存儲行業(yè)觀察：復(fù)蘇拐點明確開啟漲價行情 202401 -弘則

弘則研究科技組本報告以產(chǎn)業(yè)內(nèi)龍頭公司月度、季度財務(wù)數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)，結(jié)合相關(guān)公司業(yè)績說明會觀點、產(chǎn)業(yè)鏈專家訪談等，對產(chǎn)業(yè)變化進(jìn)行持續(xù)跟蹤和研核心觀點Q4消費電子復(fù)蘇助力存儲景氣上升。需求：手機(jī)、PC、服務(wù)器Q4環(huán)比需求向好，整體看24年偏向弱復(fù)蘇。其中服務(wù)器領(lǐng)域DRAM和NAND容量增長最快能達(dá)30%以上，受益于AI和DDR5升級。價格：Q4延續(xù)Q3漲價趨勢，DRAM環(huán)比溫和上漲，NAND此前跌幅過大相應(yīng)的漲幅較大。24Q1價格預(yù)計穩(wěn)定，Q2進(jìn)入下半年備貨節(jié)奏有望繼續(xù)上漲。稼動率：海外三大原廠下半年平均稼動率6~7成。Q3、Q4減產(chǎn)幅度已大幅收窄，24Q1減產(chǎn)接近尾聲，Q2需求增長可能推升稼動率。庫存：除部分NAND芯片外，終端及渠道的庫存已出清。全球存儲龍頭Q3財報現(xiàn)拐點且展望樂觀，利基市場臺系廠商月度數(shù)據(jù)邊際向好。全球存儲龍頭美光近期發(fā)布的Q4財報業(yè)績超預(yù)期，營收同比實現(xiàn)正增長且利潤虧損進(jìn)一步收窄，展望Q1營收增長40%以上，毛利率轉(zhuǎn)正。海力士展望其Q4DRAM營收將實現(xiàn)同比增長，NAND降幅收窄。整體來看主流市場的存儲廠商普遍自Q3明確拐點。利基市場有所分化，臺系DRAM廠商華邦、南亞等月度營收增速持續(xù)回升，但NORFlash廠商旺宏雖有企穩(wěn)但轉(zhuǎn)好跡象不明。A股存儲板塊指數(shù)回落，重點關(guān)注確定性強(qiáng)的內(nèi)存接口芯片。二級市場美股和臺股存儲公司股價強(qiáng)勢上漲甚至不少創(chuàng)歷史新高，對存儲產(chǎn)業(yè)趨勢向好的預(yù)期提前反應(yīng)估值抬升。A股存儲指數(shù)Q4經(jīng)歷一波上漲后持續(xù)回落，進(jìn)入11月份后發(fā)現(xiàn)國內(nèi)模組環(huán)節(jié)難以傳導(dǎo)漲價，反映需求端仍只是弱復(fù)蘇。內(nèi)存接口環(huán)節(jié)瀾起科技具備全球競爭力，基本面節(jié)奏和趨勢跟海外龍頭基本一致，兌現(xiàn)的確定性高且彈性可觀。A股存儲指數(shù)Q4一波反彈后持續(xù)回落A股存儲指數(shù)Q4經(jīng)歷一波上漲后持續(xù)回落。海外龍頭三季報強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)反轉(zhuǎn)預(yù)期，產(chǎn)業(yè)中存儲出廠價格持續(xù)上漲。但進(jìn)入11月份后發(fā)現(xiàn)國內(nèi)模組環(huán)節(jié)難以傳導(dǎo)漲價，背后反應(yīng)的是需求端仍只是弱復(fù)蘇。短期來看A股公司的基本面難以兌現(xiàn)，整個股市系統(tǒng)情緒的影響下存儲指數(shù)在Q4后半段出現(xiàn)明顯下跌過程。250200500A股存儲指數(shù)20-0520-1021-0321-0821-1222-0622-1023-0323-0824-0135030025020050019-0419-0920-0120-0620-1121-0421-0822-0122-0622-1123-0423-0824-0140035030025020050019-0219-0719-1220-0520-1021-0321-0821-1222-0622-1023-0323-0824-01美股存儲指數(shù)和臺股存儲指數(shù)在Q4出現(xiàn)明顯上漲行情。美光等存儲龍頭的季報出現(xiàn)反轉(zhuǎn)，臺企的月度數(shù)據(jù)同樣開始同比轉(zhuǎn)正，產(chǎn)業(yè)反轉(zhuǎn)的信號非常明確。隨著基本面預(yù)期改善，估值抬升推升指數(shù)上漲。當(dāng)然，同期美股和臺股的整體情緒普遍較好。