2021屆高考化學二輪備考訓練：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題（選修）（解析版）

物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題(選修)【原卷】

1.(2021?云南高三一模)Ag2[HgL]是一種重要的無機熱致變色示溫材料。回答

下列問題：

(1)Hg在元素周期表中位于第六周期，且與Zn同族，則基態(tài)Hg原子的價層

電子排布式為o

(2)單質(zhì)Hg在過量的Cb中加熱可生成HgCL(熔點280℃,易升華,俗稱升汞)，

則HgCb的晶體類型為一o

(3)HICh酸性強于HIO的原因是____,IO；的立體構(gòu)型為o

(4)含有多個配位原子的配體與同一中心離子(或原子)通過鰲合配位成環(huán)而形成

的配合物為螯合物。一種Ag+配合物的結(jié)構(gòu)如圖所示。

Imol該配合物中通過鰲合作用與Ag+形成的配位鍵有mol,該配合物中處

于同周期的三種非金屬元素，電負性最小的是____(填元素符號)，其原子的雜

化類型為。

(5)AgzIHgL]在低溫條件下為四方晶系結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)分別為apm、bpm,

a=p=y=90,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。若AgzIHgL晶體的密度為pg?cm-3,貝!]

NA=mol”。

QHg：-

OI-

QAg*

2.(2021?河北張家口市?高三一模)B和Ni均為新材料的主角?；卮鹣铝袉栴}:

(1)基態(tài)B原子的核外電子有一種空間運動狀態(tài)；基態(tài)Ni原子核外占據(jù)最高能

層電子的電子云輪廓圖的形狀為

(2)硼的鹵化物的沸點如表所示：

鹵化物

BF3BC13BBr3

沸點/℃-100.312.590

①解釋表中鹵化物之間沸點差異的原因

②表中鹵化物的立體構(gòu)型均為

(3)高氯酸三碳酰朋合銀[Ni(NH2NHCONHNH2)3](ClO4)2是一種新型起爆藥。

①該物質(zhì)中含有3個六元環(huán)，與C相連的N原子不能提供形成配位鍵的孤電子

對。則Imol該物質(zhì)中含有配位鍵的數(shù)目為

②C、N、O的第一電離能由大到小的順序為

③CIO；中C1原子的雜化形式為_；該離子中的鍵角_(填“大于”或“小于”)N2H4

中的鍵角。

④HCICh的酸性強于HCKh的原因為

(4)硼化鈣可用于新型半導體材料，一種硼化鈣的晶胞結(jié)構(gòu)及沿z軸方向的投

影圖如圖所示，硼原子形成的正八面體占據(jù)頂角位置。若阿伏加德羅常數(shù)的值為

NA,晶體密度p=_g*cm\

晶胞結(jié)構(gòu)沿Z軸方向投影圖

3.(2021?江西高三模擬)鎮(zhèn)是近些年來化學研究的熱門金屬?；卮鹣铝袉栴}：

(1)寫出銀的電子排布式

(2)銀與鐵相比，銀更不易形成正三價，原因是

(3)鎮(zhèn)常壓下可以和一氧化碳形成四段基銀配合物，在該配合物中，銀的化合

價為

(4)丁二酮后的結(jié)構(gòu)如圖，其中C的雜化方式為分子中所含元素電負性從

大到小的順序為丁二酮后可以與銀形成配合物，是檢測銀的重要手段之一，

若在該配合物中銀的配位數(shù)是4,畫出該配合物的結(jié)構(gòu)o

HO-NN-OH

(5)紅碑銀礦的六方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該化合物的化學式為其晶胞參數(shù)

為apm和cpm,阿伏伽德羅常數(shù)為NA,則該晶體密度為—g/cm、填用a、c表

達的計算式)。

cpmONi

■As

apm

4.(2019?河北石家莊市?高三一模)鹵族元素形成的單質(zhì)及其化合物有廣泛的應

用。請回答：

(1)基態(tài)Br原子的電子排布式為；與其位于同周期且基態(tài)原子未

成對電子數(shù)相同的過渡元素為(填元素符號)。

(2)F、CkBr形成的簡單氫化物的沸點由高到低的順序為,分析

其原因為o

(3)F、H可分別與N形成NF3和NH3.NH3可與C/+形成配離子，但NF3卻不

易形成，其原因為。

(4)氯元素可形成QO；、co,和等多種含氧酸根離子，上述三種離子中鍵角

由大到小的順序為o

(5)C1和Na可形成多種化合物。

①NaCl與CsCI的晶體結(jié)構(gòu)不同，主要原因為o

②C1和Na在高壓下形成的一種晶體的晶胞如圖所示(大球代表氯，小球代表鈉)。

該晶體的化學式為;已知阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則該晶體的密

度為g/cm3(列出計算式)o

5.（2021?山東濟寧市?高三一模）ZnGeP?和KTiOPO,都是非線性光學晶體材料，回

答下列問題：

（1）基態(tài)Ge原子的價電子排布式為,S、P、K、Zn按第一電離能由大

到小的順序排列為o

（2）用0、PH-KH按熔點由高到低的順序排列為o

（3）N、P同主族，已知$0為直線形結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)式為N=N=O,則'O是

