手機研發(fā)硬件測試技術(shù)培訓(xùn)教材

手機硬件測試技術(shù)Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.硬件測試技術(shù)目錄硬件測試概述測試前預(yù)備手機硬件測試的內(nèi)容硬件測試參考的通訊技術(shù)規(guī)范測試規(guī)范制定測試人員的培育硬件測試概述

1、硬件測試的概念測試是為了發(fā)現(xiàn)錯誤而執(zhí)行操作的過程測試是為了證明設(shè)計有錯，而不是證明設(shè)計無錯誤一個好的測試用例是在于它能發(fā)現(xiàn)至今未發(fā)現(xiàn)的錯誤一個勝利的測試是發(fā)現(xiàn)了“至今未發(fā)現(xiàn)的錯誤〞的測試2、硬件測試的目的測試的目的決議了如何去組織測試。假設(shè)測試的目的是為了盡能夠多地找出錯誤，那么測試就應(yīng)該直接針對設(shè)計比較復(fù)雜的部分或是以前出錯比較多的位置。假設(shè)測試目的是為了給最終用戶提供具有一定可信度的質(zhì)量評價，那么測試就應(yīng)該直接針對在實踐運用中會經(jīng)常用到的商業(yè)假設(shè)。綜合評價，決議產(chǎn)品的測試方向！Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.硬件測試概述3、硬件測試的目的——產(chǎn)品的零缺陷 關(guān)注點： 產(chǎn)品規(guī)格功能的實現(xiàn)，性能目的，可靠性，可測試性，易用性等。 實現(xiàn)的保證： 產(chǎn)品的零缺陷構(gòu)筑于最底層的設(shè)計，源于每一個函數(shù)、每一行代碼、每一部分單元電路及每一個電信號。測試就是要排除每一處缺點和每一處隱患，從而構(gòu)建一個零缺陷的產(chǎn)品。 MTBF不是計算出來的，而是設(shè)計出來的。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.4、硬件測試的意義 測試并不僅僅是為了要找出錯誤。經(jīng)過分析錯誤產(chǎn)生的緣由和錯誤的分布特征，可以協(xié)助工程管理者發(fā)現(xiàn)當(dāng)前設(shè)計過程的缺陷，以便改良。同時，這種分析也能協(xié)助我們設(shè)計出有針對性地檢測方法，改善測試的有效性。 沒有發(fā)現(xiàn)錯誤的測試也是有價值的，完好的測試是評定測試質(zhì)量的一種方法。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.硬件測試概述5、目前業(yè)界硬件測試的開展情況隨著質(zhì)量的進一步要求，硬件測試任務(wù)在產(chǎn)品研發(fā)階段的投入比例曾經(jīng)向測試傾斜，許多知名的國際企業(yè)，硬件測試人員的數(shù)量要遠(yuǎn)大于開發(fā)人員。而且對于硬件測試人員的技術(shù)程度要求也要大于開發(fā)人員。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.6、硬件測試在企業(yè)價值鏈中的位置——采購——研發(fā)——測試——消費——銷售——測試是每項勝利產(chǎn)品的必經(jīng)環(huán)節(jié)Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.硬件測試概述7、硬件測試對公司籠統(tǒng)和公司開展的重要性硬件測試是評價產(chǎn)質(zhì)量量的重要方法產(chǎn)質(zhì)量量是公司的信譽和品牌意味公司的信譽和質(zhì)量決議了公司的開展前景Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.硬件測試概述8、硬件測試的普通流程和各階段點的輸出文件Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.課程大綱硬件測試概述測試前預(yù)備硬件測試的種類與操作硬件測試參考的通訊技術(shù)規(guī)范測試規(guī)范制定測試人員的培育Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.測試前預(yù)備

