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116///-長春理工大學中山研究院(以下簡稱建設單位)由中山市人民政府和長春理工大學共建,于2021年3月28日正式落戶廣東省中山市火炬開發(fā)區(qū),是中山市首個高精尖領域碩博聯(lián)合教育培養(yǎng)基地。未來中山市預計投資十億余元,打造1000人規(guī)模的碩建設單位現(xiàn)已建立13個科研實驗室,支持研究院建設發(fā)展,包括光電/生物納米檢測與制造中心、數(shù)字醫(yī)療研發(fā)中心、腦信息與類腦智能技術研究中心、太赫茲波譜與成像實驗室、可視化3D裝配及數(shù)字孿生技術研發(fā)中心、智能化激光制造裝備技術實驗室、高性能紅外薄膜技術功能性平臺、機器人感知與無人系統(tǒng)實驗室、半導體激光及應用、微電子技術中心、香山5G6G實驗為滿足香山5G6G實驗室對復合材料進行無損檢測的需求,建設單位擬在香山5G6G實驗室配套建設一間射線探傷室,配套使用2臺工業(yè)X射線探傷裝置(包括1臺工業(yè)CT—nanoVoxel2000材料體素高分辨綜合掃描系統(tǒng)和1臺工業(yè)用X射線探傷裝置—PXSEVO160D型工業(yè)用X射線探傷裝置),用于復合內部分層等無損檢測。X射線無損檢測容易檢出那些形成局部厚度差的缺陷,如氣孔、針孔、夾雜、疏松、裂紋、偏析、未焊透和熔合不足等,幾乎適用于所有材料,在鋼、鈦、銅、鋁等金屬材料上使用均能得到良好的效果,該方法對試件的形狀、表面粗糙度沒有嚴格要求,材料晶粒度對其不產生影響,應用的行業(yè)有特種設備、航空根據《中華人民共和國環(huán)境影響評價法》、《放射性同位素與射線裝置安全許可管理辦法》、《建設項目環(huán)境保護管理條例》,本項目應編制環(huán)境影響評價文件。根據《關于發(fā)布<射線裝置分類>的公告》(原國家環(huán)境保護部、國家衛(wèi)生和計劃生育委員會公告2017年第66號本項目工業(yè)CT和工業(yè)用X射線探傷裝置屬于Ⅱ類射線裝置,對照《建設項目環(huán)境影響評價分類管理名錄(2021年版)》(生態(tài)環(huán)境部第16號令),本項目屬“五十五核與輻射、172核技術利用建設項目-使用II類射線裝置”,應編制環(huán)境影響報告表。因此,受建設單位委托(委托書見附件1),深圳市瑞達檢測建設單位擬在中山市火炬開發(fā)區(qū)東鎮(zhèn)東一路6號香山5G6G實驗室建設一間射線探傷室,計劃使用2臺工業(yè)X射線探傷裝置(1臺工業(yè)CT和1于復合材料內部空隙、裂紋和復合材料內部分層等無損檢測。2臺X射線探傷裝置安裝在同一間探傷室內,不存在同時曝光情況。本項目屬于核技術利用新建項目,使用Ⅱ序號設備名稱型號最大管電壓最大管電流建設地點備注1工業(yè)用X射線計算機斷層掃描(CT)裝置nanoVoxel2000130kV香山5G6G實驗室探傷室室內探傷2工業(yè)用X射線探傷裝置PXSEVO160D7mA香山5G6G實驗室探傷室室內探傷香山5G6G實驗室位于中山市火炬開發(fā)區(qū)東鎮(zhèn)東一路6號中國中山留學人員創(chuàng)業(yè)園(新園),項目地理位置圖見附圖1。中國中山留學人員創(chuàng)業(yè)園(新園)北面隔東鎮(zhèn)東一路為中山龐玻新型裝飾玻璃有限公司,西面為中山富洲膠粘制品有限公司,南面隔逸怡路為中山金港金屬制造有限公司和中山火炬職業(yè)技術學院金源學院,東面隔長中國中山留學人員創(chuàng)業(yè)園(新園)共3棟建筑:綜合樓、孵化大樓、廢棄員工宿舍,其中孵化大樓共3樓,其中一樓主要為研究實驗室、中國香山微波科技有限公司、辦公區(qū)、材料加工區(qū)域及相關配套服務房間,二樓及三樓主要為研究實驗室、辦本項目探傷室擬設于孵化大樓一樓的香山5G6G實驗室東南側,探傷控制室,東南面為園區(qū)通道,西南面緊鄰Veleri材料加工室,西北面緊鄰微波毫米近場測試室,樓上為園區(qū)其他單位辦公室,樓下無建筑。評價項目四至圖附圖3,孵化本項目探傷室50m范圍為香山5G6G實驗室內部區(qū)域、園區(qū)道路、停車場、商業(yè)配本項目探傷室半徑50m范圍無居民小區(qū)、飲用水源等環(huán)境敏感點,200m范圍內均無中小學、幼兒園等敏感目標點,最近的居民小區(qū)(瀾溪泮島住宅區(qū))距離本項目探本項目為新建項目,建設單位目前未涉及核技術利用項目,未持有輻射安全許可注:放射源包括放射性中子源,對其要說明是何種核素以及產生的中子流強度(n/s)。注:日等效最大操作量和操作方式見《電離輻射防護與輻射源安全基本標準》(GB18871-2002)。 1工業(yè)用X射線計算機斷層掃描(CT)裝置2工業(yè)用X射線探傷裝置類別數(shù)量表s廢棄物(重點是放射性廢棄物)向注:1.常規(guī)廢棄物排放濃度,對于液態(tài)單位為mg/L,固體為mg/kg,氣態(tài)為mg/m3;年排放總量用kg。2.含有放射性的廢物要注明,其排放濃度、年排放總量分別用比活度(Bq/L或Bq/kg或Bq/m3)和活度(Bq)。