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實(shí)驗(yàn)五:場(chǎng)效應(yīng)管放大器系別:姓名:學(xué)號(hào):實(shí)驗(yàn)日期:實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶W(xué)習(xí)場(chǎng)效應(yīng)管放大電路設(shè)計(jì)和調(diào)試方法;掌握?qǐng)鲂?yīng)管基本放大電路的設(shè)計(jì)及調(diào)整、測(cè)試方法。實(shí)驗(yàn)儀器示波器 1臺(tái)函數(shù)信號(hào)發(fā)生器 1臺(tái)直流穩(wěn)壓電源 1臺(tái)數(shù)字萬(wàn)用表 1臺(tái)多功能電路實(shí)驗(yàn)箱 1臺(tái)交流毫伏表 1臺(tái)實(shí)驗(yàn)原理場(chǎng)效應(yīng)管的主要特點(diǎn): 場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器件,由于它的輸入阻抗極高(一般可達(dá)上百兆、甚至幾千兆),動(dòng)態(tài)范圍大,熱穩(wěn)定性好,抗輻射能力強(qiáng),制造工藝簡(jiǎn)單,便于大規(guī)模集成。因此,場(chǎng)效應(yīng)管的使用越來(lái)越廣泛。 場(chǎng)效應(yīng)管按結(jié)構(gòu)可分為MOS型和結(jié)型,按溝道分為N溝道和P溝道器件,按零柵壓源、漏通斷狀態(tài)分為增強(qiáng)型和耗盡型器件,可根據(jù)需要選用。那么,場(chǎng)效應(yīng)管由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)源漏極可以互換,為了防止柵極感應(yīng)電壓擊穿要求一切測(cè)試儀器,都要有良好接地。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性: ⑴轉(zhuǎn)移特性(控制特性):反映了管子工作在飽和區(qū)時(shí)柵極電壓VGS對(duì)漏極電流ID的控制作用。當(dāng)滿足|VDS|〉|VGS|-|VP|時(shí),ID對(duì)于VGS的關(guān)系曲線即為轉(zhuǎn)移特性曲線。如圖1所示。由圖可知。當(dāng)VGS=0時(shí)的漏極電流即為漏極飽和電流IDSS,也稱(chēng)為零柵漏電流。使ID=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的柵極電壓,稱(chēng)為夾斷電壓VGS=VGS(TH)。 ⑵轉(zhuǎn)移特性可用如下近似公式表示:ID=IDSS(1-VGS/VGS(TH))2(當(dāng)0≥VGS≥VP)這樣,只要IDSS和VGS(TH)確定,就可以把轉(zhuǎn)移特性上的其他點(diǎn)估算出來(lái)。轉(zhuǎn)移特性的斜率為:gm=ΔID/ΔVGS|VDS=常數(shù)它反映了VGS對(duì)ID的控制能力,是表征場(chǎng)效應(yīng)管放大作用的重要參數(shù),稱(chēng)為跨異。一般為0.1~5ms(mA/V)。它可以由式1求得:gm=-2IDSS/VGS(TH)×﹙1-VGS/VGS(TH))輸出特性(漏極特性)反映了漏源電壓VDS對(duì)漏極電流IC的控制作用。圖2為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的典型漏極特性曲線。 由圖可見(jiàn),曲線分為三個(gè)區(qū)域,即Ⅰ區(qū)(可變電阻區(qū)),Ⅱ區(qū)(飽和區(qū)),Ⅲ區(qū)(截止區(qū))。飽和區(qū)的特點(diǎn)是VDS增加時(shí)ID不變(恒流),而VGS變化時(shí),ID隨之變化(受控),管子相當(dāng)于一個(gè)受控恒流源。在實(shí)際曲線中,對(duì)于確定的VGS的增加,ID有很小的增加。ID對(duì)VDS的依賴(lài)程度,可以用動(dòng)態(tài)電阻rDS表示為:rDS=ΔVDS/ΔID|VGS=常數(shù)在一般情況下,rDS在幾千歐到幾百歐之間。⑶圖示儀測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線的方法:①連接方法:將場(chǎng)效應(yīng)管G、D、S分別插入圖示儀測(cè)試臺(tái)的B、C、E。②輸出特性測(cè)試:集電極電源為+10v,功耗限制電阻為1kΩ;X軸置集電極電壓1V/度,Y軸置集電極電流0.5mA∕度;與雙極型晶體管測(cè)試不同為階梯信號(hào),由于場(chǎng)效應(yīng)管為電壓控制器件,故階梯信號(hào)應(yīng)選擇階梯電壓,即:階梯信號(hào):重復(fù)、極性:一、階梯選擇0.2V∕度,則可測(cè)出場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性,并從特性曲線求出其參數(shù)。