）生成網格。(修改網格)既可以對用devedit畫好的器件生成網格，或對athena工藝仿真生成含有網格信息的器件進行網格修改。為什么要重新定義網格？工藝仿真中所生成的網格是用來形成精確度摻雜濃度分布、結的深度等以適合于工藝級別的網格，這些網格某些程度上不是計算器件參數所必需的。例如在計算如閾值電壓、源/漏電阻，溝渠的電場效應、或者載流子遷移率等等。Devedit可以幫助在溝渠部分給出更多更密度網格而降低其他不重要的區(qū)域部分，例如柵極區(qū)域或者半導體/氧化物界面等等。以此可以提高器件參數的精度。簡單說就是重點區(qū)域重點給出網格，不重要區(qū)域少給網格。和工藝仿真的區(qū)別：devedit-考慮結果他不考慮器件生成的實際物理過程，生成器件時不需要對時間、溫度等物理量進行考慮。athena-考慮過程必需對器件生成的外在條件、物理過程進行描述。TLAS描述器件結構TLAS描述器件結構的步驟meshegoneletodedoping材料特性材料的參數有工藝參數和器件參數材料參數是和物理模型相關聯的軟件自帶有默認的模型和參數可通過實驗或查找文獻來自己定義參數物理模型物理模型物理量是按照相應的物理模型方程求得的物理模型的選擇要視實際情況而定所以仿真不只是純粹數學上的計算計算方法計算方法在求解方程時所用的計算方法計算方法包括計算步長、迭代方法、初始化策略、迭代次數等計算不收斂通常是網格引起的特性獲取和分析特性獲取和分析不同器件所關注的特性不一樣，需要對相應器件有所了解 不同特性的獲取方式跟實際測試對照來理解從結構或數據文件看仿真結果了解一下了解一下TLASTLAS仿真框架及模塊仿真輸入和輸出Mesh物理模型數值計算二、半導體器件仿真軟件使用本章介紹TLAS器件仿真器中用到語句參數。具體包括：1.語句的語法規(guī)則2.語句名稱3.語句所用到的參列表，包括類型，默認值及參的描述4.正確使用語句的例學習重點（1）語法規(guī)則（2）用TLAS程序語言編寫件結構1.語法規(guī)則規(guī)則1：語句和參數是不區(qū)分大小寫的。A=a可以在大寫字母下或小寫字母下編寫。abc=Abc=aBc規(guī)則2：一個語句一般有以下的定義格式：其中：

<語句><參數>=<值><語句>表示語句名稱<參數>表示參數名稱<值>表示參數的取值。間隔符號是被用來分離語句中的多個參數。解析：在一個語句后的參數可以是單詞或者數字。單詞可由字母和數字所組成的字符串。由空格（space）或回車araetun來終止。例：egon(K)egon(ong)數字可以是數字也可以是字符串也是由空格（space）或回車araetun來終止。例:3.16(K)3.16(ong)數字的取值范圍可以從1e-38到1e38數字可以包含符號+或–或（十進制）例：-3.1415（OK）規(guī)則3:參數有4種類型aamerDescriptionalueequiredEampleaaerAyaaertrigeserial=silionrAywholersgio1LogialAreoralseonitionNoassianealAyealneresx.in0.1任何沒有邏輯值的參數必須按AA=AL的形式定義這里ARA表示參數名稱，AL表示參數值。包括：特性型，整數型，實數型參數（Chaace,Ieger，eal）而邏輯型參數必須和其他參數加以區(qū)分。例如，在語句：DINGUNIOMONCENTTION=1E16TYE中解析：Dopng是語句名稱Unorm和pte是兩個邏輯型參數，在程序內部對應了邏輯值OCENTIO=1E16對應的是一個實數型參數。每一個語句對應多個參數，這些參數代表了這個語句的某種屬性，但都包含在4中參數之中。溫馨提示：（1）命令縮減沒有必要輸入一個語句或參數名的全稱。TLAS只需要用戶輸入足夠的字符來區(qū)分于其他命令或參數。例：命令語句DP等同于doping，可以作為其命令簡寫。但建議不要過度簡單，以免程序含糊不清，不利于將來調用時閱讀。（2）連續(xù)行有的語句超過256個字符，為了不出現錯誤，TLAS語序定義連續(xù)行。