表‘評價依據(1)《中華人民共和國環(huán)境保護法》(201);(2)《中華人民共和國環(huán)境影響評價法》(2002年10月28日通過,自2003年9);(3)《中華人民共和國放射性污染防治法》(2003年6月28日通過,2003年10);(4)《放射性同位素與射線裝置安全和防護條例》(國務院第449號令,2005年12月1日施行:根據2014年7月29日《國務院關于修改部分行政法規(guī)的決定》第一次修訂:2019年3月2日根據《國務院關于修改部分行政法規(guī)的決定》第二次修);(5)《放射性同位素與射線裝置安全許可管理辦法》(2006年1月18日,國家環(huán)境保護總局令第31號公布;2008年12月6日經環(huán)境保護部令第3號修改;2017年12月20日經環(huán)境保護部令第47號修改;2019年8月22日經生態(tài)環(huán)境部令第7號修););(7)《放射性同位素與射線裝置安全和防護管理辦法》(環(huán)境保護部令18號2011年5月1日施行:根據國務院令第709號《國務院關于修改部分行政法規(guī)的決);(8)《建設項目環(huán)境影響評價分類管理名錄》(生態(tài)環(huán)境部部令第16號,2021);(9)《關于發(fā)布射線裝置分類的公告》(環(huán)境保護部國家衛(wèi)生和計劃生育委員);(10)《建設項目竣工環(huán)境保護驗收暫行辦法》(環(huán)境保護部國環(huán)規(guī)環(huán)評[);(11)《建設項目環(huán)境影響報告書(表)編制監(jiān)督管理辦法》(生態(tài)環(huán)境部令第),);(13)《關于核技術利用輻射安全與防護培訓和考核有關事項的公告》(生態(tài)環(huán)準););););(5)《輻射環(huán)境保護管理導則核技術利用建設項目環(huán)境影響評價文件的內容和);););本項目使用Ⅱ類射線裝置,參照《輻射環(huán)境保護管理導則核技術利用建設項目環(huán)境影響評價文件的內容和格式》(HJ10.1-2016)對核技術利用建設項目環(huán)境影響報評價范圍和保護目標的相關規(guī)定,放射源和射線裝置應用項目的評價范圍,通常取裝置所在場所實體屏蔽物邊界外50m的范圍(無實體邊界項目視具體情況而定,應不低于100m范圍),本項目兩臺設備均為II類射線裝置,射線裝置均安裝在具有實體邊界的機房內。因此本評價項目以探傷室實體屏蔽物邊界外50m作為本評價項目的評價范圍(見本項目電離輻射評價范圍內無自然保護區(qū)、風景名勝和文物古跡等需要特殊保護的環(huán)境敏感對象,無居民小區(qū)、學校等環(huán)境敏感點。本項目環(huán)境保護目標主要為評價范圍內的輻射工作人員和孵化樓、綜合樓內辦公人員等公眾。正常工作時,工作人員和公眾所受照射劑量應低于本報告提出的管理劑量約束值,確保運行本項目輻射工作場所輻射環(huán)境影響評價范圍內周邊類型周圍環(huán)境方位保護目標常停留人數(shù)保護要求職業(yè)控制室東北側相鄰輻射工作人員2人5mSv/a公眾微波毫米近場測試室、微波毫米遠場測暗室、樣品間控制室等西北側0~50m公眾數(shù)人0.1mSv/a太赫茲雷達實驗室、香山微波公司辦公區(qū)等東北側0~50m公眾數(shù)十人Veleri材料加工室、食堂、商業(yè)配套房間、其他實驗室區(qū)域等西南側0~50m公眾數(shù)十人園區(qū)道路東南側0~50m公眾2人辦公室、研究實驗室樓上0~50m公眾數(shù)十人無建筑樓下----7.3.1基本劑量限值和劑量約束值執(zhí)行《電離輻射防護與輻射源安全基本標準》(GB18871-2002)規(guī)定的劑量限值B應對任何工作人員的職業(yè)照射水平進行控制,使之不超過下),b)任何一年中的有效劑量,50mSv。b)特殊情況下,如果5個連續(xù)年的年平均劑量不超過1mSv,則某一該項目取職業(yè)照射劑量限值的四分之一作為劑量約束值,劑量約束值為5mSv/a;取公眾照射劑量限值的十分之一作為劑量約束值,即公眾的年7.3.2輻射工作場所邊界周圍劑量率控制水平參照《工業(yè)X射線探傷放射防護要求》(a)人員在關注點的周劑量參考控制水平,對職業(yè)工作人員不大于100μSv/周,對公b)關注點最高周圍劑量當量率參考控制水平不大于2.5a)探傷室上方已建、擬建建筑物或探傷室旁鄰近建筑物在自輻射源點到探傷室頂b)對不需要人員到達的探傷室頂,探傷室頂外表面30cm處的劑量率參考控制水平長春理工大學中山研究院香山5G6G實驗室位于中山市火炬開發(fā)區(qū)東鎮(zhèn)東一路6號中國中山留學創(chuàng)業(yè)園(新園),中國中山留學人員創(chuàng)業(yè)園(新園)共3棟建筑:綜合樓、孵化大樓、廢棄員工宿舍,本項目位于孵化大樓一樓香山5G6G實驗室。香山5G6G實驗香山5G6G實驗室入口探傷室東北面太赫茲雷達實驗室探傷室(現(xiàn)狀)探傷室西北面微波毫米近場實驗室探傷室西南面Veleri材料加工室探傷室東南面園區(qū)道路探傷室樓上辦公室園區(qū)東北面住宅區(qū)園區(qū)廢棄宿舍圖8-1周圍環(huán)境現(xiàn)狀圖8.2環(huán)境現(xiàn)狀評價的對象、監(jiān)測因子和監(jiān)測點位2022年3月29日,深圳市瑞達檢測技術有限公司的監(jiān)測人員對長春理工大學中山研究院香山5G6G實驗室環(huán)境及周邊進行了輻射水平監(jiān)測。