NandFlash詳述絕對經(jīng)典

-.z.NandFlash詳述1.硬件特性：【Flash的硬件實現(xiàn)機制】Flash全名叫做FlashMemory，屬于非易失性存儲設(shè)備(Non-volatileMemoryDevice)，與此相對應(yīng)的是易失性存儲設(shè)備(VolatileMemoryDevice)。這類設(shè)備，除了Flash，還有其他比較常見的如硬盤，ROM等，與此相對的，易失性就是斷電了，數(shù)據(jù)就丟失了，比如大家常用的存，不論是以前的SDRAM，DDRSDRAM，還是現(xiàn)在的DDR2，DDR3等，都是斷電后，數(shù)據(jù)就沒了。Flash的部存儲是MOSFET，里面有個懸浮門(FloatingGate)，是真正存儲數(shù)據(jù)的單元。金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-O*ide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effecttransistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOSFET、PMOSFET、nMOSFET、pMOSFET等。在Flash之前，紫外線可擦除(uv-erasable)的EPROM，就已經(jīng)采用用FloatingGate存儲數(shù)據(jù)這一技術(shù)了。圖1.典型的Flash存單元的物理結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)在Flash存單元中是的。存儲電荷的多少，取決于圖中的外部門（e*ternalgate）所被施加的電壓，其控制了是向存儲單元中沖入電荷還是使其釋放電荷。數(shù)據(jù)的表示，以所存儲的電荷的電壓是否超過一個特定的閾值Vth來表示?！維LC和MLC的實現(xiàn)機制】NandFlash按照部存儲數(shù)據(jù)單元的電壓的不同層次，也就是單個存單元中，是存儲1位數(shù)據(jù)，還是多位數(shù)據(jù)，可以分為SLC和MLC：1.SLC，SingleLevelCell:單個存儲單元，只存儲一位數(shù)據(jù)，表示成1或0.就是上面介紹的，對于數(shù)據(jù)的表示，單個存儲單元中部所存儲電荷的電壓，和*個特定的閾值電壓Vth，相比，如果大于此Vth值，就是表示1，反之，小于Vth，就表示0.對于nandFlash的數(shù)據(jù)的寫入1，就是控制E*ternalGate去充電，使得存儲的電荷夠多，超過閾值Vth，就表示1了。而對于寫入0，就是將其放電，電荷減少到小于Vth，就表示0了。關(guān)于為何NandFlash不能從0變成1，我的理解是，物理上來說，是可以實現(xiàn)每一位的，從0變成1的，但是實際上，對于實際的物理實現(xiàn)，出于效率的考慮，如果對于，每一個存儲單元都能單獨控制，即，0變成1就是，對每一個存儲單元單獨去充電，所需要的硬件實現(xiàn)就很復(fù)雜和昂貴，同時，所進(jìn)行對塊擦除的操作，也就無法實現(xiàn)之前的，一閃而過的速度了，也就失去了Flash的眾多特性了。//也就是放電的思路還是容易些。1->02.MLC，MultiLevelCell：與SLC相對應(yīng)，就是單個存儲單元，可以存儲多個位，比如2位，4位等。其實現(xiàn)機制，說起來比較簡單，就是，通過控制部電荷的多少，分成多個閾值，通過控制里面的電荷多少，而達(dá)到我們所需要的存儲成不同的數(shù)據(jù)。比如，假設(shè)輸入電壓是Vin＝4V（實際沒有這樣的電壓，此處只是為了舉例方便），則，可以設(shè)計出2的2次方＝4個閾值，1/4的Vin＝1V，2/4的Vin＝2V，3/4的Vin＝3V，Vin＝4V，分別表示2位數(shù)據(jù)00，01，10，11，對于寫入數(shù)據(jù)，就是充電，通過控制部的電荷的多少，對應(yīng)表示不同的數(shù)據(jù)。對于讀取，則是通過對應(yīng)的部的電流（與Vth成反比），然后通過一系列解碼電路完成讀取，解析出所存儲的數(shù)據(jù)。這些具體的物理實現(xiàn)，都是有足夠精確的設(shè)備和技術(shù)，才能實現(xiàn)精確的數(shù)據(jù)寫入和讀出的。單個存儲單元可以存儲2位數(shù)據(jù)的，稱作2的2次方＝4LevelCell，而不是2LevelCell；同理，對于新出的單個存儲單元可以存儲4位數(shù)據(jù)的，稱作2的4次方＝16LevelCell。【關(guān)于如何識別SLC還是MLC】NandFlash設(shè)計中，有個命令叫做ReadID，讀取ID，意思是讀取芯片的ID，就像大家的一樣，這里讀取的ID中，是：讀取好幾個字節(jié)，一般最少是4個，新的芯片，支持5個甚至更多，從這些字節(jié)中，可以解析出很多相關(guān)的信息，比如：此NandFlash部是幾個芯片（chip）所組成的，每個chip包含了幾片（Plane），每一片中的頁大小，塊大小，等等。在這些信息中，其中有一個，就是識別此flash是SLC還是MLC。下面這個就是最常見的NandFlash的datasheet中所規(guī)定的，第3個字節(jié)，3rdbyte，所表示的信息，其中就有SLC/MLC的識別信息：DescriptionI/O7I/O6I/O5I/O4I/O3I/O2I/O1I/O0InternalChipNumber12480

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1CellType2LevelCell4LevelCell8LevelCell16LevelCell0

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1NumberofSimultaneouslyProgrammedPages12480