（填“極性”或“非極性”）分子，中間氮原子的雜化軌道類型為雜化。

（4）磷能形成多種含氧酸，某弱酸次磷酸的結(jié)構(gòu)如圖甲所示，則次磷酸分子中。

鍵與兀鍵數(shù)目之比為,則NaH2PO2溶液中各離子濃度由大到小的順序為

H/OH

甲

（5）ZnGeP?晶胞結(jié)構(gòu)如圖乙所示。

乙

①Ge的配位數(shù)為,以Ge為頂點的晶胞中，Zn原子位于。

②原子的分數(shù)坐標，即將晶胞參數(shù)a、b、c均看作“1”所得出的三維空間坐標,

則晶胞圖中“2”P原子的分數(shù)坐標為o

6.(2021?山東臨沂市?高三一模)我國科研工作者最近發(fā)現(xiàn)并制備了一系列主要

由O、P、Se、Bi等元素組成的導電材料?；卮鹣铝袉栴}：

(1)基態(tài)硒原子的價電子排布式為;Se(h的熔點為350C,加熱易升

華，固態(tài)SeCh屬于晶體。

(2)O、P、S三種元素中，電負性最大的是______；鍵角：H2OILSe(填

“>”、”<”或“=")。

(3)純凈的磷酸粘度極大，隨溫度升高粘度迅速下降，原因是_______;熔融狀

態(tài)的磷酸導電性很好，這是由于在純磷酸中存在如下質(zhì)子交換導電機理。

由此可以推知純磷酸液體中存在的導電微粒是［P(OH)4］和,［P(OH)J的空

間構(gòu)型為。

(4)硒氧化秘是一類全新二維半導體芯片材料，為四方晶系晶胞結(jié)構(gòu)(如圖所示),

可以看成帶正電的［Biqj：層與帶負電的曲片層交替堆疊。據(jù)此推斷硒氧化錫的

化學式為，其中Se的分數(shù)坐標為o晶胞棱邊夾角均為90。，硒氧

化錫的摩爾質(zhì)量為Mgmol1,則晶體密度的表達式為g?cm-3(NA為阿伏

加德羅常數(shù)的值）。

加廿

iBiAr

⑶廣

7.（2021?遼寧沈陽市?高三一模）人體必需的元素包括常量元素與微量元素，常

量元素包括碳、氫、氧、氮、鈣、鎂等，微量元素包括鐵、銅、鋅、氟、碘等,

這些元素形成的化合物種類繁多，應用廣泛。

（1）鋅、銅、鐵、鈣四種元素與少兒生長發(fā)育息息相關(guān)，請寫出Fe?+的核外電

子排布式o

（2）1個+與2個H?N-CH「COO形成含兩個五元環(huán)結(jié)構(gòu)的內(nèi)配鹽（化合物）,

其結(jié)構(gòu)簡式為（用一標出配位鍵），在H?N-CH?-COCF中，屬于第二周期

的元素的第一電離能由大到小的順序是______（用元素符號表示），N、C原子存

在的相同雜化方式是_______雜化。

（3）堿酸鹽中的陽離子不同，熱分解溫度就不同，查閱文獻資料可知，離子半

徑r（Mg2+）=66pm,r（Ca2+）=99pm,r（Sr2+）=112pm,r（Ba2+）=135pm.碳酸鹽分解溫

度T（MgCC>3）=402℃,T（CaCO3）=825℃,T（SICO3）=1172℃,T（BaCO3）=1360℃o分析

數(shù)據(jù)得出的規(guī)律是,解釋出現(xiàn)此規(guī)律的原因是O

（4）自然界的氟化鈣礦物為螢石或氟石，CaF2的晶體結(jié)構(gòu)呈立方體形，其結(jié)構(gòu)

如下：

CaF,晶體結(jié)構(gòu)示意圖

①兩個最近的F之間的距離是Pm（用含m的代數(shù)式表示）。

②CaF?晶胞的密度是g-cm文化簡至帶根號的最簡式，N,、表示阿伏加德羅

常數(shù)的值）。

8.（2021?四川瀘州市?高三二模）第IVA元素在地殼中含量豐富，在人類生活各

方面都有廣泛的應用?；卮鹣铝袉栴}。

（1）基態(tài)C原子中填充了電子的原子軌道共有個，基態(tài)Si原子的

價電子電子排布式為，第一電離能CGe（填“大于”、

“小于，，或“等于，，）。

（2）X是碳的一種氧化物，X的五聚合體結(jié)構(gòu)如圖1所示。則X的分子式為

;X分子中每個原子都滿足最外層8電子結(jié)構(gòu)，X分子的電子式為

oX的沸點CO2的沸點（填“大于”、“小于”或“等于”）

（3）C20分子是由許多正五邊形構(gòu)成的空心籠狀結(jié)構(gòu)如圖2所示，分子中每個碳

原子只跟相鄰的3個碳原子形成化學鍵。則C20分子中含個。鍵，請

你大膽猜測：C20分子中碳原子的雜化軌道為

(4)口-SiC晶胞如圖3所示，若碳和硅的原子半徑分別為apm和bpm,密度

為Pg/cn?,其原子的空間利用率(即晶胞中原子體積占空間體積的百分率)為

(用含a、b、p、NA的代數(shù)式表示，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)。

9.(2021?福建福州市?高三一模)偏硼酸領(BBO)和三硼酸鋰(LBO)晶體是兩種性

能優(yōu)異的非線性光學晶體，化學組成分別為Ba(BO2)2、LiB3O5

(1)組成兩種晶體的四種元素電負性從大到小的順序是________

(2)環(huán)硼氮烷B3H6沖又稱無機苯，其球棍模型如圖。其中氮原子的雜化類型為

繆

(3)氨硼烷NH3BH3可以作為機動車使用的備選氫來源或氫儲存的材料。氨硼

烷相對分子質(zhì)量為31、熔點104c.氨硼烷熔點較高的原因可能是(填

選項符號)。

A.和乙烷是等電子體B.分子間存在氫鍵C.形成離子晶體

(4)氨硼烷受熱或水解都能釋放氫氣，加熱氨硼烷時，它首先會聚合成(NHBH》,

繼續(xù)加熱，再繼續(xù)聚合成(NHBH),而氨硼烷在催化劑存在下水解生成偏硼酸錢

NH4BO2等量氨硼烷若徹底反應，加熱法和水解法釋放氫氣的量比為

(5)2017年科學家才確定基態(tài)金屬鋰晶體為FCC(面心立方晶格)，面心立方緊

密堆積結(jié)構(gòu)示意圖:

