2023年江蘇省半導(dǎo)體分立器和集成電路裝調(diào)工(汽車芯片開發(fā)應(yīng)用)賽項(xiàng)任務(wù)書理論知識(shí)競(jìng)賽命題方案說(shuō)明

2023年江蘇省半導(dǎo)體分立器件和集成電路裝調(diào)工（汽車芯片開發(fā)應(yīng)用）賽項(xiàng)任務(wù)書理論知識(shí)競(jìng)賽命題方案說(shuō)明（樣題）一、理論知識(shí)競(jìng)賽的范圍及所占總分比例理論知識(shí)競(jìng)賽的知識(shí)范圍分為汽車芯片開發(fā)應(yīng)用基礎(chǔ)知識(shí)、集成電路制造與封裝工藝（車規(guī)級(jí)）、汽車芯片應(yīng)用技術(shù)三個(gè)模塊，所占比例如下：（一）汽車芯片開發(fā)應(yīng)用基礎(chǔ)知識(shí)試題比例占45%。（二）集成電路制造與封裝工藝（車規(guī)級(jí)）試題比例占25隊(duì)（三）汽車芯片應(yīng)用技術(shù)試題比例占30虬二、試題類型和分值試題全部是客觀題，分別是：（1）單項(xiàng)選擇題；（2）多項(xiàng)選擇題；（3）判斷題。競(jìng)賽試題由40道單項(xiàng)選擇題、20道多項(xiàng)選擇題、40道判斷題組成，共計(jì)100道題目，題目總分100分，其中單項(xiàng)選擇題每題1分、多項(xiàng)選擇題每題2分、判斷題每題0.5分。三、理論競(jìng)賽時(shí)間理論競(jìng)賽時(shí)間為1小時(shí)。四、考試方式采用計(jì)算機(jī)考試。五、命題和組卷方式由大賽組委會(huì)組織專家組統(tǒng)一命題，建立具有一定規(guī)模的競(jìng)賽題庫(kù)，采用按比例隨機(jī)組卷的方式生成理論試題。六、復(fù)習(xí)參考書理論競(jìng)賽參考書共計(jì)4本，清單如下：(1)集成電路技術(shù)(1本)《模擬CMoS集成電路設(shè)計(jì)》；［美］畢查德?拉扎維(BehzadRazavi)著，陳貴燦，程軍，張瑞智等譯；西安交通大學(xué)出版社。《數(shù)字集成電路一一電路、系統(tǒng)與設(shè)計(jì)第二版》；周潤(rùn)德等譯；電子工業(yè)出版社。(2)車規(guī)級(jí)集成電路制造與封裝工藝(1本)《集成電路制造技術(shù)：原理與工藝》(第二版)；王蔚著；電子工業(yè)出版社。(3)汽車芯片應(yīng)用技術(shù)(1本)《汽車CAN總線系統(tǒng)原理、設(shè)計(jì)與應(yīng)用》；羅峰，孫澤昌著；電子工業(yè)出版社。七、每套試卷各模塊的題目類型和數(shù)量分配根據(jù)每套試卷的題目總量和各模塊所占的比例，綜合計(jì)算按如下方式分配題目數(shù)量。表1每套題目類型數(shù)量和理論知識(shí)模塊對(duì)照表

序號(hào)、論βsX汽車芯片開發(fā)應(yīng)用基礎(chǔ)知識(shí)集成電路制造與封裝工藝（車規(guī)級(jí)）汽車芯片應(yīng)用技術(shù)小計(jì)1單項(xiàng)選擇201010102判斷題201010403多項(xiàng)選攆題551020合計(jì)452530100八、各模塊知識(shí)點(diǎn)（考核點(diǎn)）命題分解表2汽車芯片開發(fā)應(yīng)用基礎(chǔ)知識(shí)：電子電路設(shè)計(jì)命題點(diǎn)分布1半導(dǎo)體材料2二極管3雙極性晶體管4門電路5基本運(yùn)算電路表3汽車芯片開發(fā)應(yīng)用基礎(chǔ)知識(shí)：模擬集成電路設(shè)計(jì)命題點(diǎn)分布1MOS器件物理基礎(chǔ)

2單極放大器3差動(dòng)放大4反饋5運(yùn)算放大器6穩(wěn)定性和頻率補(bǔ)償表4汽車芯片開發(fā)應(yīng)用基礎(chǔ)知識(shí)：數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)命題點(diǎn)分布1邏輯仿真與時(shí)序分析2故障分析與測(cè)試3CMOS反相器4CMOS典型組合邏輯電路5CMOS典型時(shí)許邏輯電路6可編程邏輯器件表5汽車芯片開發(fā)應(yīng)用基礎(chǔ)知識(shí)：集成電路可靠性設(shè)計(jì)命題點(diǎn)分布1集成電路可靠性設(shè)計(jì)基本概念2汽車芯片耐環(huán)境設(shè)計(jì)與電磁兼容性設(shè)計(jì)3汽車信號(hào)質(zhì)量測(cè)試技術(shù)4可靠性封裝技術(shù)表6汽車芯片開發(fā)應(yīng)用基礎(chǔ)知識(shí)：汽車芯片EDA應(yīng)用技術(shù)命題點(diǎn)分

