材料分析測(cè)試技術(shù)核磁

一.核磁共振的根本原理二.核磁共振儀與實(shí)驗(yàn)方法三.核磁共振氫譜1.氫的化學(xué)位移2.各類質(zhì)子的化學(xué)位移3.影響化學(xué)位移的因素4.自旋偶合和自旋裂分5.核磁共振氫譜的解析四.核磁共振碳譜五.核磁共振應(yīng)用〔自學(xué)〕第九章原子核環(huán)境的研究方法核磁共振及其應(yīng)用NuclearMagneticResonanceSpectroscopyandApplication

1945年P(guān)urcell〔哈佛大學(xué)〕和Bloch〔斯坦福大學(xué)〕發(fā)現(xiàn)核磁共振現(xiàn)象，他們獲得1952年Nobel物理獎(jiǎng)1951年Arnold發(fā)現(xiàn)乙醇的NMR信號(hào)及與結(jié)構(gòu)的關(guān)系1953年Varian公司試制了第一臺(tái)NMR儀器一、核磁共振的根本原理1、原子核的磁矩

核磁矩：通常原子核為帶電體，當(dāng)其自旋時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)小磁場(chǎng)，故可將一個(gè)自旋的核看作是一個(gè)小磁體，兩磁極間的磁偶極

的大小就是核磁矩。

量子化學(xué)和實(shí)驗(yàn)證明自旋量子數(shù)I與原子核的質(zhì)量數(shù)A和原子序數(shù)Z相關(guān):Spinquantumnumberforvariousnuclei

NumberofprotonsNumberofNeutronsSpinQuantumNumber(I)ExamplesEvenEven012C,16O,32SOddEven1/21H,19F,31POddEven3/211B,35Cl,79Br,127IEvenOdd1/213CEvenOdd5/217OOddOdd12H,14N研究最多、應(yīng)用最多的是1H和13C核磁共振譜。1H-NMR〔或PMR〕氫的核磁共振，指示氫在碳骨架上的位置。13C-NMR〔或CMR〕碳的核磁共振，指示碳的骨架是如何組成的。2、自旋核在磁場(chǎng)中的取向和能級(jí)

外加磁場(chǎng)存在與不存在時(shí)自旋磁矩的取向沒(méi)有外加磁場(chǎng)時(shí)，自旋磁矩的取向是混亂的。假設(shè)有外加磁場(chǎng)的存在，對(duì)于自旋量子數(shù)為1/2的原子核，那么自旋磁矩的取向只有兩種，一種與外磁場(chǎng)平行，另一種那么相反。具有磁矩的核在外磁場(chǎng)中的自旋取向是量子化的，可用磁量子數(shù)m來(lái)表示核自旋不同的空間取向，其數(shù)值可取：m=I,I-1,I-2,……,-I

，共有2I+1個(gè)取向。

I=1/2 自旋取向數(shù)=2 ?,-?I=1 自旋取向數(shù)=3 1,0,-1I=2 自旋取向數(shù)=5 -2,-1,0,1,2每一種取向即為一種不同能量的狀態(tài)。在H。中原子核的自旋取向兩種不同取向的自旋所具有的能量不同，與外加磁場(chǎng)方向相同的，能量較低，與外加磁場(chǎng)方向相反，能量較高。兩種取向存在能級(jí)差。m=-1/2能級(jí)高于m=1/2能級(jí)。能級(jí)分裂：核磁矩在磁場(chǎng)中出現(xiàn)不同取向的現(xiàn)象。以氫核為例：◎每個(gè)自旋取向?qū)⒎謩e代表原子核的某個(gè)特定的能量狀態(tài)。對(duì)于具有自旋量子數(shù)I和磁量子數(shù)m的核，量子能級(jí)的能量可用下式確定：H0——外加磁場(chǎng)強(qiáng)度，高斯〔G〕；μ——核的磁矩，質(zhì)子的磁矩為2.7927μ0。1H在外磁場(chǎng)中只有m=+1/2及m=-1/2兩種取向，其能量分別為：E-1/2=-μH0和E+1/2=μH0。一般來(lái)說(shuō)，自旋量子數(shù)為I的核，其相鄰兩能級(jí)之差為：影響兩種取向能級(jí)差的因素有兩個(gè)：原子核的種類和外加磁場(chǎng)的強(qiáng)度。不同磁場(chǎng)強(qiáng)度時(shí)兩種自旋的能級(jí)差