1、設(shè)計檢查硬件設(shè)計審查原理圖審查PCB審查發(fā)現(xiàn)硬件設(shè)計原理缺陷發(fā)現(xiàn)本錢浪費問題發(fā)現(xiàn)降額不規(guī)范設(shè)計發(fā)現(xiàn)規(guī)劃和布線的缺陷發(fā)現(xiàn)EMC等專項設(shè)計缺陷Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.測試前預(yù)備2、正規(guī)審查的流程審查專家確實定評審專家預(yù)審審查詢題反響整理評審會議召開審查詢題確認(rèn)，處理評審問題跟蹤Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.測試前預(yù)備3、FMEA〔缺點方式影響分析〕 分析系統(tǒng)中每一產(chǎn)品一切能夠產(chǎn)生的缺點方式及其對系統(tǒng)呵斥的一切能夠影響，并按每一個缺點方式的嚴(yán)重程度、檢測難易程度以及發(fā)生頻度予以分類的一種歸納分析方法。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.測試前預(yù)備4.FMEA的意義能協(xié)助設(shè)計者和決策者從各種方案中選擇滿足可靠性要求的最正確方案；保證一切元器件的各種缺點方式及影響都經(jīng)過縝密思索；能找出對系統(tǒng)缺點有艱苦影響的元器件和缺點方式，并分析其影響程度；有助于在設(shè)計評審中對有關(guān)措施〔如冗余措施〕、檢測設(shè)備等作客觀的評價；Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.測試前預(yù)備FMEA的意義〔續(xù)〕能為進一步定量分析提供根底；能為進一步更改產(chǎn)品設(shè)計提供資料；能為產(chǎn)品可測試方案提供根底資料；能為技術(shù)援助人員提供維修指南；為基于缺點方式的測試提供根據(jù)。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.測試前預(yù)備嚴(yán)酷度在某些系統(tǒng)中，最終影響的嚴(yán)重程度等級又稱為嚴(yán)酷度〔有時也稱為嚴(yán)重度，系指缺點方式所產(chǎn)生后果的嚴(yán)重程度〕類別。嚴(yán)重程度等級〔嚴(yán)酷度類別〕定義應(yīng)思索到缺點所呵斥的最壞的潛在后果來確定。嚴(yán)酷度的定義是FMEA的前提和根底，有了共識的嚴(yán)酷度才可以保證FMEA的順利開展和問題的落實。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.測試前預(yù)備5、制定測試方案 描畫該測試方案所應(yīng)到達的目的如下〔可根據(jù)工程的實踐要求做 適當(dāng)調(diào)整〕： 一切測試需求都已被標(biāo)識出來； 測試的任務(wù)量已被正確估計并合理地分配了人力、物力資源； 測試的進度安排是基于任務(wù)量估計的、適用的； 測試啟動、停頓的準(zhǔn)那么已被標(biāo)識；測試輸出的任務(wù)產(chǎn)品是已標(biāo)識的、受控的和適用的。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.測試前預(yù)備測試方案的內(nèi)容 測試方案普通應(yīng)該包含一下的內(nèi)容：測試對象，明確版本，范圍，義務(wù)劃分角色和職責(zé)測試和不被測試的特性緣由測試經(jīng)過與否的規(guī)范測試義務(wù)安排測試終了的交付件任務(wù)量評價Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.測試前預(yù)備7、確認(rèn)測試需求的來源 一切測試的需求都來自于產(chǎn)品設(shè)計的規(guī)格，規(guī)格來自于用戶的需求。因此我們的測試是針對產(chǎn)品規(guī)格的測試。詳細(xì)可以從以下幾方面進展思索：產(chǎn)品設(shè)計功能 根據(jù)功能的實現(xiàn)，分別對實現(xiàn)該功能的各個環(huán)節(jié)進展測試，從硬件、軟件、用戶界面，只需各個環(huán)節(jié)都暢通無阻，才干保證該功能的正常實現(xiàn)?？煽啃阅康男阅苄枨? 目的包括基帶目的、RF目的、可靠性目的和目的容差。 目的普通都有相關(guān)的規(guī)范可查。性能測試的異常條件主要是指邊境條件、環(huán)境異常條件及缺點相關(guān)性。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.測試前預(yù)備測試需求的來源〔續(xù)〕運用環(huán)境 運用環(huán)境普通可從以下幾個方面思索： 高溫、低溫、高低溫交變、鹽霧、濕熱、防塵、接地、電源、震動、沖擊、存儲、運輸 電磁兼容性Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.1、測試設(shè)計測試并不是簡單意義上的一些測試操作，在測試前需求有詳細(xì)的設(shè)計，縝密的謀劃，測試是一項高難度的任務(wù)。測試設(shè)計概念的范圍很廣，大致可以分為以下幾類：設(shè)計測試平臺，用此測試平臺能進展通用工程的測試，或是進展能用此測試平臺作一類測試。設(shè)計測試工具，設(shè)計測試軟件。設(shè)計測試配備。設(shè)計測試用例，測試方法。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.測試設(shè)計的益處良好的測試設(shè)計和有效測試工具可減少反復(fù)低效的勞動有效地開發(fā)利用測試工具可使測試更深化、更全面有些復(fù)雜的測試只能依托測試工具進展自動測試在測試中經(jīng)常進展測試設(shè)計是提升技術(shù)程度的有效手段我們在做測試任務(wù)時，不能因循守舊，需求時辰思索如何改良我們的 測試效果，提高我們的測試效率，在測試點上進展深化研討，開發(fā)測 試工具，最終使我們的一切點的測試到達自動化。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.培訓(xùn)大綱硬件測試概述測試前預(yù)備手機硬件測試的內(nèi)容與測試方法硬件測試參考的通訊技術(shù)規(guī)范測試規(guī)范制定測試人員的培育Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.手機硬件測試的種類與測試方法2、手機硬件測試工程：功能測試電流測試射頻測試可靠性測試音頻ESDEMCOTA安規(guī)測試Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.功能測試1. 功能測試產(chǎn)品設(shè)計定義中的功能效果確實認(rèn)。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.電流測試

