1.1.2原子結(jié)構(gòu)高二學(xué)案（人教版2019選擇性必修2）

第一章原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)第一節(jié)原子結(jié)構(gòu)第二課時構(gòu)造原理與電子排布式學(xué)習(xí)目標(biāo)學(xué)習(xí)目標(biāo)1.了解原子核外電子排布的構(gòu)造原理2.能寫出136號元素基態(tài)原子的電子排布式，進(jìn)一步增強(qiáng)證據(jù)推理意識重點：前四周期基態(tài)原子電子排布式、簡化電子排布式、價層電子排布式的書寫難點：對構(gòu)造原理的理解自主學(xué)習(xí)自主學(xué)習(xí)1、構(gòu)造原理(1)含義：隨著原子核電荷數(shù)的遞增，絕大多數(shù)元素的原子核外電子將遵循以下順序填充到各能級中：1s、2s、2p、3s、3p、4s、3d、4p、5s、4d、5p、6s、4f、5d、6p、7s……這個排列順序被稱為構(gòu)造原理(2)示意圖規(guī)律(1)原子核外電子填充的順序：ns＜(n－2)f＜(n－1)d＜np(2)各能級的能量高低順序可以表示為(n表示能層序數(shù))=1\*GB3①Ens＞E(n1)s＞E(n2)s=2\*GB3②Enp＞E(n1)p＞E(n2)p=3\*GB3③End＞E(n1)d＞E(n2)d=4\*GB3④Enf＞E(n1)f＞E(n2)f=5\*GB3⑤Ens＜E(n－2)f＜E(n－1)d＜Enp(3)電子按照構(gòu)造原理排布，會使整個原子的能量處于最低狀態(tài)，原子相對較穩(wěn)定【微點撥】①構(gòu)造原理是絕大多數(shù)基態(tài)原子的核外電子排布順序②從構(gòu)造原理圖可以看出，從第三能層開始，不同能層的能級出現(xiàn)“能級交錯”現(xiàn)象。“能級交錯”指電子層數(shù)較大的某些能級的能量反而低于電子層數(shù)較小的某些能級的能量的現(xiàn)象，如：4s＜3d、6s＜4f＜5d2、電子排布式(1)概念：將能級上所排布的電子數(shù)標(biāo)注在該能級符號右上角，并按照能層從左到右的順序排列的式子(2)表示方法(3)電子排布式中各符號、數(shù)字的意義：nsx，n表示能層，s表示能級，x表示該能級上有x個電子如如：Al原子電子排布式中各符號、數(shù)字的意義為(4)“三步法”書寫電子排布式：構(gòu)造原理是書寫基態(tài)原子電子排布式的依據(jù)①第一步：按照構(gòu)造原理寫出電子填入能級的順序，1s→2s→2p→3s→3p→4s→3d→4p→5s→4d→5p→6s……②第二步：根據(jù)各能級容納的電子數(shù)填充電子③第三步：去掉空能級，并按照能層順序排列即可得到電子排布式如：氮、鈉、鈣的電子排布式分別為1s22s22p3、1s22s22p63s1、1s22s22p63s23p64s23、簡化的電子排布式：將電子排布式中的內(nèi)層電子排布用相應(yīng)的稀有氣體元素符號加方括號來表示而得到的式子稱為簡化的電子排布式，如：氮、鈉、鈣的簡化電子排布式分別為[He]2s22p3、[Ne]3s1、[Ar]4s24、離子的電子排布式書寫：原子失去電子時總是先失去最外層電子，然后失去次外層電子，之后是倒數(shù)第三層電子……對于主族元素的原子來說，一般只失去最外層電子，而過渡元素的原子可能還會進(jìn)一步失去內(nèi)層電子；原子得到電子時，一般