Touch-Panel產品開發(fā)教育訓練課件

TouchPanel產品開發(fā)教育訓練TouchPanel產品開發(fā)教育訓練1目錄1.TouchPanel簡介1.1.電容式TP特點1.8.電容TP產品基本結構（三）1.2.電容式TP工作原理1.9.電容TP產品1.3.電容式TP分類1.20.TP常用術語1.4.投射電容與表面電容對比1.21.無塵室級別的劃分1.5.自電容與互電容結構1.22.生產線代數和玻璃尺寸1.5.1.自電容1.23.TP行業(yè)知名廠商（一）1.5.2.互電容1.24.TP行業(yè)知名廠商（二）1.6.電容TP產品基本結構（一）1.7.電容TP產品基本結構（二）

目錄1.TouchPanel簡介22.TP各站制程簡介2.1.黃光制程（前制程）2.11.Sputter機臺（一）2.2.黃光制程流程2.11.Sputter機臺（二）2.2.黃光制程流程（詳解）2.12.WashClean（清洗）2.2.黃光制程流程（細化）2.13.清洗機臺與清洗液2.3.Sputter（濺鍍）2.14.Coating（涂布）2.4.Sputter主要控制參數2.15.Coating制程控制點2.5.ITOSputter應用2.16.Pre-bake（軟烤）2.6.MetalSputter應用（一）2.17.軟烤機臺與目的2.6.MetalSputter應用（二）2.18.Exposure（曝光）

2.7.SiO2Sputter應用2.19.曝光技術解析（一）2.8.Sputter相關問題2.20.曝光技術解析（二）2.9.Sputter制程管控參數2.21.曝光機臺與光罩2.10.Sputter靶材與機臺2.22.Developer（顯影）目錄2.TP各站制程簡介目錄32.23.顯影機臺與流程2.36.涂布異常圖片2.24.Postbake（硬烤）2.37.顯影異常圖片2.25.硬烤機臺與作用2.38.ITO蝕刻異常圖片2.26.Etching（蝕刻）2.39.Metal蝕刻異常圖片2.27.蝕刻機臺與蝕刻液2.40.其它異常不良圖片2.28.Stripe（剝膜）2.41.可剝膠印刷2.29.剝膜機臺與剝膜液2.42.可剝膠印刷制程參數及異常2.30.Oven（高溫烘烤）2.43.可剝膠印刷流程與作用2.31.高溫烘烤機臺2.44.可剝膠制程管控項目

2.32.黃光制程產品（一）2.45.可剝膠機臺2.33.黃光制程產品（二）2.46.后段制程2.34.黃光制程化學用品2.47.切割2.35.黃光制程常見不良2.48.切割成形與機臺目錄2.23.顯影機臺與流程42.49.清洗2.50.FOG2.51.FOG邦定制程2.52.FOG邦定分解圖2.53.ACF貼附主要參數及不良2.54.FPC熱壓主要參數及不良

2.55.FOG相關材料及機臺2.56.OCA貼合工藝流程

2.57.OCA貼合制程（一）2.58.OCA貼合制程（二）2.59.Final（最終）

目錄2.49.清洗目錄51.TP技術起源

觸控面起源于1970年代美國軍方用途開發(fā),1980年代移轉至民間后,

日本開始發(fā)展觸控面板2.TP的分類

進行觸控技術依感應原理可分為電阻式（Resistive）、電容式（Capacitive）、表面音波式（SurfaceAcousticWave）、光學式（Optics）和電磁式（Digizer）等幾種.3.電容式TP的發(fā)展歷程

電容式觸控技術于20多年前誕生，早期由美商3M（明尼蘇達礦業(yè)制造）公司獨占整個電容式觸控面板的國際市場。在幾年前由于基本專利到期，全球觸控面板的生產業(yè)者紛紛加入開發(fā)電容式觸控面板事業(yè)領域中，期待有所發(fā)揮。1.TouchPanel簡介注：目前我司主要從事電容式觸控面板的開發(fā)和制造。1.TP技術起源1.TouchPanel簡介注61.1.電容式TP特點

電容式觸控產品具防塵、防火、防刮、強固耐用及具有高分辨率等優(yōu)點，

但也有價格昂貴、容易因靜電或濕度造成觸控失誤等缺點。1.1.電容式TP特點電容式觸控產品具防塵、防火、防71.2.電容式TP工作原理電容式觸摸屏是利用人體的電流感應進行工作的。人是接地物(即導電體)，給工作面通一個很低的電壓，當用戶觸摸熒幕時，手指頭吸收走一個很小的電流，這個電流分別從觸控面板四個角或四條邊上的電極中流出，并且理論上流經這四個電極的電流與手指到四角的距離成比例，控制器通過對這四個電流比例的精密計算，得出觸摸點的位置。在觸控屏角落加入小量電壓在觸控屏角落加入小量電壓在觸控屏角落加入小量電壓在觸控屏角落加入小量電壓手指接觸觸控屏時從四個角落傳到接觸點的微量電流被帶走產生壓降控制器由接觸點壓降程度計算出X/Y坐標位置再傳給計算機主機I1I2I3I41.2.電容式TP工作原理電容式觸摸屏是利用人體的電流感8表面電容式