2. 電流測試 丈量被測手機在各種形狀下的功耗。電流測試工程： TalkModeStandbyModeFeatureFunctionalityCameraFunctionalityVideoFunctionalityAudioFunctionalityPowerOn/OffFunctionality電流測試表格Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.電流測試1. 平均待機電流Iaverage測試方法： a)用假電池，用3.80V電壓源給被測挪動臺供電，在電源環(huán)路中，串聯(lián)一個小內(nèi)阻電流表； b)電壓源的電壓設(shè)置為電池的標(biāo)稱電壓，同時經(jīng)過電壓源的反響端進展電壓補償，以保證電壓源的輸出電壓堅持電池的標(biāo)稱電壓； c)被測挪動臺處于待機形狀，并堅持30分鐘； d)丈量30分鐘內(nèi)的平均待機電流Iaverage；注釋:建議在綜測儀和挪動臺之間建立良好的銜接，并對挪動臺進展充分屏蔽，防止干擾。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.計算待機時間丈量被測挪動臺電池的容量C：各種鋰電池性能應(yīng)按照GB/T18287的要求進展測試，其它類型的電池應(yīng)按照GB/T18288或GB/T18289的要求進展測試計算待機時間：TIdle=C/Iaverage。基站模擬器和挪動臺的設(shè)置如下表所示：Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.基站模擬器設(shè)置Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.電流測試環(huán)境Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.測試環(huán)境數(shù)字電池〔Aglinet66319D〕測試PC+測試軟件(Aglinet141651B)綜合測試儀一臺(aglinet8960R&SCMU200)測試手機一臺手機雙GSM待機待機時間測試銜接框圖2.雙GSM待機時的待機時間測試Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.射頻目的測試射頻測試 測試儀器：CMU200/Agilent8960，PC，DC電源，萬用表，測試卡，LinkCable，數(shù)據(jù)線注：測試方法可結(jié)合參考Agilent8960/CMU200操作手冊。所需測試的信道及功率等級視詳細(xì)情況而定。普通情況下RFTest需求在High、Low、Middle信道上進展RFTest.Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.射頻目的測試工程測試工程 GSM900TRANSMITTER(13) Phaseerror/Frequencyerror(13.1) Outputpowerandbursttiming(13.3) Outputpower Bursttiming OutputRFspectrum(13.4) Spectrumduetomodulationouttolessthan1800kHzoffset Spectrumduetoswitchingtransients Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.射頻目的測試工程GSM900RECEIVER(14) FrameErasureRatio(FER)ResidualBitErrorRatio(RBER) BitErrorRatio(BER) Referencesensitivity(14.2) Referencesensitivity-TCH/FS(14.2.1) Usablereceiverinputlevelrange(14.3)Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.Phaseerror/Frequencyerror

Phaseerror/Frequencyerror定義：發(fā)射機的相位誤差和頻率誤差是指測得的實踐頻率，相位與實際期望的頻率，相位之差。規(guī)范要求： 1.MS載波頻率誤差應(yīng)小于1*10-7； 2.每一個突發(fā)脈沖的RMS相位誤差都不應(yīng)超越5o, 3.每一個突發(fā)脈沖的有用部份的相位最大峰值誤差都不應(yīng)超越20oCopyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.Phaseerror/Frequencyerror測試方法

測試方法： 給手機裝上測試卡并接通電源，將手機的RFswitch與基站模擬器用Cable相連，建立通話銜接，分別在GSM、DCS和PCS頻段測試FrequencyError，PhaseError(PEAK)，PhaseError(RMS)。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.OutputpowerandbursttimingOutputpowerandbursttiming發(fā)射機輸出功率與突發(fā)脈沖定時定義發(fā)射機輸出功率是指在一個突發(fā)脈沖的有用信息比特時間上，傳送到外接天線或MS內(nèi)部天線幅射的功率平均值。突發(fā)脈沖定時是指MS接納和發(fā)送之間的時間間隙。該定時是以訓(xùn)練序列的13比特到14比特轉(zhuǎn)換點為基準(zhǔn)。測試方法MS經(jīng)過RF電纜與測試設(shè)備相連。MS與測試設(shè)備在ARFCN中間范圍的信道上建立一個電路交換方式呼叫，功率控制級設(shè)為最大。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.Outputpowerandbursttiming規(guī)范要求GSM