美股全球存儲龍頭的估值已升至中位數(shù)以上，臺灣利基存儲廠3.02.52.00.50.0全球存儲龍頭廠商rB估值SK海力士美光科技西部數(shù)據(jù)3.02.52.00.50.019-0419-0820-0120-0620-1121-0321-0822-0122-0622-1023-0323-0824-01全球存儲利基廠商rB估值南亞塑料華邦電旺宏20-0120-0620-1121-0321-0822-0122-0622-1023-0323-0824-01海外存儲原廠價格23Q4持續(xù)上漲，預(yù)判24年維持漲價趨勢DRAM和NAND存儲顆粒價格自22Q2見頂以來持續(xù)下跌，23年已跌破成本時三大原廠均處虧損狀態(tài)。23年下半年隨著原廠減產(chǎn)力度的加大，以及消費電子市場迎來季節(jié)性復(fù)蘇，渠道及終端庫存明顯出清，價格企穩(wěn)反彈，整體行業(yè)進(jìn)入漲價周期。展望24年，Q1受春節(jié)影響漲價幅度或放緩，除服務(wù)器領(lǐng)域DDR5高端產(chǎn)品還有漲價動力，其他產(chǎn)品漲價較難，預(yù)計Q2重新恢復(fù)上漲節(jié)奏。但在終端需求仍偏低迷狀態(tài)下，漲價更多是源于行業(yè)庫存出清后原廠通過控制供給來穩(wěn)定價格和利潤率，并非真實需求景氣度的回升，行業(yè)的復(fù)蘇趨勢還需觀察終端需求及原廠稼動率變化。1.31.21.11.00.90.80.70.60.50.4存儲原廠DRAM價格指數(shù)21Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q1e0.80.60.40.20.0存儲原廠NAND價格指數(shù)21Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q1e來源：弘則研究調(diào)研整理54.03.53.02.52.00.50.060402004.03.53.02.52.00.50.06040200DRAM現(xiàn)貨市場價格下跌趨勢23Q3企穩(wěn)，Q4進(jìn)入緩慢上漲通道，由于DRAM供需相對均衡，原廠虧損幅度較小，上漲反彈幅度總體較溫和。DDR4高容量芯片和服務(wù)器用高端模組漲幅明顯，低端芯片及PC/筆記本通用模組價格相對穩(wěn)定，維持底部震蕩為主。DDR5模組受益于服務(wù)器平臺升級帶來增量需求，價格反彈幅度相對DDR4更大，當(dāng)前DDR5模組價格相同容量下約為DDR4的1.3倍左右，預(yù)計24年在PC/筆記本滲透率將進(jìn)一步提升，漲幅或持續(xù)維持領(lǐng)先。DDR4芯片價格變化（美元）88Gb320016Gb32002023/2/282023/5/22023/7/42023/9/52023/11/142024/1/1660504030200DDR4模組價格變化（美元）UDIMM16GB3200UDIMM32GB3200 SODIMM8GB3200SODIMM16GB3200RDIMM32GB3200（右）RDIMM64GB3200（右）2023/2/282023/5/22023/7/42023/9/52023/11/142024/1/1623Q4NAND價格總體漲幅較DRAM更為強(qiáng)大，高容量NAND芯NAND價格23Q4以來反彈力度強(qiáng)勁，高容量芯片價格季度環(huán)比漲幅超50%，高端SSD模組漲幅也持續(xù)上漲，總體漲幅較DRAM更大。原因一方面NAND原廠過去虧損較DRAM更為嚴(yán)重，具有較強(qiáng)的漲價訴求；其次NAND減產(chǎn)以中低端工藝為主，但高端工藝導(dǎo)入節(jié)奏不及預(yù)期，導(dǎo)致結(jié)構(gòu)性供需不平衡引起漲價。24年隨著終端客戶重新進(jìn)入備貨周期，供需進(jìn)一步恢復(fù)均衡，預(yù)計價格Q2將繼續(xù)維持上漲趨勢。