電子科技大學(xué)半導(dǎo)體物理期末考試試卷B試題答案

日名一L簡(jiǎn)并半導(dǎo)體一般是重?fù)诫s半導(dǎo)用不可忽略.用不可忽略.升/增大.P/空穴型半導(dǎo)體中.在制造各種半導(dǎo)體器件時(shí),往往利用這種作用改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能.6.ZnO是一種寬禁帶半導(dǎo)體,真空制備7.相對(duì)Si而言,InSb是制作霍爾器件的較好材料,是由于其電9.有效質(zhì)量概括了晶體內(nèi)部勢(shì)場(chǎng)對(duì)載流子的作用,可通過(guò)盤(pán)旋共振實(shí)驗(yàn)來(lái)測(cè)量.測(cè)量.金屬接觸時(shí)的界面將會(huì)形成反阻擋層接觸/歐姆接觸.外表反型少子的導(dǎo)電水平已經(jīng)足夠強(qiáng),稱此時(shí)金屬板上所加電壓為壓/閾--A.禁帶變寬2.室溫下Si的本征載流子濃度為Q=1.5xl01ocm,.處于穩(wěn)態(tài)的某摻雜SiA.存在小注入的非平衡載流子A.假設(shè)半導(dǎo)體導(dǎo)帶中發(fā)現(xiàn)電子的幾率為0,那么該半導(dǎo)體必定處于絕對(duì)零度B.計(jì)算簡(jiǎn)并半導(dǎo)體載流子濃度時(shí)不能用波爾茲曼統(tǒng)計(jì)代替費(fèi)米統(tǒng)計(jì)C.處于低溫弱電離區(qū)的半導(dǎo)體,其遷移率和電導(dǎo)率都隨溫度升高而增大A.空穴是一種真實(shí)存在的微觀粒子C.穩(wěn)態(tài)和熱平衡態(tài)的物理含義是一樣的0A.無(wú)雜質(zhì)污染6.半導(dǎo)體中少數(shù)載流子壽命的大小主要決定于A0A.復(fù)合機(jī)構(gòu)A.本征半導(dǎo)體0A.上升9.GaAs具有微分負(fù)電導(dǎo)現(xiàn)象,原因在于在強(qiáng)電場(chǎng)作用下,A.載流子發(fā)生能谷間散射d〕純潔硅..i=2.4x1013cm')A.半導(dǎo)體外表勢(shì)15.不考慮外表態(tài)的影響,如需在n型硅上做歐姆電面能帶圖代表的半導(dǎo)體類型,摻雜程度CECVC VEV(d)CE(b)CCE(c)VCECE(f)V補(bǔ)〔平帶電壓：功函數(shù)或者絕緣層電荷等因素引起半導(dǎo)體內(nèi)能帶發(fā)生彎曲,為了恢復(fù)平帶狀態(tài)所需加的外加?xùn)牌珘?或者使半導(dǎo)體內(nèi)沒(méi)有能帶彎曲時(shí)所加的柵電壓.〔23.寫(xiě)出至少兩種測(cè)試載流子濃度的實(shí)驗(yàn)方法,并說(shuō)明實(shí)驗(yàn)測(cè)試原理.11C〔NA〕HH=—-=DP^2JT-B|E|--Bp---|gp,請(qǐng)說(shuō)明上述等式兩邊各個(gè)單項(xiàng)所代表的物理意義.5p〔1P⑵計(jì)算費(fèi)米能級(jí)的位置.〔2分〕層？銀的功函數(shù)為WAg=4.81eV.3〕假設(shè)能形成阻擋層,求半導(dǎo)體一側(cè)的勢(shì)壘高度和勢(shì)壘寬度.、、「k°Tln---------------------10=Ei-0.41〔eV〕s=En+7=Eg/2+qVB+7=503〔eV〕dd''2%%VD」2」2M12M8.85M10M0.22荷的電荷量.Bi1AJ/d0=1.7210"(F/cm2)T=V0Vs=一%2VB=3.50.72=4.22(V)Co曜〔2解:D3)3)JST=AT2exp(-U)k°T