布1電路仿真工具

2版圖編輯3物理驗(yàn)證4寄生參數(shù)提取5版圖后仿真及分析表6集成電路制造與封裝工藝（車規(guī)級(jí)）命題點(diǎn)分布1硅片的制備2外延工藝3摻雜工藝4氣相淀積5光刻工藝6蝕刻工藝7工藝集成8引線鍵合工藝9圓片級(jí)封裝10倒裝芯片工藝表7汽車芯片應(yīng)用技術(shù)命題點(diǎn)分布1汽車運(yùn)動(dòng)控制知識(shí)2功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)知識(shí)3圖像處理芯片應(yīng)用知識(shí)4高精度定位芯片應(yīng)用知識(shí)5傳感芯片應(yīng)用知識(shí)

6汽車通信芯片測(cè)試與應(yīng)用7儲(chǔ)存芯片應(yīng)用知識(shí)8安全芯片應(yīng)用知識(shí)9電源管理芯片應(yīng)用知識(shí)10驅(qū)動(dòng)芯片應(yīng)用知識(shí)汽車芯片開發(fā)應(yīng)用賽項(xiàng)理論知識(shí)競(jìng)賽考試時(shí)間：60分鐘 考試形式：上機(jī)考試一、單項(xiàng)選擇題（共40題，每題1分，共40分）1、當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管正向電壓將減小、反向飽和電流將（A）0A.增大B.A.增大B.減小C.不變D.等于零Λ.能夠形成導(dǎo)電溝道C.Λ.能夠形成導(dǎo)電溝道C.漏極電流不為零3、場(chǎng)效應(yīng)管主要優(yōu)點(diǎn)（B）A.輸出電阻小C.是電流控制4、負(fù)反饋放大電路（A）oA.電壓并聯(lián)負(fù)反饋C.電流并聯(lián)負(fù)反饋B.電壓串聯(lián)負(fù)反饋D.電流串聯(lián)負(fù)反饋2、增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，當(dāng)柵極g與源極S之間電壓為零時(shí)（B）。B.不能形成導(dǎo)電溝道D.漏極電壓為零B.輸入電阻大D.組成放大電路時(shí)電壓放大倍數(shù)大A.放大倍數(shù)降低，放大電路穩(wěn)定性提高B.放大倍數(shù)降低，放大電路穩(wěn)定性降低C.放大倍數(shù)提高，放大電路穩(wěn)定性提高D.放大倍數(shù)提高，放大電路穩(wěn)定性降低5、放大器若要提高輸入電阻，降低輸出電阻，應(yīng)引入的反饋類型是:（B）6、穩(wěn)壓管構(gòu)成的穩(wěn)壓電路，其接法是（C）A.穩(wěn)壓二極管與負(fù)載電阻串聯(lián) B、穩(wěn)壓二極管與負(fù)載電阻并聯(lián)C、限流電阻與穩(wěn)壓二極管串聯(lián)后，負(fù)載電阻再與穩(wěn)壓二極管并聯(lián)D、限流電阻與穩(wěn)壓二極管串聯(lián)后，負(fù)載電阻再與穩(wěn)壓二極管串聯(lián)7、下圖為汽車芯片封裝常用的金屬框架設(shè)計(jì)圖，圖中紅色區(qū)域的Dimple和HoIe的主要作用是（C）B、平衡應(yīng)力分布，提升封裝工藝品質(zhì)C、鎖住塑封料，提升封裝可靠性D、封裝工藝過(guò)程中的定位孔車輛在行駛過(guò)程中，通過(guò)V2X不斷與其它車輛、行人及路邊設(shè)施進(jìn)行通信，車輛可以基于第三方提供的共享數(shù)據(jù)，提供（D）智能駕駛功能。A.轉(zhuǎn)向輔助 B.碰撞預(yù)警 C.限速預(yù)警 D.