6040200NAND模組渠道價格變化（美元）PCIePCIe3.0512GBPCIe4.01TBPCIe3.01TBPCIe4.02TB2023/2/282023/5/22023/7/42023/9/52023/11/142024/1/16765432106040200NAND芯片價格變化（美元）256256GbTLC512GbTLC1TbTLC1TbQLC2023/2/282023/5/22023/7/42023/9/52023/11/142024/1/16NAND模組OEM行業(yè)價格變化（美元）PCIePCIe3.0512GBPCIe4.01TBPCIe3.01TBPCIe4.02TB2023/2/282023/5/22023/7/42023/9/52023/11/142024/1/16存儲類產(chǎn)品方面，23Q4原廠庫存已經(jīng)比較健康，除了NAND還有一些庫存，DRAM庫存已經(jīng)接近歷史低位，相對Q3有明顯的下降。NAND預(yù)計24Q1庫存也很難恢復(fù)正常水位，高層數(shù)產(chǎn)品良率在持續(xù)爬坡，產(chǎn)能充足，因此先進(jìn)制程的產(chǎn)品庫存還是很高。內(nèi)存接口芯片方面，模組廠手上保有的接口芯片24Q1DDR4已經(jīng)回歸到2個月以內(nèi)，23Q3~Q4最高時達(dá)4.5個月，并持續(xù)下降至24Q1的2個月左右。DDR5庫存目前在1~1.5個月，模組廠出貨速度較快，過去庫存維持健康水平?jīng)]有太大波動。海外主流模組廠存儲類產(chǎn)品整體庫存指數(shù)海外主流模組廠內(nèi)存接口芯片庫存指數(shù)54321022Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q1e543210DDR4DDR523Q423Q324Q1e23Q423Q3250200500存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)23Q3已現(xiàn)回落跡象，預(yù)計Q4繼續(xù)明顯回落250200500400350300250200500新冠疫情影響，供應(yīng)鏈正常供需周期被打破，短期理性，迅速出現(xiàn)產(chǎn)能過剩，各環(huán)節(jié)廠商存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)顯著提升。其中存儲芯片廠商作為行業(yè)主導(dǎo)者可通過代理商消化庫存，整體周轉(zhuǎn)天數(shù)提升幅度相對400350300250200500存儲芯片廠商存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)變化250200500旺宏（右）SamsungElec美光科技 SkHynix西部數(shù)據(jù)華邦電旺宏（右）SamsungElec美光科技 SkHynix西部數(shù)據(jù)華邦電40030020002016-09-302018-06-302020-03-312021-12-312023-09-30存儲配套芯片廠商存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)變化慧榮科技群聯(lián)Rambus瀾起科技慧榮科技群聯(lián)Rambus2016-09-302018-06-302020-03-312021-12-312023-09-30存儲模組廠商存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)變化希捷科技佰維存儲（右）600江波龍希捷科技佰維存儲（右）60050040030020002016-09-302018-06-302020-03-312021-12-312023-09-30減產(chǎn)控制接近尾聲，預(yù)計24Q2產(chǎn)能稼動率回升22Q3起三大存儲原廠開始收縮CAPEX，調(diào)低稼動率以減少產(chǎn)出。美光、海力士早在上半年已大幅減產(chǎn)，三星23Q2開始收縮產(chǎn)能減少產(chǎn)出，Q4各家原廠稼動率都在7成以下。手機(jī)需求率先復(fù)蘇，PC和服務(wù)器也即將步入增長趨勢，當(dāng)前DRAM供需已恢復(fù)平衡，NAND還略有過剩，預(yù)計Q2NAND也將恢復(fù)正常供需水位，故減產(chǎn)控制24Q1或為最后一波，Q2稼動率將逐步回升。