蹈S

晶胞中鋰的配位數(shù)為o若晶胞邊長為apm,則鋰原子的半徑r為

10.(2021?新疆高三一模)碳族元素的單質(zhì)及其化合物在生產(chǎn)、生活中是一類重

要物質(zhì)。請回答下列問題：

(1)硅原子核外有種不同運動狀態(tài)的電子，第一電離能介于鋁和硅之間

的元素的名稱為O碳族元素最外層電子排布的通式為O

(2)下列說法不正確的是__________

A.二氧化硅的相對分子質(zhì)量比二氧化碳大，所以沸點SiO2>CO2

B.N2與CO互為等電子體，結(jié)構(gòu)相似，化學性質(zhì)相似

C.穩(wěn)定性：H2O>H2S,原因是水分子間存在氫鍵

(3)青蒿素(Cl5H22。5)的結(jié)構(gòu)如圖所示，圖中數(shù)字標識的五個碳原子的雜化軌道

類型為Sp2的是__________(填碳原子的標號)，組成青蒿素的三種元素的電負

性由大到小排序是__________。

(4)青蒿素分子中，從成鍵方式分析氧元素形成的共價鍵類型有

從青蒿中提取青蒿素的最佳溶劑是__________O

a.乙醇b.乙醛c.水

(5)SnCh是一種重要的半導體傳感器材料，用來制備靈敏度高的氣敏傳感器,

SnCh與熔融NaOH反應生成Na2SnO3,NazSnCh中陰離子空間構(gòu)型為

(6)由碳族元素形成的單質(zhì)和化合物在電池領域非常重要，某含碳元素晶體

AMXK相對分子質(zhì)量為Mr)是半導體，常用作吸光材料，有鈣鈦礦的立方結(jié)構(gòu),

其晶胞如圖所示。AMX3晶胞中與陽離于(M)距離最近的陰離子(X)形成正八面體

結(jié)構(gòu)，則X處于__________位置。晶體的晶胞參數(shù)為anm,其晶體密度為「g

?cm-3,則阿伏加德羅常數(shù)NA的計算表達式為o

11.(2021?重慶巴蜀中學高三月考)硫氨化核(NH4SCN)廣泛應用于無機、有機、

醫(yī)藥、電鍍、印染、農(nóng)藥、鋼鐵等工業(yè)。回答下列問題：

(1)硫氧化鉉溶液遇Fe3+顯示血紅色，反應生成［Fe(SCN)6p-離子。Fe3+的價層

電子排布圖為，該離子中。鍵和，鍵的個數(shù)比為O

(2)S、C、N、H四種元素的電負性大小順序為o

(3)硫氧化鍍加熱到170℃異構(gòu)化轉(zhuǎn)化為硫胭(H2NCSNH2),C原子的雜化方式

由___________變?yōu)閛

(4)硫氧化錢加熱到一定溫度，分解產(chǎn)生N%、CS2和HzS。CS2的空間構(gòu)型是

，H2s分子中S的價層電子對數(shù)為,相同條件下N%

在水中的溶解度遠遠大于H2s的主要原因是__________o

（5）硫服的晶體結(jié)構(gòu)如圖，其晶胞參數(shù)a=b=xnm,c=ynm,a=P=Y=90°o其結(jié)

構(gòu)特點是在晶胞中心位置有一分子，它的分子平面取向與頂點分子的分子平面取

向垂直，但其C=S的取向與頂點分子的C=S方向相反。則硫服的密度為

g/cm3（列出計算表達式）o

12.（2021?吉林長春市?高三二模）近年來，我國工程建設自主創(chuàng)新能力實現(xiàn)大跨

越，尤其在新材料研究方面有重大突破，回答下列問題：

（1）鈦是一種新興的結(jié)構(gòu)材料，比鋼輕、比鋁硬?；鶓B(tài)鈦原子的價電子排布式

為，與鈦同周期的元素中，基態(tài)原子的未成對電子數(shù)與鈦相間的有

種；

（2）鐵能與三氮嘎（結(jié)構(gòu)見圖甲）形成多種配合物。

環(huán)戊二烯

圖乙

①1mol三氮嗖中所含o鍵的數(shù)目為mol；碳原子雜化方式是—一；

②三氮理的沸點為260℃,與之結(jié)構(gòu)相似且相對分子質(zhì)量接近的環(huán)戊二烯（結(jié)構(gòu)見

圖乙）的沸點為42.5C,前者沸點較高的原因是_____o

（3）碳化鴇是耐高溫耐磨材料。圖丙為碳化鴇晶體的部分結(jié)構(gòu)，碳原子嵌入金

屬的晶格間隙，并不破壞原有金屬的晶格，形成填隙化合物。

圖內(nèi)圖丁

①在該結(jié)構(gòu)中，每個鴇原子周圍距離其最近的碳原子有個：

②假設該部分晶體的體積為Ven?,碳化鴇的摩爾質(zhì)量為Mg?mol“，密度為d

3

g-cm,則阿伏加德羅常數(shù)的值NA用上述數(shù)據(jù)表示為o

③金屬鎂的晶體結(jié)構(gòu)與碳化鴇相似，金屬鎂的晶胞可用圖丁表示，已知鎂原子的

半徑為rpm,晶胞高為hpm,求晶胞中鎂原子的空間利用率（用化簡后

含字時冗、r和h的代數(shù)式表示）

13.（2021?河北唐山市?高三一模）血紅素是由口卜琳與Fe2+形成的配合物。血紅素

不溶于水，溶于丙酮（CH3coeHJ和堿性水溶液。

血紅素結(jié)構(gòu)簡式

（1）請寫出Fe在元素周期表中的位置___________,基態(tài)Fe2+的核外電子排布

式為O

（2）血紅素分子中N原子的雜化軌道類型有,ImolCH3coe也含有。

鍵的數(shù)目為o

（3）KSCN或NH4SCN溶液是檢驗Fd+的常用試劑，SCN的空間構(gòu)型為

（用文字描述），寫出一種與SCN互為等電子體的分子（寫化學

式）。

（4）丙酮和乙醇的有關(guān)數(shù)據(jù)如下：

CH3coe也（丙

化合物C2H50H（乙醇）

酮）

沸點/℃7856.5

丙酮和乙醇的晶體類型均為,它們沸點差異的原因是__________o

（5）在自然界中TiO?有三種晶型，其中最重要的是金紅石型，晶胞結(jié)構(gòu)和投影

圖如下，晶胞棱邊夾角均為90。，晶胞參數(shù)為apm、apm、cpm,設阿伏加德羅

常數(shù)的值為NA,貝!iTi”+離子的配位數(shù)是__________,RO?的密度為

g.cmI列出計算式）。

apm

Oe

OTi

Z

o-

u.