以上都是以下各類汽車芯片封裝主要工藝流程中，存在明顯錯(cuò)誤的是（C）A、QFP：研磨切割一貼片一焊線->塑封一切筋一電鍍一打標(biāo)一成型B、QFN：研磨f切割一貼片一焊線一塑封一去溢料一電鍍f打標(biāo)一切割分離C、BGA：研磨一切割一貼片一焊線一塑封一打標(biāo)一焊球一切割分離f電鍍D>WLCSP：鈍化層制作f濺鍍一光刻一電鍍f植球一磨片一劃片10、汽車芯片可靠性要求相比消費(fèi)類芯片較高，工作范圍溫度要求在（C）0~70℃-40~85℃C、-40~125℃D、-55Z125℃11、汽車芯片對(duì)散熱性要求較高，以下塑封料（EMC）填料中，熱導(dǎo)率最高的是（D）Si02Si3N4A1203D、AlN12、汽車芯片開發(fā)中的EDA是指（A）oA.電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化 B.電動(dòng)車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)C.汽車電子數(shù)據(jù)分析 D.汽車電子應(yīng)用13、在基于特征的交通標(biāo)志識(shí)別中，一般不作為特征的是（D）。A.顏色特征B.形狀特征C.紋理特征D.空間關(guān)系特征14、以下屬于手工版圖設(shè)計(jì)目標(biāo)的是（C）。A、非常低的產(chǎn)量B、庫(kù)開發(fā)，其中的單元不在許多設(shè)計(jì)里重用C、模擬電路模塊D、數(shù)字電路模塊15、在電子電路設(shè)計(jì)中，模擬電路與數(shù)字電路的主要區(qū)別在于（B）0Λ.電源電壓的不同B.信號(hào)處理的方式C.使用的元器件類型D.所涉及的頻率范圍16、數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)中的邏輯門主要用于（B）。Λ.放大模擬信號(hào) B.數(shù)字信號(hào)的處理和轉(zhuǎn)換C.控制電路的供電D.實(shí)現(xiàn)傳感器的數(shù)據(jù)采集17、在模擬集成電路設(shè)計(jì)中，以下哪個(gè)元件用于實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大和濾波功能？（B）A.可調(diào)電阻B.可調(diào)電容C.可調(diào)電感D.可調(diào)電源18、在單相橋式整流電路中，如果一只整流二極管內(nèi)部斷開，則（C）A、引起電源短路 B、輸出電壓為零C、輸出電壓減小 D、輸出電壓上升19、PVD的定義為（A）A.物理氣相沉積B.化學(xué)氣相沉積C.等離子氣相沉積D.平面真空鍍膜20、在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)（A）A.干氧B.濕氧C.水汽氧化D.不能確定21、下列VerilOgHDL代碼描述的是（D）moduletest（ml,m2,b,c）;inputml;inputm2;outputb,c;wireb,c;assign{c,b}=ml+m2;endmoduleA.表決器B.比較器C.三態(tài)門D.加法器22、硅的氧化有兩種方式：直接氧化和間接氧化，都是（）反應(yīng)，（D）可以促進(jìn)硅的氧化A吸熱,高溫B.吸熱，低溫C.放熱，高溫D.放熱，低溫23、擴(kuò)散工藝現(xiàn)在廣泛應(yīng)用于制作（D）0A.晶振B.電容C.電感D.PN結(jié)24、下面一段VeriIOg代碼，對(duì)于變量c,正確的表述是（C）initialbegina<=0;b<=l;#20a<=1;b<=#20a+1;c<=#20b+1;endA.time=20,c=l B.time=20,c=2C.time=40,c=2 D.time=60,c=3芯片、（C）、板級(jí)連線，信號(hào)完整性和散熱必須一起理解為是任何先進(jìn)的電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵設(shè)計(jì)因素。A.PMOSB.NMOSC.封裝D.版圖在功能驗(yàn)證中，有效的功能規(guī)格說(shuō)明形式是（D）oA.語(yǔ)言和圖像 B.自然語(yǔ)言和草圖C.方程和狀態(tài)圖表 D.快速原型在集成電路中，隨著互連線長(zhǎng)度的增加，互連線延遲相比互連線長(zhǎng)度其增加的趨勢(shì)為（D）A.不增加B.線性增加C.三次方增加D.平方增加在EDA版圖自動(dòng)布線過(guò)程中，經(jīng)常需在兩個(gè)位置點(diǎn)之間尋找可以繞過(guò)障礙物連通的路徑。以下算法中，哪個(gè)是在布線中常用的尋路算法？A.A*算法B.快速排序算法C.KMP算法D.