GBT 43366-2023 宇航用半導(dǎo)體分立器件通用規(guī)范

宇航用半導(dǎo)體分立器件通用規(guī)范2023-11-27發(fā)布2024-03-01實(shí)施國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)I V 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語和定義 24技術(shù)要求 34.1總體要求 34.2質(zhì)量保證等級(jí) 34.3設(shè)計(jì) 34.4材料 34.5標(biāo)識(shí) 34.6生產(chǎn)過程 64.7外協(xié)加工和外購芯片 74.8基本要求 85試驗(yàn)方法 5.1內(nèi)部目檢 5.2外觀及尺寸檢查 5.3參數(shù)性能 5.4高溫壽命 5.5溫度循環(huán) 5.6二極管耐久性試驗(yàn) 5.7晶體管耐久性試驗(yàn) 5.8引線鍵合強(qiáng)度 5.9掃描電子顯微鏡檢查(SEM) 5.10浪涌 5.11熱響應(yīng) 5.12恒定加速度 5.13粒子碰撞噪聲檢測(cè)試驗(yàn) 5.14細(xì)檢漏 5.15粗檢漏 5.16晶體管高溫反偏 5.17功率FET高溫反偏 5.18二極管高溫反偏 5.19X射線照相 Ⅱ5.20超聲掃描 5.21可焊性 5.22耐溶劑 5.23熱沖擊(液體—液體) 5.24間歇工作壽命 5.25二極管熱阻 5.26雙極型晶體管熱阻 5.27功率FET熱阻 5.28閘流晶體管熱阻 5.30GaAsFET熱阻 5.31重量 5.32耐濕 5.33沖擊 5.34掃頻振動(dòng) 5.35鹽氣(侵蝕) 5.36內(nèi)部氣氛含量 5.37高壓蒸煮 5.38穩(wěn)態(tài)總劑量輻射 5.39單粒子效應(yīng) 5.40破壞性物理分析(DPA) 5.41低氣壓(只適用于額定電壓大于200V的器件) 5.42靜電放電敏感度(ESDS) 5.43耐焊接熱 5.44預(yù)處理 5.45回流焊模擬 5.46引出端強(qiáng)度 5.47強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱 6檢驗(yàn)規(guī)則 6.1通則 6.2檢驗(yàn)分類 6.3試驗(yàn)和檢驗(yàn)的環(huán)境條件 6.4檢驗(yàn)批 6.5篩選 6.6鑒定檢驗(yàn) 6.7質(zhì)量一致性檢驗(yàn) 6.8用戶方監(jiān)制 ⅢGB/T43366—20236.9用戶方驗(yàn)收 7.1包裝和標(biāo)識(shí) 27 附錄A(規(guī)范性)材料要求 A.1總體要求 A.2封裝材料 A.3器件的鍍涂 附錄B(資料性)用戶方監(jiān)制 B.1監(jiān)制方式 B.2監(jiān)制內(nèi)容 B.3監(jiān)制 附錄C(資料性)用戶方驗(yàn)收 C.1總則 C.2驗(yàn)收工作內(nèi)容 C.3質(zhì)量文件審查 C.4驗(yàn)收試驗(yàn) C.5驗(yàn)收的結(jié)果和處理 V本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件由全國宇航技術(shù)及其應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC425)提出并歸口。本文件起草單位：中國運(yùn)載火箭技術(shù)研究院、中國空間技術(shù)研究院、西安電子科技大學(xué)、濟(jì)南市半導(dǎo)體元件實(shí)驗(yàn)所、北京中科新微特科技開發(fā)股份有限公司、國營第八七三廠、深圳吉華微特電子有限公司、朝陽微電子科技股份有限公司。1宇航用半導(dǎo)體分立器件通用規(guī)范2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于GB/T4023—2015半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2部分：整流二極管GB/T4586—1994半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場(chǎng)效應(yīng)晶體管GB/T4587—1994半導(dǎo)體分立器件和集成電路第7部分：雙極型晶體管GB/T4589.1—2006半導(dǎo)體分立器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范GB/T4937.2—2006半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第2部分：低氣壓GB/T4937.3—2012半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第3部分：外部目檢GB/T4937.4—2012半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第4部分：強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)GB/T4937.11—2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第11部分：快速溫度變化雙液槽法GB/T4937.12—2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第12部分：掃頻振動(dòng)GB/T4937.13—2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第13部分：鹽霧GB/T4937.14—2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第14部分：引出端強(qiáng)度(引線牢固GB/T4937.15—2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第15部分：通孔安裝器件的耐焊接熱GB/T4937.18—2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第18部分：電離輻照(總劑量)GB/T4937.19—2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第19部分：芯片剪切強(qiáng)度GB/T4937.20—2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第20部分：塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響GB/T4937.21—2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第21部分：可焊性GB/T4937.22—2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第22部分：鍵合強(qiáng)度GB/T4937.30—2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第30部分：非密封表面安裝器件在可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理GB/T15291—2015半導(dǎo)體器件第6部分：晶閘管GB/T19403.1—2003半導(dǎo)體器件集成電路第11部分：第1篇：半導(dǎo)體集成電路內(nèi)部目檢2(不包括混合電路)GB/T20516—2006半導(dǎo)體器件分立器件第4部分：微波器件GB/T29332—2012半導(dǎo)體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT)QJ10005—2008宇航用半導(dǎo)體器件重離子單粒子效應(yīng)試驗(yàn)指南IEC60749-6:2017半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第6部分：高溫貯存(Semiconductorde-vices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part6:Storageathightemperature)IEC60749-7:2011半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第7部分：內(nèi)部水汽含量測(cè)試和其他殘余氣體分析(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part7:Internalmoisturecontentmeasurementandtheanalysisofotherresidualgases)IEC60749-8:2002半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第'8部分：密封(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part8:Sealing)IEC60749-9:2017半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第9部分：標(biāo)志耐久性(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part9:Permanenceofmarking)IEC60749-10:2022半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第10部分：機(jī)械沖擊(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part10:Mechanicalshock—deviceandsubassembly)IEC60749-16:2003半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第16部分：粒子碰撞噪聲檢測(cè)(PIND)[Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part16:Particleimpactnoisedetection(PIND)]IEC60749-25:2003半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第25部分：溫度循環(huán)(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part25:Temperaturecycling)IEC60749-26:2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第26部分：靜電放電(ESDS)敏感度試驗(yàn)人體模型(HBM)[Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part26:Elec-trostaticdischarge(ESD)sensitivitytesting—Humanbodymodel(HBM)]IEC60749-33:2022半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第33部分：加速耐濕無偏壓高壓蒸煮(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part33:Acceleratedmoisturere-sistance—Unbiasedautoclave)IEC60749-34:2010半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第34部分：功率循環(huán)(Semiconductorde-vices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part34:Powercycling)IEC60749-35:2006半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第35部分：塑封電子元器件的聲學(xué)掃描(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part35:Acousticmicroscopyforplasticencapsulatedelectroniccomponents)部分：恒定加速度(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part36:Acceleration,steadystate)IEC60749-42:2014半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第42部分：溫度和濕度貯存(Semicon-ductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part42:Temperatureandhumiditystorage)3術(shù)語和定義本文件沒有需要界定的術(shù)語和定義。34技術(shù)要求4.1總體要求器件設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)應(yīng)能承受正常使用過程的電、熱等應(yīng)力。在預(yù)定應(yīng)用環(huán)境下，器件不應(yīng)受環(huán)境影響產(chǎn)生超過允許范圍的電氣性能劣化。4.2質(zhì)量保證等級(jí)級(jí)器件應(yīng)符合第4章規(guī)定的技術(shù)要求，第6章規(guī)定的檢驗(yàn)要求和第器件設(shè)計(jì)基本要求如下。a)應(yīng)建立設(shè)計(jì)規(guī)范。設(shè)計(jì)規(guī)范應(yīng)規(guī)定與設(shè)計(jì)相關(guān)的工藝和材料，包括應(yīng)用環(huán)境與受影響材料或(和)工藝之間的相互作用。應(yīng)記錄與本文件不一致的任何設(shè)計(jì)要求。b)應(yīng)建立熱特性、機(jī)械特性和電氣性能最惡劣情況下的設(shè)計(jì)模型和程序。c)適用時(shí)，應(yīng)規(guī)定對(duì)設(shè)計(jì)規(guī)則、電氣規(guī)則、可靠性規(guī)則和熱設(shè)計(jì)規(guī)則的檢查程序。d)應(yīng)制定封裝外殼性能驗(yàn)證程序。為保證新研制器件的設(shè)計(jì)滿足要求，應(yīng)進(jìn)行以下設(shè)計(jì)驗(yàn)證。a)模型驗(yàn)證：提供證據(jù)證明設(shè)計(jì)過程中用到的模型起到預(yù)期的作用，能夠精確覆蓋最嚴(yán)酷的溫度條件和最惡劣的電學(xué)條件，模型包括半導(dǎo)體工藝、裝配和封裝等。b)版圖驗(yàn)證，人工或自動(dòng)化布圖過程中，進(jìn)行設(shè)計(jì)、電氣和可靠性規(guī)則的檢查，規(guī)則檢查至少包括：1)設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC):幾何學(xué)和物理學(xué)檢查；2)電氣規(guī)則檢查(ERC):短路、開路、連通性檢查；4)輻射加固保證(RHA)規(guī)則檢查(有要求時(shí))。c)性能驗(yàn)證：驗(yàn)證器件性能覆蓋溫度、電壓及電流的極限范圍(該范圍由設(shè)計(jì)仿真確定)。所有臨界于幾何和電氣設(shè)計(jì)規(guī)則最低要求的情況應(yīng)重點(diǎn)關(guān)注。電應(yīng)力試驗(yàn)在最嚴(yán)苛條件下進(jìn)行。當(dāng)器件出現(xiàn)失效時(shí)，通過失效分析確定失效機(jī)理，并對(duì)發(fā)現(xiàn)的問題采取糾正措施。器件的材料應(yīng)符合附錄A的規(guī)定。每只已封裝的器件上均應(yīng)有下列標(biāo)識(shí)，且標(biāo)識(shí)應(yīng)清晰可讀。如果器件上沒有足夠的區(qū)域打上所有4適用的標(biāo)識(shí)，可對(duì)標(biāo)識(shí)進(jìn)行簡化，簡化優(yōu)先級(jí)按下列順序。簡化后的標(biāo)識(shí)應(yīng)在訂貨文件中規(guī)定。a)極性標(biāo)識(shí)(適用時(shí));b)器件標(biāo)識(shí)符(見4.5.2);c)承制方的名稱、商標(biāo)或標(biāo)識(shí)(見4.5.3);d)批識(shí)別代碼(見4.5.4);e)序列號(hào)(適用時(shí))(見4.5.5);f)特殊標(biāo)識(shí)(見4.5.6);g)靜電放電敏感度標(biāo)識(shí)(見4.5.7)。示例：XX—XXXXXQ質(zhì)量保證等級(jí)標(biāo)識(shí)抗輻射能力—抗單粒子效應(yīng)器件型號(hào)自產(chǎn)芯片時(shí)留空根據(jù)器件的質(zhì)量保證等級(jí)，在器件封裝上打印質(zhì)量保證等級(jí)標(biāo)識(shí)，規(guī)定如下：a)質(zhì)量保證等級(jí)為A級(jí)的器件，標(biāo)識(shí)為A;b)質(zhì)量保證等級(jí)為B級(jí)的器件，標(biāo)識(shí)為B;c)質(zhì)量保證等級(jí)為C級(jí)的器件，標(biāo)識(shí)為C?？馆椛淠芰Φ燃?jí)的規(guī)定見表1。表1抗輻射能力等級(jí)對(duì)照抗輻射能力等級(jí)抗電離總劑量輻射能力Gy(Si)MDP3×102L5×102RF3×103G5×103H注：當(dāng)無抗輻射能力時(shí)，該標(biāo)識(shí)位為空。54.5.2.4抗單粒子效應(yīng)能力等級(jí)抗單粒子效應(yīng)能力等級(jí)的規(guī)定見表2。表2抗單粒子能力等級(jí)對(duì)照抗單粒子效應(yīng)能力等級(jí)單粒子效應(yīng)閾值MeV·cm2/mgIⅡⅢ注：當(dāng)無抗單粒子效應(yīng)能力時(shí)，該標(biāo)識(shí)位為空。4.5.3承制方名稱或商標(biāo)器件上應(yīng)標(biāo)出承制方名稱、商標(biāo)或標(biāo)識(shí)。4.5.4批識(shí)別代碼器件至少應(yīng)標(biāo)出能夠識(shí)別最后密封周的識(shí)別代碼。識(shí)別代碼中，前兩位數(shù)字為年份的最后兩位數(shù)，第三位和第四位數(shù)字表示該年的周數(shù)；當(dāng)周數(shù)是一位數(shù)字時(shí)，第三位數(shù)字為零。對(duì)A級(jí)、B級(jí)器件，每個(gè)器件應(yīng)有唯一的連續(xù)給定的序列號(hào)。如器件的封裝含有氧化鈹，則該器件應(yīng)標(biāo)有“BeO”標(biāo)識(shí)。ESDS等級(jí)見表3。表3靜電放電敏感度等級(jí)對(duì)照能承受的靜電電壓V1B級(jí)1C級(jí)6表3靜電放電敏感度等級(jí)對(duì)照(續(xù))ESDS等級(jí)能承受的靜電電壓V△△△A3B級(jí)△△△B不敏感無標(biāo)識(shí)>15999除非另有規(guī)定，在由分級(jí)試驗(yàn)確定出器件ESDS等級(jí)之前，承制方可對(duì)未經(jīng)分級(jí)試驗(yàn)的器件使用4.6生產(chǎn)過程A級(jí)、B級(jí)器件采取器件過程確認(rèn)的生產(chǎn)過程控制方法，具體要求見4.6.2;C級(jí)器件采用工藝首件控制及過程中控制的生產(chǎn)過程控制方法，具體要求見4.6.3,并制定一致性控制基線，保證工藝狀態(tài)的一A級(jí)、B級(jí)器件生產(chǎn)控制應(yīng)符合器件過程確認(rèn)要求，建立器件過程確認(rèn)文件，對(duì)器件的生產(chǎn)過程控制提出具體要求。過程識(shí)別文件應(yīng)至少包括以下內(nèi)容。a)生產(chǎn)流程。b)統(tǒng)計(jì)過程控制實(shí)施規(guī)則。c)生產(chǎn)流程中每項(xiàng)試驗(yàn)的依據(jù)說明。d)器件結(jié)構(gòu)(應(yīng)附結(jié)構(gòu)圖或照片)。