90%80%70%60%50%22Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q1e24Q2e40353025205016Q217Q117Q418Q319Q220Q120Q421Q322Q223Q123Q4海力士季度CAPEX規(guī)模變化（萬億韓元）654321016Q116Q417Q318Q219Q119Q420Q321Q222Q122Q423Q319Q220Q1主流市場DRAM和NAND龍頭廠商營收增速已逐步企穩(wěn)轉(zhuǎn)正19Q220Q1 16Q280% 16Q280%60%40%20% 0%-20%-40%-60%-80%16Q116Q116Q417Q318Q219Q119Q420Q321Q222Q122Q423Q380%60%40%20%0%-20%-40%-60%-80%100%80%60%40%20% 0%-20%-40%-60%-80%120%100%80%60%40%20% 0%-20%-40%-60%-80% 16Q220Q421Q322Q2 16Q220Q421Q322Q223Q123Q420Q321Q222Q122Q423Q316Q116Q417Q318Q220Q321Q222Q122Q423Q3臺灣存儲廠商定位利基市場，以DRAM和NORFlash為主。從臺系公司月度營收數(shù)據(jù)看，23年下半年以來DRAM相關(guān)廠商收入持續(xù)復(fù)蘇，增速上揚趨勢明顯，但NOR相關(guān)廠商業(yè)績?nèi)蕴幍撞?，同比呈現(xiàn)下滑趨勢。根據(jù)產(chǎn)業(yè)調(diào)研情況，整體利基市場景氣度仍處底部狀態(tài)，但DRAM受益于龍頭廠商主流市場漲價，帶動利基產(chǎn)品價格跟隨上漲，24年預(yù)計持續(xù)復(fù)蘇；NORFlash23年下半年價格未有變動，預(yù)計24年初或?qū)⑦M(jìn)入漲價區(qū)間。6040200營收營收20042008201221042108211222042208221223042308231250%0%-50%-100%60402007060504030200200420082012210421082112220422082212230423082312150%100%50%0%-50%-100%2004200420082012210421082112220422082212230423082312100%80%60%40%20%0%-20%-40%-60%旺宏NORFlash和NANDFlash合計占比67%，其中存儲容量提升驅(qū)動DRAM和NAND增長根據(jù)存儲龍頭廠商判斷，手機(jī)、PC、服務(wù)器等主要應(yīng)用市場24年出貨量預(yù)計同比持平或個位數(shù)百分點提升，總體復(fù)蘇力度偏弱，需求節(jié)奏上回歸正常季節(jié)性波動，Q1~Q4逐季上升。但受益于終端產(chǎn)品存儲顆粒單機(jī)容量提升，DRAM和NAND出貨容量全年預(yù)計增長15%~20%，其中服務(wù)器DRAM和NAND在產(chǎn)品升級迭代趨勢下，出貨容量有望大幅提升30%和40%以上。全球服務(wù)器市場出貨量（萬臺）450400350300250200500增速30%20%0%-10%-20%-30%智能手機(jī)全球市場季度出貨量（億部）5出貨量同比增速54321030%20%0%-10%-20%-30%80%60%40%20%0%-20%-40%全球PC/Notebook出貨量變化（萬臺）1000080006000400020000增速增速毛利率同比增長毛利率同比增長美光23Q4實現(xiàn)總營收47.26億美金，同比增長15.7%，其中DRAM營收34.27億美金，同比增21.1%；NAND營收12.3億美金，同比增11.5%。公司預(yù)期24Q1營收中位數(shù)53億美金，同比增43.5%，毛利率中位數(shù)13%，十位數(shù)百分比增長，NAND預(yù)計未來幾年bit需求增長均在低20%范圍。同時DRAM和NAND的供應(yīng)增長將遠(yuǎn)低于需求，有助于改善整體行業(yè)的供需平衡；24年隨著定價進(jìn)一步提升，預(yù)計將實現(xiàn)更好的利潤率和財終端市場展望：數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器領(lǐng)域?qū)Ω咝阅軆?nèi)存和存儲的需求迅速增長。智能手機(jī)市場也開始復(fù)蘇，預(yù)計24年將適度增長。