Z=z=L7

14.（2021?甘肅蘭州市?高三一模）電池在人類生產(chǎn)生活中具有十分重要的作用,

工業(yè)上采用FeCh、NH4H2P04、LiCl和苯胺(?f%)等作為原料制備鋰離子電

池正極材料磷酸亞鐵鋰(LiFePCh),采用單晶硅和銅、楮、錢、硒等的化合物作

為太陽能電池的制備原料。

(1)基態(tài)硒原子的價電子排布式是

(2)下圖表示碳、硅和磷元素的四級電離能變化趨勢，其中表示碳元素的曲線

是_(填標號)。

段、M和碑無事的內(nèi)爆電離能文化越勢

(3)苯胺中N原子的雜化方式為,分子中。鍵與7T鍵的數(shù)目比為

(4)自然界中含硼元素的鈉鹽存在于天然礦藏中，其化學式為Na2B4O710H2O,

它的結(jié)構(gòu)單元是由兩個H3BO3和兩個[B(OH4)「縮合而成的雙六元環(huán)，應該寫成

Na2[B4O5(OH)4]-8H2O,其結(jié)構(gòu)如下圖所示，則該晶體中不存在的作用力是

O(填選項字母)。

0H

T

O-B-0

/Iv\

2Na,HO-BOB-OH?8H,O

OH

A.離子鍵B.共價鍵C.金屬鍵D.范德華力E.氫鍵

(5)①圖1為某金屬單質(zhì)的晶胞示意圖，其堆積方式的名稱為

B

②圖2為銅的某種氯化物晶胞示意圖，該物質(zhì)的化學式是<,原子坐

標參數(shù)可表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置，上圖中各原子坐標參數(shù)A為(0,0,

0)；B為(0,L1)；C為(1,1,0)；則D原子的坐標參數(shù)為o

③圖示晶胞中C、D兩原子核間距為298pm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則該

晶體密度為g?cm-3(列出計算式即可)。

15.(2021?河南洛陽市?高三模擬)12月17日凌晨，嫦娥五號完成“挖土”之旅

返回地球。查閱資料，月球玄武巖是構(gòu)成月球的巖石之一，主要由輝石(主要成

分硅酸鹽)和鈦鐵礦(主要成分FeTiO。等組成?；卮鹣铝袉栴}：

(1)基態(tài)鐵原子的價電子排布式為：o

(2)與Fe同周期，且最外層電子數(shù)相同的主族元素是_____(填元素符號)。

(3)基態(tài)Ti原子核外電子占據(jù)的最高能層符號為；其最外層電子的電子

云輪廓圖為。

(4)lmoIFe3[Fe(CN)612中含有o鍵數(shù)為,[Fe(CN)6「-中配體為,

其中C原子的雜化軌道類型為,H、C、N、Si四種元素的電負性由大到

小的順序為o

(5)FeTiCh的結(jié)構(gòu)如圖1所示，其中由O圍成的(填“四面體空隙”或

“八面體空隙”)被Fe占據(jù)。在圖2中畫出FeTiCh結(jié)構(gòu)的另一種表示(要

求：Fe處于晶胞的頂點)，Ti的配位數(shù)為o

(6)已知該晶胞的密度為pg/cm3,NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。計算晶胞參數(shù)

a=pmo(列出計算表達式)

Fe

Ti

O

圖1

16.(2021?內(nèi)蒙古呼和浩特市?高三一模)2017年4月26日9時中國首艘國產(chǎn)航

母在大連成功下水，標志著我國自主設計建造航空母艦取得重大階段性成果。

(1)航母用鋼可由低硅生鐵冶煉而成。

①Fe2+的價層電子排布圖為。

②影響晶格能大小的因素包括o

A.離子半徑B.離子所帶電量C.晶體中離子的排列方式D.共價鍵鍵長

③FeO、NiO的晶體結(jié)構(gòu)與NaCI的晶體結(jié)構(gòu)相同，熔點FeO小于NiO,理由是

(2)航母螺旋槳主要用銅合金制造。含銅廢液可以利用銅萃取劑M,通過如下

反應實現(xiàn)銅離子的富集，進行回收。

①上述反應中發(fā)生變化的化學鍵有

A.離子鍵B.金屬鍵C.共價鍵D.氫鍵E.配位鍵

②X所含元素的電負性由大到小的順序為o（用元素符號表示），采用

sp3雜化的非金屬原子有（元素符號），采用sp2雜化的原子有

__________個。

③X難溶于水、易溶于有機溶劑，試判斷X的晶體類型為o

（3）航母艦艇底部涂有含Cu2O的防腐蝕涂料。已知Cu2O的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示:

①該晶胞結(jié)構(gòu)中銅原子的配位數(shù)是o

②已知該晶體的密度為dg?cmJ,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則該立方晶胞的參

數(shù)是__________nm

物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題(選修)

1.(2021?云南高三一模)Ag2[HgL]是一種重要的無機熱致變色示溫材料。回答

下列問題：

(1)Hg在元素周期表中位于第六周期，且與Zn同族，則基態(tài)Hg原子的價層

電子排布式為o

(2)單質(zhì)Hg在過量的Cb中加熱可生成HgCL(熔點280℃,易升華,俗稱升汞)，

則HgCb的晶體類型為一o

(3)HICh酸性強于HIO的原因是____,IO；的立體構(gòu)型為o

(4)含有多個配位原子的配體與同一中心離子(或原子)通過鰲合配位成環(huán)而形成

的配合物為螯合物。一種Ag+配合物的結(jié)構(gòu)如圖所示。

Imol該配合物中通過鰲合作用與Ag+形成的配位鍵有mol,該配合物中處

于同周期的三種非金屬元素，電負性最小的是____(填元素符號)，其原子的雜

化類型為。

(5)AgzIHgL]在低溫條件下為四方晶系結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)分別為apm、bpm,

a=p=y=90,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。若AgzIHgL晶體的密度為pg?cm-3,貝!]