將反斜線符號\放在一條語句的末尾，那么程序每當遇到\都會視下一行為上一行的延續(xù)。實例語句.通過實例學語句實例簡介：此實例演示了肖特基二極管正向特性。大致分為三個部分（1）用tas句法來形成一個二極管結構（2）為陽極設置肖特基勢壘高度（3）對陽極正向偏壓#調用tas器件仿真器otas#網格初始化meshspae.mut=1.0#x方向網格定義x.mesho=0.00spac=0.5x.mesho=3.00spac=0.2x.mesho=5.00spa=0.25x.mesho=7.00spac=0.25x.mesho=9.00spac=0.2x.mesho=12.00spac=0.5#y方向網格定義.mesho=0.00spac=0.1.mesho=1.00spac=0.1.mesho=2.00spac=0.2.mesho=5.00spac=0.4#定義區(qū)域egonnum=1sion#定義電極elecrname=anodex.min=5enth=2elecrname=thodebot#....N-epidoping定義初始摻雜濃度dopingntypeon=5.e16unorm#....Guadrngdoping定義p環(huán)保護摻雜dopingptypeon=1e19x.min=0x.ma=3jun=1t=0.6aussdopingptypeon=1e19x.min=9x.ma=12junc=1t=0.6auss#....N+dopingdopingntypeon=1e20x.min=0x.mx=12op=2.boo=5uniomseoutf=diode.troyplotdiode.tr-setdiode.st#物理模型定義modelonmobfldmobsrhaugerbgn#定義接觸電極類型oactname=anodeorf=4.97#偏壓初始化solenit#數值計算方法mthodnwonogoutfie=diodex01.log#設置偏壓求解soleanode=0.05ep=0.05vfinal=1name=anodeoyplotdiodex01.log-setdiodex01_log.stqut解析：（1）第一部分語句用來描述件，括網參數msh）,電極設置（eectodeltin）以及摻雜分布dopingditrbutio）這是一個具有重摻雜的浮動環(huán)狀護區(qū)的二n類器件它分布在結構的左右兩邊。肖基陽在器頂端重摻的陰位于底端。（2）在器件描述之后，模型句被來定下列型：流子度、遷率場遷移、隙變窄、RH激發(fā)復模、Auer復合模型、雙流子型（aris=2）。關鍵語句是設置肖特基觸oactnam=<char>(char表示接觸的名稱，用英文符來示比如anodethode)orfa>(a表示變量參數，用來設置功函大小)這個語句是用來設置肖基電的功數的。在這個例子里面，因為底是和能41的類型，所定的功函數為4.9，這提供一個特基壘的度為..默認的勢壘高度是0.（一個完美的歐姆接觸）個條是為極假的。（3）電學仿真簡單將陽電壓間隔005V升10.語句和參數詳解語句和參數詳解主要包括三大部分內容（1）器件編輯語句egion、eectode、doping等（2）模型與環(huán)境設語句odesthod等（3）電學特性仿真句soe等#語句1仿真器調用命令語句調用tla器件仿真器需要用到o語句：otls解析：o用來退出和重新啟動tla仿真器注意：這個命令是通過deckbuid來執(zhí)行的meshmesh? 語句#2meh語句功能：esh定義網格信息。似于ten仿真中的e.語法規(guī)則：<n>SHOCTION=<n>[SCING=<n>]語句解析：此語句定義了網格線的位和間。狀有esxesh.meselimine等參數解析：參數#1mesh：MSHINF=<trctuefilenae>導入由Dvdit創(chuàng)建器件構例如：mshifie=nmos.trmshspace.mult=<AUE>,網格控制,默認為1。定義網格時必須先使用句來始化格。參數#2：x.mesh和.me定網格置及間隔lie)x.eshloc=0.1spac=0.05?