e)試驗(yàn)程序和方法。f)關(guān)鍵工序和特殊工序。g)關(guān)鍵原材料控制方法：應(yīng)對(duì)原材料生產(chǎn)廠的生產(chǎn)資質(zhì)進(jìn)行確認(rèn)；原材料至少包括管殼、晶圓、粘接材料、鍵合絲等；應(yīng)制定外購原材料入廠檢驗(yàn)文件，文件中應(yīng)說明檢驗(yàn)的方式、抽樣與檢驗(yàn)的程序，接收、拒收的判據(jù)以及試驗(yàn)實(shí)施的周期。h)承制方組織結(jié)構(gòu)。4.6.3工藝首件控制及過程中控制對(duì)于C級(jí)器件，除非另有規(guī)定，原則上執(zhí)行工藝首件控制及過程中控制要求，并形成工藝過程控制報(bào)告。生產(chǎn)過程中，器件的每一批次以及生產(chǎn)人員的每一班次中均應(yīng)對(duì)關(guān)鍵工藝或特殊工藝進(jìn)行檢查，應(yīng)當(dāng)制定過程中控制要求，控制要求應(yīng)包括證明有效的檢驗(yàn)試驗(yàn)和抽樣方案。4.6.4一致性控制基線對(duì)于C級(jí)器件，承制方應(yīng)建立一致性控制基線，確保每一供貨批器件與鑒定器件在原材料、芯片、工藝參數(shù)等方面的一致性。74.7外協(xié)加工和外購芯片器件的生產(chǎn)和質(zhì)量保證過程應(yīng)在器件承制方完成。如果某些項(xiàng)目需要外協(xié)，器件承制方應(yīng)建立合格外協(xié)單位管理制度，對(duì)外協(xié)單位的資質(zhì)進(jìn)行審查，形成合格外協(xié)單位清單。承制方采用外協(xié)加工或外購的國產(chǎn)芯片時(shí)，遵循以下要求：a)外購或外協(xié)加工芯片應(yīng)按照4.7.3的規(guī)定進(jìn)行芯片評(píng)價(jià)；b)A級(jí)器件允許采用外購國產(chǎn)芯片或國內(nèi)流片的外協(xié)加工芯片，應(yīng)有充分的數(shù)據(jù)或資料說明芯片的可靠性，并提供芯片鑒定報(bào)告。4.7.2芯片生產(chǎn)相關(guān)信息承制方應(yīng)至少掌握芯片生產(chǎn)的以下方面信息：a)芯片代工廠的質(zhì)量和可靠性歷史；b)芯片代工廠與器件承制方的合作情況；c)芯片代工廠生產(chǎn)線狀況；d)承制方以往外協(xié)加工芯片的質(zhì)量信息。4.7.3外購或外協(xié)加工芯片評(píng)價(jià)要求外購或外協(xié)加工芯片應(yīng)按照表4的要求對(duì)每個(gè)晶圓批進(jìn)行評(píng)價(jià)。表4外購或外協(xié)加工芯片評(píng)價(jià)要求分組質(zhì)量保證等級(jí)試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)方法及技術(shù)要求樣本大小(接收數(shù))或抽樣要求A級(jí)B、C級(jí)1√√芯片版圖符合性檢查“5.1及4.8.1√√芯片尺寸測(cè)量(長度、寬度、厚度)'5.2及4.8.22√√電參數(shù)測(cè)試5.3及4.8.33√√內(nèi)部目檢5.1及4.8.14°√√高溫壽命5.4及4.8.4√√溫度循環(huán)5.5及4.8.5√√中間電參數(shù)測(cè)試5.3及4.8.3√—耐久性試驗(yàn)5.6、5.7及4.8.6、4.8.7√——最終電參數(shù)測(cè)試5.3及4.8.35√√引線鍵合強(qiáng)度評(píng)價(jià)d5.8及4.8.815線(0)6√掃描電子顯微鏡檢查(SEM)5.9及4.8.9每個(gè)晶片隨機(jī)抽取1只”表示需要開展該試驗(yàn)項(xiàng)目；“—”表示無需開展該試驗(yàn)項(xiàng)目。檢查芯片版圖結(jié)構(gòu)是否符合預(yù)定要求，首次評(píng)價(jià)時(shí)，器件承制方應(yīng)提供芯片設(shè)計(jì)版圖結(jié)構(gòu)。按每晶片批抽樣，樣品盡量分布在每個(gè)晶片。b檢查芯片尺寸是否符合要求。按每晶片批抽樣，樣品盡量分布在每個(gè)晶片。芯片封裝后進(jìn)行。采用耐久性試驗(yàn)后樣品進(jìn)行本項(xiàng)試驗(yàn)。84.8基本要求按5.1的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，內(nèi)部材料、結(jié)構(gòu)應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求，工藝質(zhì)量應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的通過判據(jù)。4.8.2外觀及尺寸符合性按5.2的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，外觀質(zhì)量應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的通過判據(jù)，尺寸應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求。按5.3的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，測(cè)試結(jié)果和參數(shù)變化量(△)(有要求時(shí))應(yīng)滿足訂貨文件要求，變化量不應(yīng)出現(xiàn)6.5.4.1.2規(guī)定的參數(shù)漂移失效。按5.4的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，試驗(yàn)后電測(cè)試應(yīng)滿足訂貨文件要求。按5.5的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，試驗(yàn)后電測(cè)試應(yīng)滿足訂貨文件要求。4.8.6二極管耐久性試驗(yàn)按5.6的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，試驗(yàn)后電測(cè)試應(yīng)滿足訂貨文件要求。除非另有規(guī)定，在篩選中只有當(dāng)不合格品率不超過規(guī)定允許的不合格率的2倍或20%(取較大者)時(shí)，才可將該批次再次提交檢驗(yàn)，并且只準(zhǔn)重新提交一次。重新提交的各批器件只包含原來批次中的器件。重新提交的批次應(yīng)與新的批次分開，并采用PDA為3%的加嚴(yán)檢驗(yàn)。若該批次的不合格率超過加嚴(yán)檢驗(yàn)的允許的合格率，整個(gè)重新提交的批次不應(yīng)按任一質(zhì)量保證等級(jí)接收。4.8.7晶體管耐久性試驗(yàn)按5.7的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，試驗(yàn)后電測(cè)試應(yīng)滿足訂貨文件要求。4.8.8引線鍵合強(qiáng)度按5.8的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的通過判據(jù)。4.8.9掃描電子顯微鏡檢查(SEM)按5.9的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，要求如下：a)應(yīng)檢查氧化層臺(tái)階邊上所有的金屬化層，金屬化層變薄、缺陷(空洞、剝離、凹槽或裂紋)不應(yīng)導(dǎo)致金屬條橫截面的面積小于50%;b)氧化層以外的所有區(qū)域上的金屬層不應(yīng)出現(xiàn)任何張開或翹起(未附著),任何缺陷不應(yīng)使金屬化條的橫截面積小于50%。按5.10的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，試驗(yàn)后電測(cè)試應(yīng)滿足訂貨文件要求。9按5.11的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，測(cè)試結(jié)果應(yīng)符合訂貨文件的要求。4.8.12恒定加速度按5.12的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，試驗(yàn)后電測(cè)試應(yīng)符合訂貨文件要求。本試驗(yàn)不適用于實(shí)體封裝器件及灌封器件。4.8.13粒子碰撞噪聲檢測(cè)試驗(yàn)按5.13的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，對(duì)于除背景噪聲之外的任何噪聲爆發(fā)均應(yīng)拒收。按5.14的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的通過判據(jù)。該項(xiàng)試驗(yàn)不適用于實(shí)體封裝器件及非密封器件。按5.15的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的通過判據(jù)。該項(xiàng)試驗(yàn)不適用于實(shí)體封裝器件及非密封器件。按5.16規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，試驗(yàn)后電測(cè)試應(yīng)符合訂貨文件要求。4.8.17功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)高溫反偏按5.17的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，試驗(yàn)后電測(cè)試應(yīng)符合訂貨文件要求。4.8.18二極管高溫反偏按5.18的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，試驗(yàn)后電測(cè)試應(yīng)符合訂貨文件要求。