信息功能材料與元器件智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下西華大學(xué)

信息功能材料與元器件智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下西華大學(xué)西華大學(xué)

第一章測(cè)試

信息顯示技術(shù)材料未來的發(fā)展方向是：

A:LCDB:PDPC:OLEDD:CRT

答案:OLED

第二章測(cè)試

導(dǎo)體膜是用于形成電路中的電阻。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

低真空的壓力范圍為（）

A:10-1－10-6PaB:105－102PaC:102－10-1PaD:103－10-2Pa

答案:102－10-1Pa

壓強(qiáng)低時(shí)，分子稀薄，真空度高，分子的平均自由程短。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

分子泵必須在一定的真空度下才能有效的運(yùn)行。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

關(guān)于PVD的特點(diǎn)，下列說法正確的是()

A:較低真空度B:固態(tài)或熔融態(tài)作源物質(zhì)C:經(jīng)過物理過程轉(zhuǎn)移D:沒有化學(xué)反應(yīng)

答案:固態(tài)或熔融態(tài)作源物質(zhì);經(jīng)過物理過程轉(zhuǎn)移;沒有化學(xué)反應(yīng)

第三章測(cè)試

下列材料中，用于制作厚膜電阻材料的是()

A:金B(yǎng):鉬-錳粉體C:RuO2D:BaTiO3

答案:RuO2

按膜厚分，小于1μm的為薄膜。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

觸變型流體隨著切應(yīng)力的增加，凝膠結(jié)構(gòu)的分子間價(jià)鍵破裂，粘度增加

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

厚膜導(dǎo)體材料中的銀導(dǎo)體，其最大特點(diǎn)是電導(dǎo)率高，最大缺點(diǎn)是易氧化。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

對(duì)電容器等用的介質(zhì)膜則需要介電常數(shù)大。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第四章測(cè)試

N2和H2中主要存在偶極子轉(zhuǎn)向極化

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

由于外加電壓的作用，致使電介質(zhì)內(nèi)部發(fā)生化學(xué)變化而引起的擊穿稱為電介質(zhì)的電化學(xué)擊穿

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

壓電效應(yīng)產(chǎn)生的條件有（）

A:晶體結(jié)構(gòu)沒有對(duì)稱中心B:晶體結(jié)構(gòu)有對(duì)稱中心C:其結(jié)構(gòu)必須有帶正負(fù)電荷的質(zhì)點(diǎn)。即壓電體是離子晶體或由離子團(tuán)組成的分子晶體D:壓電體是電介質(zhì)

答案:晶體結(jié)構(gòu)沒有對(duì)稱中心;其結(jié)構(gòu)必須有帶正負(fù)電荷的質(zhì)點(diǎn)。即壓電體是離子晶體或由離子團(tuán)組成的分子晶體;壓電體是電介質(zhì)

介電常數(shù)的意義包括（）

A:研究介質(zhì)損耗的理論依據(jù)B:絕緣試驗(yàn)的理論依據(jù)C:選擇絕緣體用于電容器和電纜中D:用于多層介質(zhì)的合理配合

答案:研究介質(zhì)損耗的理論依據(jù);絕緣試驗(yàn)的理論依據(jù);選擇絕緣體用于電容器和電纜中;用于多層介質(zhì)的合理配合

（）產(chǎn)生的條件是體系必須是極性晶體，即具有特殊極化方向的晶體

A:熱電效應(yīng)B:熱釋電效應(yīng)C:鐵電效應(yīng)D:壓電效應(yīng)

答案:熱釋電效應(yīng)

第五章測(cè)試

光電效應(yīng)實(shí)驗(yàn)中，（）光照射金屬后，所獲得的遏止電壓最大。

A:紫B:藍(lán)C:黃D:紅

答案:紫

太陽能的利用方式主要有（）

A:光化學(xué)利用B:光電利用C:熱電利用D:光熱利用

答案:光化學(xué)利用;光電利用;光熱利用

LED的工作電流會(huì)隨著供應(yīng)電壓的變化及環(huán)境溫度的變化而產(chǎn)生較大波動(dòng)，所以LED一般工作在（）驅(qū)動(dòng)狀態(tài)。

A:恒定交流B:可變交流C:恒定直流D:可變直流

答案:恒定直流

輻射復(fù)合是指電子和空穴復(fù)合時(shí)，放出的能量以（）的形式輻射出去。

A:光B:電C:磁D:熱

答案:光

激光器發(fā)光需要外界的誘發(fā)促使載流子復(fù)合的受激發(fā)射。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第六章測(cè)試

熱電材料利用（）實(shí)現(xiàn)余熱回收并轉(zhuǎn)換成電能。

A:Peltier效應(yīng)B:Thomson效應(yīng)C:Joule效應(yīng)D:Seebeck效應(yīng)

答案:Seebeck效應(yīng)

熱電材料利用（）將電能直接轉(zhuǎn)變成熱能，用于熱電制冷。

A:Joule效應(yīng)B:Peltier效應(yīng)C:Seebeck效應(yīng)D:Thomson效應(yīng)

答案:Peltier效應(yīng)

電流通過存在溫度梯度的單一導(dǎo)體時(shí)，會(huì)產(chǎn)生可逆的Thomson熱效應(yīng)，不產(chǎn)生焦耳熱。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

衛(wèi)星和空間站的溫差發(fā)電系統(tǒng)通常處于900K溫度以上，可選用Bi2Te3/Sb2Te3系材料。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