由一個普通的ITO層和一個金屬邊框，當一根手指觸摸屏幕時，從面板中放出電荷。感應在觸摸屏的四角完成，不需要復雜的ITO圖案投射電容式（感應電容式）

采用1個或多個精心設計的、被蝕刻的ITO層，這些ITO層通過蝕刻形成多個水平和垂直電極投射電容式根據不同工作原理又分：自感應電容式（自電容）互感應電容式（互電容）1.3.電容式TP分類表面電容式1.3.電容式TP分類91.4.投射電容與表面電容對比1.4.投射電容與表面電容對比101.5.自電容與互電容結構<軸交錯式>自電容以ITOpattern來看又可分為：1.軸交錯式、2.獨立短陣式兩類，當手指Touch時，手指與電極間會感應成一個耦合電容，經由量測電容值變化，計算觸控點坐標。

互電容的ITOlayer被制成驅動線路和感測線路pattern，在線路互相交叉處形成耦合電容節(jié)點，當手指Touch時，會造成耦合電容值改變，再經由控制器測得觸控點坐標。<獨立矩陣式>1.5.自電容與互電容結構<軸交錯式>自電容以ITOp11自電容的觸摸感應檢測方法需要每行和每列都進行檢測行與列之間存在多個固有的寄生電容(CP)行與列距離越近,寄生電容CP越大自電容行或列感應檢測1.5.1.自電容行行行行列列列列列列ITOPattern自電容的觸摸感應檢測方法需要每行和每列都進行檢測自電容1.5121.5.2.互電容當行列交叉通過時,行列之間會產生互電容

驅動和感應單元之間形成邊緣電容

行列交叉重疊處會產生耦合電容

感應單元的自感應電容依然存在,但不必進行測量互電容感應檢測點行行行行列4-CMCMITOPattern1.5.2.互電容當行列交叉通過時,行列之間會產生互電容131.6.電容TP產品基本結構（一）1.GG結構：即為CoverGlass（蓋片玻璃）+SensorGlass(感應玻璃)構成TouchPanel。1.6.電容TP產品基本結構（一）1.GG結構：即為C141.7.電容TP產品基本結構（二）1.7.電容TP產品基本結構（二）151.8.電容TP產品基本結構（三）1.OGS結構：將CoverGlass與SensorGlass合二為一成為一體式電容TP，即為OneGlassSolution（單片玻璃解決方案）1.8.電容TP產品基本結構（三）1.OGS結構：將C161.9.電容TP產品隨著TP的發(fā)展各種各樣的TP產品出現在我們的生活里，你喜歡哪一個？1.9.電容TP產品隨著TP的發(fā)展各種各樣的TP產品出現17產品結構類其它類CoverGlass：蓋板玻璃Sensor：傳感器IC：集成芯片Substrate：基板PF：保護膜FPC：可撓性印刷線路板DesignFeasibilityReviewPhase：可行性評估階段ProtoPhase：規(guī)劃階段EVT：工程驗證階段ACF：異方性導電膠OCA：光學透明膠LOCA/OCR：液態(tài)光學透明膠ASF：防爆膜Sponge：泡棉DVT：設計驗證階段PVT：試產驗證階段MP：量產階段ProcessFlow：制程流程ITOPattern：ITO圖形ITOJumper：ITO跳線/橋線PI：光阻絕緣層Icon：圖標MetalTrace：金屬線路Sputter：濺鍍Washclean：清洗Coating：涂布Pre-bake：軟烤MetalJumper：金屬跳線/橋線Passivation：保護層SilverGlue：銀漿VA：視區(qū)IRHole：紅外孔AA：功能區(qū)Exposure：曝光

Developer：顯影

Postbake：硬烤Etcher：蝕刻

Etcher：蝕刻Stripping：剝膜StackUp：堆疊圖TraceWidth：線路寬度TraceSpace：線路間距ITOBondingPad：ITO邦定區(qū)Oven：高溫烘烤FMAE：失效模式與效應分析CP：制程能力指數CPK：量產規(guī)格限度基本類CS:表面應力DOL：強化深度CT：壓縮應力、拉深應力AG：抗炫AR：抗反射AS：抗污AF：抗指紋

ITO：氧化銦錫BM：黑色材料Metal：金屬（Mo-Al-Mo）SiO2：二氧化硅IM：Nb2O5+SiO2PR：光阻POL：偏光片CF：彩色濾光片LCD/LCM：液晶顯示器、模組Barcode：條形碼Spec：規(guī)格Mask：光罩Mark：靶標VMI：目檢ESD：靜電釋放GND：地線Shielding：防護、屏蔽HardCoatingFilm：硬化涂層TFT：薄膜電晶體Cell：液晶填充制程OD：光學密度1.20.TP常用術語產品結構類其它類CoverGlass：蓋板玻璃181.21.無塵室級別的劃分TP的制造對環(huán)境要求很高，必須在潔凈度很高的無塵室環(huán)境下進行作業(yè)。（美國聯(lián)邦標準NO.209B-1973）

（個數/ft3）

注：目前我司TP無塵室主要為千級，部分貼合區(qū)域可達百級1.21.無塵室級別的劃分TP的制造對環(huán)境要求很高191.22.生產線代數和玻璃尺寸第1代(1990)

300X400第2代(1993)

360X465

370X470

400X500第3代(1995)