DCS/PCS

PCLN

Powerlimit(dbm)

Tolerance(dbm)PCLN

Powerlimit(dbm)

Tolerance(dbm)

533+/-2

030+/-2

631+/-3

128+/-3

729+/-3

226+/-3

827+/-3

324+/-3

925+/-3

422+/-3

1023+/-3

520+/-3

1121+/-3

618+/-3

1219+/-3

716+/-3

1317+/-3

814+/-3

1415+/-3

912+/-4

1513+/-3

1010+/-4

1611+/-5

118+/-4

179+/-5

126+/-4

187+/-5

134+/-4

195+/-5

142+/-5

N/A

N/A

N/A

150+/-5

Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.Bursttiming

Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.Bursttiming正常測試條件下各功率控制級下的正常突發(fā)脈沖的功率/時間包絡(luò)應(yīng)落在以下圖所示的功率/時間包絡(luò)框架內(nèi)。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.OutputRFspectrum輸出RF頻譜OutputRFspectrum輸出RF頻譜定義輸出RF頻譜是在一定的帶寬和周期內(nèi)丈量的由MS的調(diào)制和功率噪聲產(chǎn)生的相對于中心頻率的頻偏與功率之間的關(guān)系規(guī)范要求：Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.OutputRFspectrum輸出RF頻譜規(guī)范要求Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.調(diào)制譜開關(guān)譜Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.Referencesensitivity參考靈敏度Referencesensitivity參考靈敏度定義參考靈敏度是指到達規(guī)定的BER或FER條件下MS接納機的輸入電平。規(guī)范要求： GSM900的2級和3級MS -104dBm GSM900的4級和5級MS -102dBm GSM1800的 MS -102dBmCopyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.Referencesensitivity參考靈敏度規(guī)范要求NormalConditions

+/+3.8VMinimumNo.ofsamplesMeasurementTestlimit

(1

1.6)FER16400000.122(

=1)C975ClassIb(RBER)2000000000.256(

=1.6)ClassII(RBER)8200-108.52.44%FER16400000.122(

=1)C55ClassIb(RBER)2000000000.256(

=1.6)ClassII(RBER)8200-108.52.44%FER16400000.122(

=1)C124ClassIb(RBER)2000000000.256(

=1.6)ClassII(RBER)8200-1082.44%Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.Referencesensitivity參考靈敏度測試方法測試方法：模擬基站調(diào)整有用信號電平，使MS的RF接頭處輸入電平為參考靈敏度電平，模擬基站將發(fā)給MS的信號數(shù)據(jù)與經(jīng)過MS接納機解調(diào)和解碼以后環(huán)回后的數(shù)據(jù)進展比較，檢查擦除指示；模擬基站經(jīng)過檢查II類延續(xù)比特最小樣本數(shù)序列，斷定II類比特剩余比特過失事件的數(shù)目，這些比特取自BFI置0的幀。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.可靠性測試低溫可靠性測試環(huán)境實驗 低溫 低溫存儲：挪動通訊手持機在關(guān)機形狀下經(jīng)(－40±3)℃低溫存儲16小時，在正常大氣壓條件下恢復(fù)后，射頻性能、功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)規(guī)范的要求。低溫任務(wù)：挪動通訊手持機在開機形狀下經(jīng)(－10±3)℃低溫實驗2小時后，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)規(guī)范的要求。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.環(huán)境實驗

高溫高溫存儲 挪動通訊手持機在關(guān)機形狀下經(jīng)(55±3)℃高溫存儲16小時后，在正常大氣壓條件下恢復(fù)后，射頻性能、功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)規(guī)范的要求。 高溫任務(wù) 挪動通訊手持機在開機形狀下經(jīng)(55±3)℃高溫實驗2小時后，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)規(guī)范的要求。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.環(huán)境實驗

溫度沖擊 挪動通訊手持機在關(guān)機形狀下經(jīng)受(30±3)℃/(-25±3)℃的溫度沖擊后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)規(guī)范的要求。沖擊挪動通訊手持機在關(guān)機形狀下經(jīng)受峰值加速度300m/s2脈沖繼續(xù)時間18ms的半正弦脈沖沖擊18次后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)規(guī)范的要求。碰撞 挪動通訊手持機在關(guān)機形狀下經(jīng)受峰值加速度250m/s2脈沖繼續(xù)時間6ms碰撞3000次后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)規(guī)范的要求。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.環(huán)境實驗