按5.19的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，要求如下：a)X射線照相檢驗(yàn)所揭示的特征應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求；b)接觸區(qū)的空洞總面積不應(yīng)超過接觸面積的1/2;功率器件接觸區(qū)的空洞總面積不應(yīng)超過接觸面積的15%;c)單個(gè)空洞不應(yīng)橫貫半導(dǎo)體芯片的長度、寬度，且單個(gè)空洞不應(yīng)超過整個(gè)預(yù)定接觸面積的10%;d)各元件及管殼之間不應(yīng)互相接觸；e)對(duì)于密封器件，密封環(huán)的寬度不應(yīng)小于設(shè)計(jì)值的25%。按5.20的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，要求如下：a)芯片表面不應(yīng)存在分層；b)任何內(nèi)引線鍵合區(qū)域(包括向下鍵合區(qū)域)或引線框架上不應(yīng)存在分層；c)用于隔離金屬結(jié)構(gòu)的聚合物薄膜表面的分層變化不應(yīng)大于10%(使用穿透式超聲波掃描顯微鏡予以驗(yàn)證);d)下列芯片粘接區(qū)域的分層/裂紋不應(yīng)大于50%:1)芯片熱沉等用于導(dǎo)熱的封裝結(jié)構(gòu)；2)芯片背面需要電氣連接的封裝結(jié)構(gòu)；e)器件表面引出部件(包括引出端、連接筋、散熱片等)的連接界面不應(yīng)存在分離。注：分層變化是指相關(guān)試驗(yàn)前后分層的差異。分層比例或變化是按照評(píng)估的總面積來計(jì)算(在初次測(cè)量時(shí)發(fā)現(xiàn)芯片表面、任意內(nèi)引線鍵合區(qū)以及整個(gè)封裝體內(nèi)任何可測(cè)量的裂紋，則直接判定器件失效)。按5.21的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的通過判據(jù)。按5.22的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的通過判據(jù)。本技術(shù)要求不適用于激光標(biāo)識(shí)器件。4.8.23熱沖擊(液體-液體)按5.23的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的通過判據(jù)。按5.24的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，試驗(yàn)結(jié)束后器件電參數(shù)測(cè)試應(yīng)滿足訂貨文件的規(guī)定。按5.25的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，二極管熱阻應(yīng)滿足訂貨文件的規(guī)定。4.8.26雙極型晶體管熱阻按5.26的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，雙極型晶體管熱阻應(yīng)滿足訂貨文件的規(guī)定。按5.27的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，功率FET熱阻應(yīng)滿足訂貨文件的規(guī)定。4.8.28閘流晶體管熱阻按5.28的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，閘流晶體管熱阻應(yīng)滿足訂貨文件的規(guī)定。按5.29的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，IGBT熱阻應(yīng)滿足訂貨文件的規(guī)定。按5.30的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，GaAsFET熱阻應(yīng)滿足訂貨文件的規(guī)定。按5.31的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合訂貨文件要求。按5.32的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的通過判據(jù)。按照5.33的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的通過判據(jù)。對(duì)冶金鍵合雙插頭封裝和螺栓封裝的器件不要求。按照5.34的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的通過判據(jù)。4.8.35鹽氣(侵蝕)按照5.35的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的通過判據(jù)。按照5.36的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，溫度為100℃時(shí)，水汽含量應(yīng)不超過5000×10-?;當(dāng)采用軟焊料作為芯片焊接材料時(shí)，氧氣含量不應(yīng)超過2000×10-6。按照5.37的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的通過判據(jù)。4.8.38穩(wěn)態(tài)總劑量輻射按照5.38的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，結(jié)果應(yīng)符合訂貨文件規(guī)定的輻射保證等級(jí)要求。按照5.39的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，結(jié)果應(yīng)符合訂貨文件規(guī)定的輻射保證等級(jí)要求。4.8.40破壞性物理分析(DPA)按照5.40的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的通過判據(jù)。按照5.41的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)(只適用于額定電壓大于200V的器件),應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的通過判據(jù)。按照5.42的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合訂貨文件規(guī)定的靜電放電敏感度等級(jí)。按照5.43的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的通過判據(jù)。按照5.44的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的要求。4.8.45回流焊模擬按照5.45的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的要求。4.8.46引出端強(qiáng)度按照5.46的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的通過判據(jù)。4.8.47強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱按照5.47的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合試驗(yàn)方法規(guī)定的通過判據(jù)。5試驗(yàn)方法5.1內(nèi)部目檢”內(nèi)部目檢按GB/T19403.1—2003進(jìn)行試驗(yàn)。外觀質(zhì)量按GB/T4937.3—2012進(jìn)行試驗(yàn)。尺寸檢查應(yīng)選擇測(cè)量精度足夠的測(cè)試設(shè)備，對(duì)相關(guān)尺寸進(jìn)行測(cè)試。5.3參數(shù)性能GB/T15291—2015、GB/T20516—2006、GB/T相關(guān)訂貨文件計(jì)算參數(shù)變化量(△)。4023—2015、GB/T4587—1994、GB/T4586—1994、29332—2012進(jìn)行。耐久性試驗(yàn)后的參數(shù)測(cè)試應(yīng)按照5.4高溫壽命高溫壽命按IEC60749-6:2017進(jìn)行試驗(yàn)。在最高貯存溫度下，外購芯片評(píng)價(jià)采用340h,篩選采用96h,A級(jí)、B級(jí)器件的B組檢驗(yàn)采用1000h。5.5溫度循環(huán)溫度循環(huán)按IEC60749-25:2003進(jìn)行試驗(yàn)。溫度取一55℃~175℃或最大貯存溫度范圍，若沖突則取小者。外購芯片評(píng)價(jià)25次循環(huán)，篩選20次循環(huán)，A級(jí)、B級(jí)器件的B組、C組檢驗(yàn)25次循環(huán)，A級(jí)、B級(jí)器件的E1分組500次循環(huán)；C級(jí)器件的E1分組500次循環(huán)。二極管耐久性試驗(yàn)按GB/T4023—2015中的7.4進(jìn)行試驗(yàn)。二極管采用阻性負(fù)載試驗(yàn)條件，在最高結(jié)溫下，外購芯片評(píng)價(jià)及篩選中A級(jí)240h、B級(jí)160h、C級(jí)器件48h;A級(jí)、B級(jí)器件的B組檢驗(yàn)340h;A級(jí)、B級(jí)、C級(jí)器件的C組檢驗(yàn)1000h;A級(jí)、B級(jí)器件的E組檢驗(yàn)1000h,C級(jí)器件的E組檢驗(yàn)200h。5.7晶體管耐久性試驗(yàn)晶體管耐久性試驗(yàn)按GB/T4587—1994中第V章進(jìn)行試驗(yàn)。晶體管可采用工作壽命試驗(yàn)條件或高溫反偏試驗(yàn)條件(僅對(duì)功率FET及IGBT)。當(dāng)采用高溫反偏試驗(yàn)條件時(shí)，在最高貯存溫度下，至少為功率FET額定值(Vps)或IGBT額定值(Vce)的80%。在最高結(jié)溫下，外購芯片評(píng)價(jià)及篩選中A級(jí)240h、B級(jí)160h、C級(jí)器件48h;A級(jí)、B級(jí)器件的B組檢驗(yàn)340h;A級(jí)、B級(jí)、C級(jí)器件的C組檢驗(yàn)1000h;A級(jí)、B級(jí)器件的E組檢驗(yàn)1000h,C級(jí)器件的E組檢驗(yàn)200h。