550X650

550X670

600X720

620X750第4代(2000)

680X880

730X920第5代(2002.5)

1000X1200

1100X1250

1100X1300第6代(2003.5)

1500X1800

1500X1850第7代(2004.5)

1870X2200

注：目前我司TP生產線為3代線，玻璃基板尺寸：550x650mm1.22.生產線代數和玻璃尺寸第1代(1990)201.23.TP行業(yè)知名廠商（一）1.23.TP行業(yè)知名廠商（一）211.24.TP行業(yè)知名廠商（二）1.24.TP行業(yè)知名廠商（二）222.1.黃光制程（前制程）黃光制程：

通過對涂覆在玻璃表面的光敏性物質(又稱為光刻膠或光阻)，經曝光、顯影后留下的部分對底層起保護作用，然后進行蝕刻并最終獲得永久性的圖形的過程。

為什么光刻區(qū)采用黃光照明？因為白光中包含365nm成份會使光阻曝光,所以采用黃光，就象洗像的暗房采用暗紅光照明，并且黃光對人體危害性最小。

2.1.黃光制程（前制程）黃光制程：232.2.黃光制程流程

以上為黃光基本制程，詳細制程需根據產品結構來制定

Oven（高溫烘烤）Exposure（曝光）Pre-bake（軟烤）Coating（涂布）WashClean（清洗）Sputter（濺鍍）Stripe（剝膜）Etching（蝕刻）Postbake（硬烤）Developer（顯影）2.2.黃光制程流程以上為黃光基本制程，詳細制程需根242.2.黃光制程流程（詳解）鍍膜（Sputter）上光阻（Coater）光罩（Mask）顯影（Developer）顯影液曝光（Exposure）蝕刻（Etch）去光阻（Stripper）

蝕刻液素玻璃剝膜液2.2.黃光制程流程（詳解）鍍膜（Sputter）上光阻252.2.黃光制程流程（細化）鍍膜、上光阻曝光、顯影蝕刻剝膜2.2.黃光制程流程（細化）鍍膜、上光阻曝光、顯影262.3.Sputter（濺鍍）濺鍍原理：

靶材接陰極，基板接正極或接地，導入氬氣,利用低壓氣體（Ar）放電現象:電子在電場的作用下加速飛向基板的過程中與Ar原子發(fā)生碰撞，電離出大量的Ar+和e-，形成等離子體(電漿)。Ar+在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)在基板上沉積成膜。玻璃基板靶材靶材原子被Ar+打出靶材表面而沉積到基板2.3.Sputter（濺鍍）濺鍍原理：玻璃基板靶材272.4.Sputter主要控制參數參數意義設定范圍參數名稱加熱玻璃基板一般0~350℃ITO：300℃左右SiO2：110℃左右Metal：70℃左右溫度Temperature1.產生ArPlasma，提供Ar離子撞擊Target，濺射出的Target原子在基板表面沉積。2.提供反應氣體,如O2數10~200Sccm氣體流量ArFlowRate保證穩(wěn)定的Plasma和膜質。0.1~？Pa保證穩(wěn)定的膜厚和阻抗。0~？KW制程壓力Pressure靶材功率Power2.4.Sputter主要控制參數參數意義設定范圍參數282.5.ITOSputter應用

在黃光制程中，主要有ITO、Metal、SiO2需要經過Sputter。ITO是一種導電氧化物。中文名稱是氧化銦錫，具有高導電率、高穿透率、高的機械硬度、良好化學穩(wěn)定性。因此，它是液晶顯示器（LCD）、觸摸屏（TouchPanel）的透明電極最常用的薄膜材料。ITO特點：透明、導電、穩(wěn)定性好ITO應用：1.面電阻（方塊電阻）2.膜厚3.穿透率4.附著力ITOSputter制程管控點：方塊電阻：是指一個正方形的薄膜導電材料邊到邊“之”間的電阻，方塊電阻有