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1InterleaveProgramBetweenmultiplechipsNotSupportSupport01CacheProgramNotSupportSupport01表1.NandFlash第3個ID的含義【NandFlash的物理存儲單元的陣列組織結(jié)構(gòu)】Nandflash的部組織結(jié)構(gòu)，此處還是用圖來解釋，比較容易理解：圖2.NandFlash物理存儲單元的陣列組織結(jié)構(gòu)上圖是K9K8G08U0A的datasheet中的描述。簡單解釋就是:1.一個nandflash由很多個塊（Block）組成，塊的大小一般是->128KB，->256KB，->512KB此處是128KB。2.每個塊里面又包含了很多頁（page）。每個頁的大小，老的nandflash，頁大小是256B，512B，這類的nandflash被稱作smallblock，。地址周期只有4個。對于現(xiàn)在常見的nandflash多數(shù)是2KB，被稱作bigblock，對應(yīng)的發(fā)讀寫命令地址，一共5個周期(cycle)，更新的nandflash是4KB，塊，也是NandFlash的擦除操作的基本/最小單位。3.每一個頁，對應(yīng)還有一塊區(qū)域，叫做空閑區(qū)域（sparearea）/冗余區(qū)域（redundantarea），而Linu*系統(tǒng)中，一般叫做OOB（OutOfBand），這個區(qū)域，是最初基于NandFlash的硬件特性：數(shù)據(jù)在讀寫時候相對容易錯誤，所以為了保證數(shù)據(jù)的正確性，必須要有對應(yīng)的檢測和糾錯機制，此機制被叫做EDC(ErrorDetectionCode)/ECC（ErrorCodeCorrection,或者ErrorCheckingandCorrecting），所以設(shè)計了多余的區(qū)域，用于放置數(shù)據(jù)的校驗值。頁,是NandFlash的寫入操作的基本/最小的單位。【NandFlash數(shù)據(jù)存儲單元的整體架構(gòu)】簡單說就是，常見的nandflash，部只有一個chip，每個chip只有一個plane。而有些復(fù)雜的，容量更大的nandflash，部有多個chip，每個chip有多個plane。這類的nandflash，往往也有更加高級的功能，比如下面要介紹的MultiPlaneProgram和InterleavePageProgram等。比如，型號為K9K8G08U0A這個芯片（chip），部有:K9F4G08U0A(256MB):Plane(1Gb),Plane(1Gb)K9F4G08U0A(256MB):Plane(1Gb),Plane(1Gb)K9WAG08U1A，部包含了2個K9K8G08U0AK9NBG08U5A，部包含了4個K9K8G08U0A【Flash名稱的由來】Flash的擦除操作是以block塊為單位的，與此相對應(yīng)的是其他很多存儲設(shè)備，是以bit位為最小讀取/寫入的單位，F(xiàn)lash是一次性地擦除整個塊：在發(fā)送一個擦除命令后，一次性地將一個block，常見的塊的大小是128KB/256KB。。，全部擦除為1，也就是里面的容全部都是0*FF了，由于是一下子就擦除了，相對來說，擦除用的時間很短，可以用一閃而過來形容，所以，叫做FlashMemory。中文有的翻譯為（快速）閃存?！綟lash相對于普通設(shè)備的特殊性】1.上面提到過的，F(xiàn)lash最小操作單位，有些特殊。一般設(shè)備，比如硬盤/存，讀取和寫入都是以bit位為單位，讀取一個bit的值，將*個值寫入對應(yīng)的地址的位，都是可以按位操作的。但是Flash由于物理特性，使得部存儲的數(shù)據(jù)，只能從1變成0，這點，可以從前面的部實現(xiàn)機制了解到，只是方便統(tǒng)一充電，不方便單獨的存儲單元去放電，所以才說，只能從1變成0，也就是釋放電荷。所以，總結(jié)一下Flash的特殊性如下：普通設(shè)備(硬盤/存等)Flash讀取/寫入的叫法讀取/寫入讀取/編程(Program)①讀取/寫入的最小單位Bit/位Page/頁擦除(Erase)操作的最小單位Bit/位Block/塊②擦除操作的含義將數(shù)據(jù)刪除/全部寫入0將整個塊都擦除成全是1，也就是里面的數(shù)據(jù)都是0*FF③對于寫操作直接寫即可在寫數(shù)據(jù)之前，要先擦除，然后再寫表2.Flash和普通設(shè)備相比所具有的特殊性注：①之所以將寫操作叫做編程，是因為，flash和之前的EPROM，EEPROM繼承發(fā)展而來，而之前的EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory)，往里面寫入數(shù)據(jù)，就叫做編程Program，之所以這么稱呼，是因為其對數(shù)據(jù)的寫入，是需要用電去擦除/寫入的，就叫做編程。②對于目前常見的頁大小是2K/4K的NandFlash，其塊的大小有128KB/256KB/512KB等。而對于NorFlash，常見的塊大小有64K/32K等。③在寫數(shù)據(jù)之前，要先擦除，部就都變成0*FF了，然后才能寫入數(shù)據(jù)，也就是將對應(yīng)位由1變成0?！綨andFlash引腳(Pin)的說明】圖3.NandFlash引腳功能說明上圖是常見的NandFlash所擁有的引腳（Pin）所對應(yīng)的功能，簡單翻譯如下：1.I/O0~I/O7：用于輸入地址/數(shù)據(jù)/命令，輸出數(shù)據(jù)2.CLE：mandLatchEnable，命令鎖存使能，在輸入命令之前，要先在模式寄存器中，設(shè)置CLE使能3.ALE：AddressLatchEnable，地址鎖存使能，在輸入地址之前，要先在模式寄存器中，設(shè)置ALE使能4.CE*：ChipEnable，芯片使能，在操作NandFlash之前，要先選中此芯片，才能操作5.RE*：ReadEnable，讀使能，在讀取數(shù)據(jù)之前，要先使CE＃有效。6.WE*：WriteEnable，寫使能,在寫取數(shù)據(jù)之前，要先使WE＃有效。7.WP*：WriteProtect，寫保護(hù)8.R/B*:Ready/BusyOutput,就緒/忙,主要用于在發(fā)送完編程/擦除命令后,檢測這些操作是否完成,忙,表示編程/擦除操作仍在進(jìn)行中,就緒表示操作完成.9.Vcc：Power，電源10.Vss：Ground，接地：Non-Connection,未定義，未連接。[小常識]在數(shù)據(jù)手冊中，你常會看到，對于一個引腳定義，有些字母上面帶一橫杠的，那是說明此引腳/信號是低電平有效，比如你上面看到的RE頭上有個橫線，就是說明，此RE是低電平有效，此外，為了書寫方便，在字母后面加“?！?，也是表示低電平有效，比如我上面寫的CE＃；如果字母頭上啥都沒有，就是默認(rèn)的高電平有效，比如上面的CLE，就是高電平有效。【為何需要ALE和CLE】突然想明白了，NandFlash中,為何設(shè)計這么多的命令,把整個系統(tǒng)搞這么復(fù)雜的原因了:比如命令鎖存使能(mandLatchEnable,CLE)和地址鎖存使能(AddressLatchEnable，ALE)，那是因為，NandFlash就8個I/O，而且是復(fù)用的，也就是，可以傳數(shù)據(jù)，也可以傳地址，也可以傳命令，為了區(qū)分你當(dāng)前傳入的到底是啥，所以，先要用發(fā)一個CLE（或ALE）命令，告訴nandFlash的控制器一聲，我下面要傳的是命令（或地址），這樣，里面才能根據(jù)傳入的容，進(jìn)行對應(yīng)的動作。否則,nandflash部,怎么知道你傳入的是數(shù)據(jù),還是地址,還是命令啊,也就無法實現(xiàn)正確的操作了.【NandFlash只有8個I/O引腳的好處】1.減少外圍引腳：相對于并口(Parellel)的NorFlash的48或52個引腳來說，的確是大大減小了引腳數(shù)目，這樣封裝后的芯片體積，就小很多?，F(xiàn)在芯片在向體積更小，功能更強，功耗更低發(fā)展，減小芯片體積，就是很大的優(yōu)勢。同時，減少芯片接口，也意味著使用此芯片的相關(guān)的外圍電路會更簡化，避免了繁瑣的硬件連線。2.提高系統(tǒng)的可擴展性，因為沒有像其他設(shè)備一樣用物理大小對應(yīng)的完全數(shù)目的addr引腳，在芯片部換了芯片的大小等的改動，對于用全部的地址addr的引腳，則就會引起這些引腳數(shù)目的增加，比如容量擴大一倍，地址空間/尋址空間擴大一倍，所以，地址線數(shù)目/addr引腳數(shù)目，就要多加一個，而對于統(tǒng)一用8個I/O的引腳的NandFlash，由于對外提供的都是統(tǒng)一的8個引腳，部的芯片大小的變化或者其他的變化，對于外部使用者(比如編寫nandflash驅(qū)動的人)來說，不需要關(guān)心，只是保證新的芯片，還是遵循同樣的接口，同樣的時序，同樣的命令，就可以了。這樣就提高了系統(tǒng)的擴展性?！綨andflash的一些典型(typical)特性】1.頁擦除時間是200us，有些慢的有800us。2.塊擦除時間是1.5ms.3.頁數(shù)據(jù)讀取到數(shù)據(jù)寄存器的時間一般是20us。4.串行訪問（Serialaccess）讀取一個數(shù)據(jù)的時間是25ns，而一些舊的nandflash是30ns，甚至是50ns。5.輸入輸出端口是地址和數(shù)據(jù)以及命令一起multiple*復(fù)用的。以前老的NandFlash，編程/擦除時間比較短，比如K9G8G08U0M，才5K次，而后來很多6.nandflash的編程/擦除的壽命，最多允許的次數(shù)，以前的nandflash多數(shù)是10K次，也就是1萬次，而現(xiàn)在很多新的nandflash，技術(shù)提高了，比如，Micron的MT29F1G**ABB，Numony*的NAND04G-B2D/NAND08G-B*C，都可以達(dá)到100K，也就是10萬次的編程/擦除。