一種耐高溫嵌入式互感器芯片的制備方法_第1頁
一種耐高溫嵌入式互感器芯片的制備方法_第2頁
一種耐高溫嵌入式互感器芯片的制備方法_第3頁
一種耐高溫嵌入式互感器芯片的制備方法_第4頁
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文檔簡介

本文主要介紹了一種耐高溫嵌入式互感器芯片的制備方法。該方法ME（微電子機(jī)械系統(tǒng)）環(huán)境下仍然能夠工作穩(wěn)定，并且芯片的體積和成本相對較小。同時(shí)，該芯片還具有高靈敏度、高精度、高信噪比等優(yōu)點(diǎn)，適用于各種高溫環(huán)境下的電力系統(tǒng)和能源行業(yè)。Thispapermainlyintroducesamethodforpreparingahigh-temperatureresistantembeddedinductorchip.ThemethodusesMEMS(micro-electro-mechanicalsystem)technologyandhigh-temperaturediffusiontechnology,whichenablesthechiptoworkstablyinhigh-temperatureenvironment,andthevolumeandcostofthechiparerelativelysmall.Atthesametime,thechipalsohashighsensitivity,highprecision,highsignal-to-noiseratioandotheradvantages,whichissuitableforvarioushigh-temperatureenvironmentsinthepowersystemandenergyindustry.Keywords：high-temperatureresistant,embedded,inductor,MEMS,high-temperaturediffusionMEMS技術(shù)和高溫?cái)U(kuò)散技術(shù)，能夠使得芯片在高溫環(huán)境下仍然MEMSMEMS是指微米尺度的機(jī)電系統(tǒng)，它使用微電子加工制造技術(shù)，將MEMS技術(shù)可以制造出體積小、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、精度高、功耗低、靈敏MEMS技術(shù)制造互感MEMS技術(shù)制造互感器這一步驟的精度和穩(wěn)定性得到了極大的體晶體中擴(kuò)散，形成一定的材料結(jié)構(gòu)，從而達(dá)到制備控制器元件的目的。高溫?cái)U(kuò)散技術(shù)通常用于氮化硅和藍(lán)寶石材料的制備中，其制備過程主要片的硅基板和感應(yīng)線圈之間形成一層絕緣材料，從而能夠保護(hù)感應(yīng)線圈，防止感應(yīng)線圈變形或損壞。同時(shí)，高溫?cái)U(kuò)散還能改善材料的電學(xué)性能和(2)MEMS技術(shù)制造互感器的感應(yīng)線圈，通過(1)0-5A0.01mV/A。(2)

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