5.8引線鍵合強(qiáng)度引線鍵合強(qiáng)度按GB/T4937.22—2018進(jìn)行試驗(yàn)。5.9掃描電子顯微鏡檢查(SEM)本試驗(yàn)通過掃描電子顯微鏡對(duì)器件的金屬化層、氧化層臺(tái)階部位的缺陷進(jìn)行檢查，掃描電子顯微鏡的最高分辨率至少應(yīng)為10nm,最大放大倍數(shù)可達(dá)到20000倍。調(diào)整掃描電子顯微鏡獲取金屬化層、氧化層臺(tái)階的清晰形貌后，對(duì)形貌進(jìn)行檢查。5.10浪涌浪涌按GB/T4023—2015中7.3進(jìn)行試驗(yàn)。在額定值下，試驗(yàn)次數(shù)為2次。5.11熱響應(yīng)熱響應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品類型按GB/T4587—1994第IV章、GB/T4023—2015中7.2、GB/T15291—2015、GB/T4586—1994、GB/T20516—2006及GB/T29332—2012進(jìn)行試驗(yàn)。5.12恒定加速度恒定加速度按IEC60749-36:2003進(jìn)行試驗(yàn)。在Y1方向，加速度至少為196000m/s2;對(duì)于殼溫(Tc)=25℃時(shí)功率額定值不小于10W的器件，加速度至少為98000m/s2;對(duì)帶內(nèi)匹配的微波器件加速度至少為9800m/s2。保持時(shí)間為1min。加速度逐漸增加到規(guī)定值的時(shí)間不少于20s;加速度逐漸減小到零的時(shí)間不少于20s。5.13粒子碰撞噪聲檢測(cè)試驗(yàn)粒子碰撞噪聲檢測(cè)試驗(yàn)按IEC60749-16:2003進(jìn)行試驗(yàn)。5.14細(xì)檢漏細(xì)檢漏按IEC60749-8:2002進(jìn)行試驗(yàn)。5.15粗檢漏粗檢漏按IEC60749-8:2002進(jìn)行試驗(yàn)。5.16晶體管高溫反偏晶體管高溫反偏按GB/T4587—1994中的第IN章進(jìn)行試驗(yàn)。反偏電壓應(yīng)至少為雙極型晶體管額定值(Vcg)的80%,環(huán)境溫度(TA)=150℃,篩選48h,A級(jí)、B級(jí)器件的B6分組340h,C級(jí)器件的El分組200h。5.17功率FET高溫反偏功率FET高溫反偏按GB/T4586—1994進(jìn)行試驗(yàn)。反偏電壓應(yīng)至少為額定值的80%,TA=150℃,篩選48h,A級(jí)、B級(jí)器件的B6分組340h,C級(jí)器件的E1分組200h。5.18二極管高溫反偏二極管高溫反偏按GB/T4023—2015中7.4進(jìn)行試驗(yàn)。TA=150℃(除非另有規(guī)定，肖特基二極管TA=125℃),反向偏置電壓為VRwM的95%～100%,篩選48h,A級(jí)、B級(jí)器件的B6分組340h,C級(jí)器件的E1分組200h。5.19X射線照相本試驗(yàn)通過X射線設(shè)備對(duì)管帽與殼體密封工藝引起的缺陷進(jìn)行檢查。通過調(diào)整或選擇X射線曝光系數(shù)、電壓、電流大小和時(shí)間長短等，使缺陷特征圖像達(dá)到最佳的清晰5.20超聲掃描超聲掃描按IEC60749-35:2006進(jìn)行試驗(yàn)。5.21可焊性可焊性按GB/T4937.21—2018進(jìn)行試驗(yàn)。5.22耐溶劑耐溶劑按IEC60749-9:2017進(jìn)行試驗(yàn)。5.23熱沖擊(液體—液體)熱沖擊(液體—液體)按GB/T4937.11—2018進(jìn)行試驗(yàn)，溫度范圍為一55℃~125℃,A級(jí)、B級(jí)器件的B組檢驗(yàn)10次循環(huán)，C組檢驗(yàn)25次循環(huán)、E組檢驗(yàn)100次循環(huán)。5.24間歇工作壽命間歇工作壽命按IEC60749-34:2010進(jìn)行試驗(yàn)，B組至少2000次，C組、E組至少6000次。5.25二極管熱阻二極管熱阻按GB/T4023—2015中的第7章進(jìn)行試驗(yàn)。5.26雙極型晶體管熱阻雙極型晶體管熱阻按GB/T4587—1994中的第IV章進(jìn)行試驗(yàn)。5.27功率FET熱阻功率FET熱阻按GB/T4586—1994進(jìn)行試驗(yàn)。5.28閘流晶體管熱阻閘流晶體管熱阻按GB/T15291—2015進(jìn)行試驗(yàn)。IGBT熱阻按GB/T29332—2012進(jìn)行試驗(yàn)。GaAsFET熱阻按GB/T20516—2006第VⅡ篇進(jìn)行試驗(yàn)。5.31重量重量采用精度合適的天平或其他稱重工具稱重進(jìn)行試驗(yàn)。耐濕按IEC60749-42:2014進(jìn)行試驗(yàn)。沖擊按IEC60749-10:2022進(jìn)行試驗(yàn)。器件不工作，在X1、Y1和Z1的每個(gè)方向各沖擊5次(軸向玻璃封裝二極管僅在Y1方向上沖擊),14700m/s2,0.5ms。5.34掃頻振動(dòng)掃頻振動(dòng)按GB/T4937.12—2018進(jìn)行試驗(yàn)。在X1、Y1和Z1的每個(gè)方向各進(jìn)行4次。5.35鹽氣(侵蝕)鹽氣(侵蝕)按GB/T4937.13—2018進(jìn)行試驗(yàn)。5.36內(nèi)部氣氛含量內(nèi)部氣氛含量按IEC60749-7:2011進(jìn)行試驗(yàn)。高壓蒸煮按IEC60749-33:2022進(jìn)行試驗(yàn)，溫度為121℃,時(shí)間為96h,2個(gè)標(biāo)準(zhǔn)氣壓。5.38穩(wěn)態(tài)總劑量輻射穩(wěn)態(tài)總劑量輻射按GB/T4937.18—2018進(jìn)行試驗(yàn)。5.39單粒子效應(yīng)單粒子效應(yīng)按QJ10005—2008進(jìn)行試驗(yàn)。5.40破壞性物理分析(DPA)破壞性物理分析(DPA)應(yīng)按照器件具體封裝、類型和宇航任務(wù)要求制定DPA方案，方案至少應(yīng)包括樣品的基本結(jié)構(gòu)信息、檢驗(yàn)項(xiàng)目、試驗(yàn)方法和程序、缺陷判據(jù)，一般每檢驗(yàn)批抽樣3只～5只。DPA的檢驗(yàn)項(xiàng)目至少應(yīng)包含以下項(xiàng)目：——外部目檢，按照5.2的規(guī)定進(jìn)行；——X射線檢查，按照5.19的規(guī)定進(jìn)行；——PIND(適用于密封空腔結(jié)構(gòu)),按照5.13的規(guī)定進(jìn)行；——密封(適用于密封空腔結(jié)構(gòu)),按照5.14、5.15的規(guī)定進(jìn)行；——內(nèi)部氣氛含量(適用于密封空腔結(jié)構(gòu)),按照5.36的規(guī)定進(jìn)行；——內(nèi)部目檢，按照5.1的規(guī)定進(jìn)行；——鍵合強(qiáng)度，按照5.8的規(guī)定進(jìn)行；——掃描電子顯微鏡檢查，按照5.9的規(guī)定進(jìn)行；——剪切強(qiáng)度，按照GB/T4937.19—2018的規(guī)定進(jìn)行。5.41低氣壓(只適用于額定電壓大于200V的器件)低氣壓按GB/T4937.2—2006進(jìn)行試驗(yàn)。5.42靜電放電敏感度(ESDS)靜電放電敏感度(ESDS)按IEC60749-26:2018進(jìn)行試驗(yàn)。耐焊接熱按GB/T4937.15—2018進(jìn)行試驗(yàn)。5.44預(yù)處理預(yù)處理按GB/T4937.30—2018進(jìn)行試驗(yàn)。5.45回流焊模擬回流焊模擬按GB/T4937.20—2018進(jìn)行試驗(yàn)。引出端強(qiáng)度按GB/T4937.14—2018進(jìn)行試驗(yàn)。5.47強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱按GB/T4937.4—20126檢驗(yàn)規(guī)則6.1通則進(jìn)行試驗(yàn)，試驗(yàn)溫度130℃,濕度85%RH,時(shí)間96h。對(duì)器件的質(zhì)量保證應(yīng)按GB/T4589.1—2006中的第3章以及本文件的要求實(shí)施。除非另有規(guī)定，承受了破壞性試驗(yàn)的器件不能作為合格品交付使用，承受了非破壞性試驗(yàn)的器件通過驗(yàn)收可作為合格品交付使用。6.2檢驗(yàn)分類檢驗(yàn)分類如下：b)鑒定檢驗(yàn)；c)質(zhì)量一致性檢驗(yàn)；d)用戶方監(jiān)制(適用時(shí));e)用戶方驗(yàn)收(適用時(shí))。6.3試驗(yàn)和檢驗(yàn)的環(huán)境條件除非另有規(guī)定，試驗(yàn)和檢驗(yàn)的環(huán)境條件要求如下：a)電測(cè)量環(huán)境溫度：25℃±3℃;b)其他試驗(yàn)環(huán)境溫度：25℃±10℃;c)環(huán)境相對(duì)濕度：20%～80%;承制方一次提交進(jìn)行鑒定檢驗(yàn)或質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的全部器件構(gòu)成一個(gè)器件檢驗(yàn)批。每個(gè)檢驗(yàn)批的器件由同一封裝形式和引線鍍涂工藝制造的來自同一晶圓批的同一種型號(hào)的器件組成。所有的器件均應(yīng)在不超過31天內(nèi)在同一生產(chǎn)線上采用從芯片燒結(jié)到最后密封都相同的工藝制造。對(duì)每個(gè)檢驗(yàn)子批均應(yīng)能識(shí)別，以保持從晶圓批到檢驗(yàn)批中對(duì)各子批的可追溯性。承制方一次提交進(jìn)行鑒定檢驗(yàn)或質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的全部器件構(gòu)成一個(gè)器件檢驗(yàn)批。每個(gè)檢驗(yàn)批的器件由同一種型號(hào)的器件組成，或由采用同一種封裝形式和引線鍍涂工藝的結(jié)構(gòu)相似的(器件)子批組成。所有的器件均應(yīng)在同一生產(chǎn)線上采用從芯片燒結(jié)到最后密封都相同的工藝制造。