垂直腔面發(fā)射激光器濕法氧化工藝研究的開題報告

垂直腔面發(fā)射激光器濕法氧化工藝研究的開題報告一、選題背景垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）是一種近年來發(fā)展非常迅速的半導(dǎo)體激光器，在光通信、生物醫(yī)學(xué)、光電子器件等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。其中，在高速、高密度數(shù)據(jù)傳輸方面，VCSEL是首選技術(shù)之一。VCSEL的制備涉及到多個關(guān)鍵技術(shù)，其中氧化為最為關(guān)鍵的一步。濕法氧化工藝是VCSEL氧化的一種重要方法，具有工藝簡單、成本低、制備周期短等優(yōu)點(diǎn)，但是在實(shí)際應(yīng)用中，由于工藝參數(shù)對氧化質(zhì)量影響較大，因此如何優(yōu)化濕法氧化工藝參數(shù)，提高VCSEL的氧化質(zhì)量是研究的重點(diǎn)。二、研究目的和意義本研究旨在深入研究VCSEL濕法氧化工藝過程中涉及的關(guān)鍵參數(shù)及其對氧化質(zhì)量的影響，通過優(yōu)化工藝參數(shù)，實(shí)現(xiàn)VCSEL在氧化質(zhì)量上的提高，從而提高VCSEL在相關(guān)領(lǐng)域下的應(yīng)用性能。本研究的意義主要在于：1.為VCSEL的生產(chǎn)制造提供參考，優(yōu)化氧化工藝，提高制造成本的效益和競爭力；2.提升VCSEL在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用性能，促進(jìn)相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步；3.拓展VCSEL在其他研究領(lǐng)域的應(yīng)用，為相關(guān)研究提供技術(shù)支撐。三、預(yù)期研究內(nèi)容1.設(shè)計(jì)并建立VCSEL氧化的濕法氧化實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，建立適合VCSEL氧化的工藝流程；2.通過對不同氧化工藝參數(shù)的影響研究，分析工藝參數(shù)對VCSEL氧化質(zhì)量的影響規(guī)律，確定氧化質(zhì)量優(yōu)化的工藝參數(shù)；3.通過對VCSEL進(jìn)行氧化實(shí)驗(yàn)和表面形貌、電學(xué)特性分析等測試，評價優(yōu)化后的VCSEL氧化質(zhì)量；4.根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果和分析，得出VCSEL濕法氧化工藝中的關(guān)鍵參數(shù)、最優(yōu)工藝參數(shù)及優(yōu)化方向；5.論文撰寫及論文答辯。四、研究難點(diǎn)1.濕法氧化工藝參數(shù)的優(yōu)化是VCSEL氧化質(zhì)量提高的關(guān)鍵；2.VCSEL氧化質(zhì)量測試、表面形貌分析等技術(shù)屬于微納米級測量技術(shù)，需要精密設(shè)備和專業(yè)技術(shù)支持；3.VCSEL本身性能的微小變化對其實(shí)際應(yīng)用性能的影響，需要進(jìn)行充分探究。五、研究方法和技術(shù)路線1.研究方法實(shí)驗(yàn)研究法，通過對VCSEL濕法氧化過程中有關(guān)工藝參數(shù)的調(diào)節(jié)，結(jié)合對其氧化質(zhì)量、表面形貌、電學(xué)性質(zhì)等進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測試和分析，確定VCSEL濕法氧化工藝中的關(guān)鍵因素及其對氧化質(zhì)量的影響規(guī)律。2.技術(shù)路線（1）VCSEL氧化的濕法氧化實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)建立（2）基于不同工藝參數(shù)對VCSEL氧化質(zhì)量的研究，確定關(guān)鍵參數(shù)（3）優(yōu)化關(guān)鍵參數(shù)，提高VCSEL氧化質(zhì)量（4）測試分析VCSEL濕法氧化后的表面形貌、電學(xué)性能及其應(yīng)用性能（5）論文撰寫及論文答辯六、預(yù)期研究結(jié)果1.分析VCSEL濕法氧化關(guān)鍵參數(shù)及其影響規(guī)律，得出最優(yōu)工藝參數(shù)；2.實(shí)現(xiàn)VCSEL濕法氧化質(zhì)量的提高；3.為