一種低閾值抗輻照對(duì)管MOSFET器件設(shè)計(jì)及工藝研究_第1頁(yè)
一種低閾值抗輻照對(duì)管MOSFET器件設(shè)計(jì)及工藝研究_第2頁(yè)
一種低閾值抗輻照對(duì)管MOSFET器件設(shè)計(jì)及工藝研究_第3頁(yè)
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一種低閾值抗輻照對(duì)管MOSFET究MOSFET器件的重要性及應(yīng)用背MOSFET器件具有較好的抗輻照性MOSFETMOSFET是一種常用的電子元器件，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工藝成熟等特MOSFET器件在高劑量輻MOSFET器件，成為了電子器件研究的熱點(diǎn)之一。低閾值抗輻照對(duì)管MOSFET是一種研究較為深入的器件，在輻射環(huán)境下具有較好的穩(wěn)定性MOSFET器件的設(shè)計(jì)及制造工藝，并MOSFETMOSFET是一種結(jié)合了低閾值效應(yīng)和耐輻照性的MOSFET器件。其結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。1MOSFETpn區(qū)域處于倒置狀態(tài)，即在加強(qiáng)型區(qū)域內(nèi)電子濃度較大，形成通道。而在高劑量輻照環(huán)境下，由于輻射損傷，使得通道處于正常工作狀態(tài)時(shí)的電子濃度不斷減小，致使加強(qiáng)型區(qū)域處于正常狀態(tài)，從而減小電阻，提高器件的工作效率。低閾值效應(yīng)是指由于加強(qiáng)型區(qū)域內(nèi)的電子密度較低，使得設(shè)備傳導(dǎo)電阻相對(duì)較小，能夠提高場(chǎng)效應(yīng)晶體管的傳導(dǎo)能力，從而提高器件工作效率。加強(qiáng)型區(qū)域的寬度與器件的低閾值導(dǎo)通特性密切相關(guān)。MOSFETMOSFET器件制造工藝主要包括晶體管制造、注pn+型到pP型硅片上進(jìn)行氧化蝕刻，形成氧化硅SiO2的輸出和源/漏區(qū)域，并在輸出區(qū)域附抗輻照對(duì)管MOSFET器件。MOSFET為了驗(yàn)證低閾值抗輻照對(duì)管MOSFET器件的性能，本文設(shè)計(jì)了實(shí)驗(yàn)，5×1012cm-2MOSFET10-9A/cm2，

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