其封裝應(yīng)在不超過6周的同一期間內(nèi)完成。封裝批的識(shí)別應(yīng)從封裝批的構(gòu)成開始，一直保持到被接收為止，并應(yīng)能追溯到形成該檢驗(yàn)批的生產(chǎn)批。對(duì)外購芯片，檢驗(yàn)批由一個(gè)晶圓批組成。6.5篩選級(jí)器件應(yīng)根據(jù)器件類型和規(guī)定的質(zhì)量保證等級(jí)，100%按表5規(guī)定的試驗(yàn)順序和所允許的不合格品率(PDA)經(jīng)受并通過所有適用的篩選試驗(yàn)。批的數(shù)據(jù)記錄應(yīng)標(biāo)明器件的失效點(diǎn)和實(shí)際的不合格品率(適用時(shí))。在交貨前，應(yīng)將所有失效器件從批中剔除，且不應(yīng)再次提交篩選。承制方應(yīng)建立一套處理篩除的失效品的程序。必要時(shí)應(yīng)對(duì)篩出的失效品進(jìn)行評(píng)價(jià)，以確定失效的根本原因，并提供持續(xù)改進(jìn)器件質(zhì)量的方法。6.5.2允許的不合格品率(PDA)相關(guān)訂貨文件中應(yīng)規(guī)定用于PDA計(jì)算所選定的電參數(shù)，應(yīng)對(duì)這些參數(shù)在耐久性試驗(yàn)前后的數(shù)值變化(△)進(jìn)行比較，以確定該批器件是否出現(xiàn)了穩(wěn)定性問題。序號(hào)試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)方法及技術(shù)要求ABC1內(nèi)部目檢5.1及4.8.12高溫壽命5.4及4.8.43溫度循環(huán)(空氣一空氣)5.5及4.8.5浪涌5.10及4.8.10熱響應(yīng)5.11及4.8.114恒定加速度5.12及4.8.12 一表5篩選(續(xù))序號(hào)試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)方法及技術(shù)要求ABC5粒子碰撞噪聲檢測(cè)試驗(yàn)5.13及4.8.136密封細(xì)檢漏5.14及4.8.14選做粗檢漏5.15及4.8.157中間測(cè)試電參數(shù)5.3及4.8.3100%(讀取并記錄數(shù)據(jù))8高溫反偏(HTRB)晶體管5.16及4.8.165.17及4.8.17二極管5.18及4.8.189中間電測(cè)試(要求計(jì)算PDA和△變化5.3及4.8.3100%(測(cè)試所有要求的電參數(shù)；在去掉24h內(nèi)測(cè)試漏電流；記錄有△變化量要求的電參數(shù))耐久性試驗(yàn)二極管5.6及4.8.6少240h100%至少160h晶體管5.7及4.8.7老煉后測(cè)試(要求計(jì)算PDA和△變化5.3及4.8.3A2分組，讀取并記錄電測(cè)試參數(shù)和△變化量A2分組，不要求變化量終點(diǎn)測(cè)試5.3及4.8.3用戶要求時(shí)，A3分組密封細(xì)檢漏5.14及4.8.14—粗檢漏5.15及4.8.15—X射線照相5.19及4.8.19選做——外部目檢5.2及4.8.2超聲掃描5.20及4.8.20用戶要求時(shí)6.5.3篩選的方法和程序除非另有規(guī)定，承制方按照表5規(guī)定的項(xiàng)目、試驗(yàn)方法和要求對(duì)器件進(jìn)行篩選。在環(huán)境和機(jī)械試驗(yàn)過程中發(fā)生的物理結(jié)構(gòu)失效，例如粒子碰撞噪聲檢測(cè)試驗(yàn)、密封性、外部目檢等。若老煉后器件的參數(shù)變化大于電參數(shù)的允許變化范圍(△),則視為發(fā)生參數(shù)漂移失效。若器件的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)超出訂貨文件規(guī)定的室溫、高溫或低溫電參數(shù)測(cè)試極限，則視為發(fā)生參數(shù)超差失效。當(dāng)測(cè)量出現(xiàn)測(cè)量值超過訂貨文件規(guī)定極限值的2個(gè)數(shù)量級(jí)時(shí)，為參數(shù)嚴(yán)重超差失效。器件喪失規(guī)定的功能，視為發(fā)生功能失效。出現(xiàn)6.5.4.1所描述的一種或多種失效的器件應(yīng)視為失效器件，對(duì)失效器件應(yīng)嚴(yán)格隔離。篩選過程中發(fā)現(xiàn)功能失效或參數(shù)嚴(yán)重超差的器件時(shí)，應(yīng)進(jìn)行失效分析；如失效分析結(jié)論認(rèn)為該批次器件具有批次性問題，則整批器件不應(yīng)提交驗(yàn)收。對(duì)老煉試驗(yàn)后失效的器件，應(yīng)提交試驗(yàn)數(shù)據(jù)。有條件時(shí)(如未進(jìn)行后續(xù)破壞性試驗(yàn)),用戶方有權(quán)進(jìn)行復(fù)測(cè)檢查。一旦批失效發(fā)生，承制方應(yīng)按6.5.4.2進(jìn)行處理。批失效包括：a)篩選過程發(fā)生6.5.4.1.2、6.5.4.1.3和6.5.4.1.4失效數(shù)量的比例超過規(guī)定的PDA;b)出現(xiàn)6.5.4.1.1所描述的失效具有批次性。提交鑒定的器件應(yīng)當(dāng)通過篩選試驗(yàn)。當(dāng)某一器件按給定的質(zhì)量等級(jí)鑒定合格，并滿足其他質(zhì)量等組的所有要求，且經(jīng)批準(zhǔn)的篩選設(shè)施可以滿足其他質(zhì)量等級(jí)試驗(yàn)和應(yīng)力水平的要求，則鑒定機(jī)構(gòu)可以將鑒定擴(kuò)展到其他質(zhì)量等級(jí)。鑒定檢驗(yàn)不應(yīng)采用小批量抽樣方案。6.6.2鑒定檢驗(yàn)的要求和試驗(yàn)項(xiàng)目鑒定檢驗(yàn)的要求和試驗(yàn)項(xiàng)目應(yīng)符合6.7.4的要求。此外，還應(yīng)按照表12、表13的檢驗(yàn)要求和試驗(yàn)項(xiàng)目開展E組檢驗(yàn)。除訂貨文件規(guī)定允許使用電參數(shù)不合格的器件作為樣品的試驗(yàn)項(xiàng)目外，所有進(jìn)行B、C、D(需要時(shí))和E組檢驗(yàn)的器件均應(yīng)首先通過A組檢驗(yàn)。6.7質(zhì)量一致性檢驗(yàn)凡通過了6.6規(guī)定的鑒定檢驗(yàn)的檢驗(yàn)批，可不再進(jìn)行質(zhì)量一致性檢驗(yàn)。質(zhì)量一致性檢驗(yàn)分A組、B組、C組和D組(需要時(shí))。質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的樣本應(yīng)在同一檢驗(yàn)批中隨機(jī)抽取，除非另有規(guī)定，抽樣應(yīng)采取零失效方案。在質(zhì)量一致性檢驗(yàn)過程中如發(fā)生器件失效，則質(zhì)量一致性檢驗(yàn)判為不合格，且該檢驗(yàn)批不應(yīng)進(jìn)行第二次質(zhì)量一致性檢驗(yàn)。對(duì)連續(xù)生產(chǎn)的器件應(yīng)按6.7.4的規(guī)定進(jìn)行質(zhì)量一致性檢驗(yàn)。對(duì)生產(chǎn)中斷超過30d的器件應(yīng)按封裝批逐批進(jìn)行質(zhì)量一致性檢驗(yàn)。在同一周內(nèi)封裝同一類型的器件視為一個(gè)封裝批。質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的樣本應(yīng)在同一檢驗(yàn)批中隨機(jī)抽取，除非另有規(guī)定，抽樣試驗(yàn)應(yīng)取合格判定數(shù)(C)為0的抽樣方案。小批量質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的抽樣應(yīng)按表7、表9的規(guī)定。其中小批量的規(guī)定為：a)對(duì)于二極管，電流額定值不小于3A的器件N≤100;電流額定值小于3A的器件N≤200;b)對(duì)于晶體管，功率額定值不小于1W的器件N≤100;功率額定值小于1W的器件N≤200。6.7.4質(zhì)量一致性檢驗(yàn)的項(xiàng)目和要求A組檢驗(yàn)的要求按照表6的規(guī)定。B組檢驗(yàn)的要求按照表7和表8的規(guī)定。C組檢驗(yàn)的要求按照表9和表10的規(guī)定。A級(jí)、B級(jí)器件的檢驗(yàn)周期為6個(gè)月，C級(jí)器件檢驗(yàn)周期為12個(gè)月。表6A組檢驗(yàn)分組試驗(yàn)項(xiàng)目“試驗(yàn)方法及技術(shù)要求抽樣方案樣品數(shù)(接收判定數(shù))外部目檢5.2及4.8.25.3及4.8.3最高額定工作溫度直流(靜態(tài))測(cè)試最低額定工作溫度直流(靜態(tài))測(cè)試5.3及4.8.35.3及4.8.3安全工作區(qū)測(cè)試(只對(duì)功率晶體管):a)直流；b)筘位電感(適用時(shí));終點(diǎn)電測(cè)試5.3及4.8.3表6A組檢驗(yàn)(續(xù))分組試驗(yàn)項(xiàng)目“試驗(yàn)方法及技術(shù)要求抽樣方案樣品數(shù)(接收判定數(shù))浪涌電流(僅對(duì)二極管)終點(diǎn)電測(cè)試5.10及4.8.105.3及4.8.3選擇性靜態(tài)和動(dòng)態(tài)測(cè)試5.3及4.8.3每分組中測(cè)試包括的具體參數(shù)由訂貨文件具體規(guī)定。b所有要求進(jìn)行抽樣的器件要滿足A2、A3和A4組。分組試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)方法及技術(shù)要求抽樣方案樣品數(shù)(接收判定數(shù))鑒定檢驗(yàn)和大批量的質(zhì)量一致性檢驗(yàn)小批量的質(zhì)量一致性檢驗(yàn)N≤200N≤100B1?