振動 挪動通訊手持機經(jīng)受如下頻率/幅度的隨機振動實驗后應(yīng)功能正常，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)規(guī)范的要求。

頻率隨機振動ASD〔加速度譜密度〕 5～20Hz0.96m2/s3 20～500Hz0.96m2/s3〔20Hz處〕，其他－3dB/倍頻程Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.環(huán)境實驗

濕熱挪動通訊手持機在關(guān)機形狀下經(jīng)過(40±2)℃，相對濕度93-3+2%的環(huán)境實驗后，射頻性能應(yīng)符合相關(guān)規(guī)范的要求。鹽霧 挪動通訊手持機在關(guān)機形狀下經(jīng)受如下嚴(yán)酷等級的交變鹽霧實驗后功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)規(guī)范的要求。 嚴(yán)酷等級： 三個噴霧周期，每個2h，每個噴霧周期后有一個為期22h的濕熱儲存周期。噴霧條件為溫度為(15～35)℃，濃度為(5.0±1)％的氯化鈉溶液；儲存條件為(40±2)℃,相對濕度為90％～95％。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.環(huán)境實驗

砂塵 挪動通訊手持機在關(guān)機形狀下在能經(jīng)過篩孔為75μm、金屬絲直徑為50μm的方孔篩的枯燥滑石粉、實驗箱〔室〕內(nèi)〔任務(wù)室和管通道〕灰塵量為2kg/m3的粉塵中放置8小時后，液晶屏外表不允許有粉塵，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)規(guī)范的要求。對折疊、滑動及旋轉(zhuǎn)構(gòu)造的手持機，應(yīng)在其合蓋形狀下進展實驗。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.機械應(yīng)力實驗

機械應(yīng)力實驗 撞擊 挪動通訊手持機的顯示屏應(yīng)可以經(jīng)受撞擊能量為(0.2±0.02)J的彈簧錘的撞擊而不能有裂紋或損壞，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)規(guī)范的要求。對折疊、滑動及旋轉(zhuǎn)構(gòu)造的手持機，應(yīng)在其合蓋形狀下暴露的顯示屏上選取撞擊部位。 擠壓 挪動通訊手持機開機形狀下接受(250±10)N的力擠壓1000次后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)規(guī)范的要求。對折疊、滑動及旋轉(zhuǎn)構(gòu)造的手持機，應(yīng)在其合蓋形狀下進展實驗。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.機械應(yīng)力實驗

自在跌落 挪動通訊手持機在關(guān)機形狀下應(yīng)可以從高度為(1.0±0.01)m處跌落在混凝土外表后，除允許外表有擦傷、小凹坑外，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)規(guī)范的要求。 顯示屏可見面積不小于機殼正面外表積40％或25cm2的挪動通訊手持機應(yīng)可以在從高度為(0.5±0.005)m處跌落在外表后，除允許外表有擦傷、小凹坑外，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)規(guī)范的要求。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.機械應(yīng)力實驗

挪動通訊手持機與附件的接口的壽命 挪動通訊手持機與電池、充電器及耳機插槽各經(jīng)受1000次、手機卡進展100次的插拔實驗后，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)規(guī)范的要求。按鍵壽命 挪動通訊手持機上獨立的開關(guān)機鍵及側(cè)鍵壽命應(yīng)到達5萬次，其他按鍵的壽命都應(yīng)到達運用10萬次，功能、外觀及裝配應(yīng)符合相關(guān)規(guī)范的要求。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.環(huán)境實驗方法