總是填充到最外能層未填滿的能級上，如：Fe位于第四周期第Ⅷ族，其原子的核外電子排布式為[Ar]3d64s2，F(xiàn)e2＋的核外電子排布式為[Ar]3d6，F(xiàn)e3＋的核外電子排布式為[Ar]3d55、相對穩(wěn)定的狀態(tài)：能量相同的原子在全充滿(p6、d10、f14)或半充滿(p3、d5、f7)時，體系的能量較低，原子較穩(wěn)定，如：24Cr存在半充滿1s22s22p63s23p63d54s1，29Cu存在全充滿1s22s22p63s23p63d104s11~36號元素的原子基態(tài)電子排布式和簡化電子排布式(價電子排布式用橫線標(biāo)示出來)元素符號電子排布式簡化電子排布式元素符號電子排布式簡化電子排布式1H19K2He20Ca3Li21Sc4Be22Ti5B23V6C24Cr7N25Mn8O26Fe9F27Co10Ne28Ni11Na29Cu12Mg30Zn13Al31Ga14Si32Ge15P33As16S34Se17Cl35Br18Ar36Kr5、外圍電子排布式(價電子排布)(1)概念：將簡化電子排布式中的稀有氣體和中括號去掉得到的即為外圍電子排布式，也叫價電子排布氮鈉鈣鐵銅簡化電子排布式[He]2s22p3[Ne]3s1[Ar]4s2[Ar]3d64s2[Ar]3d104s1外圍電子排布式2s22p33s14s23d64s23d104s1(2)規(guī)律①主族元素的最外層電子就是外圍電子，又稱價電子②過渡元素的外圍電子一般包括最外層的s電子和次外層的d電子，有的還包括倒數(shù)第三層的f電子學(xué)習(xí)過程學(xué)習(xí)過程情景導(dǎo)入：通過剛才的視頻，我們回顧了以前學(xué)過的電子的運(yùn)動狀態(tài)和前三周期的原子結(jié)構(gòu)示意圖的書寫，那么第四周期元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖該如何書寫，原子核外的電子排布還有哪些其他的表達(dá)方式，今天我們就來研究這方面的問題。一、構(gòu)造原理任務(wù)一、認(rèn)識構(gòu)造原理【學(xué)生活動】閱讀教材P8第二自然段，了解構(gòu)造原理，回答下列問題：1、構(gòu)造原理的內(nèi)容？以光譜學(xué)事實為基礎(chǔ)，從氫開始，隨核電荷數(shù)遞增，新增電子填入能級的順序稱為構(gòu)造原理2、構(gòu)造原理示意圖中：小圓圈表示一個能級，每一行對應(yīng)一個能層，箭頭引導(dǎo)的曲線顯示遞增電子填入能級的順序3、根據(jù)構(gòu)造原理示意圖，找出電子排布的順序？1s→2s→2p→3s→3p→4s→3d→4p→5s→4d→5p→6s→4f→5d→6p→7s→5f→6d→7p任務(wù)二、探究電子的填充順序【學(xué)生活動】小組合作討論，仔細(xì)觀察構(gòu)造原理示意圖，回答以下問題：1、從能層的角度看，電子的填充順序規(guī)律是怎樣的？電子先填滿一個能層，再繼續(xù)填下一個能層；填充時，從第一能層開始，依次填入2、從能級的角度看，電子的填充順序規(guī)律是怎樣的？電子先填滿一個能級，再繼續(xù)填下一個能級；填充時，從s能層開始，依次填入p、d、f能級3、電子填充的順序，有沒有特殊情況出現(xiàn)？電子并不總是填滿一個能層后再開始填入下一個能層，例如從第三層開始，填充完3p之后，先填充的是第四層的s能級任務(wù)三、探究能級交錯的現(xiàn)象【學(xué)生活動】閱讀教材P10第二、三自然段，回答以下問題：1、能級交錯的內(nèi)容？