NA=mol”。

"g"

【答案】5d］。6s2分子晶體HKh中的非羥基氧數(shù)目更多，使得I的正電性

330

更高，羥基更容易電離出H+三角錐形4Bsp^f^xlO

【詳解】

(1)基態(tài)汞原子的價層電子排布式為：5d,06s2；

(2)HgCk熔點280℃,易升華，則HgCb為分子晶體；

(3)同HIO比較，HKh分子中非羥基氧原子數(shù)多I的正電性高，導致O的電

子向I偏移，因而在水分子的作用下，易電離出氫離子，酸性較強，10l的價電

子對數(shù)為1+3=4(孤電子數(shù)+〃鍵電子對數(shù))，所以為sp3雜化，立體構(gòu)性為三角錐

形；

(4)由結(jié)構(gòu)圖可知Imol該配合物中通過鰲合作用與Ag+形成的配位鍵有4mol；

B、C、N位于同一周期，原子序數(shù)B<C<N,所以電負性最小為B,價電子對數(shù)

為4,所以為sp3；

(5)1原子有：：x8+〈xio+；x4+l=8個，Ag原子有4個，Hg原子有2個，體積

oZ4

8x127+4x108+2x2011850

,(),o1()230m=--------------------

為ax10'cmxaxlO'cmxbxlOcm=abxlO-9

NA

m18501850

'-U—Na2bxlO-30，所以NA=xl030o

Apa2b

2.(2021?河北張家口市?高三一模)B和Ni均為新材料的主角。回答下列問題:

(1)基態(tài)B原子的核外電子有一種空間運動狀態(tài)；基態(tài)Ni原子核外占據(jù)最高能

層電子的電子云輪廓圖的形狀為

(2)硼的鹵化物的沸點如表所示：

鹵化物

BF3BC13BBr3

沸點/℃-100.312.590

①解釋表中鹵化物之間沸點差異的原因

②表中鹵化物的立體構(gòu)型均為一。

(3)高氯酸三碳酰胱合鎮(zhèn)[Ni(NH2NHCONHNH2)3](ClO4)2是一種新型起爆藥。

①該物質(zhì)中含有3個六元環(huán)，與C相連的N原子不能提供形成配位鍵的孤電子

對。則Imol該物質(zhì)中含有配位鍵的數(shù)目為

②C、N、O的第一電離能由大到小的順序為

③CIO；中CI原子的雜化形式為_；該離子中的鍵角_(填“大于”或“小于”)N2H4

中的鍵角。

④HCIO4的酸性強于HCIO2的原因為

(4)硼化鈣可用于新型半導體材料，一種硼化鈣的晶胞結(jié)構(gòu)及沿z軸方向的投

影圖如圖所示，硼原子形成的正八面體占據(jù)頂角位置。若阿伏加德羅常數(shù)的值為

NA,晶體密度p=_g*cm'3o

晶胞結(jié)構(gòu)沿Z軸方向投影圖

【答案】5球形均為分子晶體，相對分子質(zhì)量不同平面三角形

6NAN>O>Csp3大于HCICh中非羥基氧的數(shù)目比HCKh的多,

HCIO4中CI的正電性更高，導致C1-O-H中的電子向C1偏移程度比HClOi的大，

72.4

HCIO4更易電離出氫離子(axgN

【詳解】

(1)B原子序數(shù)為5,核外右5個電子，有5種運動狀態(tài)；Ni有28個電子，電

子排布式為Is22s22P63523P63dzs2,最高能層第4層，4s為球形；

故答案為：5；球形。

(2)①BF3、BCh、BBr3為分子晶體，沸點與相對分子質(zhì)量成正比，相對分

子質(zhì)量高，沸點高；

故答案為：均為分子晶體，相對分子質(zhì)量不同。

②B形成3個3鍵，孤電子對數(shù)為0,為sp2雜化，立體結(jié)構(gòu)為平面三角形；

故答案為：平面三角形。

(3)①Imol該物質(zhì)中含有配位鍵數(shù)目為6NA;

故答案為：6NAO

②C、N、O第一電離能從大到小的順序：N>O>C；

故答案為：N>O>Co

③CIO；中Cl的雜化方式為sp3雜化，CI的孤電子對為0,價層電子數(shù)為4,該離

子中的鍵角大于N2H4中的鍵角；

故答案為：sp3；大于。

④HC1O4的酸性強于HC1O2的原因：HCIO4中非羥基氧的數(shù)目比HC1O2的多，

HCK)4中C1的正電性更高,導致CLO-H中的電子向CI偏移程度比HC1O2的大，

HCIO4更易電離出氫離子；

故答案為:HCIO4中非羥基氧的數(shù)目比HCIOz的多,HC1O4中CI的正電性更高，

導致C1-O-H中的電子向C1偏移程度比HCIOi的大,HCIO4更易電離出氫離子。

，、—人w11、，/…7\33x10.8+40

(4)晶胞中B個數(shù)，8x-+8x—=3,Ca為1,P><(axl0-7)=--—

841NA

7*3

故答案為：(axlO-)NA°

3.(2021?江西高三模擬)銀是近些年來化學研究的熱門金屬。回答下列問題：

(1)寫出銀的電子排布式

(2)鎮(zhèn)與鐵相比，銀更不易形成正三價，原因是__o

(3)銀常壓下可以和一氧化碳形成四談基銀配合物，在該配合物中，銀的化合

價為

(4)丁二酮后的結(jié)構(gòu)如圖，其中C的雜化方式為分子中所含元素電負性從

大到小的順序為__。丁二酮后可以與銀形成配合物，是檢測銀的重要手段之一，

若在該配合物中銀的配位數(shù)是4,畫出該配合物的結(jié)構(gòu)o

HO-NN-OH

(5)紅碑銀礦的六方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該化合物的化學式為。其晶胞參數(shù)

