電力電子課后答案

.z.第一章電力電子器件1.1使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？答：使晶閘管導(dǎo)通的條件是：晶閘管承受正相陽(yáng)極電壓，并在門極施加觸發(fā)電流〔脈沖〕?；蛘遀AK>0且UGK>01.2維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷？答：維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流，即維持電流。1.3圖1－43中陰影局部為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形，各波形的電流最大值均為Im,試計(jì)算各波形的電流平均值Id1,Id2,Id3與電流有效值I1，I2，I3解:a)Id1=I1=b)Id2=I2=c)Id3=I3=1.4.上題中如果不考慮平安裕量,問(wèn)100A的晶闡管能送出的平均電流Id1、Id2、Id3各為多少"這時(shí),相應(yīng)的電流最大值Im1,Im2,Im3各為多少"解:額定電流IT(AV)=100A的晶閘管,允許的電流有效值I=157A,由上題計(jì)算結(jié)果知a)Im1A,Id10.2717Im189.48Ab)Im2Id2c)Im3=2I=314Id3=1.5.GTO和普通晶閘管同為PNPN構(gòu)造,為什么GTO能夠自關(guān)斷,而普通晶閘管不能"答:GTO和普通晶闡管同為PNPN構(gòu)造,由P1N1P2和N1P2N2構(gòu)成兩個(gè)晶體管V1、V2，分別具有共基極電流增益和，由普通晶闡管的分析可得，是器件臨界導(dǎo)通的條件。兩個(gè)等效晶體管過(guò)飽和而導(dǎo)通；不能維持飽和導(dǎo)通而關(guān)斷。GTO之所以能夠自行關(guān)斷,而普通晶閘管不能,是因?yàn)镚TO與普通晶閘管在設(shè)計(jì)和工藝方面有以下幾點(diǎn)不同：l)GTO在設(shè)計(jì)時(shí)較大,這樣晶體管V2控制靈敏,易于GTO關(guān)斷;2)GTO導(dǎo)通時(shí)的更接近于l,普通晶閘管,而GTO則為，GTO的飽和程度不深,接近于臨界飽和,這樣為門極控制關(guān)斷提供了有利條件;3)多元集成構(gòu)造使每個(gè)GTO元陰極面積很小,門極和陰極間的距離大為縮短,使得P2極區(qū)所謂的橫向電阻很小,從而使從門極抽出較大的電流成為可能。1.6.如何防止電力MOSFET因靜電感應(yīng)應(yīng)起的損壞"答:電力MOSFET的柵極絕緣層很薄弱,容易被擊穿而損壞。MOSFET的輸入電容是低泄漏電容,當(dāng)柵極開路時(shí)極易受靜電干擾而充上超過(guò)±20的擊穿電壓所以為防止MOSFET因靜電感應(yīng)而引起的損壞,應(yīng)注意以下幾點(diǎn):①一般在不用時(shí)將其三個(gè)電極短接;②裝配時(shí)人體、工作臺(tái)、電烙鐵必須接地,測(cè)試時(shí)所有儀器外殼必須接地;③電路中,柵、源極間常并聯(lián)齊納二極管以防止電壓過(guò)高④漏、源極間也要采取緩沖電路等措施吸收過(guò)電壓。1.7.IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路各有什么特點(diǎn)"答:IGBT驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)是:驅(qū)動(dòng)電路具有較小的輸出電阻,ⅠGBT是電壓驅(qū)動(dòng)型器件,IGBT的驅(qū)動(dòng)多采用專用的混合集成驅(qū)動(dòng)器。