GaN異質(zhì)結(jié)材料及n型GaN材料特性研究的開題報(bào)告

斜切襯底上AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料及n型GaN材料特性研究的開題報(bào)告開題報(bào)告一、項(xiàng)目背景AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料及n型GaN材料特性是廣泛應(yīng)用于微波、功率及光電子器件等諸多領(lǐng)域的新型半導(dǎo)體材料。其具有高電子遷移率、高飽和電流密度和高熱穩(wěn)定性等優(yōu)異特性，可應(yīng)用于高功率電子器件、高速光電子器件、紫外光電探測器等方面。通過研究AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料及n型GaN材料特性，可深入探究該類材料的物理化學(xué)性質(zhì)，并優(yōu)化其電學(xué)特性，實(shí)現(xiàn)其在更廣泛領(lǐng)域的應(yīng)用。二、研究目的本項(xiàng)目目的在于通過斜切襯底技術(shù)制備AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料及n型GaN材料，并研究其物理化學(xué)特性，重點(diǎn)探究其電學(xué)性質(zhì)的特點(diǎn)及改進(jìn)方法。三、研究內(nèi)容1.斜切襯底技術(shù)制備AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料及n型GaN材料。2.利用光電子能譜、掃描電鏡、X射線衍射等手段對(duì)材料晶體結(jié)構(gòu)及表面形貌進(jìn)行表征。3.對(duì)材料電學(xué)性質(zhì)特點(diǎn)進(jìn)行深入探究，主要包括載流子遷移率、飽和電流密度等方面。4.針對(duì)材料電學(xué)性質(zhì)特點(diǎn)，提出改進(jìn)方法，實(shí)現(xiàn)其更好的電學(xué)性能。四、研究意義1.有助于深入掌握AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料及n型GaN材料的物理化學(xué)性質(zhì)，為其在更廣泛領(lǐng)域的應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。2.有助于優(yōu)化AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料及n型GaN材料的電學(xué)性能，提高其在電子器件中的應(yīng)用價(jià)值。3.有助于推動(dòng)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的研究進(jìn)展，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供技術(shù)支持。五、研究計(jì)劃時(shí)間節(jié)點(diǎn)研究內(nèi)容2021.9-2021.11斜切襯底技術(shù)制備AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料及n型GaN材料，對(duì)材料晶體結(jié)構(gòu)及表面形貌進(jìn)行表征2021.12-2022.2對(duì)材料電學(xué)性質(zhì)特點(diǎn)進(jìn)行深入探究，主要包括載流子遷移率、飽和電流密度等方面2022.3-2022.4針對(duì)材料電學(xué)性質(zhì)特點(diǎn)，提出改進(jìn)方法，實(shí)現(xiàn)其更好的電學(xué)性能六、預(yù)期成果1.成功制備AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料及n型GaN材料。2.深入探究AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料及n型GaN材料的物理化學(xué)特性，了解其電學(xué)性質(zhì)的特點(diǎn)。3.針對(duì)AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料及n型GaN材料的電學(xué)性質(zhì)特點(diǎn)，提出改進(jìn)方法，實(shí)現(xiàn)其更好的電學(xué)性能。七、參考文獻(xiàn)1.C.H.Chen,Z.Y.Li,X.Q.Gu,etal.,“High-performanceGaNmetal-insulator-semiconductorultravioletphotodetectorswithareverse-biasgatestructure,”Appl.Phys.Lett.,vol.106,no.20,pp.201105,2015.2.M.K.Zulkefli,K.S.Chan,W.S.W.Harun,etal.,“High-qualityAlGaN/GaNheterostructuregrowthonsilicon-on-insulatorsubstratewiththinbufferlayer,”O(jiān)ptik,vol.181,pp.690-697,2019.3.Y.Wu,Z.Liu,Y.Tang,etal.,“EffectofAlcontentonstructuralandelectricalpropertiesofAlGaN/GaNhighelectronmobil