上傳人：韓***

認(rèn)證信息

認(rèn)證類型：個人認(rèn)證

認(rèn)證主體：韓**（實名認(rèn)證）

IP屬地：上海

IP屬地：上海 上傳時間：2023-12-25 格式：PPTX 頁數(shù)：9 大?。?.48MB 積分：17.9 舉報 版權(quán)申訴

PN結(jié)及其單向?qū)щ娦砸?、PN結(jié)的形成在同一片半導(dǎo)體基片的兩端，分別摻入三價元素硼和五價元素磷，使其形成P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，在它們的交界處就形成了PN結(jié)。P型半導(dǎo)體（P區(qū)）N型半導(dǎo)體（N區(qū)）＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－－－－－空穴自由電子負(fù)離子自由電子空穴正離子＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－－－－－多子：擴(kuò)散運動擴(kuò)散運動P區(qū)N區(qū)空間電荷區(qū)（耗盡層）在半導(dǎo)體中由于濃度差別，多數(shù)載流子從濃度高向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散，也就是P區(qū)的空穴往N區(qū)擴(kuò)散，N區(qū)的電子往P區(qū)擴(kuò)散。在擴(kuò)散時，大部分的自由電子和空穴相遇產(chǎn)生復(fù)合運動，使得自由電子和空穴成對消失。一、PN結(jié)的形成＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－－－－－P區(qū)N區(qū)空間電荷區(qū)（耗盡層）擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬?！麅?nèi)電場由于空間電荷區(qū)一側(cè)帶正電一側(cè)帶負(fù)電，從而形成內(nèi)電場，內(nèi)電場的方向從N區(qū)指向P區(qū)。隨著擴(kuò)散運動的進(jìn)行，使得空間電荷區(qū)逐漸變寬，內(nèi)電場進(jìn)一步增強。內(nèi)電場會阻礙多子的擴(kuò)散運動，而使得少子的漂移運動。一、PN結(jié)的形成＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－－－－－少子：漂移運動漂移運動P區(qū)N區(qū)內(nèi)電場越強，就使漂移運動越強，而漂移使空間電荷區(qū)變窄←內(nèi)電場空間電荷區(qū)（耗盡層）少數(shù)載流子在內(nèi)電場作用下的運動稱為漂移運動。內(nèi)電場作用下，P區(qū)的少數(shù)載流子電子向N區(qū)運動，填補了交界面附近缺失的電子；N區(qū)的少數(shù)載流子空穴向P區(qū)運動，填補缺失的空穴；這樣漂移運動會使得空間電荷區(qū)變窄。一、PN結(jié)的形成＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－－－－－P區(qū)N區(qū)←內(nèi)電場空間電荷區(qū)（耗盡層）擴(kuò)散運動使得空間電荷區(qū)變寬，漂移運動使得空間電荷區(qū)變窄；當(dāng)擴(kuò)散運動與漂移運動達(dá)到動態(tài)平衡時，空間電荷區(qū)的寬度保持不變。就把這個空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。一、PN結(jié)的形成PN結(jié)正偏時，PN結(jié)變窄，電流大，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦?.PN結(jié)正偏PN結(jié)P區(qū)接電源正極（+），N區(qū)接電源負(fù)極（-），稱PN結(jié)外加正向電壓，或稱PN結(jié)正向偏置，簡稱為正偏。外電場方向與內(nèi)電場方向相反內(nèi)電場被削弱，空間電荷區(qū)變窄多子的擴(kuò)散運動加強少子的漂移運動受抑制形成較大的擴(kuò)散電流（正向電流）PN結(jié)反偏時，PN結(jié)變寬，電流很小，PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)。PN結(jié)P區(qū)接電源負(fù)極（-），N區(qū)接電源正極（+），稱PN結(jié)外加反向電壓，或稱PN結(jié)反向偏置，簡稱為反偏。外電場方向與內(nèi)電場方向相同內(nèi)電場被增強，空間電荷區(qū)變寬多子的擴(kuò)散運動受抑制少子的漂移運動加強但少子有限，形成較小的反向二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦?.PN結(jié)反偏PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮區(qū)N區(qū)空間電荷區(qū)＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋－－－－－－－－－－－－－