GTR驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)是:驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)電流有足夠陡的前沿,并有一定的過(guò)沖,這樣可加速開通過(guò)程,減小開通損耗,關(guān)斷時(shí),驅(qū)動(dòng)電路能提供幅值足夠大的反向基極驅(qū)動(dòng)電流,并加反偏截止電壓,以加速關(guān)斷速度。GTO驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)是:GTO要求其驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)電流的前沿應(yīng)有足夠的幅值和陡度,且一般需要在整個(gè)導(dǎo)通期間施加正門極電流,關(guān)斷需施加負(fù)門極電流,幅值和陡度要求更高,其驅(qū)動(dòng)電路通常包括開通驅(qū)動(dòng)電路,關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路和門極反偏電路三局部。電力MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn):要求驅(qū)動(dòng)電路具有較小的輸入電阻,驅(qū)動(dòng)功率小且電路簡(jiǎn)單。1.8.全控型器件的緩沖電路的主要作用是什么"試分析RCD緩沖電路中各元件的作用。答:全控型器件緩沖電路的主要作用是抑制器件的因過(guò)電壓,du/dt或過(guò)電流和di/dt,減小器件的開關(guān)損耗。RCD緩沖電路中,各元件的作用是:開通時(shí),Cs經(jīng)Rs放電,Rs起到限制放電電流的作用;關(guān)斷時(shí),負(fù)載電流經(jīng)VDs從Cs分流,使du/dt減小,抑制過(guò)電壓。1.9.試說(shuō)明IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET各自的優(yōu)缺點(diǎn)。解:對(duì)ⅠGBT、GTR、GTO和電力MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)的比擬如下表：器件優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)IGBT開關(guān)速度高,開關(guān)損耗小,具有耐脈沖電流沖擊的能力,通態(tài)壓降較低,輸入阻抗高,為電壓驅(qū)動(dòng),驅(qū)動(dòng)功率小開關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓,電流容量不及GTOGTR耐壓高，電流大，開關(guān)特性好，通流能力強(qiáng)，飽和壓降低開關(guān)速度低,為電流驅(qū)動(dòng),所需驅(qū)動(dòng)功率大,驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,存在二次擊穿問(wèn)題GTO電壓、電流容量大,適用于大功率場(chǎng)合,具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),其通流能力很強(qiáng)電流關(guān)斷增益很小,關(guān)斷時(shí)門極負(fù)脈沖電流大,開關(guān)速度低,驅(qū)動(dòng)功率大,驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜.