射頻通信電路-黃卡瑪-試題1

四川大學期

考試試題（2004——2005學年第2學期）課程號20507730

課序號：0

課程名稱：射頻通信電路

任課教師：劉長軍

成績：適用專業(yè)年級：

2002級

學生人數：106

印題份數：

學號：

姓名：

題

目評分一二三四五六總分評分

閱卷教師簽名

四川大學學生參加由學校組織或由學校承辦的各級各類考試，必須嚴格執(zhí)行《四川大學考試工作管理辦法》和《四川大學考場規(guī)則》。有考試違紀作弊行為的，一律按照《四川大學學生考試違紀作弊處罰條例》進行處理。四川大學各級各類考試的監(jiān)考人員，必須嚴格執(zhí)行《四川大學考試工作管理辦法》、《四川大學考場規(guī)則》和《四川大學監(jiān)考人員職責》。有違反學校有關規(guī)定的，嚴格按照《四川大學教學事故認定及處理辦法》進行處理。注意：所有試題均答在答題紙上，答在試題頁上無效！一、填空（10分）1.

一般定義微波的頻率范圍為300MHz至

。2.

如果一個金屬圓柱的半徑為R，趨膚深度為，當滿足條件R>>時，其射頻電阻RRF與直流電阻RDC的比值為

。3.

一個貼片電容上的標稱是103，則這個電容器的電容是

。4.

在射頻頻段，電容器的寄生參數必須考慮。如果一個電容的工作頻率大于其自身諧振頻率時，電容將呈現出

阻抗。5.

無耗傳輸線特征阻抗為Z0，終端接負載ZL。當滿足條件ZL=Z0時，傳輸線上的電壓駐波系數VSWR為

。6.

在1947年，

實驗室發(fā)明了鍺材料的雙極型晶體管。7.

由于肖特基（Schottky）二極管具有很強的非線性特性，非常適合用于

電路。此外，肖特基二極管還可以用于檢波電路和整流電路。8.

變容二極管的等效電容隨外加電壓的變化而變化，可以用于頻率調諧電路。在大多數應用中，要求變容二極管的外加電壓為

向偏置。9.

RFC在射頻晶體管放大器的偏置電路中，主要作用是將射頻信號與

分離。10.

如果下一級電路的輸入阻抗為ZIN=RIN+jXIN，則當上一級電路得輸出阻抗ZOUT為

時，可以得到最大功率的傳輸。二、單項選擇題（10分）1.

某手機的上行頻率為890MHz，按IEEE對頻譜的劃分，此工作頻率屬于（）頻段。A

L波段

B

C波段

C

Ku波段

D

P波段

本題4頁，本頁為第1頁

教務處試題編號：2.

在史密斯阻抗圓圖中，感性負載對應的點應該全包含在（

）。

A

上半平面

B

下半平面

C

左半平面

D

右半平面3.

3dB射頻衰減器的S參數可以表示為（

）

A

B

C

D

4.

RLC串聯(lián)諧振電路在諧振頻率維持不變時，如果需要提高電路的品質因數，則需要（

）

A

提高電感L，降低電容C

B

降低電感L，降低電容C

C

降低電感L，提高電容C

D

提高電感L，提高電容C5.

下圖電路是（

）類型的濾波器。

A

LPF

B

BPF

C

BSF

D

HPF6.

射頻三極管的大信號模型是（

），射頻三極管的小信號模型是（

）。

A

線性模型

非線性模型

B

非線性模型

線性模型

C

線性模型

線型模型

D

非線性模型

非線性模型7.

甲乙類放大器的最大理論值效率（）。

A

50

B

78.5

C

100

D

258.

表示正常工作的射頻三極管S參數的是（

）

A

B

C

D

9.

如果VG表示柵極電壓，VD表示漏極電壓，則MESFET射頻放大器的直流偏置通常要求（

）

A

VG>0,VD>0

B

VG<0,VD>0

C

VG>0,VD<0

D

VG<0,VD<010.

為了便于計算和分析級聯(lián)兩端口網絡，一般采用（

）網絡參數。

A

[Z]

B

[Y]

C

[ABCD]

D[S]三、專業(yè)詞匯翻譯（15分）1.

Voltagereflectioncoefficient2.

Scatteringparameter3.

Resonantfrequency4.

Surfacemounteddevice5.

Capacitiveimpedance6.

Frequencytransformation7.

Equi-ripple8.

Coaxialtransmissionline9.

MESFET10.

Diode11.

Signalflowchart12.

Admittancematrix13.

Lumpedparameter14.

Cascadingconnection15.

Cut-offfrequency本題4頁，本頁為第2頁

教務處試題編號：四簡答計算題（共30分）1.

下圖中a1、a2分別1端口和2端口的入射功率波，b1、b2分別為1端口和2端口的反射功率波，試寫出此微波晶體管兩端口網絡S參數中S11和S21的表達式，及其物理意義。

2.

計算下圖中兩端口網絡的S參數。（假設系統(tǒng)的阻抗為Z0）

3.

在濾波電路的設計中，利用Richard變換可以使用/8終端短路和終端開路傳輸線替代電感和電容。如果工作頻率為f，試分別計算替代電感L和電容C的傳輸線的特征阻抗Z0L和Z0C。五、分析設計題（共35分）1.

設計一個3dB的型衰減器，其電路結構如下圖所示。假設該衰減網絡接入到一個傳輸線特性阻抗為50的通信系統(tǒng)中。試計算出該網絡元件的電阻值。

2.

如下圖所示，晶體管放大電路的輸出穩(wěn)定圓，其中L為輸入端口的電壓反射系數，在|S11|<1和|S11|>1兩種情況下，請分別用陰影標出放大電路的穩(wěn)定區(qū)域的位置。（在答題紙上繪出大致圖案即可。）本題4頁，本頁為第3頁

教務處試題編號：3.

DesignaprototypeofaChebyshev3rdorderlow-passfilterwhoseinputandoutputarematchedto50impedanceandthatmeetsthefollowingspecifications:cut-offfrequencyof3GHz;equi-rippleof0.5dB.

Chebyshevfiltercoefficients:0.5dB