《組成原理》實驗報告-2

第1頁共2頁貴州大學計算機科學與信息學院計算機科學與技術系實驗報告紙課程名稱：《計算機組成原理》實驗日期姓名：班級：實驗序號：2指導教師：實驗項目：儲存器和總線實驗實驗成績：實驗名稱儲存器和總線實驗二、實驗目的熟悉存儲器和總線組成的硬件電路。實驗要求按照實驗步驟完成實驗項目，利用存儲器和總線傳輸數(shù)據(jù)。實驗原理、內(nèi)容及步驟實驗原理實驗所用的半導體靜態(tài)存儲器電路原理如圖6-1所示，該靜態(tài)存儲器由一片6116（2K*8）構成，其數(shù)據(jù)線（D0-D7）已知和數(shù)據(jù)總線（BUS-DISPUNIT）相連接，地址線由地址鎖存器（74LS273）給出，該鎖存器的輸入已連至數(shù)據(jù)總線。地址A0-A7與地址總線相連，顯示地址內(nèi)容。數(shù)據(jù)開關經(jīng)一三態(tài)門（74LS245）已連至數(shù)據(jù)總線，分時給出地址和數(shù)據(jù)。因為地址寄存器為8位，接入6116的地址A7-A0，而高三位A8-A10本實驗裝置已接地，其容量為256字節(jié)。6116有三根控制線：/CS(片選線)、OE（讀線）、WE（寫線）。當片選線有效時（/CS=0），同時OE=0時，（WE=0）時進行行讀操作。本實驗中將OE引腳接地，在此情況下，當/CS=0、WE=1時進行寫操作，/CS=0、WE=0時進行行讀操作，其寫時間與T3脈沖寬度一致。實驗T3脈沖由“單步”命令鍵產(chǎn)生，其他電平控制信號由二進制開關模擬，其中/CE（存儲器片選信號）為低電平有效，WE為寫/讀（W/R）控制信號，當WE=0時進行讀操作、當WE=1時為寫操作。實驗步驟控制信號連接：位于實驗裝置右側邊緣的RAM片選端（/CE）、寫/讀線（WE）、地址鎖存信號（LDAR）、與位于實驗裝置左上方的控制信號（/CE、WE、LDAR）之間對應相連。位于實驗裝置左上方CTR-OUT控制信號(/SW-B)與左下方INPUT-UNIT(/SW-B)對應相連。具體信號連接：/CE、WE、LDAR、/SW-B 完成上述連接，仔細檢查無誤后方可進入本實驗。在閃動的“P”狀態(tài)下按動增址命令鍵，使LED顯示器自左向右第一位顯示提示符“H”，表示本裝置已進入手動單元實驗狀態(tài)。（若當前處“H”狀態(tài)，本操作可略）。內(nèi)部總線數(shù)據(jù)寫入存儲器給存儲器的00、01、02、03、04地址單元中分別寫入數(shù)據(jù)11、12、13、14、15，具體操作步驟如下：（以向00地址單元寫入11數(shù)據(jù)為例。然后重復操作將數(shù)據(jù)分別寫入各地址單元）。數(shù)據(jù)開關數(shù)據(jù)開關（00000000）三態(tài)門（CBA=001）（CE=1）地址寄存器AR（00000000）（LDAR=1）（/CE=1）（按“STEP”）數(shù)據(jù)開關（00010001）三態(tài)門（CBA=001）（LDAR0）存儲器RAM（00010001）（LDAR=0）（/CE=0、WE=1）（按“STEP”）讀存儲器的數(shù)據(jù)到總線上依次讀出第00、01、02、03、04單元中的內(nèi)容，觀察上述各單元中的內(nèi)容是否與前面寫入的一致。具體操作步驟如下：（以從00單元讀出11數(shù)據(jù)為例，其他則類似）三態(tài)門（CBA=001）（/CE=1）三態(tài)門（CBA=001）（/CE=1）存儲器RAM（00010001）（CBA=000）（/CE=0、WE=0）（LDAR=0）數(shù)據(jù)開關（00000000）（CBA=000）地址寄存器AR（00000000）（CBA=001）（/CE=1、LDAR=1）（按“STEP”）五、實驗小結由于有了實驗一的經(jīng)驗，我們這次實驗開始沒有向上一次哪樣不知所措，但是由于試驗箱的問題，我們的是啊顏結果總是不對，反復檢驗了好