本項目環(huán)境現(xiàn)狀監(jiān)測及評價對參照《輻射環(huán)境監(jiān)測技術規(guī)范》(HJ61-2021)中的方法布設監(jiān)測點,結合本評價8.3監(jiān)測方案、質量保證措施及監(jiān)測結果儀器名稱輻射檢測儀儀器型號AT1121儀器編號45573儀器能量響應范圍15keV~60keV:-30%~+30%,60keV~3MeV:-25%~+25%儀器測量范圍連續(xù)輻射:50nSv/h-10Sv/h短期輻射:5μSv/h-10Sv/h脈沖輻射:0.1μSv/h-10μSv/h檢定單位上海市計量測試技術研究院檢定證書編號2021H21-20-3287712001-01檢定日期2021年5月25日(有效期至2022年5月24日)(2)監(jiān)測方法采用國家有關部門頒發(fā)的標準,監(jiān)測人員經考核并持合格證書上(4)每次測量前、后均檢查儀器的工作狀態(tài)是否正常,并用檢驗源對儀器進行校本項目輻射環(huán)境現(xiàn)狀各監(jiān)測點位的監(jiān)測結果見表8-2。建設單位環(huán)境監(jiān)測布點示意序號檢測點位置地面介質檢測結果(nGy/h)備注最小值最大值平均值標準差高精密標定研究室(擬建機房位置)水泥1樓房內2#高精密標定研究室(擬建機房位置)水泥2樓房內3#高精密標定研究室(擬建機房位置)水泥2樓房內4#高精密標定研究室(擬建機房位置)水泥1樓房內5#高精密標定研究室(擬建機房位置)水泥1樓房內6#高精密標定研究室(擬建機房位置)水泥1樓房內7#通道水泥1樓房內8#通道水泥1樓房內9#微波毫米近場測試室水泥1樓房內10#微波毫米近場測試室水泥1樓房內11#微波毫米遠場暗室水泥1樓房內12#通道水泥1樓房內13#通道水泥1樓房內14#通道水泥1樓房內15#太赫茲CT研究室水泥3樓房內16#太赫茲CT研究室水泥2樓房內17#會議室水泥1樓房內18#會議室水泥2樓房內19#會議室水泥2樓房內20#通道水泥2樓房內21#通道水泥1樓房內22#監(jiān)控室水泥2樓房內23#樣品間/控制室水泥2樓房內24#毫米波研究室水泥2樓房內25#毫米波研究室水泥2樓房內26#小會議室水泥1樓房內27#通道水泥1樓房內28#會議廳水泥1樓房內29#會議室水泥2樓房內30#汽車通道瀝青2道路上31#草坪泥土1草坪32#汽車通道瀝青2道路上33#綠化帶泥土1草坪34#綠化帶泥土2草坪35#綠化帶泥土2草坪36#車間水泥2樓房內37#車間水泥4樓房內38#車間水泥1樓房內39#車間水泥2樓房內40#空房水泥3樓房內41#空房水泥3樓房內42#綠化帶泥土1草坪43#汽車通道瀝青2道路上44#擬建機房上方(C2-219室)水泥2樓房內45#擬建機房上方(C2-218室)水泥2樓房內46#擬建機房上方(C2-217室)水泥2樓房內47#擬建機房上方(C2-216室)水泥2樓房內48#停車場水泥2道路上49#停車場水泥4道路上50#側門保安亭水泥3道路上51#空置大樓一樓水泥4樓房內52#綜合樓一樓水泥3樓房內53#正門保安亭水泥2道路上54#長青路瀝青3道路上55#長青路瀝青2道路上56#瀾溪泮島居民樓水泥1樓房內57#瀾溪泮島居民樓水泥2樓房內58#瀾溪泮島居民樓水泥2樓房內59#男衛(wèi)生間水泥1樓房內60#女衛(wèi)生間水泥1樓房內注:1.以上檢測結果已扣除宇宙射線的響應部分(約為42.06nGy/h),均在距地面1m測得。2.建筑物對宇宙射線的屏蔽修正因子,樓房取0.8,平房取0.9,原野、道路取1。從表8-2中的數(shù)據可見,從現(xiàn)場檢測結果可見,評價項目擬建區(qū)域及鄰近的室內環(huán)1995年)對廣東省環(huán)境天然貫穿輻射水平調查研究結果:中山地區(qū)的室內γ輻射劑量率水平為104.6~264.1nGy/h,中山地區(qū)的本評價項目擬建位置的環(huán)境γ輻射劑量率整體水平與本底基本相當,可知擬建區(qū)域環(huán)境(1)nanoVoxel2000材料體素高分辨nanoVoxel2000材料體素高分辨綜合掃描系統(tǒng)主要由X射線源、X射線成像探測器、精密樣品臺、圖像采集系統(tǒng)、三維圖像重建和處理系統(tǒng)等組成。nanoVoxel2000nanoVoxel2000材料體素高分辨綜合掃描系統(tǒng)各部分的名稱及功能介紹,見表9-表9-1nanoVoxel2000材料體素高分辨綜合掃描系統(tǒng)各部分的名稱及功能介紹ABCDEFnanoVoxel2000材料體素高分辨綜合掃描系統(tǒng)的內部圖,如圖9-3所示.表9-2nanoVoxel2000材料體素高分辨綜合掃描系統(tǒng)各部件的名稱及功能介紹ABCDEVO系列便攜式X射線機的組成包括一個用于產生X射線的管頭、一根連接電纜、一個控制器和一根電源線纜。設備只能通過控制器、或者經USB、以太網或藍牙接口(需特殊的軟件支持)的外部設備才可操作。本項目擬使用的PXSEVO160D型EVO控制器的操作界面劃分為3個主要部分。操作者可通過鍵盤直接操作一些基定將簡化操作且節(jié)省時間??刂婆_配有緊急停止按鈕,緊急情況下,X射線將立即停止并無法再次激發(fā),直到急停按鈕經順時針方向旋轉并得以解除。