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文檔簡介
上節(jié)復(fù)習(xí)電場強度E
:
(V/m)。意義:單位長度上的電壓降??!電位移矢量D
:
(C/m2)。意義:單位面積上的電荷量??!磁感應(yīng)強度B
:
(N)。意義:電荷垂直入射到磁場中時,單位正電荷所受的電場力?。。▎挝?T)磁場強度矢量H
:
(A/m)。意義:單位長度上的電流!!則位移電流密度定義為:恒定電流的安培環(huán)路定理全電流定律位移電流的定義:揭示:位移電流同樣會產(chǎn)生磁場。實質(zhì):變化的電場也會產(chǎn)生磁場。2、電磁感應(yīng)定律(實驗定律)
電磁感應(yīng)現(xiàn)象:當穿過線圈所包圍面積的磁通量隨時間變化時,線圈內(nèi)會產(chǎn)生感應(yīng)電動勢。它的大小等于磁通量隨時間的變化率,它的方向是阻止磁通變化的方向。電磁感應(yīng)的表達式:為感應(yīng)電動勢,單位為V。是磁通變化率,單位為Wb/s。感應(yīng)電勢(閉合線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電流)結(jié)論:隨時間變化的磁場會產(chǎn)生電場,而且磁通量的隨時間的變化率愈大,則感應(yīng)電動勢愈大、電場愈強;反之則愈弱。穿過一個曲面S的磁通量為
S面是以封閉曲線l為周界的任意曲面,其方向與封閉有向曲線l呈右手螺旋關(guān)系。由電磁感應(yīng)定律得:通常我們?nèi)面上磁通量的變化是由磁場變化引起的,保持S不隨時間變化,則有:麥克斯韋把這個實驗定律推廣到包括真空在內(nèi)的任意介質(zhì)中,即認為變化磁場引起的感應(yīng)電場的現(xiàn)象不僅發(fā)生在導(dǎo)體回路中,而且在一切介質(zhì)中,只要有變化的磁場就會產(chǎn)生感應(yīng)電場。3高斯定律
在普通物理中討論了靜電場的高斯定律,即式中,表示閉合曲面上的面積分,中的V為閉合曲面S包圍的體積的體積分,為閉合曲面S包圍的自由電荷的代數(shù)和。ρ為自由電荷體密度,電荷是產(chǎn)生電場的重要原因之一【例1-2】已知一點電荷帶電量為+q,求距該點電荷r處的,若周圍介質(zhì)為空氣,求電場強度。麥克斯韋:將這個定律推廣到任意電場,即不僅適用于靜電場,面且適用于時變電場。4磁通連續(xù)性定律在普通物理中討論了恒流磁場的磁通連續(xù)性原理,即它表明兩點:1)磁感應(yīng)線永遠是連續(xù)的,閉合的,無頭無尾的;2)與高斯定律相比,表明磁荷不存在。這個定律可推廣到任意磁場,即不僅適用于恒流磁場,而且適用于時變磁場。
(2-1-1a)
(2-1-1b)
(2-1-1c)
(2-1-1d)2.1.1麥克斯韋方程組的積分形式
2.1麥克斯韋方程組麥克斯韋方程的物理意義如下:
