H調(diào)諧器的CMOS可編程增益放大器設(shè)計的開題報告_第1頁
H調(diào)諧器的CMOS可編程增益放大器設(shè)計的開題報告_第2頁
H調(diào)諧器的CMOS可編程增益放大器設(shè)計的開題報告_第3頁
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應(yīng)用于DVB-T/H調(diào)諧器的CMOS可編程增益放大器設(shè)計的開題報告開題報告論文題目:應(yīng)用于DVB-T/H調(diào)諧器的CMOS可編程增益放大器設(shè)計研究背景數(shù)字電視廣播(DTV)已經(jīng)成為電視廣播的主流形式,其中DVB-T/H調(diào)諧器是保證數(shù)字電視接收端性能穩(wěn)定、可靠的重要組成部分。DVB-T/H調(diào)諧器需要在高頻信號輸入端進(jìn)行信號放大和信號選擇,因此需要具有較強(qiáng)的增益和選擇性能。而在實際應(yīng)用中,由于不同區(qū)域的數(shù)字電視廣播頻段差異較大,因此需要調(diào)諧器具有可編程增益放大器(GA)的功能,以適應(yīng)不同的頻段。設(shè)計目標(biāo)本論文的設(shè)計目標(biāo)是設(shè)計一種適用于DVB-T/H調(diào)諧器的CMOS可編程增益放大器,具有調(diào)節(jié)增益、跨越不同頻段工作的特點。具體目標(biāo)如下:1.設(shè)計一種可編程的CMOS增益放大器,能夠?qū)崿F(xiàn)7dB到17dB的增益范圍。2.設(shè)計一種能夠?qū)崿F(xiàn)在不同頻段工作的可編程放大器,能夠自動適應(yīng)不同的數(shù)字電視頻道。3.提高放大器的選擇性和線性度,從而提高調(diào)諧器的整體性能。研究內(nèi)容本論文將主要針對DVB-T/H調(diào)諧器中的可編程增益放大器進(jìn)行研究,具體內(nèi)容包括以下幾個方面:1.分析DVB-T/H調(diào)諧器中可編程增益放大器的工作原理,探究不同放大器結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點,確定設(shè)計方案。2.根據(jù)設(shè)計方案,采用Cadence工具設(shè)計電路,研究電路中各元件的參數(shù)對放大器性能的影響。3.對設(shè)計好的電路進(jìn)行仿真,分析其性能指標(biāo),如增益、選擇性、線性度等。4.對仿真結(jié)果進(jìn)行優(yōu)化,提高放大器的性能。5.在ASIC流片過程中對電路進(jìn)行驗證,確定驗證結(jié)果。6.測試驗證通過后,進(jìn)行多模式驗證,檢測電路的可編程性。預(yù)期成果本論文的預(yù)期成果為設(shè)計一種適用于DVB-T/H調(diào)諧器的CMOS可編程增益放大器,該放大器能夠具備7dB到17dB的增益范圍,并且能夠在不同的數(shù)字電視頻道上自動適應(yīng)。同時,該放大器具有較高的選擇性和線性度,能夠提高調(diào)諧器的整體性能。最終將制作出驗證電路,并進(jìn)行測試,證明所提出的設(shè)計方法的有效性和可行性。時間安排本論文計劃的時間安排如下:1.選題和開題:1周2.調(diào)研:2周3.電路設(shè)計:6周4.電路仿真:6周5.電路優(yōu)化:2周6.ASIC流片驗證:6周7.多模式驗證:6周8.論文撰寫和答辯準(zhǔn)備:3周總共需要31周的時間完成本論文的研究和撰寫。參考文獻(xiàn)[1]N.H.MassoudandQ.Zhang,“A2.4GHZCMOSTunableLow-NoiseAmplifierwithSwitchedInductors,”Proceedingsofthe2004IEEERadioFrequencyIntegratedCircuitsSymposium,pp.219-222.[2]X.ZhangandV.K.Devabhaktuni,“OptimizationofCMOSLowNoiseAmplifierDesign,”Proceedingsofthe13thInternationalConferenceonMicrowaveandMillimeterWaveTechnology,pp.1-4.[3]W.LaiandY.Tsividis,“A6-GHzCMOSTunableLow-NoiseAmplifierwithAccurateGainControl,”IEEEJournalofSolid-StateCircuits,vol.37,no.10,pp.1291-1298,Oct.2002.[4]K.LimandK.Park,“A1.2-V3.3-mW2.4-GHzCMOSLowNoiseAmplifierwithSwitchableGainControl,”IEEEJournalofSolid-StateCircuits,vol.41,no.2,pp.455-463,Feb.2006.[5]T.KwasniewskiandW.Gaines,“DesignMethodologyforLow-NoiseAmplifiers,

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