開關(guān)頻率低電力MOSFET開關(guān)速度快,輸入阻抗高,熱穩(wěn)定性好,所需驅(qū)動(dòng)功率小且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,工作頻率高,不存在二次擊穿問(wèn)題電流容量小,耐壓低,一般只適用于功率不超過(guò)10kW的電力電子裝置1.10什么是晶閘管的額定電流？答：晶閘管的額定電流就是它的通態(tài)平均電流，國(guó)標(biāo)規(guī)定：是晶閘管在環(huán)境溫度為40。C和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過(guò)額定結(jié)溫所允許的最大工頻正弦半波電流的平均值。1.11為什么要限制晶閘管斷電電壓上升律du/dt"答：正向電壓在阻斷狀態(tài)下，反向結(jié)J2相當(dāng)?shù)囊粋€(gè)電容加在晶閘管兩端電壓上升率過(guò)大，就會(huì)有過(guò)大的充電電流，此電流流過(guò)J3,起到觸發(fā)電流的作用，易使晶閘管誤觸發(fā)，所以要限制du/dt。1.12．為什么要限制晶閘管導(dǎo)通電流上升率di/dt"答：在晶閘管導(dǎo)通開場(chǎng)時(shí)刻，假設(shè)電流上升過(guò)快，會(huì)有較大的電流集中在門集附近的小區(qū)域，雖然平均電流沒(méi)有超過(guò)額定值，但在小的區(qū)域局部過(guò)熱而損壞了晶閘管，所以要限制通態(tài)di/dt.1.13電力電子器件工作時(shí)產(chǎn)生過(guò)電壓的原因及防止措施有哪些？答：產(chǎn)生原因：由分閘,合閘產(chǎn)生的操作過(guò)電壓雷擊引起的雷擊過(guò)電壓晶閘管換相過(guò)程中產(chǎn)生的換相電壓。并聯(lián)續(xù)流=集管令控元件的換相時(shí)產(chǎn)生的換相電壓措施：壓觸發(fā)電阻，交流側(cè)RC抑制電路，直流側(cè)RC控制電路，直流側(cè)RC抑制電路，變壓器屏蔽層，避雷器，器件關(guān)斷過(guò)電壓RC抑制電路。第2章整流電路2..1.單相半波可控整流電路對(duì)電感負(fù)載供電,Z=20mH,U2=100V,求當(dāng)時(shí)和時(shí)的負(fù)載電流Id,并畫出Ud與Id波形。解:時(shí),在電源電壓U2的正半周期晶閘管導(dǎo)通時(shí),負(fù)載電感L儲(chǔ)能,在晶閘管開場(chǎng)導(dǎo)通時(shí)刻,負(fù)載電流為零。在電源電壓U2的負(fù)半周期,負(fù)載電感L釋放能量,晶閘管繼續(xù)導(dǎo)通。因此,在電源電壓U2的一個(gè)周期里,以下方程均成立:考慮到初始條件：當(dāng)時(shí)id=0可解方程：Ud與Id的波形如下列圖：當(dāng)a=時(shí),在U2的正半周期~期間,晶閘管導(dǎo)通使電惑L儲(chǔ)能,電感L儲(chǔ)藏的能量在U2負(fù)半周期~期間釋放,因此在U2的一個(gè)周期中~期間，以下微分方程成立：考慮到初始條件：當(dāng)時(shí)id=0可解方程得：id=其平均值為Id=此時(shí)Ud與id的波形如下列圖：2.2圖2-9為具有變壓器中心抽頭的單相全波可控整流電路,問(wèn)該變壓器還有直流磁化問(wèn)題嗎"試說(shuō)明:晶閘管承受的最大反向電壓為2U2;當(dāng)負(fù)載是電阻或電感時(shí)，其輸出電壓和電流的波形與單相全控橋時(shí)一樣。答:具有變壓器中心抽頭的單相全波可控整流電路,該變壓器沒(méi)有直流磁化的問(wèn)題。因?yàn)閱蜗嗳煽卣麟娐纷儔浩鞫蝹?cè)繞組中,正負(fù)半周上下繞組電流的方向相反，波形對(duì)稱,其一個(gè)周期的平均電流為零,故不會(huì)有直流磁化的問(wèn)題。