氫核由低能級(jí)向高能級(jí)躍遷時(shí)需要的能量△E與外加磁場(chǎng)強(qiáng)度〔H0〕及氫核磁矩〔μ〕成正比。顯然，隨著外加磁場(chǎng)強(qiáng)度增加，那么發(fā)生核的能級(jí)躍時(shí)需要的能量也相應(yīng)增大；反之，那么減小。3核的盤旋和核磁共振

當(dāng)一個(gè)原子核的核磁矩處于某磁場(chǎng)中，由于核自身的旋轉(zhuǎn)，而外磁場(chǎng)又力求它取向于磁場(chǎng)方向，在這兩種力的作用下，核會(huì)在自旋的同時(shí)繞外磁場(chǎng)的方向進(jìn)行盤旋，這種運(yùn)動(dòng)稱為L(zhǎng)armor進(jìn)動(dòng)。自旋角速度ω，外磁場(chǎng)H0，進(jìn)動(dòng)頻率ν假設(shè)原子吸收了與進(jìn)動(dòng)頻率相同的射頻，即可發(fā)生能級(jí)的躍遷，從而產(chǎn)生NMR。即有：上式即為NMR根本方程。有Larmor方程2為原子核進(jìn)動(dòng)的角速度。NMR根本方程核磁共振產(chǎn)生條件 如果以射頻ν照射處于外磁場(chǎng)H0中的核，且射頻頻率ν恰好滿足以下關(guān)系時(shí)：

讓處于外磁場(chǎng)〔Ho〕中的自旋核接受一定頻率的電磁波輻射〔射〕，當(dāng)輻射的能量恰好等于自旋核兩種不同取向的能量差時(shí)，處于低能態(tài)的自旋核吸收電磁輻射能躍遷到高能態(tài)，這種現(xiàn)象稱為核磁共振。此時(shí)能量即由電磁輻射向核轉(zhuǎn)移。原子核在磁場(chǎng)中發(fā)生能級(jí)分裂，在磁場(chǎng)的垂直方向上加小交變電場(chǎng)，如頻率為v射，當(dāng)v射等于進(jìn)動(dòng)頻率ν，發(fā)生共振。低能態(tài)原子核吸收交變電場(chǎng)的能量，躍遷到高能態(tài)。ΔE=hv迴=hv射=hH0/2π或v射=v迴=H0/2π射頻頻率與磁場(chǎng)強(qiáng)度H0是成正比的，在進(jìn)行核磁共振實(shí)驗(yàn)時(shí)，所用的磁場(chǎng)強(qiáng)度越高，發(fā)生核磁共振所需的射頻頻率也越高。要滿足核磁共振條件，可通過(guò)二種方法來(lái)實(shí)現(xiàn)：頻率掃描〔掃頻〕：固定磁場(chǎng)強(qiáng)度，改變射頻頻率磁場(chǎng)掃描〔掃場(chǎng)〕：固定射頻頻率，改變磁場(chǎng)強(qiáng)度實(shí)際上多用后者。各種核的共振條件不同，如：在1.4092特斯拉的磁場(chǎng),各種核的共振頻率為：

1H60.000MHZ13C15.086MHZ19F56.444MHZ

31P24.288MHZ對(duì)于1H核，不同的頻率對(duì)應(yīng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度：射頻40MHZ磁場(chǎng)強(qiáng)度0.9400特斯拉

601.40921002.35002004.70003007.100050011.75004核的自旋馳豫

飽和在一個(gè)體系的平衡狀態(tài)下，有N＋(m=1/2)/N-(m=-1/2)=1.00000099即處于高能態(tài)的略少于低能態(tài)的原子核。飽和：低能態(tài)核吸收能量躍遷到高能態(tài)與高能態(tài)核放出能量返回到低能態(tài)的數(shù)量相等，速率相等，不再有凈吸收，不再有NMR信號(hào)的現(xiàn)象。馳豫過(guò)程:由激發(fā)態(tài)恢復(fù)到平衡態(tài)的過(guò)程馳豫過(guò)程可分為兩種類型：自旋-晶格馳豫〔縱向馳豫〕自旋-自旋馳豫〔橫向馳豫〕自旋晶格馳豫：核與環(huán)境進(jìn)行能量交換。體系能量降低而逐漸趨于平衡。又稱縱向馳豫。速率1/T1，T1為自旋晶格馳豫時(shí)間。