熱電材料的性能通常用熱電優(yōu)值ZT來表示，其中Z的量綱為（）

A:無量綱B:S/mC:W/(m·K)D:1/K

答案:1/K

第七章測(cè)試

超級(jí)電容器是介于什么器件之間的新型儲(chǔ)能裝置

A:電阻B:電池C:電極D:電容

答案:電池;電容

鋰電池重放點(diǎn)過程有哪兩個(gè)過程實(shí)現(xiàn)

A:氧化B:脫嵌C:嵌入D:還原

答案:脫嵌;嵌入

超級(jí)電容器的忒點(diǎn)包括一下哪幾個(gè)方面

A:溫度性能好B:使用壽命長C:瞬間放電功率大D:容量大

答案:溫度性能好;使用壽命長;瞬間放電功率大;容量大

超級(jí)電容器按原理分類

A:雜化電容器原理B:雙電層電容原理C:贗電容原理D:動(dòng)力學(xué)原理

答案:雜化電容器原理;雙電層電容原理;贗電容原理

雙電層電容器由哪兩層電荷組成

A:電解液中的離子B:表面電荷（正電荷或負(fù)電荷）由由于化學(xué)相互作用而吸附到物體上的離子組成。C:進(jìn)入電解液物質(zhì)內(nèi)部的電子D:庫侖力吸引到表面電荷的離子組成。

答案:表面電荷（正電荷或負(fù)電荷）由由于化學(xué)相互作用而吸附到物體上的離子組成。;庫侖力吸引到表面電荷的離子組成。

第八章測(cè)試

下列導(dǎo)電性最好的金屬材料是（）

A:鐵B:鎳C:銀D:鎢

答案:銀

一般認(rèn)為薄膜導(dǎo)電材料的厚度在（）

A:1mm以上B:20nm至2μmC:大于100μmD:5nm以下

答案:20nm至2μm

用金、銀、鈀之類的金屬和有機(jī)物構(gòu)成有機(jī)金屬漿料，具有成本低、耐蝕性好的優(yōu)點(diǎn)

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

點(diǎn)缺陷引起的殘余電阻率變化遠(yuǎn)比線缺陷的影響小

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

金屬薄膜試樣的電導(dǎo)率與其厚度成正比

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第九章測(cè)試

常用的賤金屬電阻合金線有（）

A:錳銅線B:鎳鉻線C:銀基合金線D:康銅線

答案:錳銅線;鎳鉻線;康銅線

作為薄膜電阻材料要求材料具有以下哪些特性（）

A:電阻電壓系數(shù)小B:工藝性能好C:電阻率范圍寬D:電阻溫度系數(shù)小

答案:電阻電壓系數(shù)小;工藝性能好;電阻率范圍寬;電阻溫度系數(shù)小

碳基薄膜電阻材料是用碳?xì)浠衔?，如甲烷、汽油、苯等為原料在高溫下熱分解得?/p>

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

由于化學(xué)沉積膜反應(yīng)時(shí)產(chǎn)生大量氫氣，使鍍膜多孔，其防潮性較差

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

厚膜電阻漿料中的粘結(jié)相主要起粘接導(dǎo)電相和堅(jiān)固電阻體的作用，同時(shí)還有調(diào)整阻值、改善性能、提高膜層附著力等作用

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第十章測(cè)試

硅晶體結(jié)構(gòu)是金剛石結(jié)構(gòu)，每個(gè)晶胞中含有原子個(gè)數(shù)為（）

A:1B:4C:2D:8

答案:8

關(guān)于本征半導(dǎo)體，下列說法中錯(cuò)誤的是（）

A:本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)基本位于禁帶中線處B:本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)與溫度無關(guān)，只決定于材料本身C:本征半導(dǎo)體不含有任何雜質(zhì)和缺陷

答案:本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)與溫度無關(guān)，只決定于材料本身

半導(dǎo)體材料最常見的兩種晶體結(jié)構(gòu)是（）

A:金剛石型B:氯化鈉型C:閃鋅礦型

答案:金剛石型;閃鋅礦型

與絕緣體相比，半導(dǎo)體的價(jià)電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

A:與絕緣體的相同B:比絕緣體小C:比絕緣體大

答案:比絕緣體小

將Si摻雜入GaAs中，若Si取代Ga則起（）雜質(zhì)作用

A:陷阱B:復(fù)合中心C:受主D:施主

答案:施主

第十一章測(cè)試

磁滯回線的形狀可以反映磁性材料的基本磁性能。磁致回線的寬度越窄，代表該材料的（）

A:矯頑力越高B:剩余磁感應(yīng)強(qiáng)度越大C:起始磁導(dǎo)率越高D:越易被磁化

答案:越易被磁化

下列方法不能用于提高軟磁材料起始磁導(dǎo)率的是（）

A:提高材料飽和磁化強(qiáng)度B:降低磁晶各向異性常數(shù)C:增大磁致伸縮系數(shù)，提高內(nèi)應(yīng)力D:減少材料內(nèi)部雜質(zhì)、氣孔含量

答案:增大磁致伸縮系數(shù)，提高內(nèi)應(yīng)力

作為磁存儲(chǔ)材料，對(duì)磁頭材料的性能要求描述錯(cuò)誤的是（）

A:高矯頑力，易于保存信號(hào)B:耐磨性好，提高使用壽命C:磁導(dǎo)率高，提高信號(hào)靈敏度D:電阻率高，以降低高頻渦流損耗