仿真串聯(lián)型穩(wěn)壓電源

仿真串聯(lián)型穩(wěn)壓電源

任務(wù)一仿真元件庫1）啟動原理圖編輯器。2）單擊設(shè)計(jì)管理器中的【BrowseSch】如下圖，再單擊【Add/Remove…】。知識1分立元件仿真設(shè)置一、添加仿真元件庫sim.ddb選中【BrowseSch】3）如下圖，單擊選中已打開的庫文件，再單擊【Remove】按鈕關(guān)閉原來導(dǎo)入的庫文件。刪除已有的元件庫4）拖動滾動條，選擇仿真元件庫文件sim.ddb，單擊【Add】按鈕，再單擊【OK】按鈕添加sim.ddb文件，如圖所示。添加仿真元件庫二、電阻1、在元件庫【SimulationSymbols.lib】中,包含了一般電阻類。仿真庫中的電阻類型

2、在放置電阻過程中按【Tab】鍵或放置后雙擊電阻得到屬性對話框如下圖。一般電阻屬性設(shè)置3、一般電阻只要設(shè)置【Attributes】屬性選項(xiàng)卡中的【Desionator】和【Part】欄。4、半導(dǎo)體電阻的電阻值由其長、寬和環(huán)境溫度決定的。半導(dǎo)體電阻L、W、Ttemp選項(xiàng)設(shè)置5、電位器、可變電阻在【PartFields】元件域選項(xiàng)卡中有一個選項(xiàng)【Set】需要設(shè)置，可在選項(xiàng)中設(shè)置取值0到1。

三、電容1、在元件庫【SimulationSymbols.lib】中,包含了一般電容類型，下圖所示。仿真庫中的電容類型2、在放置電容過程中按【Tab】鍵或放置后雙擊電容得到屬性對話框如下圖。電容屬性設(shè)置3、設(shè)置電容的初始電壓。

設(shè)置電容的初始值4、設(shè)置電容的長度【L】和寬度【W(wǎng)】。

半導(dǎo)體電容設(shè)置四、電感1、在元件庫【SimulationSymbols.lib】中,包含的電感為“INDUCTOR”。2、在放置電感過程中按【Tab】鍵或放置后雙擊該電感得到屬性對話框如圖，可以設(shè)置屬性。電感屬性設(shè)置3、電感初始時刻的電流設(shè)置。電感初始電流設(shè)置五、二極管1、在元件庫【Diode.lib】中，包含了數(shù)目巨大的以工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)部件命名的二極管。

仿真庫中的二極管類型2、在放置二極管過程中按【Tab】鍵或放置后雙擊該二極管得到屬性對話框。（1）屬性域選項(xiàng)設(shè)置：設(shè)置二極管屬性（2）元件域選項(xiàng)設(shè)置：設(shè)置二極管屬性選項(xiàng)六、晶體管1、在元件庫【BJT.lib】中，包含了數(shù)目巨大的以工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)部件命名的晶體管。

仿真庫中的晶體管類型2、按【Tab】鍵或放置后雙擊該晶體管得到屬性對話框。（1）屬性域選項(xiàng)設(shè)置：晶體管屬性設(shè)置（2）元件域選項(xiàng)設(shè)置：

晶體管元件域設(shè)置七、JFET結(jié)型效應(yīng)管1、結(jié)型場效應(yīng)管包含在【JFET.LIB】庫文件中。

仿真庫中的結(jié)型場效應(yīng)管類型2、在放置元件過程中按【Tab】鍵或放置元件后雙擊該元件得到屬性對話框。（1）屬性域選項(xiàng)設(shè)置：結(jié)型場效應(yīng)管屬性設(shè)置（2）元件域選項(xiàng)設(shè)置：結(jié)型場效應(yīng)管元件域設(shè)置

八、MOS場效應(yīng)管1、在庫【Mosfet.lib】中，包含了數(shù)目巨大的以工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)部件命名的MOS場效應(yīng)管。

仿真庫中的MOS場效應(yīng)管類型2、在放置元件過程中按【Tab】鍵或放置元件后雙擊該元件得到屬性對話框。（1）屬性域選項(xiàng)設(shè)置：MOS場效應(yīng)管屬性設(shè)置(2）元件域選項(xiàng)設(shè)置：