自旋自旋馳豫：自旋體系內(nèi)部、核與核之間能量平均及消散。又稱橫向馳豫。體系的總能量不變，速率1/T2，T2為自旋自旋時(shí)間。

馳豫時(shí)間與譜線寬度的關(guān)系：成反比。

二、核磁共振儀與實(shí)驗(yàn)方法

按射頻源和掃描方式不同分：連續(xù)波NMR譜儀〔CW-NMR)脈沖傅立葉變換NMR譜儀(FT-NMR)1核磁共振儀簡(jiǎn)介NMR儀器的主要組成部件：磁體：提供強(qiáng)而均勻的磁場(chǎng)樣品管：直徑4mm,長(zhǎng)度15cm,質(zhì)量均勻的玻璃管射頻振蕩器：在垂直于主磁場(chǎng)方向提供一個(gè)射頻波照射樣品掃描發(fā)生器：安裝在磁極上的Helmholtz線圈，提供一個(gè)附加可變磁場(chǎng)，用于掃描測(cè)定射頻接受器：用于探測(cè)NMR信號(hào)，此線圈與射頻發(fā)生器、掃描發(fā)生器三者彼此互相垂直。核磁共振波譜儀原理示意圖2PFT-NMR譜儀PFT-NMR譜儀與CW譜儀主要區(qū)別：信號(hào)觀測(cè)系統(tǒng)，增加了脈沖程序器和數(shù)據(jù)采集、處理系統(tǒng)。各種核同時(shí)激發(fā)，發(fā)生共振，同時(shí)接受信號(hào)，得到宏觀磁化強(qiáng)度的自由衰減信號(hào)〔FID信號(hào)〕，通過(guò)計(jì)算機(jī)進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換和FT變換運(yùn)算，使FID時(shí)間函數(shù)變成頻率函數(shù)，再經(jīng)數(shù)模變換后，顯示或記錄下來(lái)，即得到通常的NMR譜圖。PFT-NMR譜儀特點(diǎn)：有很強(qiáng)的累加信號(hào)的能力，信噪比高〔600：1〕，靈敏度高，分辨率好〔0.45Hz)?？捎糜跍y(cè)定1H,13C,15N,19F,31P等核的一維和二維譜?？捎糜谏倭繕悠返臏y(cè)定。

—一般應(yīng)采用液態(tài)樣品。固體樣品須在適宜的溶劑中配成溶液，濃度盡量濃一些，以減少測(cè)量時(shí)間，但不宜過(guò)于粘稠。液態(tài)樣品，應(yīng)具有較好流動(dòng)性，常用惰性溶劑稀釋。樣品溶液中不應(yīng)含固體微粒、灰塵或順磁性雜質(zhì)，否那么，會(huì)導(dǎo)致譜線變寬，甚至失去應(yīng)有的精細(xì)結(jié)構(gòu)。為此，樣品應(yīng)在測(cè)試前預(yù)過(guò)濾，除去雜質(zhì)。必要時(shí)，應(yīng)通氮?dú)庵鸪鋈芙庠谠嚇又械捻槾判缘难鯕?。溶劑要求?yīng)粘度小，對(duì)試樣溶解性能好，不與樣品發(fā)生化學(xué)反響或締合，且其譜峰不與樣品峰發(fā)生重疊。CCl4無(wú)1H信號(hào)峰，而且價(jià)格廉價(jià)，是作1H譜時(shí)常用的溶劑。作精細(xì)測(cè)量時(shí)常用的是氘代溶劑有CD2Cl2，D2O等。(CDCl3,C6D6,CD3OD,CD3COCD3,C5D5N)標(biāo)準(zhǔn)參考樣品測(cè)量試樣的化學(xué)位移必須用標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)作參考，可分為外標(biāo)(準(zhǔn))法和內(nèi)標(biāo)(準(zhǔn))法。在氫的標(biāo)準(zhǔn)譜圖中，除早期數(shù)據(jù)外，一般采用內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)法。內(nèi)標(biāo)法是將標(biāo)準(zhǔn)參考物直接參加樣品中進(jìn)行測(cè)量。作為內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的物質(zhì)，應(yīng)選用具有高化學(xué)惰性的，易與它們混溶，并希望易揮發(fā)而便于回收樣品，具有易于識(shí)別譜峰的物質(zhì)。對(duì)氫譜而言，通常用四甲基硅(CH3)4Si(TMS)作內(nèi)標(biāo)。此外還有：六甲基二硅醚〔HMDC,值為0.07ppm),4,4-二甲基-4-硅代戊磺酸鈉〔DSS,水溶性，作為極性化合物的內(nèi)標(biāo)，但三個(gè)CH2的值為0.5~3.0ppm,對(duì)樣品信號(hào)有影響〕1HNMR由四局部組成：化學(xué)位移：說(shuō)明分子中的基團(tuán)情況。一組組的峰：分子中化學(xué)環(huán)境不同的質(zhì)子有幾組。積分曲線〔或積分值〕：說(shuō)明各基團(tuán)的質(zhì)子數(shù)比。峰的分裂個(gè)數(shù)及偶合常數(shù)：說(shuō)明各基團(tuán)的連接關(guān)系4核磁共振波譜圖三、核磁共振氫譜1氫的化學(xué)位移