以下分析晶閘管承受最大反向電壓及輸出電壓和電流波形的情況。①以晶閘管VT2為例。當(dāng)VT1導(dǎo)通時(shí),晶閘管VT2通過(guò)VT1與2個(gè)變壓器二次繞組并聯(lián),所以VT2承受的最大電壓為2U2。②當(dāng)單相全波整流電路與單相全控橋式整流電路的觸發(fā)角一樣時(shí),對(duì)于電阻負(fù)載;(O~)期間無(wú)晶閘管導(dǎo)通,輸出電壓為0；(~)期間,單相全波電路中VT1導(dǎo)通,單相全控橋電路中VTl、VT4導(dǎo)通,輸出電壓均與電源電壓U2相等;(~+)期間均無(wú)晶閘管導(dǎo)通,輸出電壓為0;(+~2)期間,單相全波電路中VT2導(dǎo)通,單相全控橋電路中VT2、VT3導(dǎo)通,輸出電壓等于－U2。對(duì)于電感負(fù)載;(~+)期間,單相全波電路中VTl導(dǎo)通,單相全控橋電路中VTl、VT4導(dǎo)通,輸出電壓均與電源電壓U2相等;(+~2+)期間,單相全波電路中VT2導(dǎo)通,單相全控橋電路中VT2、VT3導(dǎo)通,輸出波形等于-U2。可見,兩者的輸出電壓一樣,加到同樣的負(fù)載上時(shí),則輸出電流也一樣。2.3.單相橋式全控整流電路,U2=100V,負(fù)載中R=20,L值極大當(dāng)=時(shí),要求:①作出Ud、Id、和I2的波形;②求整流輸出平均電壓Ud、電流Id,變壓器二次電流有效值I2;③考慮平安裕量,確定晶閘管的額定電壓和額定電流。解:①Ud、Id、和I2的波形;如下列圖:②輸出平均電壓Ud、電流Id,變壓器二次電流有效值I2分別為Ud=0.9U2cos=0.9×100×cos＝77.97〔V〕Id＝Ud/R=77.97/2=38.99(A)I2=Id=38.99(A)③晶閘管承受的最大反向電壓為:U2=100=141.4(V)-考慮平安裕量，晶閘管的額定電壓為:UN=(2~3)×141.4=283~424(V)具體數(shù)值可按晶閘管產(chǎn)品系列參數(shù)選取。流過(guò)晶閘管的電流有效值為:IVT=Id/=27.57(A)晶閘管的額定電流為:IN=(1.5~2)×27.57/1.57=26~35(A)‘具體數(shù)值可按晶閘管產(chǎn)品系列參數(shù)選取。2.4.單相橋式半控整流電路,電阻性負(fù)載,畫出整流二極管在一周承受的電壓波形。解:注意到二極管的特點(diǎn):承受電壓為正即導(dǎo)通。因此,二極管承受的電壓不會(huì)出現(xiàn)正的局部。在電路中器件均不導(dǎo)通的階段,交流電源電壓由晶閘管平衡。整流二極管在一周承受的電壓波形如下:2.5.單相橋式全控整流電路,U2=100V,負(fù)載R=20,L值極大,反電勢(shì)E=60V,當(dāng)時(shí),要求:①作出Ud、Id和I2的波形;②求整流輸出平均電壓Ud、電流Id,變壓器二次側(cè)電流有效值I2;③考慮平安裕量,確定晶閘管的額定電壓和額定電流。解:①Ud、Id和I2的波形如下列圖:②整流輸出平均電壓Ud、電流Id,變壓器二次測(cè)電流有效值I分別為:Ud=0.9U2cos=O.9×100×cos=77.97(V)Id=(Ud一E)/R=(77.97一60)/2=9(A)I2=Id=9(A)③晶閘管承受的最大反向電壓為:U2=100=141.4(V)流過(guò)每個(gè)晶閘管的電流的有效值為:IVT=Id/=6.36(A)故晶閘管的額定電壓為:UN=(2~3)×141.4=283~424(V)晶閘管的額定電流為:IN=(1.5~2)×6.36/1.57=6~8(A)晶閘管額定電壓和電流的具體敢值可按晶閘管產(chǎn)品系列參數(shù)選取。2.6.