參數#3Elimine可以在TLAS生成的mesh基礎上消除掉一些網格線，消除方式為隔一條刪一條?可用參數有olmns,s,ix.l,ix.hih,i.l.l.hgh,x.min,x.mx,.in,.mx例如：Elmneolumnsx.in=0.2x.x=1.4.mn=0.2.mx=0.7Emine前Emne后#例1設置初始網格均勻分布，為微米meshspace.mult=1.0#例2設置x方向網格，從以間隔的x=00的位置漸變過渡到以為間隔的x=30的位置。這樣可以根據需要設置多個網格。x.meshloc=0.0spac=0.5x.meshloc=300spac=02x.meshloc=5.0spac=0.5x.meshloc=7.0spac=0.5x.meshloc=9.0spac=0.2x.meshloc=1.0spac=05#例3設置y方向網格信息.meshloc=0.0spac=0.1.meshloc=1.0spac=0.1.meshloc=200spac=02.meshloc=5.0spac=0.4解析：以上建立了一個含有網格信息的微米×微米大小的區(qū)域。<n>.MSH定義沿著<n>方向的網格位置。注意：x,,z方向上定義是等價的。語法結構如下：X.MSHOCTO=<數值>SCING=<數值>Lotio定義了網格線的位置，Spacing定義了網格間隔。#語句3區(qū)域定義語句egionnu=1slon解析:egion語句定義了材料位置每一個三角形都必須定成一材料。語法結構如下：RGIONNUMBER=<n><eral>[<postion>]Number=<n>定義了一個區(qū)域的序，它以從到00.具有同一個區(qū)域序號的多重區(qū)域線條可以來定一個有多矩形征的域。<eral>是一種或多種材料的名字如slonsio2polslon等。<postion>是一個或多個位置參數。egionnu=1siionx.in=1.0x.x=12.in=0.5.m=5對于一個區(qū)域，可以指定其材料屬性和位置坐標meshegionnu=1siionx.in=1.0x.=12.in=0.5.=5eginnu=2so2xin=0.0x=1.in=0.定義多個區(qū)域，可使用多個egon語句來完成。meshegionnu=1siionx.in=1.0x.=12.in=0.5.=5egionnu=2sio2x.in=0.0x.=1.in=0.=5egionnu=2sio2x.in=0.0x.=12.in=0.=1定義每個區(qū)域可以使用多條egon語句，只要保證區(qū)域標號一致即可。MTERIALS#語句3erals語句功能：語法規(guī)則：MTERIAL<區(qū)域參數><材料名稱>材料參數>例句：mpactsebmeral=InGaAsan2=5.15e7ap2=9.69e7bn2=1.95e6\bp2=2.27e6mpactsebmeral=InPan2=1e7ap2=9.36e6bn2=3.45e6bp2=2.78e6meralmera=InGaAsagn=0.36eg30=0.75nc00=2.1e17\v300=7.7e18o=9.6e-11meralmeral=InPfinty=4.4algn=0.36eg300=1.35\nc300=5.7e17v300=1.1e19o=1.2e-10meralegon=1aun0=5.0e-10aup0=1.0e-9stn=2.5e7\mun0=4000mup0=200Meralaun0=1.e-9aup0=1.e-9.onmun=hex01_ierp.lbmeralalgn=0.6可選的材料材料參數材料參數?材料參數和物理模型的取有，常的參數及說明如下：373800:133900:13Silao學習40#語句4電極定義語句，其基本格式是#ELCTOENAME=<en>[UBER=<n>]<p>電極語句電極名稱電極編號電極位置electrname=anodex.min=5lenth=2electrname=thodebt(系統(tǒng)默認是電極位置為opx.min=0x.mx=x.m)eectrnameanodexin=5lnth=2.in=0.