構(gòu)造原理告訴我們，隨核電荷數(shù)遞增，電子并不總是填滿一個能層后再開始填入下一個能層的。這種現(xiàn)象被稱為能級交錯2、構(gòu)造原理呈現(xiàn)的能級交錯源于光譜學(xué)事實，是經(jīng)驗的，而不是任何理論推導(dǎo)的結(jié)果。構(gòu)造原理是一個思維模型，是個假想過程。3、Cr和Cu最后兩個能級的電子排布是什么？Cr:3d54s1Cu:3d104s1活動一、舉一反三，通過教師講授一個表達(dá)式，學(xué)生能夠自己說出3s1、2p3、4p5、3d10、4f12這5個表達(dá)式的涵義3s1：表示第三能層，s能級上，填充1個電子2p3：表示第二能層，p能級上，填充3個電子4p5：表示第四能層，p能級上，填充5個電子3d10：表示第三能層，d能級上，填充10個電子4f12：表示第四能層，f能級上，填充12個電子活動二、各小組討論剩余元素基態(tài)原子電子排布式的書寫，到黑板補(bǔ)充8O：1s22s22p413Al：1s22s22p63s23p116S：1s22s22p63s23p417Cl：1s22s22p63s23p526Fe：1s22s22p63s23p63d64s231Ga：1s22s22p63s23p63d104s24p135Br：1s22s22p63s23p63d104s24p529Cu：1s22s22p63s23p63d104s124Cr：1s22s22p63s23p63d54s1活動三、閱讀教材P11思考與討論第一題，小組合作討論，回答其中的問題【思考與討論】按照構(gòu)造原理寫出稀有氣體氦、氖、氬、氪、氙、氡、的基態(tài)原子的最外層電子排布；除氦外它們的通式是什么？He：1s2Ne：2s22p6Ar：3s23p6Kr：4s24p6Xe：5s25p6Rn：6s26p6Og：7s27p6通式：ns2np6任務(wù)四、利用電子排布式書寫鈦、錳、鐵、鋅、鉻、銅、鍺、砷、氪的原子結(jié)構(gòu)示意圖【學(xué)生活動】書寫鈦、錳、鐵、鋅、鉻、銅、鍺、砷、氪的原子結(jié)構(gòu)示意圖。分組討論，完成填空，到黑板前展示填寫結(jié)果，大家共同探討22Ti:25Mn：26Fe：30Zn：24Cr：29Cu：32Ge：33As:36Kr：任務(wù)五、探究簡化的電子排布式【學(xué)生活動】閱讀教材P11思考與討論第二題，回答其中的問題【思考與討論】電子排布式可以簡化，如鈉的電子排布式可以簡化為[Ne]3s1。試問：上式方括號里的符號的意義是什么？內(nèi)層電子已達(dá)到稀有氣體結(jié)構(gòu)的部分請仿照鈉原子的簡化的電子排布式，寫出第8號元素氧、第14號元素硅和第29號元素銅的簡化電子排布式？8O:[He]2s22p414Si:[Ne]3s23p229Cu:[Ar]3d104s1任務(wù)六、探究價層電子排布式的相關(guān)內(nèi)容【學(xué)生活動】閱讀教材P11思考與討論第三題，小組討論，回答下列問題1、價電子層的定義：為突出化合價與電子排布的關(guān)系，將在化學(xué)反應(yīng)中可能發(fā)生電子變動的能級稱為價電子層(簡稱價層)。2、請從書末的元素周期表中找出Na、Al、Cl、Mn、Br的價層電子排布。11Na:3s113Al:3s23p117Cl:3s23p525Mn:3d54s235Br:4s24p53、查看書末元素周期表中前四周期元素的價層電子排布，總結(jié)不同族中，價層電子的排布規(guī)律，并寫出通式。