湘潭大學模電老師題

PAGE第1頁共7頁一、填空題1、少子為空穴的參雜半導體是，多子為空穴的參雜半導體是。2、N溝道場效應管處于放大狀態(tài)，柵源電壓的極性要求分別是：結型、增強型MOS管、耗盡型MOS管。20lg|Au|3、當希望抑制50Hz交流電源的工頻干擾時，應選用的濾波器類型是，當希望抑制10KHz以下信號時，應選用的濾波器類型是20lg|Au|70-20dB/dec4、某放大電路的幅頻響應曲線如圖1所示，則70-20dB/dec35該放大電路的中頻電壓放大倍數(shù)為Au=倍，351021051061040上限截止頻率fH=Hz，在截止頻率處1021051061040f/Hz放大器的實際電壓增益為dB。f/Hz5、振蕩幅值平衡條件是，其振蕩頻率是由條件決定。6、三極管電流放大系數(shù)=98，則=。7、需要穩(wěn)定靜態(tài)工作點時，引入的反饋是。若希望提高放大電路的輸入電阻應引入的反饋類型是、需要穩(wěn)定輸出電壓，應引入的反饋類型是。8、半導體三極管和場效應管，屬于雙極型器件是、單極型器件是；電壓控制型器件是、電流控制型器件是。二、判斷題1、直接耦合多級放大電路的Q點相互影響（），可以放大直流信號。（）2、本征半導體溫度升高后兩種載流子濃度仍然相等。（）3、場效應管是由電壓即電場來控制電流的器件。（）4、放大電路級數(shù)越多，引入負反饋后越容易產(chǎn)生高頻自激振蕩。（）5、放大器件的極間電容決定高頻響應頻率、耦合電容與旁路電容決定低頻響應頻率。（）6、增強型MOS管工作在恒流區(qū)時，其ugs大于零。（）7、同相比例運算電路中集成運放的共模輸入電壓為零。（）8、P型半導體帶正電（），N型半導體帶負電。（）三、分析計算題1、電路如圖所示，T1和T2的飽和壓降|UCES|=0V，UBE=0.7V，RL=4Ω，輸入電壓ui為正弦波。試求：（1）估算最大輸出信號幅值、最大輸出信號功率。（2）估算T1和T2管的最大管耗。（3）提出改進交越失真的解決方案？uiRb1TRuiRb1TRLuo+C1C2+VCCRb2RcRe2CeRe1+++20uF20uF30k10k1k100100uF3k2k12V（1）試確定電路的靜態(tài)工作點參數(shù)；（2）畫出該電路的微變等效電路；（3）計算3、試求解輸出電壓與輸入電壓的運算關系。4、電路如圖所示，試求：（1）A1、A2的反饋組態(tài)類型；（2）估算深負反饋條件下的電壓增益。5、電路如圖所示，T1和T2管的β均為100，rbb‘=300Ω，UBE=0.7V，ui1=10mv，ui2=30mv。試求：（1）靜態(tài)工作點參數(shù)；（2）差模輸入電壓uid、共模輸入電壓uic；（3）差模電壓增益Aid、共模電壓增益Aic。6、電路如圖所示，RW1、RW2的滑動端位于中點，R1=50KΩ，C=0.01uF，穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值為6V。試求：（1）畫出uo1、uo的波形，標明幅值和周期；（2）如何調節(jié)可以滿足頻率增大？（3）如何調節(jié)可以滿足uo輸出幅值增大？7、電路如圖所示，其中R1=R2=R3，R5=R6=R，R7=R8=3R，試求解輸出電壓與輸入電壓的運算關系。8、電路如圖所示，試求：（1）電路的反饋組態(tài)類型；（2）估算深負反饋條件下的電壓增益。

9、電路如圖所示，T1和T2管的β均為100，rbb‘=300Ω，UBE=0.7V，ui1=10mv，ui2=30mv。試求：（1）靜態(tài)工作點參數(shù)；（2）差模輸入電壓uid、共模輸入電壓uic；（3）差模電壓增益。10、電路如圖所示，試求：（1）簡要分析電路的振蕩工作原理；（2）推導振蕩頻率表達式；（3）如果需要穩(wěn)定輸出幅值，常用的措施有哪些？試提出兩種方案。11、單電源功率放大電路如圖所示，功放管的飽和壓降忽略不計.⑴靜態(tài)時A點的電壓為多少？⑵如果出現(xiàn)交越失真可以通過調節(jié)哪個電阻消除。⑶.該電路的最大輸出功率P0max。D1R1RD1R1R2RLD28UC12VuiAR312、放大電路如圖，已知：=60，RB1=60K，RB2=20K，RC=3K，RE=2K，RL=6K，UBE=0.6V，電源電壓UCC=16V，所有電容視為交流短路。⑴試確定電路的靜態(tài)工作點Q；⑵畫出該電路的微變等效電路；VccuiRVccuiRLRCRERb1Rb2CEu013、試求解輸出電壓與輸入電壓的運算關系。14、差動放大電路如圖所示，三極管的電流放大倍數(shù)=100，Ube=0.6V。試求：3K