汽車和工業(yè)市場，AI的應(yīng)用正推動對內(nèi)存和存儲的新需求，特別是在AI賦能的工業(yè)PC和邊緣視頻安防攝像頭等方面。消費電子市場中，隨著消費者對高性能應(yīng)用（如科學(xué)計算、游戲和內(nèi)容創(chuàng)作）的需求增加，高端NAND產(chǎn)品預(yù)計將得到良好100%80%60%40%20%0%-20%-40%-60%-80%16Q217Q117Q418Q319Q220Q120Q421Q322Q223Q116Q217Q117Q418Q319Q220Q120Q421Q322Q223Q123Q4同比增長毛利率100%海力士23Q3實現(xiàn)總營收9.07萬億韓元，同比下降17.5%，毛利率/凈利率分別為0.71%/-24.09%，環(huán)比持續(xù)改善；其中DRAM營收6.09同比增長毛利率100%海力士23Q3實現(xiàn)總營收9.07萬億韓元，同比下降17.5%，毛利率/凈利率分別為0.71%/-24.09%，環(huán)比持續(xù)改善；其中DRAM營收6.09萬億韓元，同比降12.5%，NAND格正在穩(wěn)定，行業(yè)已度過嚴(yán)重的低谷期，正在進(jìn)入全面復(fù)蘇的階段。庫存方面，23年下半年客戶端存貨水平總體改善，截至23Q3，PC和手機(jī)市場存貨正逐漸減少，下降，預(yù)計24年上半年實現(xiàn)正常化。服務(wù)器:AI服務(wù)器的需求預(yù)計將以每年超過40%的復(fù)合年增長率增長，隨著更多參與者加入AI生態(tài)系統(tǒng)專用數(shù)據(jù)中心或計算能力的需求可能會加速AI服務(wù)器市DDR5市場:預(yù)計DRAM市場將在24年上半年整體向DDR5升級，公司在PC/服務(wù)器領(lǐng)域已在23Q3實現(xiàn)DDR5的轉(zhuǎn)變，隨著DDR5產(chǎn)品性能從4800提升至5600，DDR5市場份額有望持續(xù)增長。HBM:預(yù)計HBM市場在未來五年內(nèi)將以每年60%~80%80%60%40%20%0%-20%-40%-60%-80%16Q116Q417Q318Q216Q116Q417Q318Q219Q119Q420Q321Q222Q122Q423Q385%80%375%70%65%60%服務(wù)器需求增長推動DDR5接口芯片滲透率提升85%80%375%70%65%60%Rambus23Q3實現(xiàn)總營收1.05億美金，同比下降6.2%，凈利率分別為77.2%/98%。公司預(yù)期23Q4營收介于超10%，DDR5滲透率提升下，公司24Q1預(yù)計持續(xù)維DDR5業(yè)務(wù)進(jìn)展：下半年DDR5內(nèi)存接口芯片訂單執(zhí)行情況符合預(yù)期，盡管受到DDR4庫存消化的影響，且預(yù)計這種情況將持續(xù)到年底，但DDR5出貨量仍在持續(xù)增長。Q3DDR5的出貨量有所增加，而DDR4的出貨量則減少，DDR5已占據(jù)出貨量的主導(dǎo)地位，預(yù)計Q4DDR5的需求將持續(xù)提升。需求展望：公司對當(dāng)前的宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境中的業(yè)務(wù)執(zhí)行表現(xiàn)出樂觀態(tài)度，特別是在AI推動下數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域需求的增長。大型語言模型的訓(xùn)練正在推動對配備DDR5內(nèi)存的AI服務(wù)器的需求增加，這些服務(wù)器采用最先進(jìn)的多核CPU，以最大化主內(nèi)存帶寬，并與配備專用HBM內(nèi)存的服務(wù)器GPU一起使用。此外，啟用DDR5的高性能通用服務(wù)器需求也在增加，以滿足AI數(shù)據(jù)管道不斷增長的計算基礎(chǔ)設(shè)施需求。這為公司不60%40%20%0%-20%-40%-60%-80%-100%Rambus營收增速與毛利率變化毛利率90%同比增長毛利率90%16Q116Q116Q417Q318Q219Q119Q420Q321Q222Q122Q423Q瀾起科技23Q3單季度營收5.98億元，環(huán)比增長17.7%；歸母凈利1.52億元，環(huán)比增長145%。