一個特性：即任意大小的正方形邊到邊的電阻都是一樣的，不管邊長是1米還是0.1米，它們的方阻都是一樣，方阻僅與導電膜的厚度及材料的電阻率等因素有關（方阻越大，膜厚越?。?。2.5.ITOSputter應用在黃光制程中292.6.MetalSputter應用（一）Metal：mo/AL/mo（鉬/鋁/鉬），鉬的沸點和導電性能突出，線熱膨脹系數小，易于加工。鉬與大多數玻璃成分在化學上是相容的，且不會由于小量鉬溶解在玻璃熔槽內而造成有害的發(fā)色效應，所以鉬與玻璃間附著力較好。而鋁的導電性好，但對玻璃基板的附著力較差，且易氧化腐蝕，所以第一層鉬可以提高與玻璃基板之間的附著力，而最后一層鉬可以防護鋁被氧化和腐蝕。Metal應用1.面電阻（方塊電阻）2.膜厚3.附著力MetalSputter制程管控：2.6.MetalSputter應用（一）Metal302.6.MetalSputter應用（二）Metal的作用：架橋ITO絕緣材料MetalMetal在TP中的位置2.6.MetalSputter應用（二）Met312.7.SiO2Sputter應用SiO2膜以其折射率低、透光性好的特性用于光學零件的表面防護以及減反射涂層。此外SiO2膜具有良好的絕緣性、穩(wěn)定性和機械特性，硬度高、結構精細、膜層牢固、抗磨耐腐蝕、熔點高而用于多層薄膜傳感器的絕緣層。SiO2特點：穿透率高、絕緣、抗磨耐腐蝕SiO2應用：1.膜厚2.穿透率3.附著力SiO2Sputter制程管控點：在基層上濺鍍一層SiO2薄膜，利用此膜層保護其下基層，防止基層上的電路受外界環(huán)境的侵蝕而失去其原始設計的功能。SiO2制程目的：2.7.SiO2Sputter應用SiO2膜以其折射322.8.Sputter相關問題項目鍍膜效果影響因素基片清洗效果濺射功率濺射氣體純度濺射氣體壓力原因基片清洗不凈，基片上留有的殘余雜質或油跡、灰塵，會在成膜過程中影響淀積原子與基板之間的結合力以及原子之間的結合力。濺射功率增加，使得Ar氣的電離率提高，從而提高濺射速率，這樣基片表面的膜層與基板的粘附能力及膜層致密性都有所提高，并縮短了濺射時間，提高了膜層質理。Ar氣純度不夠；會在膜層中形成很多缺陷，濺射一定厚度膜層后，膜層明顯疏松，硬度增加。氣壓太低，則不能起輝或起輝不足，轟擊靶材的氬氣離子數目太少；如氣壓過高，氬離子與靶材原子的碰撞中，靶材原子損失的動能太多，造成淀積到基板上的原子能量低，也影響膜層的附著力和致密性。2.8.Sputter相關問題項目鍍膜效果影響因332.9.Sputter制程管控參數

目前我廠Sputter生產主要管控的制程參數：2.9.Sputter制程管控參數目前我廠Sput342.10.Sputter靶材與機臺Sputter機臺（廠內）靶材靶材靶材2.10.Sputter靶材與機臺Sputter機臺（35狀態(tài)指示燈緊急停止轉移站1LED柔性燈條轉移站2裝卸臺存儲站臺車2.11.Sputter機臺（一）

員工工作區(qū)域：掛片，取片狀態(tài)指示燈緊急停止轉移站1LED柔性燈條轉移站2裝卸臺存36渦輪分子泵浦干式泵浦（drypump）低真空載入載出腔體高真空載入載出腔體緩沖腔體制程腔體緩沖腔體回轉腔體（粗抽到67Pa左右）(可抽到5*10-3Pa）2.11.Sputter機臺（二）渦輪分子泵浦干式泵浦（drypump）低真空載入載出腔體高372.12.WashClean（清洗）清洗：通過磨刷、脫脂藥液及清水的清洗移除玻璃基板上的污染物、微粒、減少針孔和其他缺陷，以使光阻能在后面的涂布過程中能夠被更可靠的涂布，提高玻璃與光阻的結合能力。主要參數：清洗液濃度(2000-5A,5%),脫脂毛刷壓入量，傳送速度，溫度，噴洗流量，噴洗壓力，AP功率，供氣流量，玻璃表面與純水的接觸角小于8°（接觸角決定清洗后潔凈度）。制程主要不良項目：刮傷，疊片和清洗不干凈。

注：目前我們廠內從Sputter之后的黃光段清洗都未使用清洗液，都是使用超純水。2.12.WashClean（清洗）清洗：主要參數382.13.清洗機臺與清洗液（1）2000-5A：主要成分KOH及表面活性劑，主要用于清洗素玻璃和ITO玻璃。其與一般動植物油脂的反應機理為皂化反應：(RCOO)3C3H5+3KOH→3RCOOK+C3H5(OH)3生成物RCOOK可溶于水。（2）FPD120：主要成分為氨基三乙酸【分子式為N(CH2COOH)3】、有機羧酸及一些表面活性劑。由于Metal鍍層的活性較高，能被2000-5A清洗液侵蝕，因而清洗Metal玻璃必須使用專用的FPD120清洗劑。清洗機臺清洗液相關知識2.13.清洗機臺與清洗液（1）2000-5A：主要成分K392.14.Coating（涂布）涂布：將光阻涂布在已鍍膜的Glass表面上，利用光阻保護Glass表面的鍍膜層，光阻在經曝光，顯影，蝕刻，產生圖案在Glass上。（光阻是一種感光材料，它的組成：樹脂、感光劑、溶劑。光阻分為正型光阻和負型光阻）正型光阻：曝光的部分產生解離反應，使感光部分解離成小分子，形成易溶于顯影液的結構。（正型光阻一般用于過渡性，如在做ITO、Metal時候，光阻最終被剝除掉，不會保留在產品上）負型光阻：曝光的部分產生鏈接反應，使感光部分結構加強，形成不溶于顯影液的結構。（負型光阻因附著力更好，一般用于保留性，如在做BM、PI和保護層時，最終會成為產品本身的一部分而保留下來）