晶閘管串聯(lián)的單相半控橋(橋中VT1、VT2為晶閘管),電路如圖2-11所示,U2=100V電阻電感負(fù)載,R=20,L值很大,當(dāng)=時(shí)求流過(guò)器件電流的有效值,并作出Ud、Id、IVT,ID的波形。解:Ud、Id、IVT,ID的波形如下列圖:負(fù)載電壓的平均值為:Ud=負(fù)載電流的平均值為:Id=Ud/R=67.52/2=33.75(A)流過(guò)晶閘管VTl、VT2的電流有效值為:IVT=19.49(A)流過(guò)二極管VD3、VD4的電流有效值為:IVD==27.56(A)2.7.在三相半波整流電路中,如果a相的觸發(fā)脈沖消失,試?yán)L出在電阻性負(fù)載和電感性負(fù)載下整流電壓Ud的波形。解:假設(shè)=,當(dāng)負(fù)載為電阻時(shí),Ud的波形如下:當(dāng)負(fù)載為電感時(shí)，Ud的波形如下：2.8.三相半波整流電路,可以將整流變壓器的二次繞組分為兩段成為曲折接法,每段的電動(dòng)勢(shì)一樣,其分段布置及其矢量如下圖,此時(shí)線圈的繞組增加了一些,銅的用料約增加10%,問(wèn)變壓器鐵心是否被直流磁化,為什么"圖變壓器二次繞組的曲折接法及其矢量圖答:變壓器鐵心不會(huì)被直流磁化。原因如下:變壓器二次繞組在一個(gè)周期:當(dāng)a1c2對(duì)應(yīng)的晶閘管導(dǎo)通時(shí),al的電流向下流,c3的電流向上流;當(dāng)clb2對(duì)應(yīng)的晶閘管導(dǎo)通時(shí),cl的電流向下流,b2的電流向上流;當(dāng)bla2對(duì)應(yīng)的晶閘管導(dǎo)通時(shí),bl的電流向下流,a2的電流向上流;就變壓器的一次繞組而言,每一周期中有兩段時(shí)間(各為)由電流流過(guò),流過(guò)的電流大小相等而方向相反,故一周期流過(guò)的電流平均值為零,所以變壓器鐵心不會(huì)被直流磁化。2.9.三相半波整流電路的共陰極接法與共陽(yáng)極接法,a、b兩相的自然換相點(diǎn)是同一點(diǎn)嗎"如果不是,它們?cè)谙辔簧喜疃嗌俣?答:三相半波整流電路的共陰極接法與共陽(yáng)極接法,a、b兩相之間換相的的自然換相點(diǎn)不是同一點(diǎn)。它們?cè)谙辔簧舷嗖?.10.有兩組三相半波可控整流電路,一組是共陰極接法,一組是共陽(yáng)極接法,如果它們的觸發(fā)角都是,則共陰極組的觸發(fā)脈沖與共陽(yáng)極組的觸發(fā)脈沖對(duì)同一相來(lái)說(shuō),例如都是a相,在相位上差多少度"答:相差2.ll.三相半波可控整流電路,U2=100V,帶電阻電感負(fù)載,R=50,L值極大,當(dāng)＝時(shí),要求:①畫出Ud,Id和IVT1的波形;②計(jì)算Ud、Id、IdT和IVT解:①Ud,Id和IVT1的波形如下列圖:②Ud、Id、IdT和IVT分別如下Ud=1.17U2cos=1.17×100×cos=58.5(V)Id＝Ud/R=58.5/5=11.7(A)IdvT=Id/3=11.7/3=3.9(A)IVT=Id/=6.755(A)12.在石相橋式全控整流電路中,電阻負(fù)載,如果有一個(gè)晶閘管不能導(dǎo)通,此時(shí)的整流電壓Ud波形如何"如果有一個(gè)晶閘管被擊穿而短路,其他晶閘管受什么影響"答:假設(shè)VTl不能導(dǎo)通,整流電壓波形如下:假設(shè)VT1被擊穿而短路,則當(dāng)晶閘管VT3或VT5導(dǎo)通時(shí),將發(fā)生電源相間短路,使得VT3、VT5也可能分別被擊穿。2.13.