第一方程為全電流定律:電流是產(chǎn)生磁場的唯一原因,(這里的電流是全電流,包括傳導(dǎo)電流和位移電流;第二方程為法拉第定律:時變磁場是產(chǎn)生電場的一個原因(時變的磁場是電場漩渦源);第三方程為磁通連續(xù)性原理:磁場是恒連續(xù)、閉合、無頭無尾的;第四方程為高斯定律:自由電荷是產(chǎn)生電場的另一原因(自由電荷是電場的散度源)。把方程(1)、(2)結(jié)合起來便得出如下結(jié)論:時變磁場將激發(fā)時變電場,而時變電場又將激發(fā)時變磁場,電場和磁場互為激發(fā)源,相互激發(fā)(預(yù)言電磁波的存在)。1887年由德國年輕學(xué)者赫茲的實驗所證實電磁波的存在。1895年意大利工程師馬可尼和俄羅斯物理學(xué)家波波夫分別成功地進行了無線電報傳送實驗,開創(chuàng)了人類無線電應(yīng)用的新紀元。應(yīng)用矢量分析中的散度定理和旋度定理,即可得麥克斯韋方程組的微分形式。2.1.2麥克斯韋方程組的微分形式
(2-1-7a)
(2-1-7b)
(2-1-7c)
(2-1-7d)重要說明:積分形式:應(yīng)用于空間中的某一區(qū)域電磁場問題的求解。(如:邊界條件問題)微分形式:應(yīng)用于連續(xù)空間中任意空間場點的電磁問題求解。2.1.3本構(gòu)關(guān)系
用E、D、B、H四個場量寫出的方程稱為麥克斯韋方程的非限定形式,因為它沒有限定D與E之間及B與H之間的關(guān)系,故適用于任何媒質(zhì)。
對于線性和各向同性媒質(zhì),有
(2-1-13a)
(2-1-13b)
(2-1-13c)歐姆定律的微分形式式(2-1-13)稱為媒質(zhì)的本構(gòu)關(guān)系,式中ε
是介電常數(shù),單位是法拉每米(F/m);εr是相對介電常數(shù);ε0是真空的介電常數(shù),其取值為
(2-1-14)
式中μ是磁導(dǎo)率,單位是亨利每米(H/m);
μr是相對磁導(dǎo)率;μ0是真空的磁導(dǎo)率,取值為
(2-1-15)
ε、
μ、σ
稱為媒質(zhì)參數(shù),通常研究的媒質(zhì)是均勻、線性、各向同性的媒質(zhì),其定義如下:
(1)若媒質(zhì)參數(shù)與位置無關(guān),稱為均勻媒質(zhì);
(2)若媒質(zhì)參數(shù)與場強大小無關(guān),稱為線性媒質(zhì);
(3)若媒質(zhì)參數(shù)與場強方向無關(guān),稱為各向同性媒質(zhì),反之稱為各向異性媒質(zhì);
(4)若媒質(zhì)參數(shù)與場強頻率無關(guān),稱為非色散媒質(zhì),反之稱為色散媒質(zhì)。
(5)σ=0的介質(zhì)稱為理想介質(zhì);
(6)σ→∞的導(dǎo)體稱為理想導(dǎo)體;
(7)σ
介于0和∞之間的媒質(zhì)稱為導(dǎo)電媒質(zhì)或有耗媒質(zhì)。利用本構(gòu)關(guān)系,對于均勻、線性、各向同性媒質(zhì),麥克斯韋方程組可用E和H兩個場量如下表示
(2-1-16a)
(2-1-16b)
(2-1-16c)
(2-1-16d)
解
對麥克斯韋第一方程(2-1-16a)兩邊取散度,并將第四方程(2-1-16d)代入,可得
其解為
例2-1-1
證明導(dǎo)電媒質(zhì)內(nèi)部電荷密度ρ=0。
對于良導(dǎo)體,其很大,所以在很短的時間,導(dǎo)體內(nèi)部的電荷密度就衰減的很小,可近似為零。2.2電磁場的邊界條件邊界:在電磁場中,空間常常存在著兩種或兩種以上的不同媒質(zhì)連接區(qū)域(ε、μ、σ有突變)-------邊界面。邊界條件:兩種媒質(zhì)分界面處電磁場應(yīng)滿足的關(guān)系。分析方法:應(yīng)用麥克斯韋方程的積分形式導(dǎo)出邊界條件。邊界的方向問題