射=

自旋進(jìn)動(dòng)=——Ho2屏蔽效應(yīng)

化學(xué)位移的根源屏蔽效應(yīng)：由于分子中原子的周圍總有電子運(yùn)動(dòng)，在外加磁場(chǎng)的作用下，這些電子會(huì)產(chǎn)生一個(gè)誘導(dǎo)電子流，從而產(chǎn)生一個(gè)與外加磁場(chǎng)方向相反的誘導(dǎo)磁場(chǎng)，使核受到的外加磁場(chǎng)的影響小于實(shí)際的外加磁場(chǎng)，這種效應(yīng)叫作屏蔽效應(yīng)。假設(shè)用H0代表外加磁場(chǎng)強(qiáng)度，σ代表電子對(duì)氫核的屏蔽效應(yīng)，HN代表氫核的實(shí)受磁場(chǎng)。那么， HN=H0〔1-σ〕σ為屏蔽常數(shù)，用以表示屏蔽效應(yīng)的大小。它的具體數(shù)值將取決于氫核周圍的電子密度，而后者又將取決于相鄰基團(tuán)〔原子或原子團(tuán)〕的親電能力或供電能力。氫核周圍相鄰的原子或原子團(tuán)的吸電能力越強(qiáng)，那么電子屏蔽效應(yīng)將越弱，故實(shí)受磁場(chǎng)強(qiáng)度相應(yīng)增高，共振峰將出現(xiàn)在低磁場(chǎng)；反之，共振峰將出現(xiàn)在高磁場(chǎng)?？傊?，由于電子屏蔽效應(yīng)的影響，共振峰將向高磁場(chǎng)方向位移。在電子屏蔽效應(yīng)影響下氫核的能級(jí)躍遷氫核的能級(jí)躍遷，因有無(wú)電子屏蔽作用，以及這種屏蔽作用強(qiáng)弱不同，而需要不同的能量。 在外加磁場(chǎng)作用下有屏蔽效應(yīng)時(shí)，氫核兩個(gè)能級(jí)間的能量差〔即躍遷能〕為 ΔE=2μH0〔1-σ〕而核躍遷能〔ΔE〕=照射用電磁輻射能〔ΔE〕，即 2μH0〔1-σ〕=hv因?yàn)棣?、h均為常數(shù)，假設(shè)v再固定，共振峰位H0大小將僅僅取決于σ值的大小。各種類型氫核因所處化學(xué)環(huán)境不同，σ也將不同，故雖在同一頻率電磁輻射照射下，引起共振時(shí)需要的外加磁場(chǎng)強(qiáng)度是不同的。結(jié)果共振峰將分別出現(xiàn)在NMR譜的不同強(qiáng)度磁場(chǎng)區(qū)域。 σ的組成總之，屏蔽效應(yīng)越強(qiáng)，即σ值越大，那么共振峰越將在高磁場(chǎng)處出現(xiàn)；而屏蔽效應(yīng)越弱，那么越將出現(xiàn)在低磁場(chǎng)。據(jù)此可以進(jìn)行氫核結(jié)構(gòu)類型的鑒定。化學(xué)環(huán)境不同的氫核有不同的化學(xué)位移。在實(shí)際工作中，由于磁場(chǎng)強(qiáng)度無(wú)法精確測(cè)定，故常將待測(cè)氫核共振峰所在磁場(chǎng)H0〔sample〕與某標(biāo)準(zhǔn)物氫核共振峰所在磁場(chǎng)H0(ref)進(jìn)行比較。這個(gè)相對(duì)距離叫做化學(xué)位移。而共振頻率與外部磁場(chǎng)成正比，通常用樣品和標(biāo)樣共振頻率之差與所用儀器頻率的比值δ來(lái)表示。由于該數(shù)值很小，故通常乘以106。這時(shí)，δ值的單位為ppm：化學(xué)位移的表示方法：?jiǎn)挝籶pm標(biāo)準(zhǔn)：四甲基硅烷，δ=0，〔如以τ表示，τ=10，τ=10-δ〕δ值大，說(shuō)明感應(yīng)磁場(chǎng)在低場(chǎng)。δ值小，說(shuō)明感應(yīng)磁場(chǎng)在高場(chǎng)。2各類質(zhì)子的化學(xué)位移值102345678910111213C3CHC2CH2C-CH3環(huán)烷烴0.2—1.5CH2ArCH2NR2CH2SC