三相橋式全控整流電路,U2=100V,帶電阻電感負(fù)載R=50,L值極大,當(dāng)=時(shí),要求:①畫出Ud,Id和IVT1的波形②計(jì)算Ud、Id、IdT和IVT解:①Ud,Id和IVT1的波形如下:②Ud、Id、IdT和IVT分別如下Ud=2.34U2cos=2.34×100×cos=117(V)Id=Ud/R=117/5=23.4(A)IDVT=Id/3=23.4/3=7.8(A)IVT=Id/=23.4/=13.51(A)2.14.單相全控橋,反電動(dòng)勢(shì)阻感負(fù)載,R=1,L=,E=40V,U2=100V,LB=0.5mH,當(dāng)=時(shí),求Ud、Id與的數(shù)值,并畫出整流電壓Ud的波形。解:考慮LB時(shí),有:Ud=0.9U2cos-ΔudΔud=2*BId/Id＝(Ud-E)/R解方程組得:2.15.三相半波可控整流電路,反電動(dòng)勢(shì)阻感負(fù)載,U2=100V,R=1,L=B=lrnH,求當(dāng)=時(shí)、E=50V時(shí)Ud、Id、的值并作出Ud與IVTl和IVT2的波形。解:考慮LB時(shí)，有:Ud=1.17U2cos-ΔudΔud=3*BId/2Id＝(Ud-E)/R解方程組得:Ud＝△Ud=6.7(V)Id=44.63(A)又因?yàn)椋杭吹贸鯿os(＋)=0.752換流重疊角=Ud與IVTl和IVT2的波形如下:2.16.單相橋式全控整流電路,其整流輸出電壓中含有哪些次數(shù)的諧波"其中幅值最大的是哪一次"變壓器二次側(cè)電流中含有哪些次數(shù)的諧波"其中主要的是哪兒次"答:單相橋式全控整流電路,其整流輸出電壓中含有2K(K=l、2、3…)次諧波,其中幅值最大的是2次諧波。變壓器二次側(cè)電流中含有2K+l(K=Ⅰ、2,3……)次即奇次諧波,其中主要的有3次、5次諧波。2.17.三相橋式全控整流電路,其整流輸出電壓中含有哪些次數(shù)的諧波"其中幅值最大的是哪一次"變壓器二次側(cè)電流中含有哪些次數(shù)的諧波"其中主要的是哪幾次"答:三相橋式全控整流電路的整流輸出電壓中含有6K(K=l、2、3……)次的諧波,其中幅值最大的是6次諧波。變壓器二次側(cè)電流中含有6K+l(K=l、2、3……)次的諧波,其中主要的是5、7次諧波。2.18.試計(jì)算第2.3題中I2的3、5、7次諧波分量的有效值I23,I25,I27解:在第3題中己知電路為單相全控橋,其輸出電流平均值為Id=38.99(A)于是可得:I23=×38.99/3=11.7(A)I25=*38.99/5=7.02(A)I37=*38.99/7=5.01(A)2.19.帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路與三相橋式全控整流電路相比有何主要異同"答:帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路與三相橋式全控整流電路相比有以下異同點(diǎn):①三相橋式電路是兩組三相半波電路串聯(lián),而雙反星形電路是兩組三相半波電路并聯(lián),且后者需要用平衡電抗器;②當(dāng)變壓器二次電壓有效值U2相等時(shí),雙反星形電路的整流電壓平均值Ud是三相橋式電路的1/2而整流電流平均值Id是三相橋式電路的2倍。③在兩種電路中,晶閘營(yíng)的導(dǎo)通及觸發(fā)脈沖的分配關(guān)系是一樣的,整流電壓Ud和整流電流Id的波形形狀一樣。2.20.整流電路多重化的主要目的是什么"答:整流電路多重化的目的主要包括兩個(gè)方面,一是可以使裝置總體的功率容量大,二是能夠減少整流裝置所產(chǎn)生的諧波和無(wú)功功率對(duì)電網(wǎng)的干擾。2.21.十二脈波、二十四脈波整流電路的整流輸出電壓和交流輸入電流中各含哪些次數(shù)的諧波"答:12脈波電路整流電路的交流輸入電流中含有l(wèi)l次、13次、23次、25次等即12Kl(K=1,2,3)次諧涉,整流輸出電壓中含有12、24等即12K(K=1,2,3...)