和之前常見的NorFlash達(dá)到同樣的使用壽命了。7.48引腳的TSOP1封裝或52引腳的ULGA封裝【NandFlash中的特殊硬件結(jié)構(gòu)】由于nandflash相對其他常見設(shè)備來說，比較特殊，所以，特殊的設(shè)備，也有特殊的設(shè)計，所以，有些特殊的硬件特性，就有比較解釋一下：1.頁寄存器（PageRegister）：由于NandFlash讀取和編程操作來說，一般最小單位是頁，所以，nandflash在硬件設(shè)計時候，就考慮到這一特性，對于每一片，都有一個對應(yīng)的區(qū)域，專門用于存放，將要寫入到物理存儲單元中去的或者剛從存儲單元中讀取出來的，一頁的數(shù)據(jù)，這個數(shù)據(jù)緩存區(qū)，本質(zhì)上就是一個buffer，但是只是名字叫法不同，datasheet里面叫做PageRegister，此處翻譯為頁寄存器，實際理解為頁緩存，更為恰當(dāng)些。注意：只有寫到了這個頁緩存中，只有等你發(fā)了對應(yīng)的編程第二階段的確認(rèn)命令0*10之后，實際的編程動作才開始，才開始把頁緩存中的數(shù)據(jù)，一點點寫到物理存儲單元中去。所以，簡單總結(jié)一下就是，對于數(shù)據(jù)的流向，實際是經(jīng)過了如下步驟：圖4NandFlash讀寫時的數(shù)據(jù)流向【NandFlash中的壞塊(BadBlock)】NandFlash中，一個塊中含有1個或多個位是壞的，就成為其為壞塊。壞塊的穩(wěn)定性是無法保證的，也就是說，不能保證你寫入的數(shù)據(jù)是對的，或者寫入對了，讀出來也不一定對的。而正常的塊，肯定是寫入讀出都是正常的。壞塊有兩種：（1）一種是出廠的時候，也就是，你買到的新的，還沒用過的NandFlash，就可以包含了壞塊。此類出廠時就有的壞塊，被稱作factory(masked)badblock或initialbad/invalidblock，在出廠之前，就會做對應(yīng)的標(biāo)記，標(biāo)為壞塊。具體標(biāo)記的地方是，對于現(xiàn)在常見的頁大小為2K的NandFlash，是塊中第一個頁的oob起始位置（關(guān)于什么是頁和oob，下面會有詳細(xì)解釋）的第1個字節(jié)（舊的小頁面，pagesize是512B甚至256B的nandflash，壞塊標(biāo)記是第6個字節(jié)），如果不是0*FF，就說明是壞塊。相對應(yīng)的是，所有正常的塊，好的塊，里面所有數(shù)據(jù)都是0*FF的。（2）第二類叫做在使用過程中產(chǎn)生的，由于使用過程時間長了，在擦塊除的時候，出錯了，說明此塊壞了，也要在程序運行過程中，發(fā)現(xiàn)，并且標(biāo)記成壞塊的。具體標(biāo)記的位置，和上面一樣。這類塊叫做worn-outbadblock。對于壞塊的管理，在Linu*系統(tǒng)中，叫做壞塊管理（BBM，BadBlockManagment），對應(yīng)的會有一個表去記錄好塊，壞塊的信息，以及壞塊是出廠就有的，還是后來使用產(chǎn)生的，這個表叫做壞塊表（BBT，BadBlockTable）。在Linu*核MTD架構(gòu)下的NandFlash驅(qū)動，和Uboot中NandFlash驅(qū)動中，在加載完驅(qū)動之后，如果你沒有加入?yún)?shù)主動要求跳過壞塊掃描的話，則都會去主動掃描壞塊，建立必要的BBT的，以備后面壞塊管理所使用。而關(guān)于好塊和壞塊，NandFlash在出廠的時候，會做出保證：1.關(guān)于好的，可以使用的塊的數(shù)目達(dá)到一定的數(shù)目，比如三星的K9G8G08U0M，整個flash一共有4096個塊，出廠的時候，保證好的塊至少大于3996個，也就是意思是，你新買到這個型號的nandflash，最壞的可能，有3096－3996＝100個壞塊。不過，事實上，現(xiàn)在出廠時的壞塊，比較少，絕大多數(shù)，都是使用時間長了，在使用過程中出現(xiàn)的。2.保證第一個塊是好的，并且一般相對來說比較耐用。做此保證的主要原因是，很多NandFlash壞塊管理方法中，就是將第一個塊，用來存儲上面提到的BBT，否則，都是出錯幾率一樣的塊，則也就不太好管理了，連放BBT的地方，都不好找了，^_^。一般來說，不同型號的NandFlash的數(shù)據(jù)手冊中，也會提到，自己的這個nandflash，最多允許多少個壞塊。就比如上面提到的，三星的K9G8G08U0M，最多有100個壞塊。對于壞塊的標(biāo)記，本質(zhì)上，也只是對應(yīng)的flash上的*些字節(jié)的數(shù)據(jù)是非0*FF而已，所以，只要是數(shù)據(jù)，就是可以讀取和寫入的。也就意味著，可以寫入其他值，也就把這個壞塊標(biāo)記信息破壞了。對于出廠時的壞塊，一般是不建議將標(biāo)記好的信息擦除掉的。uboot中有個命令是“nandscrub”就可以將塊中所有的容都擦除了，包括壞塊標(biāo)記，不論是出廠時的，還是后來使用過程中出現(xiàn)而新標(biāo)記的。一般來說，不建議用這個。不過，我倒是經(jīng)常用，其實也沒啥大礙，呵呵。最好用“nanderase”只擦除好的塊，對于已經(jīng)標(biāo)記壞塊的塊，不擦除?！緉andFlash中頁的訪問順序】在一個塊，對每一個頁進(jìn)行編程的話，必須是順序的，而不能是隨機的。比如，一個塊中有128個頁，則你只能先對page0編程，再對page1編程，。。。。，而不能隨機的，比如先對page3，再page1，page2.，page0，page4，.。。?！酒x無關(guān)(CEdon’t-care)技術(shù)】很多Nandflash支持一個叫做CEdon’t-care的技術(shù)，字面意思就是，不關(guān)心是否片選，那有人會問了，如果不片選，那還能對其操作嗎？答案就是，這個技術(shù)，主要用在當(dāng)時是不需要選中芯片卻還可以繼續(xù)操作的這些情況：在*些應(yīng)用，比如錄音，音頻播放等應(yīng)用，中，外部使用的微秒（us）級的時鐘周期，此處假設(shè)是比較少的2us，在進(jìn)行讀取一頁或者對頁編程時，是對NandFlash操作，這樣的串行（SerialAccess）訪問的周期都是20/30/50ns，都是納秒（ns）級的，此處假設(shè)是50ns，當(dāng)你已經(jīng)發(fā)了對應(yīng)的讀或?qū)懙拿钪?，接下來只是需要NandFlash部去自己操作，將數(shù)據(jù)讀取除了或?qū)懭脒M(jìn)去到部的數(shù)據(jù)寄存器中而已，此處，如果可以把片選取消，CE*是低電平有效，取消片選就是拉高電平，這樣會在下一個外部命令發(fā)送過來之前，即微秒量級的時間里面，即2us－50ns≈2us，這段時間的取消片選，可以降低很少的系統(tǒng)功耗，但是多次的操作，就可以在很大程度上降低整體的功耗了?？偨Y(jié)起來簡單解釋就是：由于*些外部應(yīng)用的頻率比較低，而NandFlash部操作速度比較快，所以具體讀寫操作的大部分時間里面，都是在等待外部命令的輸入，同時卻選中芯片，產(chǎn)生了多余的功耗，此“不關(guān)心片選”技術(shù)，就是在NandFlash的部的相對快速的操作（讀或?qū)懀┩瓿芍螅腿∠x，以節(jié)省系統(tǒng)功耗。待下次外部命令/數(shù)據(jù)/地址輸入來的時候，再選中芯片，即可正常繼續(xù)操作了。這樣，整體上，就可以大大降低系統(tǒng)功耗了。注:NandFlash的片選與否，功耗差別會有很大。如果數(shù)據(jù)沒有記錯的話，我之前遇到我們系統(tǒng)里面的nandflash的片選，大概有5個mA的電流輸出呢，要知道，整個系統(tǒng)優(yōu)化之后的待機功耗，也才10個mA左右的?！編DC的拷回操作以及Sector的定義（Copy-BackOperationwithEDC&SectorDefinitionforEDC）】Copy-Back功能，簡單的說就是，將一個頁的數(shù)據(jù)，拷貝到另一個頁。如果沒有Copy-Back功能，則正常的做法就是，先要將那個頁的數(shù)據(jù)拷貝出來放到存的數(shù)據(jù)buffer中，讀出來之后，再用寫命令將這頁的數(shù)據(jù)，寫到新的頁里面。而Copy-Back功能的好處在于，不需要用到外部的存儲空間，不需要讀出來放到外部的buffer里面，而是可以直接讀取數(shù)據(jù)到部的頁寄存器（pageregister）然后寫到新的頁里面去。而且，為了保證數(shù)據(jù)的正確，要硬件支持EDC（ErrorDetectionCode）的，否則，在數(shù)據(jù)的拷貝過程中，可能會出現(xiàn)錯誤，并且拷貝次數(shù)多了，可能會累積更多錯誤。而對于錯誤檢測來說，硬件一般支持的是512字節(jié)數(shù)據(jù)，對應(yīng)有16字節(jié)用來存放校驗產(chǎn)生的ECC數(shù)值，而這512字節(jié)一般叫做一個扇區(qū)。對于2K＋64字節(jié)大小的頁來說，按照512字節(jié)分，分別叫做A，B，C，D區(qū)，而后面的64字節(jié)的oob區(qū)域，按照16字節(jié)一個區(qū)，分別叫做E，F(xiàn)，G，H區(qū)，對應(yīng)存放A，B，C，D數(shù)據(jù)區(qū)的ECC的值?？偨Y(jié)：512+162K+64：ABCD-EFGH區(qū)Copy-Back編程的主要作用在于，去掉了數(shù)據(jù)串行讀取出來，再串行寫入進(jìn)去的時間，所以，這部分操作，是比較耗時的，所以此技術(shù)可以提高編程效率，提高系統(tǒng)整體性能?！径嗥瑫r編程(SimultaneouslyProgramMultiPlane)】對于有些新出的NandFlash，支持同時對多個片進(jìn)行編程，比如上面提到的三星的K9K8G08U0A，部包含4片(Plane)，分別叫做Plane0，Plane1，Plane2，Plane3。.