模擬電子技術(shù)（山東聯(lián)盟-山東華宇工學(xué)院）智慧樹(shù)知到課后章節(jié)答案2023年下山東華宇工學(xué)院

模擬電子技術(shù)（山東聯(lián)盟-山東華宇工學(xué)院）智慧樹(shù)知到課后章節(jié)答案2023年下山東華宇工學(xué)院山東華宇工學(xué)院

第一章測(cè)試

PN結(jié)的反向擊穿中，（

）是可逆的。

A:熱擊穿B:電擊穿

答案:熱擊穿

在共射放大電路中，當(dāng)（

）時(shí)，稱放大電路處于靜態(tài)。

A:B:C:

答案:

當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，PNP管各極電位關(guān)系為：uC（

）uBuE；A.＞

B.＜

C.＝

A:B:C:

答案:

晶體管通過(guò)改變（

）來(lái)控制集電極電流。

A:基極電流

B:基極電壓

C:發(fā)射極電流

答案:基極電流

處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。（

）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第二章測(cè)試

電路中各電流的交流成分是交流信號(hào)源提供的。（

）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

在電子線路中，一般用輸出電阻RO來(lái)衡量放大器的帶負(fù)載能力，RO越小，帶負(fù)載能力越弱。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

已知某基本放大電路原來(lái)不存在非線性失真，但在增大集電極電阻Rc后出現(xiàn)了失真，這個(gè)失真必定是（

）。

A:飽和B:交越C:頻率D:截止

答案:飽和

計(jì)算放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)時(shí)，必須按（

）來(lái)考慮，計(jì)算電壓放大倍數(shù)則應(yīng)按（

）來(lái)考慮。

A:交流通路

直流通路B:直流通路

交流通路C:交流通路

交流通路D:直流通路

直流通路

答案:直流通路

交流通路

圖解法不適于分析單級(jí)放大器的哪一項(xiàng)指標(biāo)？

A:電壓放大倍數(shù)B:輸入電阻及輸出電阻C:非線性失真D:靜態(tài)工作點(diǎn)

答案:輸入電阻及輸出電阻

第三章測(cè)試

多級(jí)放大電路的放大倍數(shù)是？

A:各級(jí)電壓放大倍數(shù)的商B:各級(jí)電壓放大倍數(shù)的差C:各級(jí)電壓放大倍數(shù)的乘積D:各級(jí)電壓放大倍數(shù)的疊加

答案:各級(jí)電壓放大倍數(shù)的乘積

為實(shí)現(xiàn)阻抗匹配，多級(jí)放大電路宜采用光電耦合方式。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

阻容耦合電路各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)相互獨(dú)立，計(jì)算方法同單管放大電路。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

在對(duì)多級(jí)放大電路進(jìn)行動(dòng)態(tài)分析時(shí)，后一級(jí)作為前一級(jí)的（

），前一級(jí)作為后級(jí)的（

）。

A:負(fù)載

負(fù)載B:信號(hào)源

信號(hào)源C:負(fù)載

信號(hào)源D:信號(hào)源負(fù)載

答案:負(fù)載

信號(hào)源

多級(jí)放大電路的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、變壓器耦合和光電耦合等。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第四章測(cè)試

功率放大器的功放管消耗的功率主要發(fā)生在（

）上。

A:

集電結(jié)B:發(fā)射極C:基極D:發(fā)射結(jié)

答案:

集電結(jié)

高質(zhì)量的集成運(yùn)算放大器輸入失調(diào)電壓可達(dá)（）mV

A:

1B:7C:2D:

4

答案:

1

集成運(yùn)放的輸出電壓與輸入電壓之間的關(guān)系曲線稱為(

)。

A:

伏安特性B:

負(fù)載特性C:

輸出特性D:

電壓傳輸特性

答案:

電壓傳輸特性

集成運(yùn)放在線性工作范圍內(nèi)所能承受的是（

）電壓。

A:最大輸出電壓B:

最小差模輸入電壓C:最大輸入電壓D:最大共模輸入電壓

答案:最大共模輸入電壓

任何放大器的作用實(shí)質(zhì)是通過(guò)放大管的控制作用將電源提供的直流功率轉(zhuǎn)換為負(fù)載輸出額交變功率

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第五章測(cè)試

6.1放大電路級(jí)數(shù)愈多，引入負(fù)反饋后愈容易產(chǎn)生高頻振蕩。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