①對于主族元素和零族元素來說，價電子就是最外層電子表示方法：IA、IIA：nsxIIIA0族：nsxnpy②對于副族和第VIII族元素來說，價電子除最外層電子外，還包括次外層電子表示方法：3dx4sy課堂練習(xí)課堂練習(xí)1．下列微粒中，未成對電子數(shù)最多的是A．O：1s22s22p4 B．P：1s22s22p63s23p3C．Cr：1s22s22p63s23p63d54s1 D．Mn：1s22s22p63s23p63d54s2【答案】C【詳解】2．下列說法正確的是A．HClO的電子式：B．2—丁烯的鍵線式：C．基態(tài)氧原子價電子排布圖：D．基態(tài)Cr原子電子排布式：【答案】B【詳解】A．次氯酸的結(jié)構(gòu)式為Cl—O—H，電子式為，故A錯誤；B．2—丁烯的結(jié)構(gòu)簡式為CH3CH=CHCH3，鍵線式為，故B正確；C．原子核外電子總是盡可能成單排列，而且自旋方向相同，這種排布使原子能量最低，處于穩(wěn)定狀態(tài)，則基態(tài)氧原子價電子排布圖為，故C錯誤；D．鉻元素的原子序數(shù)為24，基態(tài)原子的電子排布式為[Ar]3d54s1，故D錯誤；故選B。3．按照量子力學(xué)對原子核外電子運(yùn)動狀態(tài)的描述，下列說法不正確的是A．p能級有3個軌道B．s電子云輪廓圖為球形C．電子躍遷所得原子光譜可用于元素鑒定D．基態(tài)Si原子的2p能級與3p能級中的電子能量相同【答案】D【詳解】A．spd能級的軌道數(shù)分別為1、3、5，A正確；B．s電子云沒有特定的伸展方向，輪廓圖為球形，B正確；C．不同元素的電子躍遷所得原子光譜是不同的，可用于元素鑒定，C正確；D．相同能級，不同能層電子，能層越高，能量越高，D錯誤；故選D。4．某元素的原子有16個不同運(yùn)動狀態(tài)的電子，下列說法正確的是A．該元素的最高價氧化物為兩性氧化物B．基態(tài)原子中所有的電子占有3個能級，有9種空間運(yùn)動狀態(tài)C．基態(tài)原子中能量最高的電子的電子云的形狀為啞鈴形D．若將該基態(tài)原子的電子排布式寫成違背了泡利原理【答案】C【詳解】A．某核素核外共有16個不同運(yùn)動狀態(tài)的電子，則該元素為S元素，其最高價氧化物的水化物為硫酸，屬于強(qiáng)酸，A錯誤；B．原子核外電子排布為1s22s22p63s23p4，所有的電子占有5個能級，有9種空間運(yùn)動狀態(tài)，B錯誤；C．基態(tài)原子中能量最高的電子處于3p能級，電子云的形狀為啞鈴形，C正確；D．若將該原子的電子排布式寫成電子填充同一能級不同軌道時，優(yōu)先單獨占據(jù)一個軌道，且自旋方向相反，選項中排布式違背了洪特規(guī)則，D錯誤；故選C。5．下列化學(xué)用語使用正確的是A．甲醛的電子式 B．硫原子的價電子排布式3s23p4C．中子數(shù)為18的氯原子 D．明礬的化學(xué)式Al2(SO4)3【答案】B【詳解】A．甲醛的結(jié)構(gòu)簡式為HCHO，電子式為，A不正確；B．硫原子的電子排布式為1s22s22p63s23p4，價電子排布式3s23p4，B正確；C．中子數(shù)為18的氯原子，其質(zhì)量數(shù)為35，該核素符號為，C不正確；D．明礬的化學(xué)式KAl(SO4)2?12H2O，D不正確；故選B。6．下列說法正確的是（