次諧波。24脈波整流電路的交流輸入電流中含有23次、25次、47次、49次等,即24K1(K=l,2,3...)次諧波,整流輸出電壓中含有24、48等即24K(K=1,2,3...)次諧波。2.22.使變流器工作于有源逆變狀態(tài)的條件是什么"答:條件有二:①直流側(cè)要有電動(dòng)勢(shì),其極性須和晶閘管的導(dǎo)通方向一致,其值應(yīng)大于變流電路直流側(cè)的平均電壓;②要求晶閘管的控制角使Ud為負(fù)值。2.23.什么是逆變失敗"如何防止逆變失敗"答：逆變運(yùn)行時(shí),一旦發(fā)生換流失敗,外接的直流電源就會(huì)通過(guò)晶閘管電路形成短路,或者使變流器的輸出平均電壓和直流電動(dòng)勢(shì)變?yōu)轫樝虼?lián),由于逆變電路阻很小,形成很大的短路電流,稱為逆變失敗或逆變顛覆。防止逆變夫敗的方法有:采用準(zhǔn)確可靠的觸發(fā)電路,使用性能良好的晶閘管,保證交流電源的質(zhì)量,留出充足的換向裕量角等。2.24.單福橋式全控整流電路、三相橋式全控整流電路中,當(dāng)負(fù)載分別為電阻負(fù)載或電感負(fù)載時(shí),要求的晶閘管移相圍分別是多少"答:單相橋式全控整流電路,當(dāng)負(fù)載為電阻負(fù)載時(shí),要求的晶閘管移相圍是0~，當(dāng)負(fù)載為電感負(fù)載時(shí),要求的晶閘管移相圍是O~。三相橋式全控整流電路,當(dāng)負(fù)載為電阻負(fù)載時(shí),要求的晶閘管移相圍是0~，當(dāng)負(fù)載為電感負(fù)載時(shí),要求的晶閘管移相圍是O~2.25*一電阻負(fù)載，要求輸出直流電壓Ua=024v,最大負(fù)載電流Id=30A。采用單相半波可控整流電路。用220V直接供電或用變壓器降壓到60V供電。計(jì)算兩種方案下，不考慮完全裕量時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角θ，額定電流IN,額定電壓UN,電源的功率因數(shù)和電源容量。解：①U2=220v時(shí)Ud=0.45U2Cosα=——1=－1=－0.5＝120°θ1=180°－120°＝60°電流平均值Id=30ARd====0.8電流有效值I====額定電流IN===53A額定電壓UNUdm=功率因數(shù)Cos====0.302電源視在功率S1=U2I=220U2=60v時(shí)°INUN≥84.2CosS2=3.18KVA2.26阻感負(fù)載，電感極大，電阻Rd=5,電路為此有連續(xù)二極管的單相半控橋電路，輸入電壓U2=220V,當(dāng)控制角＝260°時(shí)，求流過(guò)晶閘管平均電流值IdT有效值IT,流過(guò)續(xù)流二極管電流平均值IDd有效值ID解：整流的平均電壓Ud=0.9U2負(fù)載平均電流：Id=流過(guò)晶閘管電流平均值IdT=電流有效值IT=電流續(xù)流二極管電流平均值IDd=有效值IDd=2.28單相全控橋式電路，電阻性負(fù)載，控制角畫出電氣原理圖，整流電壓Ud波形圖，任意晶閘管在一個(gè)周期兩端電壓波形圖，變壓器付邊電流i2波形圖，變壓器付邊電流I2波形圖解：見P47圖2－52.29三相半波可控整流電路，電壓極大，電阻Rd=2U2=220V,當(dāng)，求出按續(xù)流二極管和不按續(xù)流二極管兩種電路構(gòu)造下的整流電壓，整流電流并選擇晶閘管。解：①按續(xù)流二極管的時(shí)Ud=0.675=0.675Id=IT=晶閘管：IN＞〔1.5~2〕AUN＞〔2~3〕~1000V②不接續(xù)流二極管Ud=1.17U2Id=IT=晶閘管：IN＞〔1.5~2〕~42A