環(huán)境實驗方法挪動通訊手持機的環(huán)境實驗順序建議按以下順序進展:a)低溫實驗b)高溫實驗c)溫度沖擊實驗d)沖擊實驗e)碰撞實驗f)振動實驗g)恒定濕熱實驗鹽霧實驗與砂塵實驗可單獨分別進展。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.EMC電磁兼容性1、EMC電磁兼容性YD/1032_EMI_2000電磁騷擾測試 ?輻射騷擾測試〔RE〕 輻射雜散RSE ?傳導(dǎo)騷擾測試〔CE〕 ?諧波電流騷擾測試〔Harmonic〕 ?電壓動搖與閃爍測試〔Fluctuctionsandflicker〕Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.EMC電磁兼容性電磁敏感度測試 ?射頻電磁場輻射抗擾度測試〔RS〕 ?傳導(dǎo)騷擾抗擾度測試〔CS〕 ?電快速瞬變脈沖群抗擾度測試〔EFT/B〕 ?靜電放電抗擾度測試〔ESD〕 ?電壓跌落、短時中斷抗擾度測試〔DIP/interruption〕 ?工頻磁場抗擾度測試〔PMS〕 ?浪涌抗擾度測試〔SURGE〕Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.EMC電磁兼容性EMC電磁兼容性 ?電力線感應(yīng)測試 ?電力線接觸測試Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.ESD整機ESD測試： 測試手機抗ESD的性能，驗證被測機在室溫靜電環(huán)境的條件下應(yīng)正常任務(wù)。參考規(guī)范： 國家規(guī)范GB/17626.2實驗環(huán)境： 靜電發(fā)生器、待測手機開機、插入測試卡、充電中撥打Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.ESD實驗方法：開機形狀，空氣放電將靜電發(fā)生安裝放于參考接地板中央，靜電槍接地線與參考接地板夾緊，將靜電類型開關(guān)調(diào)到AIR，分別調(diào)理電壓±2KV，±4KV，±8KV，±10KV，沿被測機縫隙放電；每點放電10次，每次間隔1秒。接觸放電換上接觸槍頭，將靜電類型開關(guān)調(diào)到CONTACT，分別調(diào)理電壓到±2KV，±4KV，±6KV，沿被測機縫隙〔包括數(shù)據(jù)金屬口〕放電；每點放電10次，每次間隔1秒。測試過程中，被測機不能出現(xiàn)軟性錯誤和硬性錯誤，即經(jīng)過重新開機操作可以糾正的錯誤和重新開機操作不可糾正的錯誤；測試后應(yīng)進展功能和信號測試。假設(shè)有一臺主被叫功能喪失或有一項主要射頻目的不合格，即可斷定測試不合格。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.音頻測試

音頻測試 1. 發(fā)送響度評定值〔SLR〕 2. 接納響度評定值〔RLR〕 3. 空閑信道噪聲 4. 發(fā)送靈敏度/頻率特性 5. 接納靈敏度/頻率特性 6. 側(cè)音掩蔽評定值〔STMR〕 7. 收聽者側(cè)音評定值〔LSTR〕 8. 穩(wěn)定度損耗 9. 聲學(xué)回聲控制 10. 發(fā)送失真 11. 接納失真 12. 帶外信號 13. 環(huán)境噪聲抑制Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.音頻測試

測試項目單位標(biāo)準(zhǔn)值備注發(fā)送響度評定值（SLR）dB8±3接收響度評定值（RLR）MindB≤18NormaldB2±3MaxdB≥-13空閑信道噪聲發(fā)送方向dBm0p≤-64接收方向Nomal音量dBm0p≤-57Max音量dBm0p≤-54發(fā)送靈敏度/頻率響應(yīng)在上下包絡(luò)線內(nèi)Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.音頻測試

測試項目單位標(biāo)準(zhǔn)值備注接收靈敏度/頻率特性--在上下包絡(luò)線內(nèi)側(cè)音掩蔽評定值（STMR）18±5收聽者側(cè)音評定值（LSTR）穩(wěn)定度損耗dB＞6聲學(xué)回聲控制dB≥46發(fā)送失真--在包絡(luò)線上接收失真--在包絡(luò)線上帶外信號環(huán)境噪聲抑制dB＞0Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.OTA

OTA 天線性能(OTA)測試簡介 ?天線性能(OTA)測試對終端質(zhì)量評價的意義 ?天線性能(OTA)認(rèn)證及入網(wǎng)要求 ?天線性能(OTA)實例分析Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.OTAOTA測試引見 OTA需求進展以下工程測試：從射頻輻射功率和接納機性能兩方面思索：OTA－OverTheAir〔空中性能測試〕，與傳導(dǎo)測試向?qū)?yīng),空間三維丈量.TRP－TotalRadiatedPower總輻射功率NHPRP－NearHorizontalPartRadiatedPower接近程度面部分輻射功率TIS－TotalIsotropicSensitivity總?cè)蜢`敏度Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.OTA

目的： 驗證無線設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)的銜接才干以及終端運用者對輻射和接納性能的影響. 目的衡量了與基站之間的實踐銜接情況。 基于空中接口的測試，模擬真實運用形狀。 采用三維丈量，評價盲點和功率分布。 思索運用者對EUT的影響。分別在自在空間和人頭模型兩種形狀下測試。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.OTAOTA測試終端質(zhì)量的意義 ?信號差和通話質(zhì)量均屬于天線性能范疇 ?經(jīng)常出現(xiàn)的問題： –駐波比(VSWR)，反射損耗，增益 –阻抗匹配 –頻帶寬度 –效率 ?與SAR相協(xié)調(diào)，共同調(diào)整Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.OTA