）A．N2的電子式：B．基態(tài)碳原子的最外層電子軌道表達(dá)式：C．Zn2+的最外層電子排布式為3s23p63d10D．比例模型可以表示CH4分子，也可以表示CCl4分子【答案】C【詳解】A．N2的電子式為，故A錯誤；B．基態(tài)碳原子的最外層電子排布式為2s22p2，軌道表達(dá)式為，故B錯誤；C．Zn2+的最外層電子排布式為3s23p63d10，故C正確；D．氫原子半徑小于碳原子，氯原子半徑大于碳原子，則比例模型可以表示CH4分子，不能表示CCl4分子，故D錯誤；故選：C。7．下列說法正確的是A．Fe3+的最外層電子排布式為3s23p63d5B．p軌道電子能量一定高于s軌道電子能量C．雜化軌道既可以形成σ鍵，也可以形成π鍵D．根據(jù)原子核外電子排布的特點，Cu在元素周期表中位于d區(qū)【答案】A【詳解】A．Fe是26號元素，電子排布式為：【Ar】3d64s2，失去3個電子后形成Fe3+，電子式變?yōu)椋?s23p63d5，A正確；B．沒有指明p軌道電子和s軌道電子是否處于同一電子層，B錯誤；C．電子云以不同的形式重疊形成不同的共價鍵，如CH2=CH2中的C原子為sp2雜化，C原子形成3個σ鍵，但雜化軌道不形成π鍵，C錯誤；D．Cu的外圍電子排布式為3d104s1,位于元素周期表的ds區(qū)，D錯誤。故選A。8．下列說法中不正確的是A．處于最低能量的原子叫做基態(tài)原子 B．表示3p能級有兩個電子C．的電子排布式為 D．同一原子中，2p，3p，4p能級的軌道數(shù)依次增多【答案】D【詳解】A．原子的電子排布遵循構(gòu)造原理、能使整個原子的能量處于最低狀態(tài)，處于最低能量的原子叫做基態(tài)原子，吸收能量，可由基態(tài)電子躍遷到激發(fā)態(tài)，故A正確；B．3p2表示3p能級有2個電子，故B正確；C．有18個電子、按構(gòu)造原理，其電子排布式為，故C正確；D．同一原子中，2p、3p、4p能級的軌道數(shù)相等，都為3，故D錯誤。故選D。9．圖1和圖2分別是1s電子的概率密度分布圖和電子云輪廓圖。下列有關(guān)認(rèn)識正確的是A．圖1中的每個小黑點表示1個電子B．圖2表示1s電子只能在球體內(nèi)出現(xiàn)C．圖2表明1s電子云輪廓圖呈圓形，有無數(shù)對稱軸D．圖1中的小黑點的疏密表示電子在核外空間某處單位體積內(nèi)出現(xiàn)機(jī)會的多少【答案】D【詳解】A．小黑點表示電子出現(xiàn)的幾率，黑點越密集表示電子出現(xiàn)的概率越大，A錯誤；B．圖2是電子云輪廓圖，取電子云的90%的部分即出現(xiàn)概率較大的部分，界面外出現(xiàn)電子的概率為10%，即1s電子可能出現(xiàn)在球體外，B錯誤；C．1s軌道呈空間上的球形，而不是圓形，C錯誤；D．電子云就是用小黑點的疏密來表示電子出現(xiàn)概率大小的一種圖形，D正確；綜上所述答案為D。10．下列有關(guān)電子云和原子軌道的說法正確的是A．原子核外的電子像云霧一樣籠罩在原子核周圍，故稱電子云B．s能級的原子軌道呈球形，處在該軌道上的電子只能在球殼內(nèi)運(yùn)動C．p能級的原子軌道呈啞鈴形，隨著電子層數(shù)的增加，p能級原子軌道也在增多D．與s電子原子軌道相同，p電子原子軌道的平均半徑隨電子層數(shù)的增多而增大【答案】D【詳解】A．電子云是處于一定空間運(yùn)動狀態(tài)的電子在原子核外空間的概率密度分布的形象化描述，不是原子核外的電子像云霧一樣籠罩在原子核周圍，A錯誤；B．