=0.5eectrname=thodeboteectrnam=anodexin=5lnth=2.i=0.=0.5eectrname=thode.in=4.5.=5摻雜定義#語句5摻雜定義語句doping<ditrbutiontype><dopattype><oncettion><postion>摻雜語句摻雜形態(tài)定義摻雜類型定義摻雜濃度定義摻雜位置分布：unior,aussan,erc，具體設置還分為組1，Concettinandjunction2，Doseandchaacertic3，Concettionandchaacertic雜質類型：ntype,type位置：egion,x.mn,x.x,.in,.x,peak,junctio…例：#ptypedopingdopingptypeonc=1e19x.in=0x.=3junc=1t=0.6auss注：Doping句是來定器件構中摻雜布。對于一組dopin語句，每一語句都是在前語句的基上給出的，有疊加的效果。Dopin語句參數詳解：1.解析分布類型參數介紹這些參數語句定義了tla將如從解函數生成個摻分布.（1）Gausian類型解析分布Gausian定義了高斯解析函數的使用來生一個雜分。如果ausin被定義了，那么下面的參數須被義。()極性參數Ntypetype(ii)下列分布定義之一：oncettion和junction濃度和結深oncention和chaactetic濃度和特性dos和chaacertic劑量和特性長度（2）Unior定義了使用常作為析函來生摻雜布。摻雜會通過邊界參數被定在一b中這個的默值是個區(qū)域。同樣如Unior被定義，那Ntpetype以及濃度參數都必須定義。2.摻雜物類型參數紹Atioy銻Asenc砷Boon硼Indium銦Phosphorus磷E.LEVEL設置了分立陷阱能級的能。對于acceos，是對應于導帶邊緣的。對于donos，是對應于帶邊的。NypeDonor定義了一n類型或oo類的摻物。此參數可以ausin或unior分布型聯用。ypeAccepor定義一個p類型或accoer類型的摻物。參數可以與aussan或unior分布類型聯合用。ap定義了摻雜濃度被處理陷阱密度。XChae定義了一個固定的氧化電荷布?；锖芍辉谌魏谓^緣物區(qū)域使用。3.垂直分布參數Concttion濃度定義了峰值濃度當高斯分布被使用時。如果此參數未被定義，峰值濃度會從極性參數，邊界條件，計量，或電阻率，特征濃度中計算出來。當uniorm分布被定義，oncettion參數被定義為均勻摻雜濃度的值，濃度必須是正的。Dose劑量只適于高斯分布，定義了斯分布的劑量。Juntion結深定義了高斯分布的硅區(qū)域內p-n結的位置。juncion被定義了，caaceriticlet會通過在常數矩形區(qū)域的終點之間的一個迭代中點檢測摻雜濃度而計算出來。Juntion的位置只是通過考慮所有前面摻雜語句信息來估算的，這意味著某些情況下，doping語句的順序是很重要的。CHARCTERISIC定義了注入物的基本特征長。如此參未被義，本特征長度可以從極性參數邊界件參、濃和結數中得。dopingntypeonc=5.e16uniormdopingptypeonc=1e19.i=0.=0char30aussdopingntypeonc=1e19.in=300.m=300char=30aussDoping例句Doping例句均勻摻雜dopinguniormonc=1e16ntypeegion=1高斯分布dopingegion=1aussanonc=1e18peak=0.1chaacertic=0.05\ptypex.ft=0.0x.igt=1.0dopingegion=1aussonc=1e18peak=0.2junct=0.15從文件導入雜質分布dopingxin0.0xx1.0.in0.0.x1.0ntypeasci\ifie=oncdaotlasmshspace.mul=1.0x.eshloc=0.00spac=5x.eshloc=12.00spac=5.eshloc=0.00spac=1.eshloc=30pace=5.eshloc=270.00spac=5.ehlc=300.00spacegionnu=1siionx.in=0.0x.