天線性能(OTA)認(rèn)證及入網(wǎng)要求 –YD/T1484-2006； –在每個頻段的高，中，低三個信道上進展完好測試，其最小值需滿足規(guī)范要求.–目前沒有將天線性能(OTA)的總?cè)蜢`敏度測試納入入網(wǎng)測試范疇；–只進展自在空間下的測試，對于模擬人頭，模擬人手情況下的測試還未要求；Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.OTA

頻段TRPTIS900≥26dBm≤-102dBm1800≥25dBm≤-100dBmCDMA≥20dBm≤-98dBmCopyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.安規(guī)測試

安規(guī)測試平安檢測的目的在于減少由于以下各種危險呵斥損傷或危害的能夠性：──電擊；──與能量有關(guān)的危險;──著火;──與熱有關(guān)的危險;──機械危險;Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.安規(guī)測試

為了設(shè)計出平安的設(shè)備，設(shè)計者必需了解平安要求的根本原那么。設(shè)計者不僅要思索設(shè)備的正常任務(wù)條件,還要思索能夠的缺點條件以及隨之引起的缺點,可預(yù)見的誤用以及諸如溫度、海拔、污染、濕度、電網(wǎng)電源的過電壓和通訊線路的過電壓等外界的影響。在確定采用何種設(shè)計方案時,應(yīng)遵守以下的優(yōu)先次序：假設(shè)能夠的話,規(guī)定能消除、減小危險或?qū)ξｋU進展防護的設(shè)計原那么;假照實行以上原那么將減弱設(shè)備的功能,那么應(yīng)運用獨立于設(shè)備的維護措施,如人身維護設(shè)備；假設(shè)上述方案和其他的措施均不真實可行，那么應(yīng)對殘留的危險采取標(biāo)識和闡明的措施。需求思索兩類人員的平安,一類是運用人員(或操作人員)，另一類是維修人員。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.挪動的平安檢測序號檢驗項目標(biāo)準(zhǔn)與要求屬性類別1元器件參見GB4943的1.5A2電源接口參見GB4943的1.6A3標(biāo)記和說明參見GB4943的1.7A4電擊和能量危險的防護（*）參見GB4943的2.1A5SELV電路參見GB4943的2.2A6限流電路（*）參見GB4943的2.4A7電氣絕緣參見GB4943的2.9A8布線、連接和供電的一般要求參見GB4943的3.1A9機械強度參見GB4943的4.2A10結(jié)構(gòu)設(shè)計參見GB4943的4.3A11發(fā)熱要求參見GB4943的4.5A12防火參見GB4943的4.7A13抗電強度（*）參見GB4943的5.2A14異常工作和故障條件參見GB4943的5.3A15外殼材料可燃性試驗參見GB4943的4.7,附錄AA16PCB板可燃性試驗參見GB4943的4.7,附錄AA注：含*號的項目為非必測項目，詳見相關(guān)注解。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.硬件測試概述測試前預(yù)備手機硬件測試的內(nèi)容與測試方法硬件測試參考的通訊技術(shù)規(guī)范測試規(guī)范制定測試人員的培育Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.硬件測試參考的通訊技術(shù)規(guī)范1、定義為了保證通訊網(wǎng)的完好、一致、有效、先進和通訊的順利進展，對通訊網(wǎng)、通訊系統(tǒng)和通訊設(shè)備在組網(wǎng)、進網(wǎng)、互連、互通中需求共同遵守的技術(shù)要求所做的一致規(guī)定即為通訊技術(shù)規(guī)范。通訊技術(shù)規(guī)范具有全程、全網(wǎng)通用的特點。在進展通訊科研、規(guī)劃、方案、設(shè)計、消費、施工、運轉(zhuǎn)和維護時，均應(yīng)遵照有關(guān)通訊技術(shù)規(guī)范，以確保通訊暢通和順利進展。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.硬件測試參考的通訊技術(shù)規(guī)范2、通訊技術(shù)規(guī)范分類按照一致和適用的范圍，通訊技術(shù)規(guī)范分為國際規(guī)范〔或建議〕、國家規(guī)范、行業(yè)規(guī)范、地方規(guī)范、企業(yè)規(guī)范、技術(shù)體制和技術(shù)規(guī)范。〔1〕國際規(guī)范〔或建議〕由國際規(guī)范化組織制定?！?〕對需求在全國范圍內(nèi)一致的技術(shù)要求，應(yīng)制定國家規(guī)范?！?〕對無國家規(guī)范而需求在通訊行業(yè)范圍內(nèi)一致的要求，應(yīng)制定通訊行業(yè)規(guī)范。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.硬件測試參考的通訊技術(shù)規(guī)范2、通訊技術(shù)規(guī)范分類〔續(xù)〕〔4〕由于國家規(guī)范和行業(yè)規(guī)范在某些方面規(guī)定的不能夠非常詳細(xì)，因此，我國有些大城市如：北京市、上海市、天津市等在符合國家規(guī)范和行業(yè)規(guī)范的前提下，為了使通訊行業(yè)中某些方面規(guī)定的更詳細(xì)更適用于本地域，可制定地方規(guī)范?！?〕通訊企業(yè)消費的技術(shù)設(shè)備〔產(chǎn)品〕，無國家規(guī)范、行業(yè)規(guī)范的，應(yīng)制定相應(yīng)的企業(yè)規(guī)范，做為組織消費的根據(jù)。對已有國家規(guī)范、行業(yè)規(guī)范的，鼓勵企業(yè)制定高〔嚴(yán)〕于國家規(guī)范、行業(yè)規(guī)范的企業(yè)規(guī)范。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.3、通訊技術(shù)規(guī)范對測試的指點意義