友情簡版：快速區(qū)分正負型光阻--->正型見光死，負型見光活。2.14.Coating（涂布）涂布：正型光阻：負型光40

刮刀速度設定會因為機臺及刮刀壓力而有不同。刮刀速度太慢：降低產能刮刀速度太快：光阻涂布不均

平坦度極差Coater刮刀速度

刮刀壓力設定會因為機臺及光阻滴下量而有不同。壓力太?。簳构庾璧蜗铝刻俣斐赏坎疾痪?。壓力太高：會使光阻滴下量太多而造成膜厚太高。

GAP的大小直接影響到膜厚的高低，所以GAP的調整對涂布是相當重要的一環(huán)。涂布機印刷方式CoaterGAP調整Coater刮刀壓力2.15.Coating制程控制點玻璃刮刀光阻GAP刮刀速度設定會因為機臺及刮刀壓力而有不同。Coater刮412.16.Pre-bake（軟烤）軟烤：將玻璃上光阻層的大部分的溶劑去除，并使光阻由原來的液態(tài)，經過軟烤之后，而成為固態(tài)的薄膜，以加強光阻層對玻璃表面的附著能力，軟烤后光阻內溶劑降到5~20%左右，厚度也將減少10~20%。主要參數：烘烤溫度：90~120℃烘烤時間：1~3min制程主要不良項目：刮傷、玻璃受熱不均，使光阻局部過烤或烘烤不足，造成后續(xù)的顯影不凈或顯影過顯（過度會造成光阻變脆而粘性降低，對光敏感性變差；不夠則附著力差溶劑含量高使曝光精準度變差且顯影對無曝光的光阻選擇性降低，導致圖形轉移不良）2.16.Pre-bake（軟烤）軟烤：主要參數：制程422.17.軟烤機臺與目的軟烤機臺1、去除光阻的殘余溶劑。

2、增加光阻的附著力。

3、提高照射區(qū)與非照射區(qū)的顯影速率比。

4、降低光阻的內部應力,防止光阻劑的龜裂。軟烤的目的：2.17.軟烤機臺與目的軟烤機臺1、去除光阻的殘余溶劑。43利用光透過光罩照射光阻劑，使其感光，照射到光的光阻起化學反應，從而將光罩上的圖形清晰、準確的投影在玻璃基板表面上。（曝光方式有三種：接觸式、接近式和投影式，目前我司采用的曝光方式為接近式。）曝光：1、曝光能量：正型光阻能量越大幅寬越小，量測線距越大。負型光祖能量越大幅寬越大，量測線距越小。2、溫度：Mask溫度23±5℃，熱脹冷縮影響對位標記的距離。機板溫度：調整CP（冷卻段）、Stage段的保溫度為23℃。3、GAP值（50~300um）：正型GAP值越大幅寬越小，量測線距越大。負型GAP值越大幅寬越大，量測線距越小。制程主要參數：曝光偏移、固定光阻殘留異常、過曝。（

對于正型光阻，曝光能量越大，幅寬越小，負型光阻反之。曝光溫度對基板的影響是當溫度異常時，光罩由于熱脹冷縮，圖形轉移到玻璃基板上時與規(guī)格值存在差別，從而影響產品質量）制程主要不良項目：2.18.Exposure（曝光）利用光透過光罩照射光阻劑，使其感光，照射到光的光阻起化學反應44曝光玻璃基板顯影蝕刻/去光阻正光阻負光阻光阻光罩2.19.曝光技術解析（一）曝光玻璃基板顯影蝕刻/去光阻正光阻負光阻光阻光罩2.145接觸式接近式投影式2.20.曝光技術解析（二）對比接觸式接近式投影式2.20.曝光技術解析（二）對比462.21.曝光機臺與光罩Mask類型：乳劑型光罩：菲林FilmMask，干版EmulsionMask。鉻膜型光罩（鉻版）：蘇打玻璃、硼硅玻璃（低膨脹玻璃）、石英玻璃。（我司目前使用的是鉻膜型光罩材質是蘇打玻璃）鉻膜型光罩保養(yǎng)：鉻版為硬掩膜版，為防止其變形，需要豎直存放，為保證其表面的潔凈度，一般要保存在1000級以上的無塵室內，溫度維持21±5℃，濕度50±10RH。Mask（光罩）相關知識曝光機臺2.21.曝光機臺與光罩Mask類型：鉻膜型光罩保養(yǎng)：Ma472.22.Developer（顯影）顯影：將正型光阻中的被曝光的那部分光阻快速溶解于顯影液中(負型光阻正好與之相反,是未曝光的部分溶于顯影液中),未曝光的那部分光阻溶解速度緩慢，從而通過控制顯影時間，可以顯現出光罩上的圖形。我司使用的顯影液：正型光阻所用顯影液為：TMAH（四甲基氫氧化銨），是一種有機弱堿。負型光阻所用顯影液為：KOH（氫氧化鉀），是種無機堿。主要參數：顯影傳導速度顯影液電導率顯影溫度顯影噴壓制程主要不良項目：顯影不凈，顯影過顯，光阻回黏。（顯影液電導度越高，幅寬越小，線距越大，電導度過高時會造成過顯，電導度過低會造成顯影不盡。顯影時間對產品的影響是顯影時間越長，幅寬越小，線距越大，時間過長則會造成過顯，而且會影響膜厚）2.22.Developer（顯影）顯影：主要參數：482.23.顯影機臺與流程ISO：隔離區(qū)，防止藥液回濺，并循環(huán)回收藥液。DVP：顯影區(qū)，顯影液與被曝光光阻反應。采用的藥洗方式為噴灑式，噴頭來回擺動以防止顯影不均勻。Rinse：循環(huán)水洗，設置Rinse水刀是使水洗均勻，防止殘留的藥液繼續(xù)和光阻反應。BJ：二流體洗凈，主要是利用水包覆氣體，并噴向基板時因水泡爆裂，使較小的particle因水泡爆裂而震出，利用水汽噴淋。BackBrush：下毛刷，有些Particle水洗不掉，需用毛刷刷凈HP：高壓水洗。FR：最后純水洗。AK：風刀，將基板上的水吹干。顯影機分為顯影段和水洗段：ISO（開始）