CHCH2C=OCH2=CH-CH31.7—3CH2FCH2Cl

CH2BrCH2ICH2OCH2NO22—4.70.5(1)—5.56—8.510.5—12CHCl3(7.27)4.6—5.99—10OHNH2NHCR2=CH-RRCOOHRCHO常用溶劑的質(zhì)子的化學(xué)位移值D3影響化學(xué)位移的因素誘導(dǎo)效應(yīng)共軛效應(yīng)各向異性效應(yīng)VanderWaals效應(yīng)氫鍵效應(yīng)和溶劑效應(yīng)〔1〕誘導(dǎo)效應(yīng)影響：電負(fù)性大的基團(tuán)，吸電子能力強(qiáng)，通過(guò)誘導(dǎo)效應(yīng)使鄰近的質(zhì)子核外電子云密度降低，屏蔽效應(yīng)降低，使質(zhì)子共振頻率吸收移向低場(chǎng)，化學(xué)位移增大。CH3X(CH3)4SiCH4CH3ICH3BrCH3ClCH3OHCH3FX電負(fù)性1.82.12.52.83.13.54.0δ00.232.162.683.053.404.26/ppm

b>a>c電負(fù)性較大的原子，可減小H原子受到的屏蔽作用，引起H原子向低場(chǎng)移動(dòng)。向低場(chǎng)移動(dòng)的程度正比于原子的電負(fù)性和該原子與H之間的距離。試比較下面化合物分子中HaHbHc值的大小。苯環(huán)上的氫被推電子基〔如CH3O〕取代，由于p–π共軛，使苯環(huán)的電子云密度增大，δ值高場(chǎng)位移；拉電子基〔如C=O、NO2〕取代，由于π–π共軛，使苯環(huán)的電子云密度降低，δ值低場(chǎng)位移。〔2〕共軛效應(yīng)〔3〕各向異性效應(yīng)在分子中處于某一化學(xué)鍵的不同空間位置上的核受到不同的屏蔽作用,這種現(xiàn)象稱為各向異性效應(yīng),這是因?yàn)橛呻娮訕?gòu)成的化學(xué)鍵在外磁場(chǎng)的作用下,產(chǎn)生一個(gè)各向異性的附加磁場(chǎng),使得某些位置的核受到屏蔽,而另一些位置上的核那么為去屏蔽.芳環(huán)叁鍵羰基雙鍵單鍵在含有鍵的分子中，由于電子層不呈球形分布，其電子環(huán)流產(chǎn)生和磁場(chǎng)是各向異性磁場(chǎng)，對(duì)外磁場(chǎng)產(chǎn)生不同的影響。因此，鍵電子平面的方向?qū)瘜W(xué)位移有很大影響。芳環(huán)環(huán)的上下方為屏蔽區(qū)，其它地方為去屏蔽區(qū)