=12.in=0.0.=300eectrname=anodeopeectrname=thodebotdopingntypeonc=5.e16uniormdopingptypeonc=1e19.in=0.=0char=30aussdopingntypeonc=1e19.in=300.x=300char=30aussseoutf=diodex01_3.trsoeinitmthodnwonlogoutfie=diodex01_1.lgsoeanode=0.0ep=0.5vfinal=100nam=anodequitDoping例句eak定義了高斯分布中峰濃度深度置。dopingntypeonc=5.e16uniormdopingptypeonc=1e19peak=20char=30aussdopingntypeonc=1e19peak=280char=30aussDoping例句Doping例句4.水平方向擴展參數類型X.MinX.Mx.Min.xZ.MinZ.Mx用以定義矩形邊界。X.LftX.mn用以定義左側邊界X.RigtX.Mx用以定義右側邊界op..Min用以定義上方邊界.Boom.Mx用以定義下方邊界Z.BackZ.Min用以定義后方邊界Z.FotZ.Mx用以定義前方邊界5.水平方向分布參數類型LtChar定義水平（x方向）特征長度，如果不定義此長度則通過下列公式計算LtChar=Rto.Leal*Char其中Char是y方向上的特征長度，Rto.Leal是x方向與y方向的特征長度比例系數）dopingntypeonc=5.e16uniormdopingptypeonc=1e19x.in=0x.=3char=20lt.char=0.1auss改變lt.char分別為0.1、1、5、12對水平方向摻雜分布的影響如圖所示6.ap（陷阱）參數GION指定對哪個區(qū)域進行陷阱參數設置，系統(tǒng)默認對所有區(qū)域進行設置。E.LEVEL設置分立陷阱能級，對于aceos,E.LEVEL在導帶附近對于donos，E.LVL在共價帶附近。DGEN.C定義了陷阱能級的退化因子，用來計算密度。SIGN、SIGP定義了對于電子或空穴的陷阱捕獲橫截部分（atueossseton）UNU定義了陷阱能級中的電子壽命和空穴壽命。#語句6se輸結構結果保存語句，其基本格式為VEOTFLE=<filename>seotf=diodex0_0tr#語句7oyplot輸出文件繪制語句oyplot*trst*st界面特性語句#7界面特性定義語句Ierac定義界面電荷密度m-）和表面復合速率，sn和sp分別為電子和空穴的表面復合速率。（1）界面默認類型為半導體-絕緣體界面，或半導體-半導體之間的區(qū)域、半導體的邊界區(qū)域（2）S.S，S.M，SC，為界面模型應用在半導體-半導體界面，半導體-金屬界面，半導體-導體界面ierace.=0.1qf=?1e11ieracex.in=?4x.x=4.in=?0.25.x=0.1qf=1e11\s.n=1e4.p=1e4?界面定ieace*界面態(tài)的定義（必須ierace與itap一起使用）eraces.shae=-5e14therminictunnelx.min=9x.ma=14.min=2.5\.min=2.502taps.se.el=1.61aceordensty=5e14deen=1sgn=7e-16\sigp=6e-16上例erace語句定義了在指定的半導體異質結界面存在5e14的界面電荷，其電子輸運機制為thermion&tunne兩個模型。tap語句定義了在指定的半導體異質結界面的界面電荷起受主作用在禁帶中引入的能級位置在導帶下1.61eV處，且該受主能級的簡并度為1，對電子和空穴的俘獲截面各為7e-16和6e-16。aceo—-5e14—e.el以導帶為參考donor—+5e14—e.el以價帶為參考*界面固定電荷的定義INTECEQF=3e10X.MIN=1.0X.MAX=2.MIN=0.0.MAX=0.5?