MOS場效應(yīng)管元件域設(shè)置九、MES場效應(yīng)管1、在庫【Mosfet.lib】中包含了一般的MES場效應(yīng)管。

仿真庫中的MES場效應(yīng)管類型2、在放置元件過程中按【Tab】鍵或放置元件后雙擊該元件得到屬性對話框。MES場效應(yīng)管屬性設(shè)置3、元件域選項(xiàng)設(shè)置：

MES場效應(yīng)管元件域設(shè)置十、電壓/電流控制開關(guān)1、在庫【Switch.lib】中包含了如圖的可用于原理圖的開關(guān)：仿真庫中的電流/電壓控制開關(guān)類型2、在放置元件過程中按【Tab】鍵或放置元件后雙擊該元件得到屬性對話框。（1）屬性域選項(xiàng)設(shè)置：

電壓/電流控制開關(guān)屬性設(shè)置

（2）元件域選項(xiàng)設(shè)置：電壓/電流控制開關(guān)元件域設(shè)置3、電壓/電流控制開關(guān)模型描述的是理想化的開關(guān)(關(guān)態(tài)電阻無窮大,開態(tài)電阻為0)。實(shí)際開關(guān)不可能十分理想,使用時應(yīng)選擇開態(tài)、關(guān)態(tài)電阻,使得關(guān)態(tài)電阻與其它電路元件相比時能看作無窮大,開態(tài)電阻與其它電路元件相比時能看作無窮小。

十一、熔斷器1、【SimulationSymbols.lib】中包含了如圖的可用于原理圖的保險絲器件：仿真庫中的保險絲器件

2、在放置元件過程中按【Tab】鍵或放置元件后雙擊該元件得到屬性對話框（1）元件屬性域設(shè)置：保險絲屬性設(shè)置（2）元件域選項(xiàng)設(shè)置：

保險絲元件域設(shè)置十二、繼電器1、在【Relay.lib】庫中包含了常用的繼電器。

仿真庫中的繼電器類型2、在放置元件過程中按【Tab】鍵或放置元件后雙擊該元件得到屬性對話框。（1）屬性域選項(xiàng)設(shè)置：

繼電器屬性設(shè)置（2）元件域選項(xiàng)設(shè)置：

繼電器元件域設(shè)置十三、晶體振蕩器1、在【Crystal.lib】庫中包含了大量的晶體振蕩器。

仿真庫中的晶體振蕩器2、在放置元件過程中按【Tab】鍵或放置元件后雙擊該元件得到屬性對話框

仿真庫中的晶體振蕩器（1）屬性域選項(xiàng)設(shè)置：晶體振蕩器屬性設(shè)置（2）元件域選項(xiàng)設(shè)置：晶體振蕩器元件域設(shè)置十四、互感器（電感耦合器）1、在【Transformer.lib】庫中包含了大量的電感耦合器。

仿真庫中的電感耦合器2、在放置元件過程中按【Tab】鍵或放置元件后雙擊該元件得到屬性對話框。（1）屬性域選項(xiàng)設(shè)置：電感耦合器屬性設(shè)置（2）元件域選項(xiàng)設(shè)置：

電感耦合器元件域設(shè)置知識2TTL及CMOS元件仿真設(shè)置一、設(shè)置集成芯片的元件參數(shù)1、庫【74xx.Lib】包含了74XX系列的TTL邏輯電路器件；庫【CMOS.Lib】包含了4000系列的CMOS邏輯電路器件。（1）屬性域選項(xiàng)設(shè)置：

邏輯電路器件屬性域選項(xiàng)設(shè)置（2）元件域選項(xiàng)設(shè)置：

邏輯電路器件元件域選項(xiàng)設(shè)置二、設(shè)置特殊元件的參數(shù)1、設(shè)置節(jié)點(diǎn)電壓初值設(shè)置.IC元件屬性2、設(shè)置節(jié)點(diǎn)電壓設(shè)置.NS元件屬性任務(wù)二 仿真激勵源知識1 激勵源及屬性設(shè)置一、直流源(1)屬性域選項(xiàng)設(shè)置：直流源屬性域設(shè)置(2)元件域選項(xiàng)設(shè)置：直流源元件域設(shè)置二、正弦仿真源1、庫【SimulationSymbols.lib】中，包含了如下的正弦源器件：·【VSIN】