為apm和cpm,阿伏伽德羅常數(shù)為NA,則該晶體密度為填用a、c表

達的計算式)。

cpmONi

■As

apm

【答案】［Ar］3d84s2價鐵的外層電子排布式為半充滿3d5,而三價銀為3d7,

因此三價鍥不如三價鐵穩(wěn)定0sp2、sp3O>N>C>H

NiAsxlO30

八2八A

【詳解】

(1)鎮(zhèn)為28號元素，根據(jù)構(gòu)造原理書寫電子排布式：［41宓4s2；

(2)三價鐵的外層電子排布式為半充滿3d5,更穩(wěn)定，因此鐵更容易生成三

價鐵；

(3)?；鵆O為中性配位體，化合物為電中性，因此銀為。價；

(4)碳有飽和碳和雙鍵碳兩種，因此碳雜化類型有兩種，為sp\sp?分子中含有

碳、氫、氧、氮四種元素，電負性大小為0>N>C>H；已知配位數(shù)是4,丁二酮

胎有兩個N、兩個O,共四個配位原子，但N、O離得很近，不能起參加配位,

故可以判斷配位體要兩分子的丁二酮后,用兩個N原子配位正好形成穩(wěn)定的五元

環(huán)，而且-OH正好形成六元環(huán)氫鍵，很穩(wěn)定，因此可以得出該配合物的結(jié)構(gòu)為

(5)由晶胞圖用分攤法計算，有兩個As原子，Ni原子數(shù)目為：4x」+8x』=2,

4o

因此化學式為NiAs,一個晶胞中兩個NiAs,晶胞為六方晶胞，晶胞的體積為

134x2

---------g

303

a2csin60。，根據(jù)密度公式。=?=一*——=x10g/cmo

va2c^l0-30cm3N百c"

2A2

4.(2019?河北石家莊市?高三一模)鹵族元素形成的單質(zhì)及其化合物有廣泛的應

用。請回答：

(1)基態(tài)Br原子的電子排布式為；與其位于同周期且基態(tài)原子未

成對電子數(shù)相同的過渡元素為(填元素符號)。

(2)F、CkBr形成的簡單氫化物的沸點由高到低的順序為，分析

其原因為o

(3)F、H可分別與N形成NF3和NH3.NH3可與CM+形成配離子，但NF3卻不

易形成，其原因為。

(4)氯元素可形成ci。;、c0和CIO,等多種含氧酸根離子，上述三種離子中鍵角

由大到小的順序為。

(5)C1和Na可形成多種化合物。

①NaCl與CsCl的晶體結(jié)構(gòu)不同，主要原因為0

②C1和Na在高壓下形成的一種晶體的晶胞如圖所示(大球代表氯，小球代表鈉)。

該晶體的化學式為;已知阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則該晶體的密

度為g/cn?(列出計算式)o

【答案】[Ar]3d1°4s24P§Sc>CuHF>HBr>HCIHF可形成分子間氫鍵,

沸點最高;HBr相對分子質(zhì)量比HC1大，分子間作用力大，因而HBr的沸點比

HC1高F的電負性比N大，N—F成鍵電子對向F偏移，導致NF3中N原子

核對其孤對電子的吸引能力增強，難以形成配位鍵ClQ>cio；>ciO；晶體

中正負(或陰陽)離子的半徑比不同(或幾何因素不同、半徑不同)Na2a

81.5x2

*23421

NAxabxlO'

【詳解】

(1)溟是35號元素，核外電子排布式為[Ar]3d104s24P5；Br原子核外有1對未

成對電子，第四周期中未成對電子個數(shù)相同的元素的價電子排布可以使4s\

3dzs2、3di°4s】、4s24p',其中屬于過渡元素的有3dZs2、3di°4sl即Sc、Cu元

素；

(2)HF可形成分子間氫鍵，沸點最高；HBr相對分子質(zhì)量比HCI大，分子間

作用力大，因而HBr的沸點比HC1高，所以沸點：HF>HBr>HCl；

(3)F的電負性比N大，N—F成鍵電子對向F偏移，導致NF3中N原子核對

其孤對電子的吸引能力增強，難以形成配位鍵；

(4)CIO：中心原子價層電子對數(shù)為2+W竺=4,有2對孤電子對；CIO,中心

原子價層電子對數(shù)為3+爺*=4,有1對孤電子對；CIO；中心原子價層電子對

數(shù)為4+寫”=4,不含孤電子對；三種離子中心原子均為sp3雜化，則孤電子對

越多鍵角越小，所以鍵角Ce>CR>C10；；

（5）①NaCl和CsCl晶體中正負（或陰陽）離子的半徑比不同,Cs+半徑遠大于Na+,

所以晶體結(jié)構(gòu)不同（或幾何因素不同、半徑不同）；

②根據(jù)圖示可知Na+位于棱上、內(nèi)部和面心，所以Na+的個數(shù)為2、：+4><；+2=4,

CT位于棱上，個數(shù)為8X；=2,所以化學式為NazCI；晶胞的質(zhì)量為空g,體積

4/VA

為a2bnm3=a2bxl021cm3,所以密度為夕=（尸?g/cn^。

5.（2021?山東濟寧市?高三一模）ZnGePz和KTiOPO,都是非線性光學晶體材料，回

答下列問題：

（1）基態(tài)Ge原子的價電子排布式為,S、P、K、Zn按第一電離能由大

到小的順序排列為o

（2）也0、PH3>KH按熔點由高到低的順序排列為o

（3）N、P同主族，已知20為直線形結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)式為N=N=O,則$0是

