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ROM也有很多種，PROMROM，PROMEPROM（ROM）兩者區(qū)別是，PROM是一次性的，也就是軟件灌入后，就無(wú)法修改了，這種是早期的產(chǎn)品，EEPROM是通過(guò)電子擦除，價(jià)格很高，寫(xiě)入時(shí)間很長(zhǎng)，寫(xiě)入速度很慢。FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存，它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處，不僅具備電子可擦出可編程（EEPROM）（NVRAM的優(yōu)勢(shì)，U作為它們的存儲(chǔ)設(shè)備，然而近年來(lái)Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統(tǒng)中的地位，用作存儲(chǔ)Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤(pán)使用（U盤(pán)。Flash主要有兩種NORFlashNADNFlashNORFlashSDRAMNORFLASHSRAM的容量從而節(jié)約了成本。NANDFlash沒(méi)有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取Flah以外，還附加一塊小的NORFlash來(lái)運(yùn)行啟動(dòng)代碼。一般小容量的存儲(chǔ)用NORFlash，因?yàn)槠渥x取速度快，多用來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)等重要信息，而OnChip）和我們通常用的“閃盤(pán)”FLASH主要來(lái)自Intel，AMD，F(xiàn)ujitsuToshibaNANDFlashSamsungToshiba。相似，是在N型基片上生長(zhǎng)出兩個(gè)高濃度的P型區(qū)，通過(guò)歐姆接觸分別引出源極S和漏極不帶電，則不形成導(dǎo)電溝道，MOS管不導(dǎo)通，即存入1。閃存的基本單元電路如下圖所示，與EEPROMMOS管組成。但是第一層?xùn)沤橘|(zhì)很薄，作為隧道氧化層。寫(xiě)入方法與EEPROM相同，在第二級(jí)浮空柵加以正電壓，使電子進(jìn)入第一級(jí)浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電的晶體管上加入了浮動(dòng)?xùn)藕瓦x擇柵，下圖就是NAND型閃存的晶體管結(jié)構(gòu)：決于在硅底板上形成的浮動(dòng)?xùn)胖惺欠裼须娮?。有電子?，無(wú)電

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