急停按鈕的兩側各有一個按鈕,分別用于激發(fā)和停止X射線。按鈕指示燈是被監(jiān)控的,任何故障將阻止計算機和X射線相結合的一項新穎的診斷新技術。其原理是基于從多個投影數(shù)據應用計算機重建圖像的一種方法,現(xiàn)代斷層成像過程中僅僅采集通過特定剖面(被檢測對象的薄層,或稱為切片)的投影數(shù)據,用來重建該剖面的圖像,因此也就從根本上消除了傳統(tǒng)斷層成像的“焦平面”以外其他結構對感興趣剖面的干擾,“焦平面”內結構的對比度得到了明顯的增強;同時斷層圖像中圖像強度(灰度)數(shù)值能真正與被檢對象材料的輻射密度產生對應的關系,發(fā)現(xiàn)被檢對象內工業(yè)CT機一般由射線源、機械掃描系統(tǒng)、探測器系統(tǒng)、計算機系統(tǒng)和屏蔽設施等部分組成。射線源提供CT掃描成像的能量線束用以穿透試件,根據射線在試件內的衰減情況實現(xiàn)以各點的衰減系數(shù)表征的CT圖象重建。與射線源緊密相關的射線發(fā)生器用以將射線源發(fā)出的錐形射線束處理成扇形射束。機械掃描系統(tǒng)實現(xiàn)CT掃描時試件的旋轉或平移,以及機械轉盤、試件、探測器空間位置的調整。探測器系統(tǒng)用來接收穿過試件的射線信號,經放大和模數(shù)轉換后送進計算機進行圖象重建。計算機系統(tǒng)用于掃描過程控制、參數(shù)調整,完成圖象重建、顯示及處理等。屏蔽設施用于射線X射線探傷機是利用X射線穿透物質和在物質中有衰減的特性,來發(fā)現(xiàn)其中缺陷的一種無損探傷方法。X射線可以檢查金屬與非金屬材料及其制品的內部缺陷,例如X射線由X射線管產生,X射線管由密封在真空玻璃殼中的陰極和陽極組成,如圖9-1所示。陰極是鎢制燈絲,它裝在聚集杯中。當燈絲通電加熱時,燈絲上產生大量活躍電子,聚焦杯使這些電子聚集成束,向嵌在陽極中的金屬靶體射擊。燈絲電流愈大,產生的電子數(shù)量越多。在陰陽兩極高壓作用下,電子流向陽極高速運動撞擊金屬靶,撞擊過程中,電子突然減速,其損失的動能(其中的1%)會以光子(X射線)形式釋放,形成X光光譜的連續(xù)部分,稱之為軔致輻射,產生的X射線最大能量等于電子的動能。從X射線管陰極上產生射向金屬靶上的電子形成的電流叫做管電流,加在X射線管兩極上的高壓即為管電壓。X射線機產生的X射線強度正比于靶物質的原子序數(shù)、電子流強度和管電壓的平方,X射線的劑根據建設單位提供的信息,該項目正常開展時,計劃每個工作日拍片量平均約40張(兩臺設備各20張),每周6個工作日,每個月約24個工作日,每月拍攝次數(shù)約960張,年拍攝次數(shù)約11520張,拍攝一張膠片平均射線曝光時間約3分鐘,全年總建設單位擬安排2名員工經輻射安全與防護培訓并考核合格后成為輻射工作人本項目使用的工業(yè)CT主要通過控制電腦上的操作軟件完成檢測,相應的操作流線、微量臭氧和氮氧化物該設備是在射線探傷室內進行X射線無損探傷,相應的操作流程如圖9-11所物:X射線、微量臭氧和閑置一段時間后,X射線機管頭需要訓機,使其達到產生所需kV的狀態(tài)。這將保證曝光過程中的穩(wěn)定運行。訓機的時長由EVO控制器自動計算,主要取決于kV值如果EVO控制器檢測到需要訓機,“需要訓機”的消息會顯示在屏幕上,按下“Enter”按鈕后,自動計算出的訓機時間將顯示。如果標準的訓機程序不能保證X整個訓機過程均在射線探傷室內進行,訓練指示燈常亮,防護門關閉,聲光警示燈閃動。待訓機指示燈熄滅,設備發(fā)出特定提示聲音后,訓機結束,設備進入工作待結合本項目的工作方式和操作流程,可分析得出本項目的產污環(huán)節(jié)、污染源、污該項目的主要污染因子是X射線。在正常工況下,探傷過程中產生的射線可以得到探傷室的有效屏蔽,但由于X射線的直射、散射,可能有衰減后的射線對室外的輻PXSEVO160D型工業(yè)用X射線探傷裝置在事故工況下可能造成的輻射影響:1防護門安全聯(lián)鎖裝置發(fā)生故障,訓機或探傷期間有不知情的人員誤入探傷室2防護門安全聯(lián)鎖發(fā)生故障,訓機或探傷工作結束后,X射線沒有關閉,工作3工作人員配合失誤,有工作人員還在探傷室的情況下,外面的工作人員關閉nanoVoxel2000型工業(yè)CT在事故工況下可能造成的輻射影響:1裝載門安全聯(lián)鎖發(fā)生故障,導致在裝載門未關到位的情況下射線發(fā)生器出2裝載門安全聯(lián)鎖發(fā)生故障,工作人員在取放工件的過程中,意外開啟X射線3設備檢修時,沒有采取可靠的斷電措施導致意外開啟X射線發(fā)生器,使檢修X射線照射會使探傷室內空氣電離而產生少量臭氧、氮氧化物,如果不做處理會使探傷室內空氣中的臭氧、氮氧化物含量增加,吸入過量的臭氧、氮氧化物會對人體本項目探傷室位于中國中山留學人員創(chuàng)業(yè)園孵化大樓一樓香山5G6G實驗室,兩臺探傷裝置安裝在一間探傷室內,兩臺設備不會同時曝光使用。兩臺設備均在室內探傷使用,控制臺設置在單獨的操作室內。