半導(dǎo)體晶片直徑測(cè)試方法-討論稿-編制說(shuō)明_第1頁(yè)
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1GB/TXXXXX-XXX近年來(lái)隨著其他半導(dǎo)體材料如碳化硅、磷化銦修訂后標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍擴(kuò)大，不僅適用于硅本項(xiàng)目在下達(dá)計(jì)劃后，組織了專(zhuān)門(mén)的標(biāo)準(zhǔn)編和其他半導(dǎo)體晶片直徑的測(cè)試指南》全文，對(duì)原國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《硅片直徑測(cè)量方法》和GB/T容，于2023年2月完成標(biāo)準(zhǔn)討論稿，提交到全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料麥斯克電子材料有限公司成立于1995年，是一家集直拉單晶硅、硅切磨片、硅拋光2GB/TXXXXX-XXX本標(biāo)準(zhǔn)的修訂主要根據(jù)材料的發(fā)展情況對(duì)其適用范圍和技術(shù)要點(diǎn)內(nèi)容進(jìn)行了必要的原標(biāo)準(zhǔn)GB/T14140-2009包括光學(xué)投影儀測(cè)試硅片直徑和千分尺法測(cè)試硅片直徑兩種方法，這兩種方法從原理上講也同樣適用于其他半導(dǎo)體材料晶片直徑的測(cè)試，GB/T30866-2014規(guī)定了用千分尺測(cè)量碳化硅單晶片直徑的方法，該標(biāo)準(zhǔn)中描述的方法可以完全合并至GB/T14140-2009中，根據(jù)國(guó)標(biāo)體系優(yōu)化結(jié)論，將GB/T14140-2009和GB/T本標(biāo)準(zhǔn)整合修訂GB/T14140-2009《硅片直徑測(cè)量方法》和GB/T30866-2014《碳化3GB/TXXXXX-XXX本標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)投影法參照ASTMF613-93《半導(dǎo)體晶片直徑的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法》進(jìn)行修訂，由于目前大直徑晶片依然采用光學(xué)投影法測(cè)量直徑，在本次修訂中保留光學(xué)投影法。千分尺法是根據(jù)目前國(guó)內(nèi)晶片生產(chǎn)、使用行業(yè)的實(shí)際需要修訂的。在精密度方面，后續(xù)對(duì)單個(gè)實(shí)驗(yàn)室和實(shí)

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