③轉(zhuǎn)移特性測(cè)試:在上述測(cè)試的基礎(chǔ)上,將X軸置基極電壓0.2V∕度,則可測(cè)出場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性,并從特性曲線求出其參數(shù)。⑷場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)測(cè)試電路設(shè)計(jì):①根據(jù)轉(zhuǎn)移特性可知,當(dāng)VGS=0時(shí),ID=IDSS,故其測(cè)試電路如圖3所示。②根據(jù)轉(zhuǎn)移特性可知,當(dāng)ID=0時(shí),VGS=VGS(TH),故其測(cè)試電路如圖4所示。自給偏置場(chǎng)效應(yīng)管放大器: 自給偏置N溝道場(chǎng)效應(yīng)管共源基本放大器如圖5所示,該電路與普通雙極型晶體管放大器的偏置不同,它利用漏極電流ID在源極電阻RS上的壓降IDRs產(chǎn)生柵極偏壓,即:VGSQ=-IDRS由于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管工作在負(fù)壓,故此稱(chēng)為自給偏置,同時(shí)Rs具有穩(wěn)定工作點(diǎn)的作用。該電路主要參數(shù)為:電壓放大倍數(shù):AV=Vi=-gmRLˊ式中:RLˊ=RD‖RL‖rDS輸入電阻:Ri≈RG輸出電阻:RO=RD‖rDS恒流源負(fù)載的場(chǎng)效應(yīng)管放大器:由于場(chǎng)效應(yīng)管的gm較小。提高其放大倍數(shù)的一種方法代替,如圖6所示。它利用場(chǎng)效應(yīng)管工作在飽和區(qū)時(shí),靜態(tài)電阻小、動(dòng)態(tài)電阻較大的特性,在不提高電源電壓的情況下,可獲得較大的放大倍數(shù)。設(shè)計(jì)舉例:試設(shè)計(jì)一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管放大器,場(chǎng)效應(yīng)管選用K30A;管腳排列為:要求電源電壓為+12V;負(fù)載為RL為10k;Av≥5、Ri≥500k、Ro≤10k、?L≤50Hz;若要求電壓放大倍數(shù)提高為50,電路如何改變?⑴電路模型選擇:自給偏置場(chǎng)效應(yīng)管放大器;⑵場(chǎng)效應(yīng)管特性參數(shù)測(cè)試:按上述方法測(cè)試(工作點(diǎn)為VDSG=5V、IDG=1mA);⑶確定RD、RS和RG;RD=(ED-(VDSQ+|VGSQ|))/IDQ=6.5KΩ按E24標(biāo)稱(chēng)系列取RD=6.8kΩRS=|VGSQ|/IDQ=0.5(KΩ)按E24標(biāo)稱(chēng)系列取RS=510Ω按E24標(biāo)稱(chēng)系列取RG=620KΩ,確保Ri>500kΩ⑷確定C1、C2、CS一般取C1=0.01μF,C2=1μF,CS=47μF⑸設(shè)計(jì)參數(shù)驗(yàn)算:AV=-gmRL=1.8×6.8∥10≈7.3;Ri≈RG=620K;RO≈RL=10K;⑹根據(jù)上述設(shè)計(jì),符合設(shè)計(jì)要求。6.場(chǎng)效應(yīng)管放大器參數(shù)測(cè)試方法:⑴靜態(tài)工作點(diǎn)調(diào)試:同單極放大器調(diào)試方法;⑵電壓放大倍數(shù)測(cè)量:同單極放大器調(diào)試方法;⑶放大器頻率特性測(cè)量:同單極放大器調(diào)試方法;⑷輸入阻抗測(cè)量:放大器輸入阻抗為從輸入端向放大器看進(jìn)去的等效阻抗,即:Ri=Vi/Ii該電阻為動(dòng)態(tài)電阻,不能用萬(wàn)用表測(cè)量。輸入阻抗Ri測(cè)量裝置圖如圖7所示。測(cè)量途中,R為測(cè)量Ri所串聯(lián)在輸入回路的已知電阻(該電阻可根據(jù)理論計(jì)算Ri選擇,為減小測(cè)量誤差,一般選擇與Ri同數(shù)量級(jí)),其目的是避免測(cè)量輸入電路中電流,而改由測(cè)量電壓進(jìn)行換算,即:上述測(cè)量方法僅適用于放大器輸入阻抗遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于測(cè)量?jī)x器輸入阻抗條件下。然而,場(chǎng)效應(yīng)管放大器輸入阻抗非常大,上述設(shè)計(jì)放大器要求:Ri〉500kΩ,而毫伏表測(cè)量將產(chǎn)生較大的誤差,同時(shí)將引入干擾。故不能用毫伏表測(cè)量Vi。同時(shí),由于放大器輸出阻抗較小,毫伏表可直接測(cè)量。因而采用測(cè)量輸出電壓換算求Ri。當(dāng)電路不串入R時(shí),Vi1=Vs,輸出測(cè)量值為:Vo1=Av*Vi1=Av*Vs;當(dāng)電路傳入R時(shí),Vi2=Ri*Vs/(Ri+R),輸出測(cè)量值為:Vo2=Av*Vi2=Av*Ri*Vs/(Ri+R)由于同一放大電路,其放大倍數(shù)相同,令上述兩式相除進(jìn)行整理可得:Ri=Vo2*R/(Vo1-Vo2)⑸輸出阻抗測(cè)量裝置如圖5所示,在輸入回路不串接R情況下:若輸出回路不并接負(fù)載RL,則輸出測(cè)量值為:Vo∞;若輸出回路并接負(fù)載RL,則輸出測(cè)量值為:VOL;則可按下式求Ro。