3、通訊技術(shù)規(guī)范對測試的指點意義 測試是為了保證產(chǎn)品符合規(guī)范的，是高質(zhì)量的。所以各類規(guī)范就是進展測試的重要參考準(zhǔn)那么。 切記規(guī)范是原那么性的，所以對于產(chǎn)質(zhì)量量不能是人為評價，要用規(guī)范說話，用規(guī)范衡量。通訊規(guī)范指明了產(chǎn)品的質(zhì)量要求，也給出了開展方向，對測試程度的要求也越來越高。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.3、通訊技術(shù)規(guī)范對測試的指點意義

目前隨著規(guī)范的越來越完善，以及市場競爭的日益加劇，以往做為測試重點的功能驗證性測試曾經(jīng)不再是最重要的環(huán)節(jié)了。產(chǎn)品的可維護性、可維修性、EMC、安規(guī)、環(huán)境等可靠性的相關(guān)程度曾經(jīng)是市場上產(chǎn)品競爭的焦點。 所以對于產(chǎn)品的測試任務(wù)，測試重點也要明確。功能測試照舊是產(chǎn)質(zhì)量量的前提，但是圍繞產(chǎn)品平安、維護、可靠性等方面是產(chǎn)品競爭力的表達，需求進展重點的測試。Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.手機測試常用的規(guī)范

GB17626.2電磁兼容&ESDYD1032-2000TDMA數(shù)字蜂窩挪動通訊系統(tǒng)電磁兼容性限值和丈量方法YD1484-2006-I挪動通訊終端OTA測試規(guī)范YD/T1538-2006數(shù)字挪動終端音頻性能技術(shù)要求和測試方法YD/T1214-20069001800MHzTDMA數(shù)字蜂窩挪動通訊網(wǎng)通用分組無線業(yè)務(wù)〔GPRS〕設(shè)備技術(shù)要求：挪動臺YD/T1215-20069001800MHzTDMA數(shù)字蜂窩挪動通訊網(wǎng)通用分組無線業(yè)務(wù)〔GPRS〕設(shè)備測試方法：挪動臺YD/T1539-2006挪動通訊手持機可靠性技術(shù)要求YD/T1591-2006挪動通訊手持機充電器及接口技術(shù)要求和測試方法YD/T1268.1-2003挪動通訊手持機鋰電池的平安要求和實驗方法YD/C065-20079001800MHzTDMA數(shù)字蜂窩挪動通訊網(wǎng)挪動臺設(shè)備〔雙卡槽〕技術(shù)要求及測試方法Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.硬件測試概述測試前預(yù)備手機硬件測試的內(nèi)容與測試方法硬件測試參考的通訊技術(shù)規(guī)范測試規(guī)范制定測試人員的培育Copyright?2021MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved.測試規(guī)范制定1、人員的規(guī)范 要有一個職業(yè)化的觀念，要有認(rèn)識地把本人培育為職業(yè)工程師。測試過程的記錄測試閱歷的總結(jié)測試規(guī)范和測試案例的運用測試用例的運用與設(shè)計Copyright?2021MStarSemiconduct