探傷室相鄰區(qū)域均無敏感人群功能用房,布局表10-1機房與周圍區(qū)域毗鄰關系一覽表機房名稱東北側東南側西南側西北側樓上樓下探傷室控制室外部通道Veleri材料加工室微波毫米近場測試室辦公室無建筑根據《電離輻射防護與輻射源安全基本標準》(GB18871-2002)第6.4條規(guī)定:應把輻射工作場所分為控制區(qū)和監(jiān)督區(qū),以便于輻射防對于控制區(qū):應采用實體邊界劃定控制區(qū),在控制區(qū)的進出口及其他適當位置處設立醒目的、符合相關規(guī)定的警告標志;運用行政管理程序,如進入控制區(qū)的工作許對于監(jiān)督區(qū):采用適當?shù)氖侄蝿澇霰O(jiān)督區(qū)的邊界;在監(jiān)督區(qū)入口處的適當?shù)攸c設參考《工業(yè)X射線探傷放射防護要求》(GBZ117-2015)第4.1.2的規(guī)定:應對探傷工作場所實行分區(qū)管理,一般將探傷室墻壁圍成的內部區(qū)域劃為控制區(qū),與墻壁布局:本項目探傷室只用作擺放兩臺探傷裝置及其他輔助設施,不用作其他用分區(qū):本項目的輻射工作場所分區(qū)示意圖如圖10-2所示,建設單位擬將探傷室圍成的內部區(qū)域劃為控制區(qū),將屏蔽體外部分區(qū)域作為監(jiān)督區(qū),兩臺探傷裝置放置于探傷室的中部。探傷室門上張貼電離輻射警示標志,監(jiān)督區(qū)邊界樹立“輻射工作場所,本項目控制區(qū)通過實體屏蔽、門機連鎖裝置等進行控制,監(jiān)督區(qū)通過警示說明、門禁等進行管理。工作場所分區(qū)方案有利于場所分區(qū)管理,可有效隔離非輻射工作人圖10-2探傷室輻射工作場所分區(qū)示意圖探傷室尺寸長×寬×高=4.93m×4.05m×4.5m探傷室四面墻體北、東、南墻:原有磚墻+10mmPb硫酸鋇復合板西墻:輕鋼龍骨架+10mmPb硫酸鋇復合板探傷室頂棚、地面頂棚:混凝土樓板+10mmPb鉛板地面:未做額外防護防護門參數(shù)寬×高=1.90m×2.25m,數(shù)量:1扇屏蔽鉛當量:10mmPb防護門門洞尺寸寬×高=1.60m×2.10m鉛玻璃觀察窗10mmPb圖10-3探傷室防輻射立面圖本項目所使用nanoVoxel2000型工業(yè)CT自帶屏蔽功能,箱體尺寸為2320x948x1069(10mmPb次照面(上下前后)鉛板8mm(8mmPb),背(左部)照面鉛板6mm序號檢查項目《工業(yè)X射線探傷放射防護要求》(GBZ117-2015)的防護安全要求輻射安全與防護實施計劃是否符合要求1整體輻射安全探傷室的設置應充分考慮周圍的輻射安全,操作室應與探傷室分開并盡量避開有用線束照射的方向。探傷室位于實驗室的一角,操作位位于探傷室外。是2工作場所分區(qū)應對探傷工作場所實行分區(qū)管理。一般將探傷室墻壁圍成的內部區(qū)域劃為控制區(qū),與墻壁外部相鄰區(qū)域劃為監(jiān)督區(qū)。以探傷室的屏蔽墻和防護門為界,探傷室內部劃為控制區(qū),防護門外及探傷室墻體外的部分區(qū)域劃定為監(jiān)督區(qū)。是3門機聯(lián)鎖裝置探傷室應設置門-機聯(lián)鎖裝置,并保證在門(包括人員門和貨物門)關閉后X射線裝置才能進行探傷作業(yè)。門打開時應立即停止X射線照射,關上門不能自動開始X射線照射。門-機聯(lián)鎖裝置的設置應方便探傷室內部的人員在緊急情況下離開探傷室。該項目的探傷室的防護門將設置安全聯(lián)鎖功能:只有當防護門關閉到位后,高壓電源才能接通,X射線裝置才能開啟。一旦防護門有打開的趨勢,X射線機高壓電源將被切斷,重新關上防護門后X射線機不會自動開啟。是4聲光警示標志探傷室門口和內部應同時設有顯示“預備”和“照射”狀態(tài)的指示燈和聲音提示裝置。“預備”信號應持續(xù)足夠長的時間,以確保探傷室內人員安全離開?!邦A備”信號和“照射”信號應有明顯的區(qū)別,并且應與該工作場所內使用的其他報警信號有明顯區(qū)別。探傷室防護門上設置1個聲光警示裝置,警示燈與X射線裝置聯(lián)鎖,X射線出束時將進行聲光警示。是5燈機聯(lián)鎖裝置照射狀態(tài)指示裝置應與X射線探傷裝置聯(lián)鎖照射狀態(tài)指示裝置將與X射線探傷裝置聯(lián)鎖是6信號說明探傷室內、外醒目位置處應有清晰的對“預備”和“照射”信號意義的說明。探傷室內、外醒目位置處擬設清晰的對“預備”和“照射”信號意義的說明。是7警示標志探傷室防護門上應有電離輻射警告標識和中文警示說明。防護門擬張貼電離輻射警示標志和中文警示說明。。是8急停按鈕探傷室內應安裝緊急停機按鈕,確保出現(xiàn)緊急事故時,能立即停止照射。按鈕應帶有標簽,標明使用方法。在探傷室內設1個急停按鈕,急停按鈕將標明功能和使用方法。是序號檢查項目《工業(yè)X射線探傷放射防護要求》(GBZ117-2015)的防護安全要求輻射安全與防護實施計劃是否符合要求1監(jiān)測儀器佩戴探傷工作人員進入探傷室時除佩戴常規(guī)個人劑量計外,還應配備個人劑量報警儀。當輻射水平達到設定的報警水平時,劑量儀報警,探傷工作人員應立即離開探傷室,同時阻止其他人進入探傷室,并立即向輻射防護負責人報告。建設單位擬為輻射工作人員配備個人劑量計和個人劑量報警儀,要并在工作期間佩戴好。當個人劑量報警儀報警時,工作人員應立即離開探傷室,同時阻止其他人進入探傷室,并立即向輻射工作負責人報告。是2輻射監(jiān)測要求應定期測量探傷室外周圍區(qū)域的輻射水平或環(huán)境的周圍劑量當量率,包括操作者工作位置和周圍毗鄰區(qū)域人員居留處。測量值應當與參考控制水平相比較。