電子技術(shù)基礎(chǔ)試題及答案

電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷一、填空題（20分）1、 和 2有 3有 4、要是 。5和 6為 。7、把整個(gè)電路中的元器件制作在一塊硅基片上，構(gòu)成特定功能的電子電路稱為電路。8為 和 。9， 即 。、負(fù)反饋放大電路有四種類型： 、 、 以及 11是 12： 、 、 和 。（1—521分）1R2圖題12、圖示中Re1電流串聯(lián)正反饋圖題23、圖示電路不能振蕩圖題34、圖示電路不能振蕩圖題45T1T2圖題56、PN結(jié)的單向?qū)щ娦躁P(guān)鍵在于它的耗盡區(qū)的存在，且其寬度隨外加電壓而變化。7、齊納二極管是一種特殊二極管。8、BJT有NPN和PNP兩種類型。9、圖解法能分析信號(hào)幅值太小或工作頻率較高濕的電路工作狀態(tài)。10、MOS器件主要用于制成集成電路。11、差分放大電路中共模電壓增益越小，說明放大電路的性能越好。12、放大電路中的內(nèi)部噪聲與放大電路中個(gè)元器件內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則無關(guān)。13、放大電路中直流反饋不影響靜態(tài)工作點(diǎn)。1415、在實(shí)際應(yīng)用的放大電路中很少引人負(fù)反饋。三、計(jì)算題（1題12分，2題13分，3題15分，共40分）10V1VV3V42益 xo/xi3RS=500kΩ，β0Q（2）ARiR（）若Vs=200mVVo。（）10（Q（rbe；（3益 Av（使 VCEQV電子技術(shù)基礎(chǔ)（答案）一、填空題1、 2、 3、 圖解法4、 5、 6、 7、 集成8、 9、 10、電壓串聯(lián)負(fù)反饋、電壓并聯(lián)負(fù)反饋、電流串連負(fù)反饋、電流并聯(lián)負(fù)反饋11、能量轉(zhuǎn)換12、電壓放大、電流放大、互阻放大、互導(dǎo)放大二、判斷題1、√2、×（Re1電流串聯(lián)負(fù)反饋）3、×（能振蕩）4、√5T1T26、√7、√8、√9、×（不能）10、√11、√12、×13、×14、√15、×三、計(jì)算題1、解：設(shè)反相加法器各支路的電阻為R1、R2、R3、R4，反饋支路電阻為R5，由V0=-7Vi1+14Vi2+3.5Vi3+10Vi4）R5 R5 R5 V0=-（R1

Vi1+

Vi2

R3Vi3+

R4Vi4）最大電阻應(yīng)為R5，故選R5=280kΩ，所以各支路電阻分別為R5 ΩR1=

7= 7

kΩR5 Ω2R= = kΩ22為 Ax x x Ao o1 o 2A=xid1=xid1 ?xo1=A11AF22則xoAf=xi

A1=1AF1AA121AF22AA AA1 12 F 121AF

1 1A

FAF= 22

1 21 223（1）QVPEIBQ≈Rb+(1+β)Re≈23μAICQ=βIBQ=1.15mAVCEQ=-(VEE-ICQRe)≈-6.13V(2)求AV、Ri、RoVrbe=bb（+） EQ ≈5keRe

R)beLbeAV=

r 1Re|RL)L）]KΩbe b

||RsR1 KΩ（3）VS=200mV時(shí)RiV0=AvVi=AS?RsRi ?四、綜合題1估算法求Q20103VBQ=20601036V V ICQIEQ= Re ICQ28IBQ=VCEQ=VCC-ICQRcRe7.75V（2）

r‘0rbe=rbb’+

IEQ

1.2kR'RL（3）AV=-=R' R=RL C

36kL=36L（4）當(dāng)VCEQ=4V時(shí)VIVIeRcReRc