正弦電壓源?！ぁ綢SIN】

正弦電流源。2、仿真庫中的正弦電壓/電流符號如圖所示。通過這些源可創(chuàng)建正弦波電壓和電流源。仿真庫中的正弦電壓/電流源3、在放置正弦電壓/電流源過程中按【Tab】鍵或放置正弦電壓/電流源后雙擊該元件得到屬性對話框(1)屬性域選項(xiàng)設(shè)置正弦電壓/電流源元件域設(shè)置(2)元件域選項(xiàng)設(shè)置正弦電壓/電流源元件域設(shè)置三、周期脈沖源(1)屬性域選項(xiàng)設(shè)置：周期脈沖源屬性的設(shè)置周期脈沖源元件域的設(shè)置(2)元件域選項(xiàng)設(shè)置：四、分段線性源（Prece-Wise-linerSource）(1)屬性域選項(xiàng)設(shè)置：分段線性源屬性的設(shè)置(2)元件域選項(xiàng)設(shè)置：

分段線性源元件域的設(shè)置五、指數(shù)激勵源(1)屬性域選項(xiàng)設(shè)置：指數(shù)激勵源屬性的設(shè)置(2)元件域選項(xiàng)設(shè)置：指數(shù)激勵源元件域的設(shè)置六、單頻調(diào)頻源(1)屬性域選項(xiàng)設(shè)置：單頻調(diào)頻源的屬性域設(shè)置單頻調(diào)頻源的元件域設(shè)置(2)元件域選項(xiàng)設(shè)置：七、線性受控源線性受控源器件屬性設(shè)置八、非線性受控源非線性受控源符號九、頻率/電壓轉(zhuǎn)換器頻率/電壓轉(zhuǎn)換器頻率/電壓轉(zhuǎn)換器屬性設(shè)置十、壓控振蕩器（VCO）仿真源壓控振蕩源器(1)屬性域選項(xiàng)設(shè)置：(2)元件域選項(xiàng)設(shè)置：壓控振蕩源器件屬性域選項(xiàng)設(shè)置壓控振蕩器元件域設(shè)置知識2 仿真設(shè)置一、初始狀態(tài)的設(shè)置

初始狀態(tài)的設(shè)置共有三種途徑：【.IC】設(shè)置、【.NS】設(shè)置和定義器件屬性。在電路模擬中，如有這三種或兩種共存時，在分析中考慮的次序是：定義器件屬性、【.IC】設(shè)置、【.NS】設(shè)置。如果【.NS】和【.IC】共存時，則【.IC】設(shè)置將取代【.NS】設(shè)置。二、仿真器設(shè)置

1.進(jìn)入分析（Analysis）主菜單

選擇仿真分析模式2.瞬態(tài)特性分析和傅立葉分析（Transient/FourierAnalysis）（1）設(shè)置瞬態(tài)分析的參數(shù)

設(shè)置瞬態(tài)分析/傅里葉分析參數(shù)（2）如果用戶未確定具體輸入的參數(shù)值，建議使用缺省設(shè)置；從而自動獲得瞬態(tài)分析用參數(shù)。自動獲得瞬態(tài)分析用參數(shù)設(shè)置3.傅里葉分析（FourierAnalysis）

設(shè)置傅里葉分析的參數(shù)4.交流小信號分析（ACSignalAnalysis）

交流小信號分析參數(shù)設(shè)置5.直流掃描分析(DCSweepAnalysis)

直流分析參數(shù)設(shè)置6.蒙特卡羅分析（MonteCarloAnalysis）

蒙特卡羅直流分析參數(shù)設(shè)置蒙特卡羅分析的優(yōu)點(diǎn)是：1）在很復(fù)雜條件下，該法是得到一個現(xiàn)實(shí)解的統(tǒng)一方法。2）該法對各種廣泛的問題均適用且十分靈活。缺點(diǎn)是：1）按照所要求的工作量和計(jì)算