邊界上的電場、磁場垂直于分界面的法向分量,用下標n表示,法向單位矢量n的方向總是從第二媒質(zhì)指向第一媒質(zhì)。平行于分界面的切向分量,用下標t表示。數(shù)學(xué)基礎(chǔ)2.2.1E的切向邊界條件
由麥克斯韋積分形式:電磁感應(yīng)定律作閉合線積分
長邊Δl與界面平行,緊貼邊界,短邊Δh與界面垂直,Δh
0。圖2-2-1E的切向邊界條件E1tE2tE1nE2n公式右邊:
由于是有限量,當Δh→0時,ΔS=ΔhΔl
→0
,
公式的左邊:(2-2-1)再由左邊=右邊,得:上節(jié)復(fù)習(xí)麥克斯韋方程組的積分形式:
本構(gòu)成方程:
σ為煤質(zhì)的電導(dǎo)率(S/m),σ=0的介質(zhì)稱為理想介質(zhì);σ→∞的導(dǎo)體稱為理想導(dǎo)體;
σ
介于0和∞之間的媒質(zhì)稱為導(dǎo)電媒質(zhì)或有耗媒質(zhì)。麥克斯韋方程組的微分形式:
電磁場的邊界條件邊界面邊界切向與法向麥克斯韋方程組積分形式
邊界上的E由電磁感應(yīng)定律:作閉合線積分
長邊Δl與界面平行,緊貼邊界,短邊Δh與界面垂直,Δh
0。左邊:(2-2-1)邊界上的E右邊:由麥克斯韋積分形式:全電流應(yīng)定律作閉合線積分
長邊Δl與界面平行,緊貼邊界,短邊Δh與界面垂直,Δh
0。2.2.2H的切向邊界條件
圖2-2-2H的切向邊界條件H1tH2tH1nH2n公式的左邊:公式右邊(第二項):
由于是有限量,當Δh→0時,ΔS=ΔhΔl
→0
,當分界面上有傳導(dǎo)電流時:
電流分布在邊界面導(dǎo)體表面處極薄一層內(nèi),設(shè)分界面上的單位寬度上傳導(dǎo)電流面密度JS(A/m)的方向垂直于紙面向內(nèi)。
則有小回路包圍電流:I=JSΔl,公式右邊(第一項):邊界上是否有傳導(dǎo)電流?當分界面上沒有電流時:右邊=0再由左邊=右邊,得:右邊=JSΔl再由左邊=右邊,得:H1t-H2t=JS
(2-2-2)2.2.3邊界上的D
由麥克斯韋積分形式:高斯定律作閉合面積分
上下底面ΔS與界面平行,緊貼邊界,圓柱高度Δh與界面垂直,Δh
0。圖2-2-3法向邊界條件D1tD2tD1nD2n公式左邊當有電荷分布時,因Δh→0時,定義分界面上自由電荷的面密度,單位是(C/m2),公式右邊當無電荷分布時,右邊=0
再由左邊=右邊,得:
D1n-D2n=0
(2-2-3’)再由左邊=右邊,得:
D1n-D2n=ρS
(2-2-3)
右邊等于2.2.4邊界上的B
由麥克斯韋積分形式:磁通連續(xù)性定律作閉合面積分
上下底面ΔS與界面平行,緊貼邊界,圓柱高度Δh與界面垂直,Δh
0。同理,左邊右邊=0
再由左邊等于右邊,得:
B1n=B2n
(2-2-4)結(jié)論:
E1t=E2t
H1t-H2t=JS(JS≠0表示邊界上有傳導(dǎo)電流分布,
JS=0表示邊界上無傳導(dǎo)電流)
D1n=D2n=ρS
(ρS
≠0表示邊界上有自由電荷分布,
ρS
=0表示邊界上無)
B1n=B2n
用矢量形式怎么表達該邊界條件?為什么有電流、電荷分布就不連續(xù)?