由于硬件上，對于每一個Plane，都有對應(yīng)的大小是2048+64=2112字節(jié)的頁寄存器（PageRegister），使得同時支持多個Plane編程成為可能。K9K8G08U0A支持同時對2個Plane進(jìn)行編程。不過要注意的是，只能對Plane0和Plane1或者Plane2和Plane3，同時編程，而不支持Plane0和Plane2同時編程?！窘诲e頁編程（InterleavePageProgram）】多片同時編程，是針對一個chip里面的多個Plane來說的，而此處的交錯頁編程，是指對多個chip而言的。可以先對一個chip，假設(shè)叫chip1，里面的一頁進(jìn)行編程，然后此時，chip1部就開始將數(shù)據(jù)一點點寫到頁里面，就出于忙的狀態(tài)了，而此時可以利用這個時間，對出于就緒狀態(tài)的chip2，也進(jìn)行頁編程，發(fā)送對應(yīng)的命令后，chip2部也就開始慢慢的寫數(shù)據(jù)到存儲單元里面去了，也出于忙的狀態(tài)了。此時，再去檢查chip1，如果編程完成了，就可以開始下一頁的編程了，然后發(fā)完命令后，就讓其部慢慢的編程吧，再去檢查chip2，如果也是編程完了，也就可以進(jìn)行接下來的其他頁的編程了。如此，交互操作chip1和chip2，就可以有效地利用時間，使得整體編程效率提高近2倍，大大提高nandflash的編程/擦寫速度了?！倦S機輸出頁數(shù)據(jù)（RandomDataOutputInaPage）】在介紹此特性之前，先要說說，與RandomDataOutputInaPage相對應(yīng)的是，普通的，正常的，sequentialdataoutputinapage。正常情況下，我們讀取數(shù)據(jù)，都是先發(fā)讀命令，然后等待數(shù)據(jù)從存儲單元到部的頁數(shù)據(jù)寄存器中后，我們通過不斷地將RE*(ReadEnale，低電平有效)置低，然后從我們開始傳入的列的起始地址，一點點讀出我們要的數(shù)據(jù)，直到頁的末尾，當(dāng)然有可能還沒到頁地址的末尾，就不再讀了。所謂的順序（sequential）讀取也就是，根據(jù)你之前發(fā)送的列地址的起始地址開始，每讀一個字節(jié)的數(shù)據(jù)出來，部的數(shù)據(jù)指針就加1，移到下個字節(jié)的地址，然后你再讀下一個字節(jié)數(shù)據(jù)，就可以讀出來你要的數(shù)據(jù)了，直到讀取全部的數(shù)據(jù)出來為止。而此處的隨機（random）讀取，就是在你正常的順序讀取的過程中，先發(fā)一個隨機讀取的開始命令0*05命令，再傳入你要將部那個數(shù)據(jù)指針定位到具體什么地址，也就是2個cycle的列地址，然后再發(fā)隨機讀取結(jié)束命令0*E0，然后，部那個數(shù)據(jù)地址指針，就會移動到你所制定的位置了，你接下來再讀取的數(shù)據(jù)，就是從那個制定地址開始的數(shù)據(jù)了。而nandflash數(shù)據(jù)手冊里面也說了，這樣的隨機讀取，你可以多次操作，沒限制的。請注意，上面你所傳入的地址，都是列地址，也就是頁地址，也就是說，對于頁大小為2K的nandflash來說，所傳入的地址，應(yīng)該是小于2048+64＝2112的。不過，實際在nandflash的使用中，好像這種用法很少的。絕大多數(shù)，都是順序讀取數(shù)據(jù)?！卷摼幊蹋▽懖僮鳎縉andflash的寫操作叫做編程Program，編程，一般情況下，是以頁為單位的。有的NandFlash，比如K9K8G08U0A，支持部分頁編程，但是有一些限制：在同一個頁的，連續(xù)的部分頁的編程，不能超過4次。一般情況下，很少使用到部分頁編程，都是以頁為單位進(jìn)行編程操作的。一個操作，用兩個命令去實現(xiàn)，看起來是多余，效率不高，但是實際上，有其特殊考慮，至少對于塊擦除來說，開始的命令0*60是擦除設(shè)置命令(erasesetupman)，然后傳入要擦除的塊地址，然后再傳入擦除確認(rèn)命令（eraseconfirmmand）0*D0，以開始擦除的操作。這種，分兩步：開始設(shè)置，最后確認(rèn)的命令方式，是為了避免由于外部由于無意的/未預(yù)料而產(chǎn)生的噪音，比如，，此時，即使被nandflash誤認(rèn)為是擦除操作，但是沒有之后的確認(rèn)操作0*D0，nandflash就不會去擦除數(shù)據(jù)，這樣使得數(shù)據(jù)更安全，不會由于噪音而誤操作。分類:Flash驅(qū)動【讀（read）操作過程詳解】以最簡單的read操作為例，解釋如何理解時序圖，以及將時序圖中的要求，轉(zhuǎn)化為代碼。解釋時序圖之前，讓我們先要搞清楚，我們要做的事情：那就是，要從nandflash的*個頁里面，讀取我們要的數(shù)據(jù)。要實現(xiàn)此功能，會涉及到幾部分的知識，至少很容易想到的就是：需要用到哪些命令，怎么發(fā)這些命令，怎么計算所需要的地址，怎么讀取我們要的數(shù)據(jù)等等。下面，就一步步的解釋，需要做什么，以及如何去做：1.需要使用何種命令首先，是要了解，對于讀取數(shù)據(jù)，要用什么命令。下面是datasheet中的命令集合：圖5.NandFlashK9K8G08U0A的命令集合很容易看出，我們要讀取數(shù)據(jù)，要用到Read命令，該命令需要2個周期，第一個周期發(fā)0*00，第二個周期發(fā)0*30。2.發(fā)送命令前的準(zhǔn)備工作以及時序圖各個信號的具體含義知道了用何命令后，再去了解如何發(fā)送這些命令。[小常識]在開始解釋前，多羅嗦一下”使能”這個詞，以便有些讀者和我以前一樣，在聽這類雖然對于*些專業(yè)人士說是屬于最基本的詞匯了，但是對于初次接觸，或者接觸不多的人來說，聽多了，容易被搞得一頭霧水：使能（Enable），是指使其（*個信號）有效，使其生效的意思，“使其”“能夠”怎么怎么樣。。。。比如，上面圖中的CLE線號，是高電平有效，如果此時將其設(shè)為高電平，我們就叫做，將CLE使能，也就是使其生效的意思。圖6.NandFlash數(shù)據(jù)讀取操作的時序圖注：此圖來自三星的型號K9K8G08U0A的nandflash的數(shù)據(jù)手冊(datasheet)。我們來一起看看，我在圖6中的特意標(biāo)注的①邊上的黃色豎線。黃色豎線所處的時刻，是在發(fā)送讀操作的第一個周期的命令0*00之前的那一刻。讓我們看看，在那一刻，其所穿過好幾行都對應(yīng)什么值，以及進(jìn)一步理解，為何要那個值。（1）黃色豎線穿過的第一行，是CLE。還記得前面介紹命令所存使能（CLE）那個引腳吧？CLE，將CLE置1，就說明你將要通過I/O復(fù)用端口發(fā)送進(jìn)入NandFlash的，是命令，而不是地址或者其他類型的數(shù)據(jù)。只有這樣將CLE置1，使其有效，才能去通知了部硬件邏輯，你接下來將收到的是命令，部硬件邏輯，才會將受到的命令，放到命令寄存器中，才能實現(xiàn)后面正確的操作，否則，不去將CLE置1使其有效，硬件會無所適從，不知道你傳入的到底是數(shù)據(jù)還是命令了。（2）而第二行，是CE*，那一刻的值是0。這個道理很簡單，你既然要向NandFlash發(fā)命令，則先要選中它，所以，要保證CE*為低電平，使其有效，也就是片選有效。（3）第三行是WE*，意思是寫使能。因為接下來是往nandFlash里面寫命令，所以，要使得WE*有效，所以設(shè)為低電平。（4）第四行，是ALE是低電平，而ALE是高電平有效，此時意思就是使其無效。而對應(yīng)地，前面介紹的，使CLE有效，因為將要數(shù)據(jù)的是命令，而不是地址。如果在其他*些場合，比如接下來的要輸入地址的時候，就要使其有效，而使CLE無效了。（5）第五行，RE*，此時是高電平，無效。可以看到，知道后面低6階段，才變成低電平，才有效，因為那時候，要發(fā)生讀取命令，去讀取數(shù)據(jù)。（6）第六行，就是我們重點要介紹的，復(fù)用的輸入輸出I/O端口了，此刻，還沒有輸入數(shù)據(jù)，接下來，在不同的階段，會輸入或輸出不同的數(shù)據(jù)/地址。（7）第七行，R/B*,高電平，表示R（Ready）/就緒，因為到了后面的第5階段，硬件部，在第四階段，接受了外界的讀取命令后，把該頁的數(shù)據(jù)一點點送到頁寄存器中，這段時間，屬于系統(tǒng)在忙著干活，屬于忙的階段，所以，R/B*才變成低，表示Busy忙的狀態(tài)的。介紹了時刻①的各個信號的值，以及為何是這個值之后，相信，后面的各個時刻，對應(yīng)的不同信號的各個值，大家就會自己慢慢分析了，也就容易理解具體的操作順序和原理了。3.如何計算出，我們要傳入的地址在介紹具體讀取數(shù)據(jù)的詳細(xì)流程之前，還要做一件事，那就是，先要搞懂我們要訪問的地址，以及這些地址，如何分解后，一點點傳入進(jìn)去，使得硬件能識別才行。此處還是以K9K8G08U0A為例，此nandflash，一共有8192個塊，每個塊有64頁，每個頁是2K+64Bytes，假設(shè)，我們要訪問其中的第7000個塊中的第25頁中的1208字節(jié)處的地址，此時，我們就要先把具體的地址算出來：物理地址=塊大小×塊號+頁大小×頁號+頁地址=7000×128K+64×2K+1208=0*36B204B8,接下來，我們就看看，怎么才能把這個實際的物理地址，轉(zhuǎn)化為nandFlash所要求的格式。在解釋地址組成之前，先要來看看其datasheet中關(guān)于地址周期的介紹：圖7NandFlash的地址周期組成結(jié)合圖7和圖5中的2，3階段，我們可以看出，此nandflash地址周期共有5個，2個列(Column)周期，3個行（Row）周期。而對于對應(yīng)地，我們可以看出，實際上，列地址A0~A10，就是頁地址，地址圍是從0到2047，而對出的A11，理論上可以表示2048～4095，但是實際上，我們最多也只用到了2048～2112，用于表示頁的oob區(qū)域，其大小是64字節(jié)。A12～A30，稱作頁號，頁的，可以定位到具體是哪一個頁。而其中，A18～A30，表示對應(yīng)的塊號，即屬于哪個塊。