RinseDVP1BJDVP2BackBrushDVP3HPDVP4FRDVP5（結束）AK顯影機臺顯影流程2.23.顯影機臺與流程ISO：隔離區(qū)，防止藥液回濺，并492.24.Postbake（硬烤）除去光阻中剩余的溶劑及水氣，使光阻內未溶解的感光化合物和樹脂間之結合更緊密，以增加光阻對熱之穩(wěn)定性及底層物質之附著力。使經顯影后的正面帶圖形的光阻固化，從而使其圖形穩(wěn)定。對相同的光阻，硬烤溫度通常會比軟烤的溫度還要高些。硬烤：1.硬烤溫度：100~130

C2.硬烤時間：1~3min主要參數：硬烤不充分或過烤，造成后續(xù)的蝕刻不凈或蝕刻過蝕。制程主要不良項目：2.24.Postbake（硬烤）除去光阻中剩余的溶劑502.25.硬烤機臺與作用1.將光阻中的溶劑蒸發(fā)去除。2.改進光阻蝕刻和離子布植的抵抗力。3.改進光阻的附著力。4.聚合作用和穩(wěn)定光阻。5.光阻流動填滿針孔。硬烤的作用：文字文字文字硬烤機臺文字2.25.硬烤機臺與作用1.將光阻中的溶劑蒸發(fā)去除。硬512.26.

Etching（蝕刻）蝕刻：利用酸性蝕刻液將材料進行化學反應或者物理撞擊作用，使不需材料移除，將玻璃中未受光阻保護的那部分ITO（Metal）腐蝕掉，留下所需要的線路和圖形。主要參數：蝕刻液濃度，蝕刻傳導速度，蝕刻溫度，噴淋壓力。制程主要不良項目：蝕刻不凈，過蝕，ITO，Metal殘留以及蝕刻異常。2.26.Etching（蝕刻）蝕刻：主要參數：制522.27.

蝕刻機臺與蝕刻液ITO蝕刻液：目前我司ITO所用蝕刻液為王水，其主要成分為：鹽酸（HCl）；硝酸（HNO3）。Metal蝕刻液：Metal蝕刻液要求僅能蝕刻Metal鍍層而不會腐蝕玻璃上的ITO,現公司使用的蝕刻液為鋁酸（Al）。其主要成分為：磷酸（H3PO4），硝酸（HNO3），冰乙酸（俗稱冰醋酸HAc）。蝕刻機臺蝕刻液相關知識2.27.蝕刻機臺與蝕刻液ITO蝕刻液：Metal蝕532.28.Stripe（剝膜）剝膜：用堿液對光阻進行結構性的破壞，使光阻溶解，以達到去除光阻的目的，得到設計所需圖形。剝膜液：目前我司ITO和Metal使用的剝膜液都是N300。其主要成分為：MEA（單乙醇胺）、BDG（二乙二醇丁醚）。主要參數：剝膜傳導速度，剝膜液濃度，剝膜溫度，噴灑方式。剝膜不凈，光阻回黏，剝膜藥液殘留。制程主要不良項目：2.28.Stripe（剝膜）剝膜：用堿液對光阻進行結542.29.剝膜機臺與剝膜液N300剝膜液的組成成分主要是MEA（單乙醇胺）+BDG（二乙二醇丁醚），比例為30%MEA+70%BDG。MEA易吸收空氣中的水與CO2（二氧化碳），使其濃度降低，制程管控中主要設計管控MEA濃度，以達到制程需求。在生產運行中，高溫度及長時間（以控制機臺運行速度來控制）的剝離，使剝膜液的利用及剝離效果得到最佳化。剝膜液：文字文字文字文字剝膜機臺2.29.剝膜機臺與剝膜液N300剝膜液的組成成分主要是M552.30.Oven（高溫烘烤）高溫烘烤：高溫烘烤之目的在于進一步去除光阻中的溶劑，高溫烘烤將光阻中的溶劑含量降到最低。使其進一步固化，增加光阻附著性，避免后制程光阻脫落。之前我們說過光阻可以分為保留性光阻和過渡性光阻，只有保留性光阻才需要經過高溫烘烤。（例如負型光阻因附著力更好，一般用于保留性，如在做BM、PI和保護層時，最終會成為產品本身的一部分而保留下來）主要參數：烘烤溫度：200~250℃烘烤時間：30~40min高溫烘烤不充分或過烤（如果烘烤不夠，則光阻的附著力會不夠膜厚變大，過烤則會產生色差膜厚變?。┲瞥讨饕涣柬椖浚?.30.Oven（高溫烘烤）高溫烘烤：高溫烘烤之目的在562.31.高溫烘烤機臺高溫烘烤使用的機臺是IR隧道爐，此機臺是為了將玻璃基板上的涂布劑，進行干燥及硬化處理,將玻璃基板放在Cassette內，利用熱風干燥玻璃，采用內循環(huán)對流運風式設計，可獨立分組調節(jié)各段溫度及虛幻運風，使爐內溫度均勻穩(wěn)定。IR隧道爐：文字文字文字高溫烘烤機臺（IR隧道爐）文字2.31.高溫烘烤機臺高溫烘烤使用的機臺是IR隧道爐，此572.32.黃光制程產品（一）