1)兩種理想介質(zhì)的分界面
此時兩種媒質(zhì)的電導(dǎo)率為零,在分界面上一般不存在自由電荷和面電流,即ρS=0、JS=0,則邊界條件為
H1t=H2t
(2-2-5a)
E1t=E2t
(2-2-5b)
B1n=B2n
(2-2-5c)
D1n=D2n
(2-2-5d)是否E1=E2?2)理想介質(zhì)和理想導(dǎo)體的分界面設(shè)媒質(zhì)1為理想介質(zhì)(σ1=0),媒質(zhì)2為理想導(dǎo)體(σ2→∞),理想導(dǎo)體中電場E2=0,磁場H2=0此時的邊界條件為
H1t=JS
(2-2-6a)
E1t=0
(2-2-6b)
B1n=0
(2-2-6c)
D1n=ρs
(2-2-6d)2.3時諧電磁場的復(fù)數(shù)表示時諧電磁場:隨時間按正弦(或余弦)規(guī)律作簡諧變化的電磁場,也稱為正弦電磁場。時諧電磁場在實際中獲得了最廣泛的應(yīng)用,廣播、電視和通信的載波,都是正弦電磁波。一些非簡諧的電磁波可以通過傅里葉變換變換成正弦電磁波來研究,所以研究時諧電磁場問題是研究時變電磁場的基礎(chǔ)。知識基礎(chǔ)正弦電信號瞬時值:復(fù)數(shù)表示形式:其中,為復(fù)振幅,為正弦時間因子。瞬時值與復(fù)數(shù)形式之間的關(guān)系:正弦信號的表示形式知識基礎(chǔ)矢量的表示形式A=axAx+ayAy+azAzA(x,y,z)=axAx
(x,y,z)+ayAy(x,y,z)+azAz(x,y,z)A(x,y,z,t)=axAx
(x,y,z,t)+ayAy(x,y,z,t)+azAz(x,y,z,t)在空間有分布:任一矢量:該矢量在空間分布隨時間變化:時諧電磁場復(fù)數(shù)表示形式
在直角坐標系中,隨時間作簡諧變化的電場強度的三個分量的形式:E(x,y,z,t)=axEx
(x,y,z,t)+ayEy(x,y,z,t)+azEz(x,y,z,t)
(2-3-1a)
(2-3-1b)
(2-3-1c)因為是時諧場,三個分量的形式可以用余弦形式表示為:用復(fù)數(shù)的實部表示為
(2-3-2a)
(2-3-2b)
(2-3-2c)式中,;Re表示復(fù)數(shù)取實部;、
、稱為復(fù)數(shù)振幅,故
(2-3-3)時諧電場矢量對時間的一階、二階導(dǎo)數(shù)可用復(fù)數(shù)表示為
(2-3-4a)
(2-3-4b)下面導(dǎo)出復(fù)數(shù)形式的麥克斯韋方程組。將場矢量都按上述規(guī)則表示,則麥克斯韋第一方程(2-1-7a)可寫成
式中,是對空間坐標的微分運算,它與取實部符號Re可調(diào)換運算順序。省略等式兩邊的Re,同時為了簡便,約定不寫出時間因子ejωt,可得麥克斯韋方程的復(fù)數(shù)形式為
(2-3-5a)同理可得
(2-3-5b)
(2-3-5c)
(2-3-5d)
例2-3-1
在無源無耗的理想介質(zhì)中,試由麥克斯韋方程導(dǎo)出時諧電磁場滿足的復(fù)數(shù)形式的波動方程
(2-3-6a)
(2-3-6b)
其中
(2-3-6c)
解
在無源無耗的理想介質(zhì)中,復(fù)數(shù)形式的麥克斯韋方程組是
對麥克斯韋第二方程兩邊取旋度,得
利用矢量恒等式,將麥克斯韋第一和第四方程代入上式,整理得
電磁場是具有能量的,如何表示電磁的能量??