可焊性5.21及4.8.2115線(0)4線(0)耐溶劑5.22及4.8.22熱沖擊(液體—液體)5.23及4.8.23溫度循環(huán)(空氣一空氣)5.5及4.8.5浪涌5.10及4.8.10細(xì)檢漏5.14及4.8.14粗檢漏5.15及4.8.155.3及4.8.3B3d耐久性試驗(yàn)二極管5.6及4.8.6晶體管5.7及4.8.7或間歇工作壽命5.24及4.8.24終點(diǎn)電測(cè)試5.3及4.8.3鍵合強(qiáng)度5.8及4.8.822線(0)22線(0)開帽內(nèi)部目檢(設(shè)計(jì)驗(yàn)證)5.1及4.8.15.9及4.8.9熱阻二極管5.25及4.8.25雙極型晶體管5.26及4.8.265.27及4.8.27閘流晶體管5.28及4.8.285.29及4.8.295.30及4.8.30分組試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)方法及技術(shù)要求抽樣方案樣品數(shù)(接收判定數(shù))鑒定檢驗(yàn)和大批量的質(zhì)量一致性檢驗(yàn)小批量的質(zhì)量一致性檢驗(yàn)N≤200N≤100高溫反偏晶體管5.16及4.8.165.17及4.8.17二極管5.18及4.8.18或高溫壽命5.4及4.8.4電參數(shù)測(cè)試5.3及4.8.3恒定加速度5.12及4.8.12粒子碰撞噪聲檢測(cè)試驗(yàn)5.13及4.8.13電參數(shù)測(cè)試5.3及4.8.3對(duì)不要求終點(diǎn)測(cè)試的所有分組試驗(yàn)，可采用同一檢驗(yàn)批中電參數(shù)不合格或者其他非嚴(yán)重不合格的器件(如X射線和粒子碰撞噪聲檢測(cè)試驗(yàn)不合格的器件)。不透明玻璃封裝、非空腔軸向引線二極管可不進(jìn)行該項(xiàng)試驗(yàn)。這項(xiàng)測(cè)試可在電參數(shù)測(cè)試之后進(jìn)行。除非另有規(guī)定，不統(tǒng)計(jì)終點(diǎn)電測(cè)試中小電流增益(hje)和漏電流的變化量。如果進(jìn)行過B組檢驗(yàn)的檢驗(yàn)批被選擇要求達(dá)到C組檢驗(yàn)的要求，340h或2000次循環(huán)壽命測(cè)試可延續(xù)到1000h或6000次循環(huán)來滿足C組壽命測(cè)試要求?？稍贑組壽命試驗(yàn)后進(jìn)行鍵合拉力試驗(yàn)?？蛇x擇在B3分組試驗(yàn)后進(jìn)行電測(cè)試以驗(yàn)證檢驗(yàn)批是否滿足B組的批接收要求，也可選擇在C6分組試驗(yàn)后進(jìn)行電測(cè)試以驗(yàn)證檢驗(yàn)批是否滿足B組和C組的批接收要求。大電流(電流額定值不小于3A)的二極管、大功率(功率額定值不小于1W)的晶體管，通過實(shí)測(cè)樣品的穩(wěn)態(tài)熱阻，控制器件達(dá)到最高結(jié)溫。有要求時(shí)，A級(jí)器件中電流額定值不小于3A的開關(guān)二極管、肖特基二極管和功率額定值不小于1W的開關(guān)晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)另增加一個(gè)分組進(jìn)行間歇壽命考核，至少2000次。表8C級(jí)的B組檢驗(yàn)分組試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)方法及技術(shù)要求抽樣數(shù)(接收判據(jù)數(shù))B1耐溶劑性*5.22及4.8.22B2可焊性5.21及4.8.2122線(0),最少3個(gè)器件B3超聲掃描5.20及4.8.20a適用時(shí)?？梢每蚣芑蚧鍣z驗(yàn)數(shù)據(jù)。分組試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)方法及技術(shù)要求抽樣方案樣品數(shù)(接收判定數(shù))鑒定檢驗(yàn)和大批量的質(zhì)量一致性檢驗(yàn)小批量的質(zhì)量一致性檢驗(yàn)N≤200N≤100物理尺寸重量5.2及4.8.25.31及4.8.316(0)熱沖擊5.23及4.8.2322(0)6(0)溫度循環(huán)(空氣-空氣)5.5及4.8.5引出端強(qiáng)度5.46及4.8.47密封細(xì)檢漏5.14及4.8.14粗檢漏5.15及4.8.15耐濕5.32及4.8.32外觀檢查5.2及4.8.2電參數(shù)測(cè)試5.3及4.8.3沖擊5.33及4.8.3322(0)6(0)掃頻振動(dòng)5.34及4.8.34恒定加速度'5.12及4.8.12電參數(shù)測(cè)試5.3及4.8.3鹽氣(侵蝕)“5.35及4.8.356(0)密封細(xì)檢漏5.14及4.8.14粗檢漏5.15及4.8.15熱阻二極管5.25及4.8.256(0)雙極型晶體管5.26及4.8.266(0)5.27及4.8.27閘流晶體管5.28及4.8.285.29及4.8.29GaAsFET5.30及4.8.30耐久性試驗(yàn)二極管5.6及4.8.632(0)22(0)晶體管5.7及4.8.7或間歇工作壽命5.24及4.8.24電參數(shù)測(cè)試5.3及4.8.3表9A級(jí)、B級(jí)的C組周期檢驗(yàn)(續(xù))分組試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)方法及技術(shù)要求抽樣方案樣品數(shù)(接收判定數(shù))鑒定檢驗(yàn)和大批量的質(zhì)量一致性檢驗(yàn)小批量的質(zhì)量一致性檢驗(yàn)N≤200N≤100內(nèi)部氣氛含量5.36及4.8.36對(duì)不要求終點(diǎn)測(cè)試的所有分組試驗(yàn)，可采用同一檢驗(yàn)批中電參數(shù)不合格或者其他非嚴(yán)重不合格的器件(如X射線和粒子碰撞噪聲檢測(cè)試驗(yàn)不合格的器件)。要求進(jìn)行電參數(shù)測(cè)試的分組，應(yīng)進(jìn)行表5中1～12項(xiàng)篩選。’不適用于外部和內(nèi)部壓力接點(diǎn)(芯片到電接觸頭),光耦合器和雙插頭二極管。如果進(jìn)行過B組檢驗(yàn)的檢驗(yàn)批被選擇要求達(dá)到C組檢驗(yàn)的要求，適用時(shí)，340h或2000次循環(huán)壽命測(cè)試可延續(xù)到1000h或6000次循環(huán)來滿足C組壽命測(cè)試要求?？稍贑組壽命試驗(yàn)后進(jìn)行鍵合拉力試驗(yàn)?？蛇x擇在B3分組試驗(yàn)后進(jìn)行電測(cè)試以驗(yàn)證檢驗(yàn)批是否滿足B組的批接收要求，也可選擇在C6分組試驗(yàn)后進(jìn)行電測(cè)試以驗(yàn)證檢驗(yàn)批是否滿足B組和C組的批接收要求。大電流(電流額定值不小于3A)的二極管、大功率(功率額定值不小于1W)的晶體管，通過實(shí)測(cè)樣品的穩(wěn)態(tài)熱阻，控制器件達(dá)到最高結(jié)溫。有要求時(shí)，A級(jí)器件中電流額定值不小于3A的開關(guān)二極管、肖特基二極管和功率額定值不小于1W的開關(guān)晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)另增加一個(gè)分組進(jìn)行間歇壽命考核，至少6000次。對(duì)非空腔器件，不要求。對(duì)內(nèi)部氣體含量如有特殊要求，應(yīng)在訂貨文件中說明。應(yīng)采用壽命試驗(yàn)后樣品進(jìn)行本試驗(yàn)。表10C級(jí)器件的C組檢驗(yàn)分組試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)方法及技術(shù)要求抽樣數(shù)(接收判據(jù)數(shù))外形尺寸5.2及4.8.2高壓蒸煮5.37及4.8.37耐久性試驗(yàn)二極管5.6及4.8.6晶體管5.7及4.8.7或間歇工作壽命5.24及4.8.24終點(diǎn)電測(cè)試5.3及4.8.3D組檢驗(yàn)的要求按照表11的規(guī)定。表11D組檢驗(yàn)(RHA試驗(yàn))”分組試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)方法及技術(shù)要求樣品數(shù)(接收判定數(shù))A級(jí)、B級(jí)穩(wěn)態(tài)總劑量輻射鑒定和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)5.38及4.8.382(0)只/晶圓或5(0)只/晶圓批或22(0)只/檢驗(yàn)批終點(diǎn)電參數(shù)測(cè)試5.3及4.8.3分組試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)方法及技術(shù)要求樣品數(shù)(接收判定數(shù))A級(jí)、B級(jí)單粒子效應(yīng)5.39及4.8.394(0)/檢驗(yàn)批在鑒定及發(fā)生可能影響器件單粒子效應(yīng)的設(shè)計(jì)或工藝更改時(shí)進(jìn)行，或當(dāng)訂貨文件或合同有規(guī)定時(shí)進(jìn)行。)對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)晶體管，應(yīng)遍歷每種偏置或選擇最嚴(yán)偏置。表12A級(jí)、B級(jí)的E組檢驗(yàn)(僅供鑒定用)分組試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)方法及技術(shù)要求抽樣方案樣品數(shù)(接收判定數(shù))熱沖擊5.23及4.8.23或溫度循環(huán)5.5及4.8.5密封"細(xì)檢漏5.14及4.8.14粗檢漏5.15及4.8.15電參數(shù)測(cè)試5.3及4.8.3耐久性試驗(yàn)二極管5.6及4.8.6晶體管5.7及4.8.7或間歇工作壽命5.24及4.8.24電參數(shù)測(cè)試5.3及4.8.3破壞性物理分析(DPA)5.40及4.8.40低氣壓(只適用于額定電壓大于200V的器件)5.41及4.8.41靜電放電敏感度(ESDS)5.42及4.8.42電參數(shù)測(cè)試5.3及4.8.3(適用時(shí))耐焊接熱5.43及4.8.43外部目檢5.2及4.8.2密封“細(xì)檢漏5.14及4.8.14粗檢漏5.15及4.8.15電參數(shù)測(cè)試5.3及4.8.3(適用時(shí))溫度循環(huán)5.5及4.8.5機(jī)械沖擊5.33及4.8.33掃頻振動(dòng)5.34及4.8.34外觀檢查5.2及4.8.2電參數(shù)測(cè)試5.3及4.8.3表12A級(jí)、B級(jí)的E組檢驗(yàn)(僅供鑒定用)(續(xù))分組試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)方法及技術(shù)要求抽樣方案樣品數(shù)(接收判定數(shù))這項(xiàng)測(cè)試可在電參數(shù)測(cè)試之后進(jìn)行?！