支持向量機(jī)算法以下哪家公司不屬于國(guó)際主流的EDA軟件提供商？（A）CanonicalSynopsysMentorCadence芯片設(shè)計(jì)和EDA行業(yè)中經(jīng)常使用“前端”“后端”這一對(duì)術(shù)語(yǔ)。在芯片設(shè)計(jì)與EDA語(yǔ)境下，以下說(shuō)法正確的是？（A）“前端”指與電路網(wǎng)表、原理圖相關(guān)的邏輯設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，“后端”指與版圖相關(guān)的物理設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)“前端”指電路中靠近電源高電平輸入端的部分，“后端”指電路中靠近接地或低電平的部分“前端”指與設(shè)計(jì)工具用戶界面相關(guān)的功能，“后端”指與后臺(tái)核心仿真等算法相關(guān)的功能“前端”指與芯片設(shè)計(jì)相關(guān)的工作環(huán)節(jié)，“后端”指與芯片制造、封裝、測(cè)試相關(guān)的工作環(huán)節(jié)（A）可通過(guò)離子注入進(jìn)行表面改性A?金屬材料、高分子材料和陶瓷材料B,僅金屬材料C.僅高分子材料D.僅陶瓷材料汽車總線相對(duì)傳統(tǒng)布線有何優(yōu)勢(shì)（B）A.占用空間 B.減低成本 C.可靠性較低 D.維修簡(jiǎn)單雙目攝像頭相比于單目攝像頭來(lái)說(shuō)，其優(yōu)點(diǎn)正確的是（C）A.受到環(huán)境影響較大B.使用方法較為簡(jiǎn)單C.可以直接檢查目標(biāo)物體距離、可以消除尺度不確定性D.成本低廉，能夠識(shí)別具體障礙物的種類下列描述毫米波雷達(dá)的特性正確的是（A）A.工作頻率通常選在30-300GHZ頻域（即波長(zhǎng)為I-IOmm）B.結(jié)構(gòu)復(fù)雜C.體積較大D.操作較為復(fù)雜自適應(yīng)巡航的簡(jiǎn)稱（八）Λ.ACC B.FCW C.AEBD.LCA在汽車電子系統(tǒng)中，用于將車輛電池（12V）提升到適合芯片工作電壓（通常為3.3V或5V）（A）oA.電壓跟隨器B.電流鏡像C.電流跟隨器D.電壓鏡像37、在汽車芯片應(yīng)用中，嵌入式操作系統(tǒng)常用于：（D）oA.控制車輛底層硬件 B.運(yùn)行車載應(yīng)用軟件C.數(shù)據(jù)處理和決策 D.所有選項(xiàng)38、汽車芯片的可靠性測(cè)試主要包括：（D）A.溫度循環(huán)測(cè)試B.濕度測(cè)試C.電壓波動(dòng)測(cè)試D.所有選項(xiàng)39、某汽車電子系統(tǒng)需要實(shí)現(xiàn)一個(gè)模擬濾波器來(lái)消除輸入信號(hào)中的高頻噪音，以下哪種濾波器類型是最合適的？（B）A.巴特沃斯濾波器 B.低通濾波器C.高通濾波器 D.帶通濾波器40、車道保持輔助系統(tǒng)的執(zhí)行單元不包括（C）。A.報(bào)警模塊 B.轉(zhuǎn)向盤操縱模塊C.發(fā)動(dòng)機(jī)控制模塊 D.制動(dòng)器操縱模塊二、判斷題（共40題，每題0?5分，共20分）1、雙穩(wěn)態(tài)電路有兩種工作模式，只有一種可以在特定的輸入、輸出條件下獲得。（×）2、MoS器件是一個(gè)三端器件，分別是G、S>Do（×）3、在CMoS集成電路設(shè)計(jì)中，可以通過(guò)多閾值電壓技術(shù)來(lái)兼顧性能和功耗的技術(shù)需求。（√）4、流水線技術(shù)是一種時(shí)序電路優(yōu)化技術(shù)，能夠通過(guò)提升并行度來(lái)提高性能。（J）5、當(dāng)同步電路的建立時(shí)間不能夠滿足要求時(shí)，依舊可以通過(guò)降低頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)電路功能仿真。（√）6、外延是一種在單晶或多晶襯底生長(zhǎng)一層單晶或多晶薄膜的技術(shù)。（J）7、干氧氧化和水汽氧化都是熱氧化的方法。（√）8、離子注入層的深度主要取決于離子注入的能量。（J）9、物理氣相沉積常用于制備金屬薄膜。（J）10、只有電路既放大電流又放大電壓，才能稱其具有放大作用。