//可見：地址的傳輸順序是是頁地址，頁號，塊號。從小到大。簡單解釋完了地址組成，則就很容易分析上面例子中的地址了：0*36B204B8=00110110101100100000010010111000，分別分配到5個地址周期就是：1st周期，A7～A0：10111000=0*B82nd周期，A11～A8：00000100=0*043rd周期，A19～A12：00100000=0*204th周期，A27～A20：01101011=0*6B5th周期，A30～A28：00000011=0*03注意，與圖7中對應(yīng)的，*L，意思是低電平，由于未用到那些位，datasheet中強制要求設(shè)為0，所以，才有上面的2nd周期中的高4位是0000.其他的A30之后的位也是類似原理，都是0。因此，接下來要介紹的，我們要訪問第7000個塊中的第25頁中的1208字節(jié)處的話，所要傳入的地址就是分5個周期，分別傳入兩個列地址的：0*B8，0*04，然后再傳3個行地址的：0*20，0*6B，0*03，這樣硬件才能識別。4.讀操作過程的解釋準(zhǔn)備工作終于完了，下面就可以開始解釋說明，對于讀操作的，上面圖中標(biāo)出來的，1-6個階段，具體是什么含義。（1）操作準(zhǔn)備階段：此處是讀（Read）操作，所以，先發(fā)一個圖5中讀命令的第一個階段的0*00,表示，讓硬件先準(zhǔn)備一下，接下來的操作是讀。（2）發(fā)送兩個周期的列地址。也就是頁地址，表示，我要從一個頁的什么位置開始讀取數(shù)據(jù)。（3）接下來再傳入三個行地址。對應(yīng)的也就是頁號。（4）然后再發(fā)一個讀操作的第二個周期的命令0*30。接下來，就是硬件部自己的事情了。（5）NandFlash部硬件邏輯，負(fù)責(zé)去按照你的要求，根據(jù)傳入的地址，找到哪個塊中的哪個頁，然后把整個這一頁的數(shù)據(jù)，都一點點搬運到頁緩存中去。而在此期間，你所能做的事，也就只需要去讀取狀態(tài)寄存器，看看對應(yīng)的位的值，也就是R/B*那一位，是1還是0，0的話，就表示，系統(tǒng)是busy，仍在”忙“（著讀取數(shù)據(jù)），如果是1，就說系統(tǒng)活干完了，忙清了，已經(jīng)把整個頁的數(shù)據(jù)都搬運到頁緩存里去了，你可以接下來讀取你要的數(shù)據(jù)了。對于這里。估計有人會問了，這一個頁一共2048+64字節(jié)，如果我傳入的頁地址，就像上面給的1028一類的值，只是想讀取1028到2011這部分?jǐn)?shù)據(jù)，而不是頁開始的0地址整個頁的數(shù)據(jù)，則部硬件卻讀取整個頁的數(shù)據(jù)出來，豈不是很浪費嗎？答案是，的確很浪費，效率看起來不高，但是實際就是這么做的，而且本身讀取整個頁的數(shù)據(jù)，相對時間并不長，而且讀出來之后，部數(shù)據(jù)指針會定位到你剛才所制定的1208的那個位置。（6）接下來，就是你“竊取“系統(tǒng)忙了半天之后的勞動成果的時候了，呵呵。通過先去NandFlash的控制器中的數(shù)據(jù)寄存器中寫入你要讀取多少個字節(jié)(byte)/字(word)，然后就可以去NandFlash的控制器的FIFO中，一點點讀取你要的數(shù)據(jù)了。至此，整個NandFlash的讀操作就完成了。對于其他操作，可以根據(jù)我上面的分析，一點點自己去看datasheet，根據(jù)里面的時序圖去分析具體的操作過程，然后對照代碼，會更加清楚具體是如何實現(xiàn)的。【Flash的類型】Flash的類型主要分兩種，nandflash和norflash。除了網(wǎng)上最流行的這個解釋之外：NAND和NOR的比較再多說幾句：1.nor的成本相對高，具體讀寫數(shù)據(jù)時候，不容易出錯。總體上，比較適合應(yīng)用于存儲少量的代碼。2.Nandflash相對成本低。使用中數(shù)據(jù)讀寫容易出錯，所以一般都需要有對應(yīng)的軟件或者硬件的數(shù)據(jù)校驗算法，統(tǒng)稱為ECC。由于相對來說，容量大，價格便宜，因此適合用來存儲大量的數(shù)據(jù)。其在嵌入式系統(tǒng)中的作用，相當(dāng)于PC上的硬盤，用于存儲大量數(shù)據(jù)。所以，一個常見的應(yīng)用組合就是，用小容量的NorFlash存儲啟動代碼，比如uboot，系統(tǒng)啟動后,初始化對應(yīng)的硬件，包括SDRAM等，然后將NandFlash上的Linu*核讀取到存中，做好該做的事情后，就跳轉(zhuǎn)到SDRAM中去執(zhí)行核了，然后核解壓（如果是壓縮核的話，否則就直接運行了）后，開始運行，在Linu*核啟動最后，去NandFlash上，掛載根文件，比如jffs2，yaffs2等，掛載完成，運行初始化腳本，啟動consle交互，才運行你通過console和核交互。至此完成整個系統(tǒng)啟動過程。而NorFlash存放的是Uboot，NandFlash存放的是Linu*的核鏡像和根文件系統(tǒng)，以及余下的空間分成一個數(shù)據(jù)區(qū)。Norflash，有類似于dram之類的地址總線，因此可以直接和CPU相連，CPU可以直接通過地址總線對norflash進(jìn)行訪問，而nandflash沒有這類的總線，只有IO接口，只能通過IO接口發(fā)送命令和地址，對nandflash部數(shù)據(jù)進(jìn)行訪問。相比之下，norflash就像是并行訪問，nandflash就是串行訪問，所以相對來說，前者的速度更快些。但是由于物理制程/制造方面的原因，導(dǎo)致nor和nand在一些具體操作方面的特性不同：表3NandFlash和NorFlash的區(qū)別1.理論上是可以的，而且也是有人驗證過可以的，只不過由于nandflash的物理特性，不能完全保證所讀取的數(shù)據(jù)/代碼是正確的，實際上，很少這么用而已。因為，如果真是要用到nandflash做*IP，則除了讀出速度慢之外，還要保證有數(shù)據(jù)的校驗，以保證讀出來的，將要執(zhí)行的代碼/數(shù)據(jù)，是正確的。否則，系統(tǒng)很容易就跑飛了。。。2.芯片執(zhí)行(*IP,e*ecuteInPlace):hi.baidu./serial_story/blog/item/adb20a2a3f8ffe3c5243c1df.html【NandFlash的種類】具體再分，又可以分為1)BareNANDchips：裸片，單獨的nand芯片2)SmartMediaCards：=裸片+一層薄塑料，常用于數(shù)碼相機和MP3播放器中。之所以稱smart，是由于其軟件smart，而不是硬件本身有啥smart之處。^_^3)DiskOnChip：裸片+gluelogic，gluelogic=硬件ECC產(chǎn)生器+用于靜態(tài)的nand芯片控制的寄存器+直接訪問一小片地址窗口，那塊地址中包含了引導(dǎo)代碼的stub樁，其可以從nandflash中拷貝真正的引導(dǎo)代碼?！緎parearea/oob】Nand由于最初硬件設(shè)計時候考慮到，額外的錯誤校驗等需要空間，專門對應(yīng)每個頁，額外設(shè)計了叫做sparearea空區(qū)域，在其他地方，比如jffs2文件系統(tǒng)中，也叫做oob（outofband）數(shù)據(jù)。其具體用途，總結(jié)起來有：1.標(biāo)記是否是壞快2.存儲ECC數(shù)據(jù)3.存儲一些和文件系統(tǒng)相關(guān)的數(shù)據(jù)，如jffs2就會用到這些空間存儲一些特定信息，yaffs2文件系統(tǒng)，會在oob中，存放很多和自己文件系統(tǒng)相關(guān)的信息?！敬婕夹g(shù)設(shè)備，MTD（MemoryTechnologyDevice）】MTD，是Linu*的存儲設(shè)備中的一個子系統(tǒng)。其設(shè)計此系統(tǒng)的目的是，對于存類的設(shè)備，提供一個抽象層，一個接口，使得對于硬件驅(qū)動設(shè)計者來說，可以盡量少的去關(guān)心存儲格式，比如FTL，F(xiàn)FS2等，而只需要去提供最簡單的底層硬件設(shè)備的讀/寫/擦除函數(shù)就可以了。而對于數(shù)據(jù)對于上層使用者來說是如何表示的，硬件驅(qū)動設(shè)計者可以不關(guān)心，而MTD存儲設(shè)備子系統(tǒng)都幫你做好了。對于MTD字系統(tǒng)的好處，簡單解釋就是，他幫助你實現(xiàn)了，很多對于以前或者其他系統(tǒng)來說，本來也是你驅(qū)動設(shè)計者要去實現(xiàn)的很多功能。換句話說，有了MTD，使得你設(shè)計NandFlash的驅(qū)動，所要做的事情，要少很多很多，因為大部分工作，都由MTD幫你做好了。當(dāng)然，這個好處的一個“副作用”就是，使得我們不了解的人去理解整個Linu*驅(qū)動架構(gòu)，以及MTD，變得更加復(fù)雜。但是，總的說，覺得是利遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于弊，否則，就不僅需要你理解，而且還是做更多的工作，實現(xiàn)更多的功能了。此外，還有一個重要的原因，那就是，前面提到的nandflash和普通硬盤等設(shè)備的特殊性：有限的通過出復(fù)用來實現(xiàn)輸入輸出命令和地址/數(shù)據(jù)等的IO接口，最小單位是頁而不是常見的bit，寫前需擦除等，導(dǎo)致了這類設(shè)備，不能像平常對待硬盤等操作一樣去操作，只能采取一些特殊方法，這就誕生了MTD設(shè)備的統(tǒng)一抽象層。MTD，將nandflash，norflash和其他類型的flash等設(shè)備，統(tǒng)一抽象成MTD設(shè)備來管理，根據(jù)這些設(shè)備的特點，上層實現(xiàn)了常見的操作函數(shù)封裝，底層具體的部實現(xiàn)，就需要驅(qū)動設(shè)計者自己來實現(xiàn)了。具體的部硬件設(shè)備的讀/寫/擦除函數(shù)，那就是你必須實現(xiàn)的了。表4.MTD設(shè)備和硬盤設(shè)備之間的區(qū)別==========