2.4坡印廷定理坡印廷矢量定義:S的單位為瓦特每平方米(W/m2)表示單位時間內(nèi)通過單位面積的能量,S也稱為功率流密度矢量或能流密度矢量,其方向就是功率流的方向。坡印廷定理:左邊單位時間流入封閉區(qū)域的能量。
右邊第一項是體積τ內(nèi)每秒電場能量和磁場能量的增加量,
第二項是體積τ內(nèi)焦耳熱損耗功率(即單位時間內(nèi)以熱能形式損耗在體積內(nèi)的能量)。
符合能量守恒原理。對于時諧電磁場,坡印廷定理可以用復(fù)數(shù)表示,計算一周的平均功率流密度矢量更有意義,下面來求坡印廷矢量的平均值Sav。時諧電磁場用復(fù)數(shù)表示為
式中“*”表示取共軛。坡印廷矢量瞬時值為
上式第一項與時間無關(guān),第二項在一個周期內(nèi)的積分等于零,因此在一個周期T=2π/ω內(nèi)坡印廷矢量的平均值為
(2-4-5)
稱為平均坡印廷矢量。令復(fù)坡印廷矢量為
(2-4-6)下面從麥克斯韋方程出發(fā),導(dǎo)出時變場中電磁能量的守恒關(guān)系——坡印廷定理。
用H點乘式(2-1-16b),用E點乘式(2-1-16a),將所得的兩式相減,可得
(2-4-1)
利用矢量恒等式
由E·E=E2、H·H=H2的關(guān)系,式(2-4-1)可寫為
(2-4-2)
將上式兩邊對封閉面S所包圍的體積τ進行積分,并利用散度定理,同時改變等式兩邊的符號,可得
(2-4-3)
例2-4-1
設(shè)同軸線內(nèi)外導(dǎo)體半徑分別為a、b,它們都是理想導(dǎo)體,兩導(dǎo)體間填充介電常數(shù)為ε、磁導(dǎo)率為μ0的理想介質(zhì),內(nèi)外導(dǎo)體分別通過電流I和-I,其間電壓為U。
(1)試求同軸線內(nèi)的坡印廷矢量;(2)證明內(nèi)外導(dǎo)體間向負載傳送的功率為UI。
解
(1)電場垂直于導(dǎo)體表面沿徑向,其大小沿圓周方向是軸對稱的,設(shè)內(nèi)外導(dǎo)體上單位長度的帶電量分別為ρl和-ρl,應(yīng)用高斯定理,沿同軸線軸線方向取長度為l,半徑為ρ(a<ρ<b)的圓柱高斯面,可得
內(nèi)外導(dǎo)體間電壓為
故
由安培環(huán)路定律得
故坡印廷矢量為
(2)傳輸功率為
該例題說明傳輸線所傳輸?shù)墓β势鋵嵤峭ㄟ^內(nèi)外導(dǎo)體間的電磁場傳送的,導(dǎo)體結(jié)構(gòu)只起著引導(dǎo)的作用。2.5.1位函數(shù)的定義
由麥克斯韋第三方程,又由于
,因而可以引入矢量位函數(shù)A
A的單位是韋伯每米(Wb/m)。將上式代入麥克斯韋第二方程,得
2.5電磁場的位函數(shù)(2-5-1)即
(2-5-2)
這說明,
是無旋場,因而可以引入標量位函數(shù)
(2-5-3)
即
(2-5-4)2.5.2達朗伯方程
下面推導(dǎo)位函數(shù)滿足的方程。將式(2-5-1)和式(2-5-4)代入麥克斯韋第一方程,得
(2-5-5)
利用矢量恒等式,上式簡化為
(2-5-6)要唯一地確定矢量位A,除規(guī)定它的旋度外,還必須規(guī)定它的散度,為了使上式簡化,可以規(guī)定
(2-5-7)
上式稱為洛倫茲條件,代入式(2-5-6),得
(2-5-8)對于標量位函數(shù)
,把式(2-5-4)代入第四麥克斯韋方程,并利用洛侖茲條件,可得
(2-5-9)
式(2-5-8)和式(2-5-9)稱為達朗伯方程,也稱為A和
的非其次波動方程。采用洛侖茲條件,矢量位A僅由電流分布J決定,標量位
僅由電荷分布ρ決定,這對求解方程是特別有利的。當然,
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