經過黃光制程最終做出如下產品結構（未包含MetalTrace與BondingPAD）ITOPattern玻璃MetalBridge（架橋）灰色部分PI（絕緣）黑色部分2.32.黃光制程產品（一）經過黃光制程最終做出如下582.33.黃光制程產品（二）STEP3文字文字經過黃光制程最終達到所需的設計結構STEP2文字文字STEP1文字文字2.33.黃光制程產品（二）STEP3經過黃光制程最終達592.34.黃光制程化學用品2.34.黃光制程化學用品602.35.黃光制程常見不良涂布不良：1.涂布針孔2.箭影3.氣泡4.刮傷5.臟污6.光阻回濺…顯影不良：1.顯影不凈2.過顯3.刮傷4.臟污5.藥液殘留6.光阻脫落7.顯影圈8.凹點……蝕刻不良：1.ITO&Metal殘留/過蝕2.臟污3.刮傷……剝膜不良：1.剝膜不凈b.臟污3.刮傷4.藥液殘留……其它不良：1.

MO脫落2.SiO2脫落3.靜電擊傷4.線阻偏差……2.35.黃光制程常見不良涂布不良：1.涂布針孔2612.36.涂布異常圖片1.涂布針孔（部分因臟污、光阻粘度、涂布機臺異常等所導致，目視為白色亮點）2.涂布氣泡（部分因臟污、光阻粘度、涂布機臺異常等所導致，目視為白色亮點）2.36.涂布異常圖片1.涂布針孔（部分因臟污、光阻粘623.涂布臟污（部分因來料臟污、未清洗干凈、機臺臟污等所導致）4.涂布箭影（部分因玻璃上粘有有機物、涂布機臺異常、光阻粘度、風刀水未吹干等所導致）3.涂布臟污（部分因來料臟污、未清洗干凈、機臺臟污等所導致）632.37.顯影異常圖片1.顯影不凈（部分因軟烤溫度、時間、曝光能量、顯影速度等所導致,出現為顯影后,

目視白色條狀,2D為彩色物質）2.藥液殘留（在顯影、剝膜清洗后留下的藥液殘留）2.37.顯影異常圖片1.顯影不凈（部分因軟烤溫度、時643.Metal線上光阻殘留（固定光阻殘留主要因光罩上粘有臟污等其他物質所導致）4.光阻脫落（部分因軟烤溫度、曝光能量、顯影速度等所導致，出現為顯影后，目視黑色點狀，如脫落不嚴重目視無法識別）3.Metal線上光阻殘留（固定光阻殘留主要因光罩上粘有臟656.頂傷（因機臺及導輪毛刺等所導致。出現在每道制程，目視為白色亮點、

2D下成臟污狀且透有彩色）

5.光阻刮傷（因機臺及導輪毛刺等所導致。出現在每道制程，強光下目視為白色條、點狀）6.頂傷（因機臺及導輪毛刺等所導致。出現在每道制程，目視為白667.顯影圈（部分因顯影速度及電導率等所導致，出現在顯影后，目視為小白點、較小且密集）8.鋸齒（部分因軟烤溫度、曝光能量、顯影速度等所導致，出現在顯影后，目視鋸齒狀/外觀”老鼠咬”）7.顯影圈（部分因顯影速度及電導率等所導致，出現在顯影后，679.凹點（大部分是因臟污或其它物質導致光阻無法被顯影干凈，一般出現在TOPOC制程，目視為亮點）10.藥液殘留（部分是因風刀未吹干及藥液回粘水洗不掉，出現在每道制程，目視背光為白色、未烤前大部分可擦拭）9.凹點（大部分是因臟污或其它物質導致光阻無法被顯影干凈，682.38.ITO蝕刻異常圖片1.ITO蝕刻不凈/ITO殘留（一般因光阻殘留、蝕刻速度及藥液濃度、光阻回濺等導致蝕刻不凈嚴重的強光下目視為白霧狀，白光下不明顯，通常借助于2D或萬用表）2.ITO被蝕（一般因涂布異常、蝕刻速度等所導致、光阻被刮傷等目視對光可見,背光不可見）2.38.ITO蝕刻異常圖片1.ITO蝕刻不凈/ITO692.39.Metal蝕刻異常圖片2.Metal被蝕（大部分是因涂布異常、蝕刻速度、光阻被刮傷、曝光、顯影等）1.Metal蝕刻不凈/Metal殘留（大部分是因光阻殘留、蝕刻速度、藥液濃度等，目視反光且不透光）2.39.Metal蝕刻異常圖片2.Metal被蝕（大部702.40.其它異常不良圖片2.Metal刮傷（大部分因機臺異常、作業(yè)手法等所導致。目視為白色點線狀，背光明顯）1.ITO刮傷/表面刮傷（大部分因機臺異常、作業(yè)手法等所導致。目視為白色點線狀，背光明顯）2.40.其它異常不良圖片2.Metal刮傷（大部分因機713.靜電擊傷（最常出現在涂布、曝光、軟硬烤段，目視為白色點狀，強光下可見）4.