當測量值高于參考控制水平時,應終止探傷工作并向輻射防護負責人報告。建設單位計劃每年一次委托第三方檢測機構對探傷室周圍的環(huán)境輻射水平進行年度檢測。日常使用X、γ輻射巡測儀,定期(每個季度1次)對探傷室外周圍劑量當量率進行巡測,做好巡測記錄,一旦發(fā)現(xiàn)輻射水平異常(超過1μSv/h)將立即停止工作,查找原因,進行整改。整改好、并經檢測確認輻射水平不超標后(小于1μSv/h),方可繼續(xù)開展工作。是3監(jiān)測儀器檢查交接班或當班使用劑量儀前,應檢查劑量儀是否正常工作。如在檢查過程中發(fā)現(xiàn)劑量儀不能正常工作,則不應開始探傷工作。工作人員進入探傷室作業(yè)前檢查個人劑量報警儀是否正常工作,如發(fā)現(xiàn)劑量儀不能正常工作,則不開始輻射工作。是4關門前確認在每一次照射前,操作人員都應該確認探傷室內部沒有人員駐留并關閉防護門。只有在防護門關閉、所有防護與安全裝置系統(tǒng)都啟動并正常運行的情況下,才能開始探傷工作。在每一次照射前,操作人員將進行以下確認:鉛房內部沒有人員駐留;防護門已關閉;所有防護與安全裝置系統(tǒng)都啟動并正常運行。是小結:綜上分析,建設單位擬采取的各項輻射安全與防護措施、擬配備的各項輻X射線照射會使周圍的空氣電離而產生少量臭氧和氮氧化物,如果不做處理會使輻射工作場所空氣中的有害氣體含量增加。參照國家標準《工業(yè)X射線探傷放射防護要求》(GBZ117-2015)的相關規(guī)定:X射線探傷場所每小時有效通風換氣次數(shù)應不本項目擬在探傷機房吊頂設置1個排風機,排風機連接排風管道后氣體排出,安裝位置見圖10-4。擬購排風機風量為500m3/h,探傷機房的容積為87.3m3,工作期間排風機保持開啟,可計算得每小時有效換氣次氣次數(shù)不少于3次的要求。探傷機房內空氣電離產生的有限臭氧和氮氧化物將通過動力換氣裝置排至室外,在常溫常壓下,臭氧和氮氧化物的穩(wěn)定性較差,可自行分解為該項目探傷機房的排風裝置的排風量可滿足探傷室內每個小時有效換氣次數(shù)不少于3次,可確保探傷機房內產生的少量有害氣體及時、全部排出探傷機房,滿足《工圖10-4探傷室排風圖本項目只有在使用X射線探傷裝置過程中才會產生X射線,建設階段不會對本項目建造各個場所須進行施工,會有一定的固廢、噪聲、施工廢水等非電離輻射因素的環(huán)境影響,如建筑垃圾、建筑廢水、揚塵、施工噪聲等。施工單位應按照有關規(guī)定對建設期產生的一般環(huán)境污染進行防治,如:建筑垃圾分類堆放、及時處理;建筑廢水應先排入廠內的污水處理站進行處理;如揚塵較大,應搭建施工架、布置防塵布,用于揚塵隔絕;如需使用噪聲較大的工具施工,應盡量選擇在周末等人員較少本工程在施工期非電離輻射因素的環(huán)境影響影響時間短暫,影響范圍小,隨施工運行(使用)后對環(huán)境影響根據《工業(yè)X射線探傷室輻射屏蔽規(guī)范》(GBZ/T250-2014):探傷室墻和入口門外周圍劑量當量率(以下簡稱劑量率)和每周周圍劑量當量(以下簡稱周劑量)應.a)周劑量參考控制水平(Hc)和導出劑量率參考控制水平(Hc,d1)人員在關注點的周劑量參考控制水平Hc如下:職業(yè)工作人員:Hc≤100μSv/周;公眾:Hc≤5μSv/周;.2)相應Hc的導出劑量率參考控制水平Hc,d按公式(11-1)計算:.H.HHc——周劑量參考控制水平,μSv/周;W——X射線探傷的周工作負荷(平均每周X射線探傷照射的累積“mA),I——X射線探傷裝置在最高管電壓下的常用最大管電流,單位為毫安.b)關注點最高劑量率參考控制水平Hc,max=2.5μSv/h。..c)關注點劑量率參考控制水平Hc為a)和b)中的Hc,max二者的較小值。建設單位擬將工業(yè)CT及工業(yè)用X射線探傷裝置安裝在探傷室內,其中工業(yè)CT擬安裝在西南側,工業(yè)用X射線探傷裝置擬安裝在探傷室中央,工業(yè)CT帶有自屏蔽功能。關注點選取射線探傷室墻壁、樓板、防護門外距離屏蔽體0.3m處作為關注點本項目使用的兩臺工業(yè)探傷裝置均為定向機,探傷裝置周照射時間均為6h,保守計算,關注點方向照射的使用因子取1,居留因子的選取參照國家標準《工業(yè)X射線探傷室輻射屏蔽規(guī)范》(GBZ/T250-2014)附錄A。在兩臺設備分別使用的情況下,根據公式(11-1)計算關注點的控制水平將會一致,相關計算參數(shù)和劑量率參考控制關注點關注位置保護目標使用因子U居留因子THc.Hc,max1操作室觀察窗工作人員1116.72.52操作室門工作人員1116.72.53操作室墻工作人員1116.72.54微波毫米近場測試室公眾11/466.75Veleri材料加工室6外部通道公眾11/8133.32.57樓上辦公室1公眾1116.72.58樓上辦公室2公眾1116.72.5注:探傷室下方無建筑;將Hc與c,max比較得出,本項目關注點處周圍劑量當量率的控制水平應不大于對于有用線束:參照《工業(yè)X射線探傷室輻射屏蔽規(guī)范》(GBZ/T250-2014)中關于探傷室輻射屏蔽的有用線束估算方法。在給定線探傷室輻射屏蔽規(guī)范》(GBZ/T250-2014)附錄B.1曲線(見圖11-2)查出相應的I——X射線探傷裝置在最高管電壓下的常用最大管電流mAB——屏蔽透射因子;R——輻射源點(靶點)至關注點的距離m)對于泄露輻射:在關注點的劑量率按公式(11-2).2=(11-2)H3=.