RO=(VO∞-VOL)/IO=(VO∞-VOL)/(VOL/R)=(VO∞/VOL-1)/RL在上述輸入阻抗、輸入阻抗測(cè)量時(shí),應(yīng)保證輸出波形不失真。實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1.電路搭接:根據(jù)重新設(shè)計(jì)電路,在實(shí)驗(yàn)箱上搭接實(shí)驗(yàn)電路,檢查電路連接無(wú)誤后,方可將+12V直流電源接入電路。其中Rs采用實(shí)驗(yàn)箱上的1kΩ電位器。2.靜態(tài)工作點(diǎn)的調(diào)試測(cè)量:根據(jù)設(shè)計(jì)理論值,通過(guò)調(diào)整電位器Rs,使靜態(tài)工作點(diǎn)基本符合設(shè)計(jì)參數(shù)并填入表3。表3靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)計(jì)、測(cè)量測(cè)量計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)VDQ(V)VGQ(V)VSQ(V)IDQ(mA)VDS(V)VGS(V)實(shí)際測(cè)量值6.0010.00020.53540.885.4656-0.5352理論設(shè)計(jì)值6.00000.50.885.5-0.53.場(chǎng)效應(yīng)管放大參數(shù)測(cè)試:⑴參照單級(jí)放大器參數(shù)測(cè)試方法,選擇合適的輸入信號(hào),自擬實(shí)驗(yàn)步驟測(cè)量放大倍數(shù)。⑵參照輸入阻抗測(cè)試方法,選擇合適的串接電阻R,自擬實(shí)驗(yàn)步驟測(cè)量輸入阻抗。⑶參照輸出阻抗測(cè)試方法,選擇合適的負(fù)載RL,自擬實(shí)驗(yàn)步驟測(cè)量輸出阻抗。表4放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻測(cè)量R=0R=620KVi=VsVo∞VOLV01Vi=Ri×Vs÷(Ri+R)V02實(shí)驗(yàn)值0.03551.42990.88060.88130.4256計(jì)算:放大倍數(shù):Au=VOL/Vi=24.80輸入電阻:Ri=Vo2*R/(Vo1-Vo2)=579.05kΩ輸出電阻:Ro=(Vo∞/Vol—1)Rl=6.24kΩ實(shí)驗(yàn)故障及解決辦法在靜態(tài)工作點(diǎn)測(cè)量與調(diào)試時(shí),換動(dòng)態(tài)工作點(diǎn)測(cè)量,卻改變電阻阻值,所以一開(kāi)始測(cè)出結(jié)果不對(duì),之后重新測(cè)量靜態(tài)工作點(diǎn),然后不懂電路元件參數(shù),繼續(xù)測(cè)量動(dòng)態(tài)工作點(diǎn)才得到正確結(jié)果。在動(dòng)態(tài)電路測(cè)量之中,示數(shù)不準(zhǔn)確,經(jīng)檢查發(fā)現(xiàn)電容鏈接錯(cuò)誤,電容正負(fù)極接反,導(dǎo)致交流短路,檢查后,重新連接電容,正負(fù)極連接正確后得到測(cè)量讀數(shù)。在動(dòng)態(tài)電路測(cè)量之中,發(fā)現(xiàn)測(cè)得的Vo∞示數(shù)偏大,經(jīng)檢查發(fā)現(xiàn)沒(méi)有去除電路中的RL,導(dǎo)致測(cè)得的是Vol的值,檢查后,去除電路中的RL,重新測(cè)量得到正確測(cè)量讀數(shù)。實(shí)驗(yàn)總結(jié)與心得體會(huì)這次實(shí)驗(yàn)讓我更好的了解了場(chǎng)效應(yīng)管在電路中的使用方法,場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。判斷G極可以將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別測(cè)量三個(gè)管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)窮大,并且交換表筆后仍為無(wú)窮大,則證明此腳為G極,因?yàn)樗土硗鈨蓚€(gè)管腳是絕緣的。而且了解電容有正負(fù)極,如何正確連接電容。思考題:1.如何進(jìn)行結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別?場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極,源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬(wàn)用表置于R×1k檔,用兩表筆分別測(cè)量

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