體內陷阱的定taptapmeral=Sione.el=0.9donordensty=1e13deen=1sgn=5e-13\sigp=5e-13物理模型#語句8模型選擇語句物理模型分為五大類：1.遷移率模型2.復合模型3.載流子統(tǒng)計模型4.碰撞離化模型5.隧道模型物理模型由狀態(tài)modes和mpat指定? 推薦的模型MOSFEs類型：h，cvt，bgnBJ，tyros等：Klarh，kaaug，ka，bgn擊穿仿真：Ipact，seb例句：ModelbgnfldmobModelsconmobfldmobsrhaugertemp=300printIpactsebCoact? #語句9接觸特性定義oact默認情況下：金屬半體接為歐接觸所以需要姆接特性電極需定義接觸特性。只要定義了功函數則為是特基觸（者功數相時變歐姆觸）eg：ONCTNAM=eORKFUNCTION=4.8用戶可以用材料名來代功函的定（AIU,N.POSILON,.POSILIO,TUNGTN,和T.DISIICD）：eg：ONCTNAM=eN.POSILIONAUINU和重S的觸為姆接，此若定功函則是誤的：eg：ONCTNAM=eAUINUM/*wong*/定義肖特基接觸的勢壘和極子低的壘高：eg：ONCTNAM=anodeORKFUNCIO=49ARIERLPA=1.0e7勢壘降低系數設為1m?設置電流邊界條件oacte：oactname=thoecuret\主要用在擊穿特性的模擬中?外部電阻，電感和電容定義oacteg：ONCTNAME=dainRSISANCE=00\CACIANCE=0e-2INDUCANCE=1e-6在漏極并聯一個5?的阻，pF的容和H的電感注意：在二維模擬器中由于方向默認為1，所以默認的電阻位??，單位為/，電感單為：H?。g：ONCTNAME=ouceON.RSIANE=.1。定義了電極接觸的分布電阻001??c2。

ON.RSANE和RSISANCE時使。?浮動接觸定義oact應用于兩種情況1EEO和其編程件；、功器件的浮動場板eg：ONCTNAME=eFTING將名為e的電極定義為浮動電，并將在電極默認用電荷邊界條件。eg：OCTNAM=danCENT對于直接金半接觸的浮動電極，不能用參數”FTING“，這種情形需要將該電極定義為電流邊界條件，并在之后的oe語句中將其電流設0。eg：ONCTNAME=dainRSIT=1e20在電極上設置一個很大的電阻，這樣一來流過該電極的電流會非常小，也就相當于浮動電極。?電極短路oact除了定義同樣的電極名外oactname=base1ommon=base是電極短接的另一種辦法。eg：ONCTname=base1OMN=baseCO=0.5上例中Vbase1=Vbase+0.5eg：ONCTname=base1OMN=basemultCO=0.5上例中Vbase1=Vbase0.5注意：以上兩例對電流邊界條件不適用如果從ANTHENA或DVEIT導入的結構中已有電極名稱的定義，TLAS將會自動對其進行短接，并沿用已有的電極名。?電極開路oact1、刪除要開路的電極2、在需要開路的電極上并接一個極大的外電阻3、先將需要開路的電極有設成電流邊界條件，然后再將流過該電極的電流值設得很小或為0。#語句10命令執(zhí)行語句sole語句介紹：sole是命令tas在一個或多個偏壓點（biaspoit）進行求解的語句solenit解析：ni是初始化（nia）參數，表示將所有電壓歸零。對于指定結構，如果在初始偏置點沒有標明這個參數，系統(tǒng)將自動賦予這個參數。求解方法?#語句11數值方法選擇語句mthod解析：TLAS仿真半導體器件是基于對~6相互聯的線性微分方程的求解TAS在每格點這組程進數值算得器件特性。1、gumelGume迭代法收斂慢，但能容忍粗糙的始假值；Gume迭代法不能用于含有集總元或電邊界件情的求；默的Gume迭代式阻尼的，可將參數li設置成負值或零讓代成非阻的；Gume迭代時的線性oison求解的數目限制，這導致勢更新時的弛豫不足?！