多說一句，關(guān)于MTD更多的容，感興趣的，去附錄中的MTD的主頁去看。關(guān)于mtd設(shè)備驅(qū)動，感興趣的可以去參考MTD原始設(shè)備與FLASH硬件驅(qū)動的對話MTD原始設(shè)備與FLASH硬件驅(qū)動的對話-續(xù)那里，算是比較詳細(xì)地介紹了整個流程，方便大家理解整個mtd框架和nandflash驅(qū)動?！綨andflash驅(qū)動工作原理】在介紹具體如何寫NandFlash驅(qū)動之前，我們先要了解，大概的，整個系統(tǒng)，和NandFlash相關(guān)的部分的驅(qū)動工作流程，這樣，對于后面的驅(qū)動實現(xiàn)，才能更加清楚機制，才更容易實現(xiàn)，否則就是，即使寫完了代碼，也還是沒搞懂系統(tǒng)是如何工作的了。讓我們以最常見的，Linu*核中已經(jīng)有的三星的NandFlash驅(qū)動，來解釋NandFlash驅(qū)動具體流程和原理。此處是參考版本的Linu*源碼中的\drivers\mtd\nand\s3c2410.c，以2410為例。1.在nandflash驅(qū)動加載后，第一步，調(diào)用對應(yīng)的init函數(shù)s3c2410_nand_init:去將nandflash驅(qū)動注冊到Linu*驅(qū)動框架中。2.驅(qū)動本身真正的開始，是從probe函數(shù)：s3c2410_nand_probe->s3c24**_nand_probe,