s能級的原子軌道為球形，電子云輪廓圖只包括電子出現(xiàn)概率90%的電子，即處在該軌道上的電子不僅能在球殼內(nèi)運(yùn)動，也可在球殼外運(yùn)動，只是在球殼外運(yùn)動概率較小，B錯誤；C．任何能層的p能級都只有3個原子軌道，不會隨著電子層的增加而增多，C錯誤；D．距離原子核越遠(yuǎn)的電子，其能量越大，所以p原子軌道電子的平均能量也會隨能層的增大而增加，D正確；故答案為：D。11．通常情況下，原子核外p能級、d能級等原子軌道上電子排布為“全空”、“半滿”、“全滿”的時候一般更加穩(wěn)定，稱為洪特規(guī)則的特例。下列事實能作為這個規(guī)則證據(jù)的是A．元素氦(He)的第一電離能遠(yuǎn)大于元素氫(H)的第一電離能B．26Fe2＋容易失電子轉(zhuǎn)變成26Fe3＋，表現(xiàn)出較強(qiáng)的還原性C．基態(tài)銅(Cu)原子的電子排布式為[Ar]3d104s1而不是[Ar]3d94s2D．某種激發(fā)態(tài)碳(C)原子排布式為1s22s12p3而不是1s22s22p2【答案】C【詳解】A．H、He原子核外p能級、d能級等原子軌道上電子排布均為“全空”，H原子核外只有一個電子，未達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，He原子核外有2個電子，已經(jīng)達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，不能用此規(guī)則來判斷第一電離能的大小，A項不符合題意；B．基態(tài)Fe2+的價電子排布式為3d6，26Fe2+容易失電子轉(zhuǎn)變成26Fe3+，失去電子時都是從外到內(nèi)失去，基態(tài)Fe3+的價電子排布式為3d5，鐵離子也容易得電子生成亞鐵離子，不能用此規(guī)則來判斷，B項不符合題意；C．基態(tài)銅(Cu)原子的電子排布式為[Ar]3d104s1而不是[Ar]3d94s2，[Ar]3d104s1中d軌道處于全滿，s軌道處于半滿，能用此規(guī)則來判斷，C項符合題意；D．激發(fā)態(tài)的原子是基態(tài)原子吸收能量后發(fā)生電子躍遷形成的，不能用此規(guī)則來判斷，D項不符合題意；答案選C。12．下列有關(guān)化學(xué)用語正確的是A．基態(tài)電子排布式為：B．電子式為C．氮原子的軌道表示式是：D．的原子結(jié)構(gòu)示意圖：【答案】A【詳解】A．核外有18個電子，則基態(tài)電子排布式為：，故A正確；B．電子式為，故B錯誤；C．軌道表示式要遵循泡利原理，則氮原子的軌道表示式是：，故C錯誤；D．的質(zhì)子數(shù)為7，則的原子結(jié)構(gòu)示意圖：，故D錯誤。綜上所述，答案為A。13．下列有關(guān)化學(xué)用語使用正確的是A．基態(tài)Se原子的簡化電子排布式：B．甲基正離子的電子式：C．石英的分子式：D．氮原子核外電子排布的軌道表示式：【答案】D【詳解】A．Se是34號元素，基態(tài)Se原子的簡化電子排布式為[Ar]3d104s24p4，是價電子排布式，故A錯誤；B．甲基正離子()是CH3失去一個電子形成的陽離子，其電子式為，故B錯誤；C．石英為共價晶體，不存在分子，其化學(xué)式為SiO2，不能稱為分子式，故C錯誤；D．氮為7號元素，原子核外電子排布的軌道表示式為，故D正確；故選D。14．下列化學(xué)用語正確的是A．