毛利公司內(nèi)存接口芯片出貨量環(huán)比企穩(wěn)復(fù)蘇，DDR5滲透率快速提升推動毛利率明顯改善。ddr5滲透率加速提升,基本面迎來確定拐點：隨著下游內(nèi)存模組和服務(wù)器庫存逐步回歸正常水平，內(nèi)存接口芯片Q3重啟拉貨。DDR5滲透率不斷攀升，預(yù)計年底達(dá)到30%，明年中增至50-60%。隨著總量需求復(fù)蘇且ddr5放量，基本面將兌現(xiàn)高彈性增長?；ヂ?lián)芯片平臺現(xiàn)雛形，新品打開成長天花板：互連類芯片產(chǎn)品主要包括內(nèi)存接口芯片、內(nèi)存模組配套芯片、PCIeRetimer芯片、MXC芯片、CKD芯片等。PCIe5.0/CXL2.0Retimer芯片今年1月實現(xiàn)量產(chǎn)。CXL內(nèi)存擴(kuò)展控制器芯片（MXC），DDR5第一子代時鐘驅(qū)動器（CKD）均在送樣驗證或小批量階段。第一代AI芯片目前在研,面向推理應(yīng)用場景。新品綜合整理。90%80%70%60%50%40%30%20%0%80%70%60%50%40%30%20%0%凈利率毛利率凈利率18Q319Q119Q320Q120Q321Q121Q322Q122Q323Q123Q3產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)DDR5滲透率預(yù)期接口芯片廠模組廠服務(wù)器PC/Notebook23Q323Q424Q1e24Q2e24Q3e24Q4e24年DRAM和NAND合計市場規(guī)模預(yù)計恢復(fù)至1200億美金以上DRAM和NAND長期占比整個存儲市場份額超95%，其余產(chǎn)品中NOR相對規(guī)模較大，但占比也不到1%。22年全球存儲市場規(guī)模約1440億美金，其中DRAM約800億美金，NAND約590億美金；23年受需求下行、產(chǎn)業(yè)鏈去庫導(dǎo)致的價格下跌影響，整體規(guī)模大幅下跌41%，但終端產(chǎn)品單機(jī)容量提升，從出貨容量角度看23年DRAM仍有高個位數(shù)增長，NAND有低十位數(shù)增長。24年隨著庫存出清以及價格的企穩(wěn)，存儲顆粒出貨容量及價格均預(yù)期持續(xù)回升，整體市場規(guī)模預(yù)計相對23年增長55%左右，其中以NAND復(fù)蘇最為顯著，DRAM次之。存儲市場不同產(chǎn)品規(guī)模結(jié)構(gòu)及展望DRAM和NAND將開啟新一代工藝節(jié)點的量產(chǎn)力晶0.7%華邦0.9%其他2.0%美光25%汽車ICT設(shè)施31.5%PC力晶0.7%華邦0.9%其他2.0%美光25%汽車ICT設(shè)施31.5%PCDRAM存儲器市場份額高度集中，主要被三星電子、SK海力士和美光三者壟斷，以營收計算，三大廠商市場占有率合計超過95%，競爭格局穩(wěn)定。其他玩家方面，臺系廠商南亞、華邦、力晶以利基市場為主，占有約3%份額。國內(nèi)DRAM廠商份額較低，主要有長鑫存儲、兆易創(chuàng)新、北京君正、東芯股份、紫光國微、福建晉華等，其中兆易創(chuàng)新通過與長鑫合作，目前產(chǎn)品主要定位利基型DDR4市場，應(yīng)用于非手機(jī)類等普通消費電子產(chǎn)品，未來將逐步擴(kuò)大產(chǎn)能規(guī)模。終端應(yīng)用方面，下游需求市場以消費類產(chǎn)品和服務(wù)器為主，其中手機(jī)、PC、消費電子等消費類產(chǎn)品占據(jù)超60%份額，服務(wù)器等ICT應(yīng)用占據(jù)約30%份額，23年以來受消費電子市場持續(xù)低迷影響，預(yù)計消費類應(yīng)用份額將略有下降，服務(wù)器領(lǐng)域受益于DDR5對DDR4的升級換代，是24年DRAM重點增長方向，份額或明顯提升，同時新能源車智能化的提升對單車DRAM需求也有所增長，預(yù)計汽車電子份額也將上升。全球DRAM廠商格局（按營收，2022）長鑫長鑫0.6%三星41.9%海力士28%全球DRAM下游應(yīng)用結(jié)構(gòu)（2022）6.2%手機(jī)手機(jī)31.5%消費電子消費電子10.5%HBM具備高帶寬、低功耗優(yōu)勢，配套AI芯片的