(11-3)I——射線裝置在最高管電壓下的常用最大管電流,單位為mA;X——屏蔽物質厚度,單位為mm;TVL——屏蔽物質的什值層,單位為mm;?L——距靶點1m處X射線管組裝體的泄漏輻射劑量率,單位為μSv/h;α——散射因子,入射輻射被單位面積(1m2)散射體到其1m處的散射輻射劑設備技術參數(shù)數(shù)值數(shù)值來源工業(yè)用X射線探傷裝置最大管電壓160kV設備廠家最大管電流7mA設備廠家距輻射源點(靶點)1m處劑量率8.9mGy·m2/(mA·min)GBZ/T250-2014表B.1距靶點1m處X射線管組裝體的泄漏輻射劑量率3μSv/h設備廠家工業(yè)CT最大管電壓130kV設備廠家最大管電流設備廠家距輻射源點(靶點)1m處劑量率18.3mGy·m2/(mA·min)GBZ/T250-2014表B.1距靶點1m處X射線管組裝體的泄漏輻射劑量率3μSv/hGBZ/T250-2014表1關注點αI(mA)1(操作室觀察2.463.400.150.047517.02(操作室門)2.533.450.150.047517.03(操作室墻)2.970.150.047517.04(微波毫米近場測試室)2.530.150.047517.05(Veleri材料加工室)2.970.150.047517.06(外部通道)2.530.150.047517.07(樓上辦公室3.873.870.150.047517.08(樓上辦公室2)3.873.870.150.047517.0注:X射線機出束口距離地面0.633m,X射線機與探測器距離1m。關注點αI(mA)1(操作室觀察4.705.160.0750.0412(操作室門)4.924.670.0750.0413(操作室墻)4.744.870.0750.0414(微波毫米近場測試室)2.610.0750.0415(Veleri材料加工室)0.840.860.0750.0416(外部通道)2.043.530.0750.0417(樓上辦公室3.053.050.0750.0418(樓上辦公室2)3.053.050.0750.041探測器圖11-2工業(yè)CT剖面圖圖11-3工業(yè)CT俯視圖表11-4透射因子計算參數(shù)一覽表(使用工業(yè)用X射線探傷裝置,160kV關注點屏蔽厚度射線類型TVL值透射因子B1(操作室觀察窗)10mmPb有用線束1.4mm7.20E-082(操作室門)10mmPb有用線束1.4mm7.20E-083(操作室墻)10mmPb有用線束1.4mm7.20E-084(微波毫米近場測試室)10mmPb有用線束1.4mm7.20E-085(Veleri材料加工室)10mmPb有用線束1.4mm7.20E-086(外部通道)10mmPb有用線束1.4mm7.20E-087(樓上辦公室1)10mmPb泄露線束1.4mm7.20E-08散射線束0.96mm3.83E-118(樓上辦公室2)10mmPb泄露線束1.4mm7.20E-08散射線束0.96mm3.83E-11關注點屏蔽厚度射線類型TVL值透射因子B1(操作室觀察窗)10mmPb(墻體屏蔽)+8mmPb(工業(yè)CT自屏蔽)泄露線束0.96mm散射線束0.96mm2(操作室門)10mmPb(墻體屏蔽)+8mmPb(工業(yè)CT自屏蔽)泄露線束0.96mm散射線束0.96mm3(操作室墻)10mmPb(墻體屏蔽)+8mmPb(工業(yè)CT自屏蔽)泄露線束0.96mm散射線束0.96mm4(微波毫米近場測試10mmPb+10mmPb有用線束0.96mm1.47E-215(Veleri材料加工10mmPb(墻體屏蔽)+8mmPb(工業(yè)CT自屏蔽)泄露線束0.96mm散射線束0.96mm6(外部通道)10mmPb(墻體屏蔽)+6mmPb(工業(yè)CT自屏蔽)泄露線束0.96mm散射線束0.96mm7(樓上辦公室1)10mmPb(墻體屏蔽)+8mmPb(工業(yè)CT自屏蔽)泄露線束0.96mm散射線束0.96mm8(樓上辦公室2)10mmPb(墻體屏蔽)+8mmPb(工業(yè)CT自屏蔽)泄露線束0.96mm散射線束0.96mm表11-6關注點輻射劑量率水平估算結果(使用工業(yè)用X射線關注點控制水平.H1.H2.H3.H1(操作室觀察窗)2.54.44E-02--4.44E-022(操作室門)2.54.42E-02--4.42E-023(操作室墻)2.56.93E-02--6.93E-024(微波毫米近場測試室)2.5--5(Veleri材料加工2.56.93E-02--6.93E-026(外部通道)2.5--7(樓上辦公室1)2.5-9.61E-066.81E-089.68E-068(樓上辦公室2)2.5-9.61E-066.81E-089.68E-06....注:關注點的劑量率H由H1、H2和H3疊加得到。表11-7關注點輻射劑量率水平估算結果關注點控制水平.H1.H2.H3.H1(操作室觀察窗)2.5-8.06E-189.66E-182(操作室門)2.5-7.35E-183(操作室墻)2.5-7.92E-184(微波毫米近場測試室)2.52.37E-16--2.37E-165(Veleri材料加工2.5-2.52E-163.48E-166(外部通道)2.5-2.49E-157.66E-157(樓上辦公室1)2.5-2.76E-174.67E-178(樓上辦公室2)2.5-2.76E-174.67E-17....