（填“極性”或“非極性”）分子，中間氮原子的雜化軌道類型為雜化。

（4）磷能形成多種含氧酸，某弱酸次磷酸的結(jié)構(gòu)如圖甲所示，則次磷酸分子中。

鍵與兀鍵數(shù)目之比為,則NaH2PO?溶液中各離子濃度由大到小的順序為

()

II

H/\)H

甲

（5）ZnGeP?晶胞結(jié)構(gòu)如圖乙所示。

?ZnO（；r?P

乙

①Ge的配位數(shù)為,以Ge為頂點的晶胞中，Zn原子位于。

②原子的分數(shù)坐標，即將晶胞參數(shù)a、b、C均看作“1”所得出的三維空間坐標，

則晶胞圖中“2”P原子的分數(shù)坐標為o

【答案】4s24P2P>S>Zn>KH>H2O>PH3極性sp5：1

++

c(Na)>c(H2PO-)>c(OH-)>c(H)4棱心、面心

【詳解】

(1)基態(tài)Ge原子4s能級上2個電子、4P能級上2個電子為其價電子，根據(jù)核

外電子排布規(guī)律書寫其價電子排布式為4s24P2,元素的第一電離能變化規(guī)律是同

一周期從左往右呈增大趨勢，11人與111代、VA與VIA反常，同一主族從上往下

依次減小，故這幾種元素的第一電離能P>S>Zn>K,故答案為：4s24P2；P>S

>Zn>K；

(2)熔沸點：離子晶體〉分子晶體，含有氫鍵的分子晶體熔沸點較高，KH為

離子晶體、H2O和P%為分子晶體且水分子間存在氫鍵，則熔點：KH>H2O>

PH3,故答案為：KH>H2O>PH3；

(3)N、P同主族，已知N?0為直線形結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)式為N=N=。，由于該分子中

正負電荷的中心不重合，故電0是極性分子，中間氮原子上只有2個。鍵，無孤

對電子，故其雜化軌道類型為sp雜化，故答案為：極性；sp；

(4)根據(jù)單鍵均為。鍵、雙鍵為1個◎鍵與1個兀鍵，三鍵為1個。鍵與2個兀鍵，

結(jié)合次磷酸的結(jié)構(gòu)，可知次磷酸分子中。鍵與兀鍵數(shù)目之比為5：1,由于次磷酸

為一元弱酸，則NaH2P在溶液中只能水解不發(fā)生電離，溶液呈堿性，故溶液中

各離子濃度由大到小的順序為c（Na+）＞c（凡P0；）＞c（0H）＞c（H+）,故答案為：5:1;

++

c（Na）＞c（H2P0-）＞c（0H-）＞c（H）.

（5）①根據(jù)圖知，以底面面心的Ga為例，距離其最近且等距離的原子有4個，

所以Zn原子的配位數(shù)是4,如圖所示，紅色線所畫部分，如

也」

果Ge為頂點的晶胞中，Zn原子位于棱心和面心上，故答案為：4；棱心、面心；

②若把晶胞從上到下平分為2份，再把下方一半平分為8份，則2號P原子位于

其中一份的體心。若a、b、c均看作1,以1號Zn為坐標原點，則晶胞中2號

P原子的坐標為ppib

故答案為：G，;，］。

6.（2021?山東臨沂市?高三一模）我國科研工作者最近發(fā)現(xiàn)并制備了一系列主要

由O、P、Se、Bi等元素組成的導電材料。回答下列問題：

（1）基態(tài)硒原子的價電子排布式為;SeCh的熔點為350℃,加熱易升

華，固態(tài)SeCh屬于晶體。

（2）O、P、S三種元素中，電負性最大的是；鍵角：H2OHzSe（填

(3)純凈的磷酸粘度極大，隨溫度升高粘度迅速下降，原因是________;熔融狀

態(tài)的磷酸導電性很好，這是由于在純磷酸中存在如下質(zhì)子交換導電機理。

+

由此可以推知純磷酸液體中存在的導電微粒是［P9H)J和,［P(OH)4］的空

間構(gòu)型為o

(4)硒氧化秘是一類全新二維半導體芯片材料，為四方晶系晶胞結(jié)構(gòu)(如圖所示),

可以看成帶正電的［Biqj：層與帶負電的［Se片層交替堆疊。據(jù)此推斷硒氧化例的

化學式為，其中Se的分數(shù)坐標為o晶胞棱邊夾角均為90。，硒氧

化錫的摩爾質(zhì)量為Mgmol1,則晶體密度的表達式為g?cmJ(NA為阿伏

加德羅常數(shù)的值)。

【答案】4s24P4分子O>溫度升高，磷酸分子間的氫鍵被破壞

H2PO；正四面體Bi2O2Se^-xl0?