箅娏?電流額定值不小于3A)的二極管、大功率(功率額定值不小于1W)的晶體管，應(yīng)通過樣本實(shí)測(cè)器件的穩(wěn)態(tài)熱阻數(shù)值，控制到最高結(jié)溫進(jìn)行耐久性試驗(yàn)。有要求時(shí)，A級(jí)器件中電流額定值不小于3A的開關(guān)二極管、肖特基二極管和功率額定值不小于10W的開關(guān)晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)另增加一個(gè)分組進(jìn)行間歇壽命考核，至少6000次。效。試驗(yàn)中由夾具或操作引起的標(biāo)記破壞不應(yīng)引起器件的拒收。由夾具或操作造成的標(biāo)識(shí)的損傷不會(huì)導(dǎo)致器件拒收。表13C級(jí)的E組檢驗(yàn)(僅供鑒定用)分組試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)方法及技術(shù)要求抽樣方案樣品數(shù)(接收判定數(shù))E1°超聲掃描5.20及4.8.20預(yù)處理5.44及4.8.44回流焊模擬”5.45及4.8.45終點(diǎn)電測(cè)試5.3及4.8.3超聲掃描5.20及4.8.20耐久性試驗(yàn)二極管5.6及4.8.6晶體管5.7及4.8.7終點(diǎn)電測(cè)試5.3及4.8.3超聲掃描5.20及4.8.20溫度循環(huán)5.5及4.8.5終點(diǎn)電測(cè)試5.3及4.8.3超聲掃描5.20及4.8.20強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱5.47及4.8.47終點(diǎn)電測(cè)試5.3及4.8.3超聲掃描5.20及4.8.20高壓蒸煮5.37及4.8.37終點(diǎn)電測(cè)試5.3及4.8.3鹽氣(侵蝕)5.35及4.8.35引出端強(qiáng)度5.46及4.8.4645線(0),最少3個(gè)器件靜電放電敏感度5.42及4.8.42終點(diǎn)測(cè)試5.3及4.8.31b、1c分組的試驗(yàn)的樣品從1a分組的試驗(yàn)后的樣品中隨機(jī)抽取。6回流模擬試驗(yàn)僅針對(duì)表貼塑封器件進(jìn)行，應(yīng)在潮濕吸附后4h內(nèi)完成。6.8用戶方監(jiān)制當(dāng)用戶方有要求時(shí)，可與承制方協(xié)商開展用戶方監(jiān)制，用戶方監(jiān)制可參考附錄B執(zhí)行或協(xié)商制定其他雙方認(rèn)可的方案。6.9用戶方驗(yàn)收當(dāng)用戶方有要求時(shí)，可與承制方協(xié)商開展用戶方驗(yàn)收，用戶方驗(yàn)收可參考附錄C執(zhí)行或協(xié)商制定其他雙方認(rèn)可的方案。7.1包裝和標(biāo)識(shí)規(guī)定如下。a)應(yīng)由無腐蝕性的材料制成。b)應(yīng)具有足夠的強(qiáng)度，能夠經(jīng)得起搬運(yùn)過程中的振動(dòng)和沖擊。c)應(yīng)具備足夠的抗靜電能力。d)應(yīng)能夠牢固的把所裝器件支撐在固定的位置。e)應(yīng)能保證器件引線不發(fā)生變形。f)應(yīng)沒有鋒利的棱角。成分的材料；應(yīng)使用具有低放氣指數(shù)、低塵粒脫落的材料制造。內(nèi)包裝上應(yīng)包括下列標(biāo)識(shí)內(nèi)容：a)型號(hào)規(guī)格；b)數(shù)量；c)生產(chǎn)批號(hào)和日期代號(hào)；e)防靜電標(biāo)識(shí)(必要時(shí))。7.1.2.2外包裝標(biāo)識(shí)(運(yùn)輸包裝)外包裝除應(yīng)在明顯位置標(biāo)識(shí)防潮防雨、防倒置、防振等標(biāo)識(shí)外，還應(yīng)注明：a)承制方名稱；b)承制方通信地址；c)用戶方收件人姓名和聯(lián)系電話；d)用戶方通信地址。性和其他腐蝕性物體堆放在一起。A級(jí)、B級(jí)包裝好的器件應(yīng)貯存在符合器件可靠性要求的貯存環(huán)境中，貯存期不應(yīng)超過36個(gè)月；C級(jí)器件應(yīng)采用防潮、防靜電包裝，并貯存在充有惰性氣體的密封容器內(nèi)，或貯存在采取有效防氧化措施(如加吸濕劑、防氧化劑等)的密封容器內(nèi)，交付前儲(chǔ)存期不應(yīng)超過18個(gè)月。(規(guī)范性)材料要求A.1總體要求按本文件供貨的器件的材料應(yīng)符合本附錄的規(guī)定。A.2封裝材料A.2.1外殼材料或包封材料按本文件要求供貨的A級(jí)、B級(jí)器件應(yīng)為氣密封裝，不應(yīng)使用有機(jī)或聚合材料作為管殼或管殼密封材料。C級(jí)器件允許使用有機(jī)或聚合材料作為封裝材料。在滿足使用和維護(hù)要求的前提下，C級(jí)器件宜盡可能采用有利于環(huán)境保護(hù)的材料。表A.1中列出17種對(duì)環(huán)境有害的材料，建議只有在其他材料不能滿足性能要求時(shí)，方可使用。表A.1有害材料清單序號(hào)材料名稱序號(hào)材料名稱汞及其化合物三氯乙烯2鉛及其化合物四氯乙烯3鎳及其化合物1,1,1-三氯乙烷4鎘及其化合物二氯甲烷5鉻及其化合物三氯甲烷6氰化物及其復(fù)合物四氯化碳7苯甲基異丁基酮8甲苯甲基乙基酮9二甲苯A.2.2內(nèi)部導(dǎo)體材料沿其整個(gè)長度與襯底熱接觸的內(nèi)部導(dǎo)體(如金屬化帶、接觸區(qū)和鍵合界面)在器件的最大額定電流下，導(dǎo)體材料(包括最壞狀況下的導(dǎo)體成分、截面積、關(guān)鍵界面尺寸的正常制造公差及諸如突起的臺(tái)階或接觸窗口這些關(guān)鍵區(qū)域的實(shí)際厚度所允許的)的電流密度超過了表A.2所示的數(shù)值。表A.2導(dǎo)體最大電流密度導(dǎo)體材料允許最大連續(xù)電流密度(脈沖為均方根值)A/cm2無玻璃鈍化的鋁(純度99.99%或摻雜的)GB/T43366—2023導(dǎo)體材料允許最大連續(xù)電流密度(脈沖為均方根值)A/cm2有玻璃鈍化的鋁(純度99.99%或摻雜的)金6×10?所有其他金屬(除另有規(guī)定外)2×10?A.2.2.2引線鍵合當(dāng)用鋁引線時(shí)不應(yīng)采用熱壓楔形鍵合。除另有規(guī)定外，不允許在芯片上進(jìn)行金-鋁鍵合。A.2.2.3芯片安裝TA為25℃時(shí)，最大額定功率大于1W的器件芯片安裝不應(yīng)使用純玻璃或?qū)щ娔z。A.2.3硅晶體管金屬化保護(hù)層所有Tc為25℃時(shí)最大額定值小于4W的硅晶體管應(yīng)在芯片有源區(qū)金屬化層上(不包括鍵合區(qū))覆蓋一層無機(jī)透明保護(hù)材料。對(duì)于A級(jí)器件(覆蓋結(jié)構(gòu)或擴(kuò)展金屬化層),淀積玻璃鈍化層的最小厚度。玻璃鈍化層應(yīng)覆蓋芯片上除鍵合區(qū)外的所有導(dǎo)體。對(duì)于A級(jí)器件(覆蓋結(jié)構(gòu)或擴(kuò)展金屬化層),除器件的功能特性參數(shù)要求更小間距外，所有非覆蓋導(dǎo)電通路間的間距不應(yīng)小于0.05mm.A.2.4關(guān)鍵界面材料除非作為原始設(shè)計(jì)的一部分，管殼、底座或法蘭器件的外表面應(yīng)光潔、無凹陷或凹坑。外露的部分零件或鍍涂層不應(yīng)起皮、裂紋(玻璃彎月面除外)、漏氣、軟化或變形，也不應(yīng)顯現(xiàn)對(duì)器件儲(chǔ)存、工作或環(huán)境適應(yīng)性產(chǎn)生有害影響的缺陷。對(duì)于B級(jí)器件，如需在管殼內(nèi)部使用硅酮或有機(jī)材料，應(yīng)與用戶協(xié)商。對(duì)于A級(jí)器件，不應(yīng)使用硅酮或有機(jī)材料，管殼內(nèi)不允許注入聚合物。不應(yīng)使用干燥劑。含有氧化鈹(BeO)的管殼應(yīng)進(jìn)行標(biāo)記，且不應(yīng)進(jìn)行研磨、機(jī)械加工、噴沙或經(jīng)受任何會(huì)產(chǎn)生鈹混合物粉塵的機(jī)械操作。不應(yīng)對(duì)任何含有鈹化合物的管殼進(jìn)行任何會(huì)產(chǎn)生含鈹或其化合物的霧氣的化學(xué)處理(如蝕刻)。A.3.1管殼鍍涂金屬外露部分(包括引線及引出端)在無外加覆蓋層的情況下應(yīng)滿足相應(yīng)的環(huán)境要求，或選擇符合A.3.2列出的一種方案進(jìn)行鍍涂。A級(jí)、B級(jí)器件不可采用純錫鍍涂任何表面，也不可采用純錫作底鍍層A.3.2引線鍍涂層詳細(xì)要求引線及引出端鍍涂層要求如下：a)對(duì)于所有采用熱浸焊料鍍涂的引線或引出端進(jìn)行安裝的器件，鍍涂層應(yīng)擴(kuò)展到安裝面，對(duì)于用導(dǎo)線焊接到不用于安裝器件的接線片或其他接線端的器件，焊料應(yīng)在所有方向覆蓋住設(shè)計(jì)連接區(qū)再擴(kuò)展1.27mm之內(nèi)的區(qū)域；b)若引線施加焊料時(shí)覆蓋了不符合表A.3規(guī)定的表面層，所有不符合規(guī)定的材料應(yīng)使用焊料覆蓋至管殼密封區(qū)或引線露出處，否則，批應(yīng)通過鹽氣試驗(yàn)(樣品數(shù)22只，接收判定數(shù)為0);c)所有浸焊料器件均應(yīng)參數(shù)測(cè)試合格；d)所有鍍金或鍍銀的銅或銅包引線首先應(yīng)鍍涂一層阻擋層以防止銅通過引線表面鍍涂層擴(kuò)散；e)銀引線或銀包層中銀的純度不