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文檔簡介

未知驅(qū)動探索，專注成就專業(yè)場效應(yīng)管參數(shù)大全場效應(yīng)管（FieldEffectTransistor）是一種重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電路和系統(tǒng)中。下面是一些場效應(yīng)管的常見參數(shù)：1.門電壓（GateVoltage，VGS）：指應(yīng)用在晶體管柵極和源極之間的電壓。2.源電壓（SourceVoltage，VS）：指應(yīng)用在晶體管源極和地之間的電壓。3.漏極電壓（DrnVoltage，VD）：指應(yīng)用在晶體管漏極和地之間的電壓。4.電流增益（Transconductance，gm）：指輸入和輸出之間的電流關(guān)系，其單位為毫西門子（mS）。5.閾值電壓（ThresholdVoltage，VTH）：指晶體管工作時需要的最小門電壓。6.飽和區(qū)電流（SaturationCurrent，IDSS）：指在飽和區(qū)時的最大漏極電流。7.最大漏極電流（MaximumDrnCurrent，IDmax）：指晶體管能夠承受的最大漏極電流。8.最大功耗（MaximumPowerDissipation，PDmax）：指晶體管能夠承受的最大功耗。9.輸出電阻（OutputResistance，RO）：指晶體管輸出端口的電阻。10.哈門效應(yīng)（HallEffect）：指晶體管中電流通過通道產(chǎn)生的電場效應(yīng)。這些參數(shù)對于選擇和設(shè)計電路中

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