在probe過程中：clk_enable//打開nandflash控制器的clock時鐘，request_mem_region//去申請驅(qū)動所需要的一些存等相關(guān)資源。s3c2410_nand_inithw//去初始化硬件相關(guān)的部分，主要是關(guān)于時鐘頻率的計算，以及啟用nandflash控制器，使得硬件初始化好了，后面才能正常工作。3.需要多解釋一下的，是這部分代碼：for(setno=0;setno<nr_sets;setno++,nmtd++){

pr_debug("initialisingset%d(%p,info%p)\n",setno,nmtd,info);/*調(diào)用initchip去掛載你的nand驅(qū)動的底層函數(shù)到"nandflash的結(jié)構(gòu)體"中，以及設(shè)置對應(yīng)的"eccmode"，掛載ecc相關(guān)的函數(shù)*/s3c2410_nand_init_chip(info,nmtd,sets);/*scan_ident，掃描nand設(shè)備，設(shè)置nandflash的默認(rèn)函數(shù)，獲得物理設(shè)備的具體型號以及對應(yīng)各個特性參數(shù)，這部分算出來的一些值，對于nandflash來說，是最主要的參數(shù)，比如nandflash的芯片的大小，塊大小，頁大小等。*/nmtd->scan_res=nand_scan_ident(&nmtd->mtd,(sets)"sets->nr_chips:1);if(nmtd->scan_res==0){

