低電源電壓可變?cè)鲆娣糯笃髟O(shè)計(jì)開(kāi)題報(bào)告

低電源電壓可變?cè)鲆娣糯笃髟O(shè)計(jì)開(kāi)題報(bào)告一、課題背景隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，各類(lèi)移動(dòng)智能化設(shè)備的興起以及無(wú)線通信技術(shù)的不斷推廣，對(duì)低功耗、微型化、高性能射頻（RadioFrequency，RF）集成電路的需求也日益增長(zhǎng)。其中，對(duì)于低功耗和微型化的要求成為了尤為突出的問(wèn)題，在整個(gè)射頻電路設(shè)計(jì)中，每個(gè)單元模塊都對(duì)功耗、面積有著明確而具體的要求，而低電壓電源穩(wěn)定工作、帶寬和增益的優(yōu)化問(wèn)題也是一直以來(lái)需要重視的問(wèn)題。二、研究意義在射頻電路設(shè)計(jì)中，低電源電壓可變?cè)鲆娣糯笃魇且环N常用的射頻前端放大器設(shè)計(jì)，它可以在運(yùn)行時(shí)從電源當(dāng)中提供的電壓中獲取其所需的電壓，并直接作用在信號(hào)通道上，增加信號(hào)的幅度。在以往的研究中，一般都是采用固定增益的放大器，隨著對(duì)電路的優(yōu)化要求不斷提高，可變?cè)鲆娣糯笃鞯膽?yīng)用越來(lái)越廣泛。本論文選用了低電源電壓可變?cè)鲆娣糯笃鬟M(jìn)行研究，在設(shè)計(jì)中，將從電壓源、射頻放大器，以及可變?cè)鲆骐娐贩矫孢M(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，最后對(duì)電路的性能進(jìn)行分析與統(tǒng)計(jì)，并給出一定的優(yōu)化設(shè)計(jì)思路，一方面提高工程師對(duì)電路的了解程度，同時(shí)也為實(shí)用射頻集成電路設(shè)計(jì)提供了有力支持，對(duì)于低功耗、微型化、高性能射頻集成電路的設(shè)計(jì)和應(yīng)用有著重要意義。三、研究?jī)?nèi)容本論文的主要研究?jī)?nèi)容如下：1、整體電路的設(shè)計(jì)：設(shè)計(jì)低電源電壓可變?cè)鲆娣糯笃鞯恼w電路，包括電壓源、射頻放大器、以及可變?cè)鲆骐娐啡齻€(gè)部分的設(shè)計(jì)。搭建仿真平臺(tái)，對(duì)整個(gè)電路進(jìn)行仿真。2、射頻放大器的設(shè)計(jì)：詳細(xì)介紹射頻放大器的基本原理，并進(jìn)行射頻放大器的設(shè)計(jì)和仿真。3、可變?cè)鲆骐娐返脑O(shè)計(jì)：詳細(xì)介紹可變?cè)鲆骐娐返幕驹?，并?duì)可變?cè)鲆骐娐返脑O(shè)計(jì)進(jìn)行仿真。4、整體電路性能分析：對(duì)整體電路的性能進(jìn)行分析與統(tǒng)計(jì)，定量評(píng)價(jià)其優(yōu)缺點(diǎn)，給出一定的優(yōu)化設(shè)計(jì)思路。四、研究方法本論文采用了模塊化設(shè)計(jì)的方法，首先研究低電源電壓可變?cè)鲆娣糯笃髡w電路的設(shè)計(jì)方案，然后將電路分成電壓源、射頻放大器以及可變?cè)鲆骐娐啡齻€(gè)模塊進(jìn)行深入研究，最后將三個(gè)模塊進(jìn)行整合，搭建仿真平臺(tái)對(duì)整個(gè)電路進(jìn)行仿真。在電路的設(shè)計(jì)過(guò)程中，將采用優(yōu)化設(shè)計(jì)的思路，利用仿真軟件對(duì)設(shè)計(jì)方案進(jìn)行模擬，根據(jù)仿真結(jié)果對(duì)電路進(jìn)行優(yōu)化，調(diào)整電路參數(shù)，以達(dá)到更好的性能。五、預(yù)期目標(biāo)通過(guò)對(duì)低電源電壓可變?cè)鲆娣糯笃鬟M(jìn)行深入研究，本論文預(yù)期達(dá)到以下目標(biāo)：1、深入理解低電源電壓可變?cè)鲆娣糯笃鞯脑O(shè)計(jì)原理以及其應(yīng)用。2、掌握電壓源、射頻放大器以及可變?cè)鲆骐娐返脑O(shè)計(jì)技巧和方法。3、通過(guò)電路仿真和分析，掌握電路仿真的流程和方法。4、實(shí)現(xiàn)低電源電壓可變?cè)鲆娣糯笃麟娐返脑O(shè)計(jì)和優(yōu)化，提高電路性能。5、能夠?qū)ι漕l前端放大器進(jìn)行設(shè)計(jì)和優(yōu)化，提高其性能。六、進(jìn)度安排本論文的主要工作進(jìn)度如下：第一階段：文獻(xiàn)調(diào)研，了解研究領(lǐng)域的現(xiàn)狀和相關(guān)技術(shù)，撰寫(xiě)開(kāi)題報(bào)告。時(shí)間：1周。第二階段：搭建仿真平臺(tái)，對(duì)整個(gè)低電源電壓可變?cè)鲆娣糯笃鞯碾娐愤M(jìn)行仿真分析。時(shí)間：2周。第三階段：射頻放大器的設(shè)計(jì)和仿真。時(shí)間：3周。第四階段：可變?cè)鲆骐娐返脑O(shè)計(jì)和仿真。時(shí)間：3周。第五階段：整體電路性能的分析、仿真和優(yōu)化。時(shí)間：3周。第六階段：論文撰寫(xiě)和答辯。時(shí)間：2周。七、參考文獻(xiàn)[1]朱迪,馬玉鑫,海龍峰.一種低功耗、寬帶、高增益前置放大器的設(shè)計(jì)[J].電子設(shè)計(jì)工程,2012,20(3):53-55.[2]呂歆然.射頻前置放大器設(shè)計(jì)及其在無(wú)線電頻段應(yīng)用[M].同濟(jì)大學(xué),2009.[3]趙偉.射頻移動(dòng)通信