2023數(shù)據(jù)中心40G開放光模塊技術(shù)規(guī)范

40G光模塊技術(shù)規(guī)范40G40G開放光模塊技術(shù)規(guī)范PAGE\*ROMANIIPAGE\*ROMANII目錄范圍 1概述 1QSFP+EEPROM中的內(nèi)容 1SFF-8436EEPROM空間分配 1SFF-8436EEPROM地址空間的定制要求 3數(shù)字診斷及告警功能閾值規(guī)范 3數(shù)字告警功能（Page00h，3-21字節(jié)） 3數(shù)字參數(shù)監(jiān)測功能（Page00h，22-81字節(jié)） 3UserWriteableEEPROM區(qū)域，統(tǒng)一填充00h 4對(duì)于光模塊內(nèi)部寄存器CheckCode字段需要實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的Check功能 除以上規(guī)定外其他地址空間內(nèi)容遵循SFF-8436最新標(biāo)準(zhǔn)要求 4光模塊光電參數(shù)技術(shù)要求 4存儲(chǔ)介質(zhì)要求 4在正常供電情況下： 4規(guī)范規(guī)定的用戶可讀寫區(qū)域，當(dāng)向該區(qū)域進(jìn)行讀寫操作時(shí)，不應(yīng)當(dāng)影響光模塊的數(shù)據(jù)正確性和光模塊的可用性；4規(guī)范規(guī)定的用戶只讀區(qū)域當(dāng)向該區(qū)域進(jìn)行讀操作時(shí)不應(yīng)當(dāng)影響光模塊的數(shù)據(jù)正確性和光模塊的可用性進(jìn)行寫操作時(shí)，不應(yīng)當(dāng)對(duì)光模塊產(chǎn)生影響； 4規(guī)范規(guī)定的用戶不可讀寫區(qū)域，當(dāng)向該區(qū)域進(jìn)行讀寫操作時(shí)，不應(yīng)當(dāng)對(duì)光模塊產(chǎn)生影響； 光模塊使用手冊(cè)中有明確特殊操作說明的區(qū)域，按照手冊(cè)說明進(jìn)行操作。 在異常供電情況下如光模塊插拔瞬間電源瞬間跌落光模塊容忍電壓范圍內(nèi)的電壓瞬間過沖（在模塊進(jìn)行讀/過程中，異常供電情況發(fā)生）： 規(guī)范規(guī)定的用戶可讀寫、掉電數(shù)據(jù)不丟失區(qū)域，當(dāng)向該區(qū)域進(jìn)行讀操作時(shí)不應(yīng)當(dāng)影響光模塊整個(gè)掉電數(shù)據(jù)不失區(qū)域數(shù)據(jù)的正確性當(dāng)向該區(qū)域進(jìn)行寫操作時(shí)只影響入地址數(shù)據(jù)的正確性； 規(guī)范規(guī)定的用戶只讀區(qū)域當(dāng)向該區(qū)域進(jìn)行讀操作時(shí)不應(yīng)當(dāng)影響光模塊的數(shù)據(jù)正確性和光模塊的可用性進(jìn)行寫操作時(shí)，不應(yīng)當(dāng)對(duì)光模塊產(chǎn)生影響； 4規(guī)范規(guī)定的用戶不可讀寫區(qū)域，當(dāng)向該區(qū)域進(jìn)行讀寫操作時(shí)，不應(yīng)當(dāng)對(duì)光模塊產(chǎn)生影響； 光模塊使用手冊(cè)中對(duì)異常供電情況下，有明確特殊操作說明的區(qū)域，按照手冊(cè)說明進(jìn)行操作。 40G40G開放光模塊技術(shù)規(guī)范PAGE1PAGE1范圍SFF-8436Rev4.8標(biāo)準(zhǔn)（20131031）IEEEStandard803.2ba標(biāo)準(zhǔn)，增加ODCCODCCQSFP4x10Gb/s的40GSR4/eSR4光模塊的技術(shù)評(píng)估參考。概述QSFP4x10Gb/s40GSR4/eSR4EEPROM中設(shè)置企業(yè)標(biāo)識(shí)信息、光模塊技術(shù)參數(shù)，以及光模塊的光電參數(shù)技術(shù)指標(biāo)。QSFP+EEPROM中的內(nèi)容SFF-8436EEPROM空間分配SFF-8436規(guī)定了QSFP+4x10Gb/s光模塊的相關(guān)規(guī)格要求，其EEPROM的空間分配定義如下SFF-8436EEPROM地址空間的定制要求SFF-8436規(guī)定了QSFP+4x10Gb/s光模塊的相關(guān)規(guī)格要求，其EEPROM的空間分配定義如下：數(shù)字診斷及告警功能閾值規(guī)范為了規(guī)范各廠家光模塊的數(shù)字診斷和告警功能，本規(guī)范對(duì)Page03h閾值作如下要求Page03h地址字節(jié)數(shù)寄存器名稱ODCC要求128-1292TemperatureHighAlarm75oC130-1312TemperatureLowAlarm-5oC132-1332TemperatureHighWarning73oC134-1352TemperatureLowWarning-3oC144-1452VccHighAlarm3.63V146-1472VccLowAlarm2.97V148-1492VccHighWarning3.50V150-1512VccLowWarning3.10V176-1772RxPowerHighAlarm3.4dBm178-1792RxPowerLowAlarm-11.5dBm180-1812RxPowerHighWarning2.4dBm182-1832RxPowerLowWarning-9.5dBm184-1852TxBiasHighAlarm廠家自行定義186-1872TxBiasLowAlarm廠家自行定義188-1892TxBiasHighWarning廠家自行定義190-1912TxBiasLowWarning廠家自行定義192-1932TxPowerHighAlarm3.4dBm194-1952TxPowerLowAlarm-9.6dBm196-1972TxPowerHighWarning2.4dBm198-1992TxPowerLowWarning-7.6dBm數(shù)字告警功能（Page00h，3-21字節(jié)）高溫告警供電電壓偏置電流數(shù)字參數(shù)監(jiān)測功能（Page00h，22-81字節(jié)）溫度檢測供電電壓偏置電流UserWriteableEEPROM00hCheckCodeCheck功能SFF-8436最新標(biāo)準(zhǔn)要求光模塊光電參數(shù)技術(shù)要求光模塊光電參數(shù)要求在0/35/70oC三個(gè)溫度條件下，滿足IEEEStandard803.2ba標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。存儲(chǔ)介質(zhì)要求在正常供電情況下：據(jù)正確性和光模塊的可用性；確性和光模塊的可用性；進(jìn)行寫操作時(shí)，不應(yīng)當(dāng)對(duì)光模塊產(chǎn)生影響；影響；