皊ngl-oison”求解模式擴展Gmme迭代方法的應用范圍,這在小電流ipoa仿真和MOS飽區(qū)的真上有用。使用方法thodsngleposon求解方法求解方法2、nonNwon迭代法每一次的迭代將線性問題性化理，散化的“尺寸”較大，則需的間也變長如果始假很成功的話，就能很快得到收，且果比滿意。Non迭代法是TAS計算漂-擴散默認。外還其他的計算需要采用Nwon迭法，如掃描，瞬態(tài)描curetacing，頻域的小信號分。Nwon-Richadson迭代法是Nwon迭法的體，收斂慢時它會計算新的系數矩。Mthd的數設為auor時會自采用Nwon-Richadson迭代法。如果經過很多步才能收斂，題可來自：網定義高寬比或寬高比很大的三角太多，耗區(qū)擴到已義為姆接觸的地方，初始假設值很。3、block在含有晶格加熱或能量平衡程lock迭法很用。lock迭代法計算一些由不同程按通順組成子方組。在不等溫的漂-擴散仿真時指lock迭代，則won迭代法將更新電勢和摻雜濃，去之后算熱方程。都包含熱流方程和載流子溫方程lock迭代將首計算最初的溫度，然后將晶溫度耦之進行代。4、組合迭代有時需要nwon迭代、guml迭代和block迭組合用。可以先用gume迭代法，一定計步數不收時再為采用nwon迭代或block迭代計算Gume迭代的次數由數gum.nit設定。在包含晶格加熱或能量平衡算時可以采lock迭法，然后用nwon迭代法，block代的數上用nbockit設置。5、例句基本漂移擴散計算：Mthodgumelnwon晶格加熱時的漂移擴散算：Mthodblocknwon能量平衡計算：Mthodblocknwon計算的載流子數，默認2也可是或。載子類eec和hole分別表示電子和空穴載流類型置為時可以設為eec或hol。載流子類型設置0，將要得電勢布的仿真結果。Mthodaris=2Mthodaris=1eec或Mthodaris=1holeMthodaris0求解求解?Sole、log和oyplot初始化偏置：soeinit設置偏壓：soeanode=10使用前面的最終結果：soepvous電壓掃描：soeanode=0vfinal=10ep=0.1name=anode電流掃描：soeinode=0ifna=10iep=0.1nameanode還有瞬態(tài)，交流小信號特性掃描。Curtace掃描，用于多值特性的掃，二擊穿pnp栓鎖特性等。curtaceanodebegal=0ep.init=1\nxtt.ti=1.39incur=1e-12enda=1e-2cur.otlogoutfil=t.logsoecurtaceoyplotlt.log結構文件的保存：outputband.paambandepon.bandal.bandsoeinitoutf=lt.trmaer/保存tla標準文件格式oyplotlt.tr#sleanode=0.5ep=0.5vfinal=1name=anodeoyplotdiodex01logstdiodex01_lo.etquit結果保存結果保存#語句13運行數據結果保存語句語句介紹：輸出結構結果保存語句lo是來將序運后所算的有結果數據保存到一個以log擴展名結尾文件中的一語句。soe語句中運算后所得到的果都保存其中。logoutfil=diode01.lgLoad從中導入前結果作后的或其點初始假值。Se將所有結點的信息保存到輸出文。ladin1fiefienaein2fi=flnamesoeoutfil=so.trmaer語句匯總語句匯總語句匯總：Coact設置接觸類型Dopng設置摻雜類型Eectode設置電極Go仿真器調用Log定義輸出數據文件語句Meral定義材料類型Mesh定義初始化網格信息Mthod設置數值方法Mobty設置遷移率模型Models選取仿真模型Quit程序退出語句egon定義區(qū)域語句Se結構文件保存語句Soe求解語句oyplot繪圖語句X.MSH.MSHZ.SH定義x,方向網格語句光電特性仿真光電特性仿真#語句：BAM光電特性仿真主要是要加光照，定義光束用BAM其主要參數有，方向參數、波長、