s3c2410_nand_update_chip(info,nmtd);/*掃描的后一階段，經(jīng)過前面的scan_ident，我們已經(jīng)獲得對應(yīng)nandflash的硬件的各個參數(shù)，*然后就可以在scantail中，根據(jù)這些參數(shù)，去設(shè)置其他一些重要參數(shù)，尤其是ecc的layout，即ecc是如何在oob中擺放的，*最后，再去進(jìn)行一些初始化操作，主要是根據(jù)你的驅(qū)動，如果沒有實現(xiàn)一些函數(shù)的話，則就用系統(tǒng)默認(rèn)的。*/nand_scan_tail(&nmtd->mtd);/*addpartion，根據(jù)你的nandflash的分區(qū)設(shè)置，去分區(qū)*/s3c2410_nand_add_partition(info,nmtd,sets);

}

if(sets!=NULL)

sets++;

}4.等所有的參數(shù)都計算好了，函數(shù)都掛載完畢，系統(tǒng)就可以正常工作了。上層訪問你的nandfalsh中的數(shù)據(jù)的時候，通過MTD層，一層層調(diào)用，最后調(diào)用到你所實現(xiàn)的那些底層訪問硬件數(shù)據(jù)/緩存的函數(shù)中?！綥inu*下nandflash驅(qū)動編寫步驟簡介】關(guān)于上面提到的，在nand_scan_tail的時候，系統(tǒng)會根據(jù)你的驅(qū)動，如果沒有實現(xiàn)一些函數(shù)的話，則就用系統(tǒng)默認(rèn)的。如果實現(xiàn)了自己的函數(shù)，就用你的。"則到底我要實現(xiàn)哪些函數(shù)呢，而又有哪些是可以不實現(xiàn)，用系統(tǒng)默認(rèn)的就可以了呢。"此問題的，就是我們下面要介紹的，也就是，你要實現(xiàn)的，你的驅(qū)動最少要做哪些工作，才能使整個nandflash工作起來。1.對于驅(qū)動框架部分其實，要了解，關(guān)于驅(qū)動框架部分，你所要做的事情的話，只要看看三星的整個nandflash驅(qū)動中的這個結(jié)構(gòu)體，就差不多了：staticstructplatform_drivers3c2410_nand_driver={

.probe=s3c2410_nand_probe,

.remove=s3c2410_nand_remove,

.suspend=s3c24**_nand_suspend,

.resume=s3c24**_nand_resume,

.driver={

.name="s3c2410-nand",

.owner=THIS_MODULE,

},

};對于上面這個結(jié)構(gòu)體，沒多少要解釋的。從名字，就能看出來：（1）probe就是系統(tǒng)“探測”，就是前面解釋的整個過程，這個過程中的多數(shù)步驟，都是和你自己的nandflash相關(guān)的，尤其是那些硬件初始化部分，是你必須要自己實現(xiàn)的。（2）remove，就是和probe對應(yīng)的，“反初始化”相關(guān)的動作。主要是釋放系統(tǒng)相關(guān)資源和關(guān)閉硬件的時鐘等常見操作了。（3）suspend和resume，對于很多沒用到電源管理的情況下，至少對于我們剛開始寫基本的驅(qū)動的時候，可以不用關(guān)心，放個空函數(shù)即可。2.對于nandflash底層操作實現(xiàn)部分而對于底層硬件操作的有些函數(shù)，總體上說，都可以在上面提到的s3c2410_nand_init_chip中找到：staticvoids3c2410_nand_init_chip(structs3c2410_nand_info*info,

structs3c2410_nand_mtd*nmtd,//主要是完善該結(jié)構(gòu)體structs3c2410_nand_set*set)

{structnand_chip*chip=&nmtd->chip;

void__iomem*regs=info->regs;chip->write_buf=s3c2410_nand_write_buf;

chip->read_buf=s3c2410_nand_read_buf;

chip->select_chip=s3c2410_nand_select_chip;

chip->chip_delay=50;

chip->priv=nmtd;

chip->options=0;

chip->controller=&info->controller;switch(info->cpu_type){

caseTYPE_S3C2410:/*nandflas