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目錄一、國際光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展概覽二、太陽能電池工作原理三、光伏太陽能產(chǎn)業(yè)鏈四、光伏發(fā)電系統(tǒng)及逆變器應(yīng)用一、國際光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展概覽未來可再生能源發(fā)展趨勢(shì)(數(shù)據(jù)來源EUJRCPVRoadmap2004)油價(jià)攀升,傳統(tǒng)能源價(jià)格提高,能源需求增加,催生光伏產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展以及2010年全球十大廠商排名全球太陽能光伏市場(chǎng)總量:2007年:2.4GW2008年:5.5GW2009年:10.5GW(中國產(chǎn)量達(dá)4GW,年增長(zhǎng)率達(dá)93%)2010年:18.2GW2011年:26.7GW1.中國無錫尚德:1.6GW(產(chǎn)能2GW,增長(zhǎng)130%,2011年2.4GW,第二大電池片生產(chǎn)商)2.中國晶澳太陽能:1.46GW(產(chǎn)能達(dá)1.9GW,2011到3GW,第一大電池片生產(chǎn)商)3.美國FirstSolar:1.38GW(增長(zhǎng)50%)4.中國常州天合:1.05GW(產(chǎn)能達(dá)1.5GW)5.中國英利綠色能源:0.98GW(產(chǎn)能達(dá)1.3GW)6.德國Q-Cells:0.95GW(第三大電池片生產(chǎn)商,2011年達(dá)1.1GW)7.日本夏普:0.91GW8.中國蘇州阿特斯:0.85GW(產(chǎn)能達(dá)1.4GW)9.中國韓華石化(原江蘇林洋):0.83GW10.日本京瓷(Kyocera):0.65GW1.Firstsolar(美)2.晶澳(中國)3.尚德(中國江蘇無錫)4.英利(中國河北保定)5.天合(中國江蘇常州)6.茂迪(中國臺(tái)灣)7.昱晶(中國臺(tái)灣)8.新日光(中國臺(tái)灣)9.阿特斯(中國江蘇蘇州)10.Sunpower(美國)2011年全球十大廠商排名Si電池占絕對(duì)市場(chǎng)主導(dǎo)地位CdTe技術(shù)僅FirstSolar一家單晶硅35%多晶硅54%非晶硅薄膜3%CdTe5.6%其它2.4%2011年市場(chǎng)份額太陽能電池的結(jié)構(gòu)二、太陽能電池的工作原理光的吸收及轉(zhuǎn)化Vedio:太陽能電池板是怎樣工作的電流-電壓曲線/centralized_display?mn=4200-SCS&assetid=53783Keithley4200SolarTest網(wǎng)址:光照射,將產(chǎn)生一個(gè)由n區(qū)到p區(qū)的光生電流Iph;pn結(jié)二極管的特性,存在正向二極管電流ID,電流方向從p區(qū)到n區(qū),與光生電流相反。因此,實(shí)際獲得的電流I為VD
為結(jié)電壓當(dāng)太陽電池的輸出端短路時(shí),V=0(VD≈0),電池的短路電流等于光生電流,與入射光的強(qiáng)度成正比,得短路電流ISC:短路電流Isc開路電壓Voc當(dāng)太陽電池的輸出端開路時(shí),I=0,得開路電壓Voc:最大功率點(diǎn)PmaxImax、Vmax(即為最大功率點(diǎn)對(duì)應(yīng)的位置)填充因子FF電池效率FFFF為太陽電池的重要表征參數(shù),愈大則輸出的功率愈高。FF取決于入射光強(qiáng)、材料的禁帶寬度、理想系數(shù)、串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻等。光的吸收與載流子的產(chǎn)生幾率光的波長(zhǎng)越短,就越有可能在硅片較淺的局域被吸收并產(chǎn)生載流子藍(lán)光(405nm)、紅光(600-700nm)及紅外光(770nm-1000nm)在晶硅中產(chǎn)生載流子幾率的深度分布光伏(系統(tǒng)):PV=Photovoltaic太陽能電池:Solarcell三、光伏太陽能產(chǎn)業(yè)鏈?太陽能電池板產(chǎn)生直流電?直流電轉(zhuǎn)化為交流電?交流電供家庭使用或銷售給電網(wǎng)建立在上海高檔住宅區(qū),是目前世界上最小的光伏并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)。單晶硅太陽能組件多晶硅太陽能組件薄膜太陽能組件太陽能光伏產(chǎn)業(yè)鏈vedio1:德國Qcell公司太陽能電池制造過程vedio2:江西賽維百世德薄膜太陽能電池核心工藝:清洗制絨擴(kuò)散濕法、干法去邊
PECVD鍍膜絲印電極燒結(jié)核心設(shè)備:清洗制絨設(shè)備(國產(chǎn))擴(kuò)散(國產(chǎn))濕法(進(jìn)口)、干法去邊(國產(chǎn))
PECVD鍍膜(國產(chǎn))絲印電極(進(jìn)口)燒結(jié)(國產(chǎn))核心材料:制絨液(國產(chǎn))擴(kuò)散源(國產(chǎn))
銀漿料(進(jìn)口)
EVA膜(組件,進(jìn)口)
TPT背板(進(jìn)口)多晶硅制備石英礦SiO2(純度>99%)金屬級(jí)硅(純度>98-99%)年產(chǎn)量百萬噸級(jí)半導(dǎo)體級(jí)硅(純度7N)年產(chǎn)量十萬噸級(jí)提純冶金硅(純度>5-6N)年產(chǎn)量千噸級(jí)硅片制備(單晶)拉棒:90-120kg切斷切片:0.2mm16%-17%單晶棒,直徑8寸約160毫米,有效長(zhǎng)度1815mm,重量53公斤。首次裝料量110Kg,在化料快完成時(shí),通過使用再加料器,將投料重量達(dá)到154Kg。在拉制過程中,對(duì)等徑中的長(zhǎng)度和溫校速率之間的關(guān)系進(jìn)行了適當(dāng)調(diào)整,并把起始拉速提高,通過一次引晶放肩就順利拉制出來
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