（X）11、善視野類ADAS是指通過(guò)環(huán)境感知傳感器、V2X通信技術(shù)等擴(kuò)大駕駛?cè)艘曇胺秶?，從而提高駕駛?cè)艘曇拜^差環(huán)境下行車安全的駕駛輔助系統(tǒng)，包括夜視輔助系統(tǒng)、全息影像監(jiān)測(cè)系統(tǒng)和自適應(yīng)照明系統(tǒng)等。（J）12、智能網(wǎng)聯(lián)汽車V2X通信代表車輛與車輛通信（V2V）＞車輛與基礎(chǔ)設(shè)施通信（V2I）、車輛與行人通信（V2P）、車輛與應(yīng)用平臺(tái)或云端通信（V2N）0（J）13、LTET是我國(guó)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的V2X技術(shù)，是按照全球統(tǒng)一規(guī)定的體系架構(gòu)及其通信協(xié)議和數(shù)據(jù)交互標(biāo)準(zhǔn)。（√）14、車載自組織網(wǎng)絡(luò)是基于短距離無(wú)線通信技術(shù)自主構(gòu)建的V2V、V21、V2P之間的無(wú)線通信網(wǎng)絡(luò)。（J）15、V2V通信主要是指通過(guò)路測(cè)單元（RSU）進(jìn)行車輛間的通信。（X）16、LTE-V和DSRC均需要路側(cè)單元RSU,但兩種技術(shù)RSU承載的能力不盡相同。（√）17、車載自組織網(wǎng)絡(luò)是基于短距離無(wú)線通信技術(shù)自主構(gòu)建的V2V、V21、V2P之間的無(wú)線通信網(wǎng)絡(luò)。（J）18、觸發(fā)器的現(xiàn)態(tài)是指觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)后的狀態(tài)，次態(tài)是指翻轉(zhuǎn)前的狀態(tài)。（X）19、觸發(fā)器的觸發(fā)方式有電平觸發(fā)和沿觸發(fā)兩種。（J）20、定時(shí)器都由分壓器、比較器、基本RS觸發(fā)器、放電管、輸入緩沖級(jí)組成。（X）21、優(yōu)先編碼器的編碼信號(hào)是相互排斥的，不允許多個(gè)編碼信號(hào)同時(shí)有效。（X）22、編碼與譯碼是互逆的過(guò)程。（J）23、二進(jìn)制譯碼器相當(dāng)于是一個(gè)最小項(xiàng)發(fā)生器，便于實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路。（J）24、CAN總線是ISO國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化的串行通信協(xié)議（√）25、一般情況下，激光雷達(dá)激光發(fā)射器越多，需要處理的數(shù)據(jù)越少。（X）26、線控轉(zhuǎn)向系統(tǒng)取消了轉(zhuǎn)向盤和轉(zhuǎn)向器之間的機(jī)械連接，直接通過(guò)電信號(hào)控制轉(zhuǎn)向電機(jī)來(lái)控制汽車轉(zhuǎn)向，主要由方向盤總成、轉(zhuǎn)向執(zhí)行總成和主控制器（ECU）三個(gè)主要部分以及自動(dòng)防故障系統(tǒng)、電源等輔助系統(tǒng)組成。（J）27、共陰接法發(fā)光二極管數(shù)碼顯示器需選用有效輸出為高電平的七段顯示譯碼器來(lái)驅(qū)動(dòng)。（J）28、數(shù)據(jù)選擇器和數(shù)據(jù)分配器的功能正好相反，互為逆過(guò)程。（J）29、在用萬(wàn)用表檢查線路搭鐵短路故障時(shí)，不應(yīng)拆開線路兩端的連接器然后測(cè)量連接器被測(cè)端子與車身（搭鐵）之間的電阻。（X）30、在大多數(shù)圖中，搭鐵線在圖上方，電源線在圖下方，電流方向自下而上。（X）31、凡不經(jīng)用電器而連接的一組導(dǎo)線若有一根接電源或搭鐵，則該組導(dǎo)線都是電源線或搭鐵線。（J）32、直接連接在一起的導(dǎo)線（也可經(jīng)由熔斷絲、錢接點(diǎn)連接）必具有一個(gè)共同的功能。（X）33、與電源正極連接的導(dǎo)線在到達(dá)用電器之前是電源電路。