【詳解】

(1)Se是與O、S同族的主族元素，位于S的下一周期，即第四周期，主族元

素價電子即最外層電子，故Se的價電子排布式為：4S24P%SeO2晶體熔點低，

且易升華，符合分子晶體的物理性質(zhì)，故屬于分子晶體；

(2)非金屬性：O>S>P,電負性變化規(guī)律與非金屬性一致，故三者電負性最

大的為：O；MO和HzSe中心原子O和Se均含兩對孤對電子，但由于電負性O

>Se,故O對孤對電子的引力強于Se,導致H2O中孤對電子對O—H的斥力小

于HzSe中孤對電子對Se—H的斥力，故鍵角：H2O>H2Se；

(3)由于磷酸分子間存在氫鍵，故純凈的磷酸粘度極大，當溫度升高時，部分

磷酸分子間的氫鍵被破壞，導致粘度迅速下降；由圖示知，導電微粒為［P(OH)4「

和HFO”故此處填H?PO：；［P(OH)4「中心P原子價層含4個。電子對，無孤電

子對，根據(jù)價層電子對互斥理論知［P(OH)4］+空間構(gòu)型為正四面體；

(4)根據(jù)電荷守恒知，該晶胞中四Q?］：與［Se廣為1：1,故該晶體的化學式為

Bi2O2Se；以頂點Se為原點，坐標定為(0,0,0),則體心Se各個坐標值相當于

邊長的一半，故其坐標為4，9，1),即其分數(shù)坐標為(；，；，；)；該晶胞中含有Se

個數(shù)=*/2,結(jié)合化學式知該晶胞中含2個BizChSe,故該晶胞的質(zhì)量m=1^g,

該晶胞體積V=g?馳？肘。cm羋c?fO2cm303,故該晶體的密度=晶胞密度

2M

景？③。一

7.(2021?遼寧沈陽市?高三一模)人體必需的元素包括常量元素與微量元素，常

量元素包括碳、氫、氧、氮、鈣、鎂等，微量元素包括鐵、銅、鋅、氟、碘等,

這些元素形成的化合物種類繁多，應用廣泛。

(1)鋅、銅、鐵、鈣四種元素與少兒生長發(fā)育息息相關(guān)，請寫出Fe2+的核外電

子排布式O

（2）1個Cu?+與2個H?N-CH「COO形成含兩個五元環(huán)結(jié)構(gòu)的內(nèi)配鹽（化合物）,

其結(jié)構(gòu)簡式為（用一標出配位鍵），在H?N-CH「COCF中，屬于第二周期

的元素的第一電離能由大到小的順序是（用元素符號表示），N、C原子存

在的相同雜化方式是______雜化。

（3）堿酸鹽中的陽離子不同，熱分解溫度就不同，查閱文獻資料可知，離子半

徑r（Mg2+）=66pm,r（Ca2+）=99pm,r（Sr2+）=112pm,r（Ba2+）=135pm.碳酸鹽分解溫

度T（MgCC>3）=402℃,T（CaCO3）=825℃,T（SI€O3）=1172℃,T（BaCO3）=1360℃o分析

數(shù)據(jù)得出的規(guī)律是______,解釋出現(xiàn)此規(guī)律的原因是______0

（4）自然界的氟化鈣礦物為螢石或氟石，CaF2的晶體結(jié)構(gòu)呈立方體形，其結(jié)構(gòu)

如下:

CaF,晶體結(jié)構(gòu)示意圖

①兩個最近的F之間的距離是Pm（用含m的代數(shù)式表示）。

②CaF?晶胞的密度是gem文化簡至帶根號的最簡式，N,、表示阿伏加德羅

常數(shù)的值）。

H2

【答案】[Ar]3d6或is22s22P63s23P63d6°：匚:><：口二N>0>（

2H2

sp3隨著這類金屬陽離子半徑的增大，碳酸鹽的熱分解溫度逐漸升高金

屬離子半徑越小，其與碳酸根離子中氧的作用力越強，與碳的作用力則減弱，對

萬m78V2

應的碳酸鹽就越容易分解等/丁7。鼠「

2(mxlOJNA

【詳解】

(1)Fe的核電荷數(shù)為26,核外電子排布式[Ar]3d64s2或Is22522P63523P63d64s2,

Fe?+的核外電子排布式為[Ar]3d6或Is22s22P63s23P63d6。故答案為：[Ar]3d“或

Is22s22P63s23P63d6；

(2)1個Cu2+與2個H2N—CH2—COCK形成的鹽，因為含兩個五元環(huán)結(jié)構(gòu)，所

以結(jié)構(gòu)為°=!"°><"~1，，：);在HzN—C%—COCK中，屬于第二周期元素的

H，C-N，、()-C=O

H2

是C、N、O,第一電離能由大到小的順序是N>O>C,在HzN—CH2—COO-中，

N的雜化方式為sp3、C的雜化方式為sp3和sp2,相同的是sp3雜化。故答案為:

N>O>C；sp3；

(3)隨著金屬離子半徑的增大，碳酸鹽的熱分解溫度逐步升高；一般認為，含

氧酸鹽熱分解的本質(zhì)是金屬離子爭奪含氧酸根中的氧元素，金屬離子的半徑越小,

奪取含氧酸根中的氧的能力越強，含氧酸鹽的熱分解溫度越低，越易分解。故答

案為：隨著這類金屬陽離子半徑的增大，碳酸鹽的熱分解溫度逐漸升高；金屬離

子半徑越小，其與碳酸根離子中氧的作用力越強，與碳的作用力則減弱，對應的

碳酸鹽就越容易分解；

(4)①根據(jù)側(cè)面圖可看出，2mpm為面對角線的長度，邊長為④加pm,兩個最

近的「之間的距離為立方體邊長的一半，所以兩個最近的F-之間的距離為回

2

pm。故答案為：冬；

②根據(jù)圖示可知CaF2晶胞中含4個Ca?+和8個F,它的邊長為&mprn=V2m

78x47g6

xlOT°cm,利用PVNA=4M得出口=商五書;學皿三荷布而g-cmH

_78后

3

故答案為：(mxlO-'°)NA°

8.(2021?四川瀘州市?高三二模)第IVA元素在地殼中含量豐富，在人類生活各

方面都有廣泛的應用。回答下列問題。

(1)基態(tài)C原子中填充了電子的原子軌道共有個，基態(tài)Si原子的

價電子電子排布式為，第一電離能CGe(填“大于”、

“小于”或“等于”)。

(2)X是碳的一種氧化物，X的五聚合體結(jié)構(gòu)如圖1所示。則X的分子式為

;X分子中每個原子都滿足最外層8電子結(jié)構(gòu)，X分子的電子式為

oX的沸點CO2的沸點(填“大于”、“小于”或“等于”)

(3)C20分子是由許多正五邊形構(gòu)成的空心籠狀結(jié)構(gòu)如圖2所示，分子中每個碳

原子只跟相鄰的3個碳原子形成化學鍵。則C20分子中含個。鍵，請

你大膽猜測：C20分子中碳原子的雜化軌道為

(4)B-SiC晶胞如圖3所示，若碳和硅的原子半徑分別為apm和bpm,密度

為