叁鍵：鍵軸向?yàn)槠帘螀^(qū)，其它為去屏蔽區(qū)。

羰基平面上下各有一個(gè)錐形的屏蔽區(qū)，其它方向〔尤其是平面內(nèi)〕為去屏蔽區(qū)。雙鍵

α=1.27，β=0.85α=1.23，β=0.72和

鍵碳原子相連的H，其所受屏蔽作用小于烷基碳原子相連的H原子。

值順序：?jiǎn)捂I

〔4〕VanderWaals效應(yīng)當(dāng)兩個(gè)質(zhì)子在空間結(jié)構(gòu)上非?？拷鼤r(shí)，具有負(fù)電荷的電子云就會(huì)互相排斥，從而使這些質(zhì)子周圍的電子云密度減少，屏蔽作用下降，共振信號(hào)向低磁場(chǎng)位移，這種效應(yīng)稱為VanderWaals效應(yīng)。δ(ppm)(Ⅰ)(Ⅱ)Ha4.683.92Hb2.403.55Hc1.100.88(5)氫鍵效應(yīng)：氫鍵可以較大的改變與氧、氮等直接相連的質(zhì)子的化學(xué)位移。絕大多數(shù)氫鍵形成后，質(zhì)子化學(xué)位移移向低場(chǎng)，表現(xiàn)出相當(dāng)大的去屏蔽效應(yīng).如下面化合物4個(gè)羥基的均可以形成氫鍵，δ按照氫鍵由弱到強(qiáng)的順序，逐步增大。一般認(rèn)為由于形成氫鍵時(shí)，質(zhì)子周圍的電子云密度降低。

分子內(nèi)氫鍵，其化學(xué)位移變化與溶液濃度無(wú)關(guān)，取決于分子本身結(jié)構(gòu)。分子間氫鍵受環(huán)境影響較大，當(dāng)樣品濃度、溫度發(fā)生變化時(shí)，氫鍵質(zhì)子的化學(xué)位移會(huì)發(fā)生變化。乙醇的羥基隨濃度增加，分子間氫鍵增強(qiáng)，化學(xué)位移增大

(6)溶劑效應(yīng)

：溶劑不同使化學(xué)位移改變的效應(yīng)

溶劑效應(yīng)的產(chǎn)生是由于溶劑的磁各向異性造成或者是由于不同溶劑極性不同,與溶質(zhì)形成氫鍵的強(qiáng)弱不同引起的.飽和碳原子上的質(zhì)子的d值：叔碳>仲碳>伯碳與H相連的碳上有電負(fù)性大的原子或吸電子基團(tuán)〔N,O,X,NO2,CO等〕，d值變大。電負(fù)性越大，吸電子能力越強(qiáng)，d值越大。d值：芳?xì)?gt;烯氫>烷氫有機(jī)化合物中質(zhì)子化學(xué)位移規(guī)律：

4自旋偶合和自旋裂分〔1〕自旋-自旋偶合與自旋－自旋裂分自旋耦合：原子核之間的相互干擾叫自旋耦合。自旋裂分：由于自旋偶合引起譜峰裂分的現(xiàn)象Spin-SpinSplitting。一般只考慮相鄰碳上的不同氫的耦合。磁等性H核之間不發(fā)生自旋裂分。如CH3—CH3只有一個(gè)單峰。〔2〕裂分規(guī)律自旋核的核磁矩可以通過(guò)成鍵電子影響鄰近磁核是引起自旋－自旋偶合的根本原因。磁性核在磁場(chǎng)中有不同的取向，產(chǎn)生不同的局部磁場(chǎng)，從而加強(qiáng)或減弱外磁場(chǎng)的作用，使其周圍的磁核感受到兩種或數(shù)種不同強(qiáng)度的磁場(chǎng)的作用，故在兩個(gè)或數(shù)個(gè)不同的位置上產(chǎn)生共振吸收峰。n+1規(guī)律：

當(dāng)某組質(zhì)子有n個(gè)相鄰的質(zhì)子時(shí)，這組質(zhì)子的吸收峰將裂分成n+1重峰。

嚴(yán)格來(lái)說(shuō),n+1規(guī)律應(yīng)該是2nI+1規(guī)律,對(duì)氫原子核(H1)來(lái)說(shuō),因它的I=1/2,所以就變成了規(guī)律.分裂峰強(qiáng)度比規(guī)律：分裂的一組峰中各峰的相對(duì)強(qiáng)度有一定規(guī)律，即它們的峰面積之比等于二項(xiàng)式〔a+b)n展開式系數(shù)之比。n數(shù)二項(xiàng)式展開式系數(shù)峰形

01單峰

1 11 二重峰

2 121 三重峰

31331 四重峰

414641