注:1.關注點的劑量率H由H1、H2和H3疊加得到。從表11-6、表11-7可以看出,本項目探傷室外0.3m),該兩臺探傷機投入使用后,計劃每個工作日拍片量平均約40張(兩臺設備各20),約11520張,拍攝一張膠片平均射線曝光時間約3分鐘,全年總的曝光時長約576小按照上述工作負荷,該兩臺探傷機運行對公眾照射時間取576h/a,對每名輻作人員照射時間取288h/a。根據公式(11-5)對輻射工作人員職業(yè)照射和公眾照射劑.E=H/1000×t×T(11-5)..H——保護目標的受照劑量率,μSv/h;使用設備關注點保護目標居留因子輻射劑量率受照劑量使用工業(yè)用X射線探傷裝置操作室觀察窗工作人員14.44E-020.026操作室門工作人員14.42E-020.025操作室墻工作人員16.93E-020.034微波毫米近場測試室公眾0.017Veleri材料加工室公眾16.93E-020.040外部通道公眾0.008樓上辦公室1公眾19.68E-065.58E-06樓上辦公室2公眾19.68E-065.58E-06使用工業(yè)CT操作室觀察窗工作人員16.14E-23操作室門工作人員16.63E-23操作室墻工作人員16.49E-23微波毫米近場測試室公眾2.37E-161.64E-21Veleri材料加工室公眾11.04E-21外部通道公眾7.66E-15樓上辦公室1公眾14.67E-17樓上辦公室2公眾14.67E-17表11-8顯示,考慮劑量疊加后,評價范圍內的工作人員全年最大受照劑量約為用項目投入使用后,對工作人員及公眾產生的輻射影響滿足“工作人員不超過5mSv/a、公眾不超過0.1mSv/a”的劑量約束要求,滿足國家標準《電離輻射防護與輻探傷機房內因空氣電離產生的少量臭氧和氮氧化物將通過動力換氣裝置排至室外,在常溫常壓下,臭氧和氮氧化物的穩(wěn)定性較差,可自行分解為無害物質。因此,(2)防護門安全聯(lián)鎖發(fā)生故障,射線探傷工作結束后,X射線沒有關閉,工作(3)工作人員配合失誤,有工作人員還在射線探傷室的情況下,外面的工作人):面的工作人員關閉防護門開啟探傷裝置,使停留在射線探傷室內的工作人員被誤照射。假設受照人員距出束口的1m,人員從開始受照至意識到采取斷電措施的持續(xù)時出量8.9mGy·m2/(mA·min)計算可得該事故情形下人員受照劑量率為8610mGy/h,以上分析表明,本項目單次輻射事故造成的人員受照劑量高于職業(yè)照射全年有效受照劑量約束值(5mSv/a),說明本項目具有一定輻射事故風險,但事故等級一般不2.事件(故)防范措施執(zhí)行各項管理制度,嚴格遵守設備的操作規(guī)程,進入鉛房前應檢查是否佩戴好個人劑經啟動復查確認無電后,在電源開關處掛上“正在檢修禁止合閘”安全標志。綜上所看,建設單位如能嚴格采取以上事故預防措施,加強管理,讓工作人員提高安全意根據《放射性同位素與射線裝置安全許可管理辦法》第十六條第一款:使用Ⅰ類、Ⅱ類、Ⅲ類放射源,使用Ⅱ類射線裝置的,應當設有專門的輻射安全與環(huán)境保護管理機構,或者至少有1名具有本科以上學歷的技術人員專職負責輻射安全與環(huán)境保護管理工作;其他輻射工作單位應當有1名具有大專以上學歷的技術人員專職或者兼職負長春理工大學中山研究院香山5G6G實驗室已成立輻射防護管理小組,負責輻射安3、組織本單位輻射工作人員接受專業(yè)輻射防護知識及有關規(guī)定的培訓和健康檢10、監(jiān)管、布置和檢查射線裝置輻射防護管理工作的落實情況,定期實施工作環(huán)根據《放射性同位素與射線裝置安全許可管理辦法》,使用射線裝置的單位應有健全的操作規(guī)程、崗位職責、輻射防護和安全保衛(wèi)制度、設備檢修維護制度、人員培訓計劃、監(jiān)測方案等;有完善的輻射事故應急措施。為了有效管理本單位的輻射工作,預防輻射事故,建設單位制定了多項輻射安全管理制度,包括崗位職責、年度評估報告制度、輻射工作人員培訓制度、輻射防護和安全保衛(wèi)制度、輻射監(jiān)測制度、放射防護設施維護檢修登記制度、射線裝置使用登記建設單位制定的輻射安全管理規(guī)章制度較全面,易實行,可操作性強,如能做到嚴格按照制度管理核技術利用項目,可以實現(xiàn)安全和規(guī)范管理,一旦發(fā)生輻射事故時,可以實現(xiàn)迅速和有效的應對,基本滿足《放射性同位素與射線裝置安全和防護條例》、《放射性同位素與射線裝置安全許可管理辦根據《放射性同位素與射線裝置安全和防護管理辦法》的相關規(guī)定:生產、銷售、使用放射性同位素與射線裝置的單位,應當按照生態(tài)環(huán)境部審定的輻射安全培訓和考試大綱,對直接從事生產、銷售、使用活動的操作人員以及輻射防護負責人進行輻射安全培訓,并進行考核;考核不合格的,不得上崗。對于從事使用Ⅱ類射線裝置)學習相關知識、報名并參建設單位擬為本項目配置2名輻射工作人員負責本項目的操作和管理,2名輻射根據《放射性同位素與射線裝置安全和防護管理辦法》的相關規(guī)定:生產、銷售、使用放射性同位

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