6.5在已知環(huán)路增益頻率特性的條件下，若存在f0,

且f0<fc，則電路不穩(wěn)定。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

在放大電路中，為減小輸入電阻，應(yīng)引入電壓串聯(lián)負(fù)反饋。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

下圖所示的放大電路中，引入了電流串聯(lián)負(fù)反饋。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

放大電路中引入交流負(fù)反饋后，其性能會(huì)得到多方面的改善。比如，可以提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性、使放大倍數(shù)增大。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第六章測(cè)試

微分運(yùn)算電路可將三角波電壓轉(zhuǎn)換成方波電壓。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

電路如圖所示，集成運(yùn)放輸出電壓的最大幅值為±14V，當(dāng)為0.1V時(shí)，對(duì)應(yīng)的輸出等于（

）。

A:-5VB:-1VC:-14D:-10V

答案:-1V

電路如圖所示，集成運(yùn)放輸出電壓的最大幅值為±14V，當(dāng)uI為1.0V時(shí)，對(duì)應(yīng)的輸出uO等于(

)。

A:10B:5C:11D:5.5

答案:11

下圖所示電路的運(yùn)算關(guān)系為。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

反相比例運(yùn)算電路可實(shí)現(xiàn)的放大器。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

同相加法運(yùn)算電路可實(shí)現(xiàn)函數(shù)Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均大于零。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第七章測(cè)試

當(dāng)信號(hào)頻率等于石英晶體的串聯(lián)諧振頻率時(shí)，石英晶體呈(

)

A:阻性B:感性C:容性

答案:阻性

當(dāng)信號(hào)頻率不等于石英晶體的串聯(lián)諧振頻率,且也不在石英晶體的串聯(lián)諧振頻率和并聯(lián)諧振頻率之間時(shí)，石英晶體呈(

)

A:容性B:阻性C:感性

答案:容性

正弦振蕩器必須輸入正弦信號(hào)。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

反饋式振蕩器只要滿足振幅條件就可以振蕩。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

電感三點(diǎn)式振蕩器的輸出波形比電容三點(diǎn)式振蕩器的輸出波形好。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第八章測(cè)試

功率放大電路的最重要的技術(shù)指標(biāo)是電路的（

）和（

）。

A:

電壓和電流B:

最大輸出功率和效率C:

電壓和功率D:

能量和效率

答案:

最大輸出功率和效率

若靜態(tài)工作點(diǎn)失調(diào)，兩個(gè)放大管可能因功耗過(guò)大而損壞，所以常在輸出回路中接入（）來(lái)保護(hù)功放管和負(fù)載。

A:

二極管B:

穩(wěn)壓管C:

斷路器D:

熔斷器

答案:

熔斷器

在功率放大電路中因根據(jù)（

）來(lái)選擇晶體管。

A:

最大功耗和管壓降B:

最大管壓降、集電極最大電流、最大功耗C:

最大功耗、電壓D:

管壓降和集電極最大電流

答案:

最大管壓降、集電極最大電流、最大功耗

大功率飽和管壓降通常為（

）V。

A:

0.7~1VB:

1~3VC:

3~5VD:

2~3V

答案:

2~3V

OCL電路中集電極最大功耗僅為理想時(shí)最大輸出功率的（）？

A:

2/3B:

1/5C:

5D:

0.5

答案:

1/5

第九章測(cè)試

若要組成輸出電壓可調(diào)、最大輸出電流為3A的直流穩(wěn)壓電源，則應(yīng)采用(

)。

A:電容濾波穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路B:電感濾波穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路C:電容濾波串聯(lián)型穩(wěn)壓電路D:電感濾波串聯(lián)型穩(wěn)壓電路

答案:電感濾波串聯(lián)型穩(wěn)壓電路

在脈寬調(diào)制式串聯(lián)型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電路中，為使輸出電壓增大，對(duì)調(diào)整管基極控制信號(hào)的要求是(

)。

A:在一個(gè)周期內(nèi)，高電平不變，周期增大B:周期不變，占空比增大C:頻率增大，