SiO2氣泡（一般出現在TOPOC顯影后、來料，目視為白色亮點）3.靜電擊傷（最常出現在涂布、曝光、軟硬烤段，目視為白色點狀726.ITO線上光阻殘留（固定光阻殘留主要因光罩上粘有臟污等其他物質所導致）5.MO脫落（部分因存放環(huán)境、目視泛白且半透光）6.ITO線上光阻殘留（固定光阻殘留主要因光罩上粘有臟污等其737.臟污8.偏移（主要出現在曝光光罩偏位及耙標異常所導致）Metal偏移TOPOC偏移Metal偏移7.臟污8.偏移（主要出現在曝光光罩偏位及耙標異常所導致749.Metal氧化（部分因存放環(huán)境、目視泛白且半透光）10.PI異常（Metal蝕刻剝膜時藥液滲透）9.Metal氧化（部分因存放環(huán)境、目視泛白且半透光）10.752.41.可剝膠印刷可剝膠印刷介于前段黃光制程和后段白光制程之間，在黃光制程中鍍SiO2時會用到可剝膠印刷，而在產品做完黃光制程后進入后段制程前也會做可剝膠印刷?？蓜兡z印刷作業(yè)原理：

先將玻璃基板置放在作業(yè)平臺上再利用網板印刷方式對玻璃基板作網印涂布作業(yè)，將需要保護的地方用可剝膠保護起來。刮印刀回墨刀回墨方向刮印方向玻璃臺面網板可剝膠2.41.可剝膠印刷可剝膠印刷介于前段黃光制程和后段白762.42.可剝膠印刷制程參數及異常刮印刀下壓量，玻璃與網版的間距，刮印的速度，以及后面烘烤的時間。印刷破片：刮刀下壓量太大，人為破片印刷破洞：網版網塞對位異常：

靠PIN松脫，網版變形可剝膠殘留：刮刀下壓量，網版可剝膠印刷位置偏移：人為原因，機臺對位異?？蓜兡z遺膠：粘度偏小，網版網孔偏大制程主要異常及原因制程主要參數2.42.可剝膠印刷制程參數及異常刮印刀下壓量，印刷破片：772.43.可剝膠印刷流程與作用B面可剝膠印刷作用：在SIO2濺渡之前將需預留Bonding區(qū)域保護起來，避免被濺渡到。A面可剝膠印刷作用：需將產品可視區(qū)全部印刷保護起來，防止在切割磨邊時造成刮傷，劃傷。B面SIO2濺鍍A面可剝膠印刷ICT測試B面可剝膠撕膜B面可剝膠印刷可剝膠作用可剝膠印刷流程2.43.可剝膠印刷流程與作用B面可剝膠印刷作用：A面78制程管控項目網板GAP值5±1mm抬板高度10±5mm回墨刀壓入量40±5mm刮印刀壓入量22±5mm刮刀速度1.5±0.5網板GAP值是網板和印刷臺面之間距離抬板高度的設定是防止印刷時基板出現粘板現象回墨刀壓入量是根據回墨效果而調整，一般設定值不宜太大，防止壓壞網板刮刀壓入量是根據產品印刷效果而調整刮刀速度對機臺Tacttime及產品印刷質量有一定影響定位精度200um目前是手動靠PIN對位，對位精度大概在400um左右2.44.可剝膠制程管控項目制程管控項目網板GAP值5±1mm抬板高度10±5mm回墨刀792.45.可剝膠機臺可剝膠成形效果文字文字文字可剝膠印刷機臺文字文字文字2.45.可剝膠機臺可剝膠成形效果文字文字文字可剝膠印刷機802.46.后段制程切割清洗FOGBondingTestOCA貼合包裝出貨成品覆膜FianlTest加壓脫泡CG貼合玻璃基板經過了前面的黃光制程后，上面已經形成了金屬線路和圖案，而后大版的玻璃經過切割成小片，邦定（Bonding）FPC，貼合CG，終測直至到最后的包裝出貨。以下流程為基本流程，詳細流程以實際作業(yè)及產品結構為準2.46.后段制程切割清洗FOGBondingOCA貼合包812.47.切割切割切割目的通過刀輪切割，將做好黃光制程的550x650mm的玻璃基板切割成所需的小片，再流至下一道制程。主要參數切割深度、切割速度、切割壓力。制程主要不良破片、刮傷蹦邊、蹦角、延伸性裂痕。2.47.切割切割切割目的通過刀輪切割，將做好黃光制程的5822.48.切割成形與機臺切割機臺

切割前

切割成單片2.48.切割成形與機臺切割機臺切割前切割成單片832.49.清洗在后段使用的超聲波清洗機，其原理是：超聲波作用于液體中時，液體中每個氣泡的破裂會產生能量極大的沖擊波，相當于瞬間產生幾百度的高溫和高達上千個大氣壓的無數微小氣泡隨時爆破，這種現象被稱之為“空化效應”,超聲波清洗正是應用液體中氣泡破裂所產生的沖擊波來達到清洗和沖刷產品內外表面的