（J）34、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)權(quán)威性最高，要求也最高，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)或企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)可以比國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)要求低。（X）35、在ECU電動(dòng)汽油泵驅(qū)動(dòng)回路中采用電動(dòng)汽油泵繼電器是出于安全的原因。（J）36、由兩個(gè)TTL或非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)R=S=O時(shí)，觸發(fā)器的狀態(tài)為不定。（義）37、JK觸發(fā)器，在CP為高電平期間，當(dāng)J=K=I時(shí)，狀態(tài)會(huì)翻轉(zhuǎn)一次。（X）38、同步時(shí)序電路由組合電路和存儲(chǔ)器兩部分組成。（J）39、組合電路是不含有記憶功能的器件。（J）40、時(shí)序電路是不含有記憶功能的器件。（J）三、多項(xiàng)選擇題（共20題，每題2分，共40分）1、以下屬于汽車行業(yè)發(fā)展“新四化”范疇是（ABC）0A.共享化B.智能化C.電動(dòng)化D.定制化2、以下屬于智能網(wǎng)聯(lián)汽車中車輛/設(shè)施關(guān)鍵技術(shù)的是（ABD）0A.環(huán)境感知技術(shù) B.智能決策技術(shù)C.信息安全技術(shù) D.控制執(zhí)行技術(shù)3、超聲波雷達(dá)不用于（BCD）目標(biāo)物的探測(cè)。Λ.短距離B.中距離C.長(zhǎng)距離 D.超遠(yuǎn)距離4、夜視輔助系統(tǒng)主要用哪些傳感器（ABCD）。D.毫米波Λ.雷達(dá)B.紅外傳感器 C.D.毫米波5、自主控制類ΛDΛS包括以下哪些（ABCD）。Λ.車道保持輔助系統(tǒng)B.自動(dòng)緊急制動(dòng)系統(tǒng)C.自適應(yīng)巡航控制D.換道輔助系統(tǒng)6、MOS器件存在哪些二階效應(yīng)（ABCD）Λ,短溝道效應(yīng)B.體效應(yīng)C.亞閾值導(dǎo)電性D.溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)7、下列關(guān)于共柵放大器的說(shuō)法正確的是（ABC）A.輸入輸出相同，輸入阻抗很低B.輸出阻抗高，可用作電流源C.高頻特性好，無(wú)電容Miner效應(yīng)D.輸入阻抗高，輸出阻抗低8、下列對(duì)差動(dòng)放大器說(shuō)法是正確的是（ABC）oA.凡雙端輸出，電壓放大倍數(shù)與單管放大器相同B.凡單端輸出，電壓放大倍數(shù)是雙端輸出的一半C.雙端輸出的抑制零漂能力比單端輸出的要強(qiáng)D.CMRR越小，其零漂越小9、高精度帶隙基準(zhǔn)設(shè)計(jì)中要實(shí)現(xiàn)M狀圖形的輸出電壓溫度特性曲線可采用的補(bǔ)償方法有（BCD）A.二階補(bǔ)償B.三階補(bǔ)償C.分段補(bǔ)償D.高精度補(bǔ)償10、放大電路的頻率響應(yīng)：（ABCD）A.上、下限頻率處的電壓增益為中頻增益的0.707倍B.通頻帶越寬、電路的頻率響應(yīng)越好C.影響電路低頻響應(yīng)的主要因素是隔直耦合電容D.信號(hào)頻率高于上限頻率時(shí)、隨信號(hào)頻率的增加增益下降11、下列關(guān)于干法蝕刻與濕法蝕刻說(shuō)法正確的是？（AC）A.干法蝕刻是各向異性的B.濕法蝕刻是各向異性的C.濕法蝕刻是各向同性的D.干法蝕刻是各向同性的12、關(guān)于CMOS晶體管拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)正確的是？（AC）A.布爾函數(shù)中的乘積項(xiàng)（“與”運(yùn)算）通過(guò)NMOS晶體管串聯(lián)實(shí)現(xiàn)B.布爾函數(shù)中的求和項(xiàng)（“或”運(yùn)算）通過(guò)NMOS晶體管串聯(lián)實(shí)現(xiàn)C.布爾函數(shù)中的乘積項(xiàng)（“與”運(yùn)算）通過(guò)PMoS晶體管并聯(lián)實(shí)現(xiàn)D.