RF系統(tǒng)LC匹配電路的分析

RF系統(tǒng)LC匹配電路的分析馬宇來2005.9射頻中經常用到匹配網絡，利用 LC元件進行阻抗匹配時要較為熟悉 LC元件在匹配網絡中的作用，以目標引導匹配過程的完成。本文試圖幫助初步掌握LC匹配的人能對匹配有更為深層的理解。LC的基礎電感L:電感是一種相位上電壓超前于電流 90度的器件。數(shù)學模型 uL蟲& dt相量圖 ui12任意時刻存儲的能量Wl(t) -Li2(t)2感抗Xl L2fL電容C:電容是一種相位上電流超前于電壓 90度的器件數(shù)學模型icdudt相量圖 *iU12任意時刻存儲的能量Wc(t) Lu2(t)211容抗XcC2fC二LC分立使用與匹配電路的分析利用smithchart匹配的概念在史密斯圓圖上建立一個連接前端和后端的橋梁。 在圖上從前端可以走到后端，從后端也可以走到前端，表現(xiàn)在電路圖上，以上過程就是依次經過我們所設計的器件。目的：使能量從源端以最大功率傳輸?shù)截撦d端。 負載端獲得了最大功率，同時避免負載反射能量回來。高速數(shù)字系統(tǒng)中的端接匹配僅僅是為了消除反射波的影響， 對功率考慮較少，這是兩者的細微區(qū)別。另外，高速數(shù)字系統(tǒng)中的端接一般不會用到 L器件，多用串聯(lián)電阻，并聯(lián)上/下拉電阻，串

聯(lián)電阻+電容，上下拉二極管等方式完成。兩者的核心思想和思路是一致的。1串聯(lián)L串聯(lián)L時，在smith圓圖的表現(xiàn)是，電阻不變（阻抗的實部），從原始點順時針畫圓弧，由于電阻不變，所以圓弧所在圓經過原始數(shù)據(jù)點和（1，0）點，并且L呈逐漸增大的趨勢。圖a表示了這個過程。a b2串聯(lián)C串聯(lián)C和串聯(lián)L畫圓弧的方向相反，為逆時針，也是過原始點和（ 1，0）點，C呈逐漸減c-1,0）和原始點，并且dc-1,0）和原始點，并且dC呈逐漸增大的趨3并聯(lián)L并聯(lián)L時，在smith圖的表現(xiàn)是，導納的實部不變,從原始點逆時針華圓弧，圓弧所在圓經過原始點和（-1,0）點，并且L越來越小，如圖C。4并聯(lián)C并聯(lián)C時，與并聯(lián)L相反，順時針畫圓弧，過（勢，如圖do串聯(lián)L或C時，畫的圓弧經過原始點和（1,0）,并聯(lián)時經過原始點和（-1,0）o順逆時鐘判斷：無論串并，添加L時，都是使容性減小，感性增加，結合串并時不同的圓，得出串聯(lián)L順時針，并聯(lián)L逆時針。對于添加C則相反。這一點可以指引我們在匹配網絡添加器件時有一個大致的方向，而不至于盲目。LC大小變化趨勢判斷： 分析LC大小變化趨勢時，以圓弧方向為根本，結合圓的終點（阻抗/導納為無窮還是0），看LC如何變才能使阻抗朝著圓弧終點方向變化。例如 2中，只有C減小能使阻抗趨近于無窮（1,0）,所以C在圓弧上市越來越小的。三LC組合使用的分析這里以L型網絡為例進行說明，分為低通和高通兩種方式，每種方式又包括先并后串和先串后并兩種電路結構（圖e,f）,在L型網絡中，由于存在forbiddenRegion，原始點確定后，兩種結構只能選擇一種進行匹配。低通L型的低通匹配電路是由串聯(lián)的 L和并聯(lián)的C構成的，按L在C的左右分為兩種形式，每種形式的forbiddenRegion如下所示

匹配思路：假設輸入阻抗在位置1我們希望匹配到位置3（圓心），我們采用L型低通時，只能采用圖e的結構，由此，匹配路徑肯定是先沿著導納圖再沿著阻抗圖的實部運動， 根據(jù)這一點，我們可以找到兩個圓的交點即中間點2。g高通類似于低通，電感電容交換位置。每種結構都有相應的 ForbiddenRegion。h i匹配思路：假設起始點和終止點都和低通的一致， 由于起始點位于i圖中的ForbiddenRegion所以高通只能采用h所示的結構。匹配路徑如下圖所示。

我們看到和低通的g圖中的路徑對稱，所經過的點是兩個圓的不同交點。在指定的頻率下，算出從出發(fā)點到過渡點，以及從過渡點到終點所需元器件的相應大小即完成了匹配的計算，剩下的就是在具體電路中調整器件值，使其達到最佳匹配效果即可。forbiddenregion產生的原因和確定以圖h為例，先考慮到達匹配點的最后一步， 最后一步經過了串聯(lián)的電容， 串聯(lián)電容，依據(jù)圖b,所以倒數(shù)第二步一定匹配到了下圖中的蘭線上，才能使得最后一步經過電容到達匹配點，依據(jù)圖c，并聯(lián)電感若想匹配到蘭線上， 那么初始點只能位于圖 h的非ForbiddenRegion上。據(jù)此確