Br原子的價電子排布式：3d104S24p5 B．NH4H的電子式：C．聚丙烯的結(jié)構(gòu)簡式 D．HClO的結(jié)構(gòu)式：HOCl【答案】D【詳解】A．溴元素為VIIA族元素，因此Br原子的價電子排布式：4s24p5，故A錯誤；B．NH4H的電子式：，故B錯誤；C．聚丙烯的結(jié)構(gòu)簡式，故C錯誤；D．O顯2價，形成2個共價鍵，HClO的結(jié)構(gòu)式：HOCl，故D正確；故選D。15．下列敘述正確的是A．能級就是電子層B．對于確定的n值，其原子軌道數(shù)為n2(n表示電子層)C．基態(tài)K原子的最高能級符號為3sD．不同電子層中的s能級的能量高低相同【答案】B【詳解】A．根據(jù)電子圍繞原子核運(yùn)動時離核的遠(yuǎn)近及能量的高低，將原子核外電子運(yùn)動的空間分成不同的層次，這些不同的層次就是電子層，也就是能層，同一電子層可分為若干個能級，A錯誤；B．對于原子核外確定能層，假設(shè)能層序號是n值，其所含有的原子軌道數(shù)為n2，B正確；C．基態(tài)K原子的核外電子占據(jù)的最高能級符號為，C錯誤；D．不同電子層中的s能級離原子核的遠(yuǎn)近不同，離核越遠(yuǎn)，能量越高，所以s能級的能量隨電子層序數(shù)的增大而升高，D錯誤；故合理選項是B。16．原子光譜：利用原子光譜儀將物質(zhì)或的頻率(或波長)和強(qiáng)度分布記錄下來得到光譜?！敬鸢浮课瞻l(fā)射【解析】略17．常溫時，通過NaOH溶液或硫酸改變飽和氯水的pH，溶液中含氯微粒的物質(zhì)的量分?jǐn)?shù)與pH的關(guān)系如圖所示?；卮鹣铝袉栴}：(1)Cl的核外電子占有個原子軌道，中的化學(xué)鍵類型是，HClO的電子式是。(2)解釋A點溶液pH=7.54的主要原因：。(3)結(jié)合圖象，從平衡移動的角度解釋B點向右Cl物質(zhì)的量分?jǐn)?shù)增大的主要原因：①；②。(4)估算圖象中Cl物質(zhì)的量分?jǐn)?shù)的上限。【答案】9共價鍵HClO與ClO濃度相同，但ClO的水解程度大于HClO的電離程度，所以溶液呈弱堿性，隨NaOH加入，c(H+)減小，平衡正向移動，c(Cl)增大，隨c(Cl2)減小，平衡正向移動，c(Cl)增大0.5【詳解】(1)Cl的核外電子有18個電子，核外電子排布式為1s22s22p63s23p6，占有9個原子軌道，中氯原子之間通過共價鍵相結(jié)合，故化學(xué)鍵類型是共價鍵，HClO分子內(nèi)氧原子分別和氫原子、氯原子共用1對電子對，電子式是。(2)由圖知，A點溶液中含氯微粒為HClO與ClO、且HClO與ClO濃度相同，HClO呈弱酸性，ClO濃度因水解使溶液呈堿性，但ClO的水解程度大于HClO的電離程度，所以溶液呈弱堿性。(3)B點向右即加入NaOH溶液使飽和氯水的pH增大，①B點溶液存在反應(yīng)：，則隨NaOH加入，c(H+)減小，平衡正向移動，c(Cl)增大；②由圖知，B點還存在Cl、Cl2、Cl；則存在，隨c(Cl2)減小，平衡正向移動，c(Cl)增大。(4)堿性越強(qiáng)時，含氯微粒為氯離子和次氯酸根離子，按得失電子數(shù)守恒，+1加氯和1價氯等物質(zhì)的量，則Cl物質(zhì)的量分?jǐn)?shù)的上限為0.5。18．基態(tài)F原子的價電子排布圖(軌道表示式)為?！敬鸢浮俊驹斀狻縁為第9號元素其電子排布為1s22s22p5，則其價電子排布圖為。19．按要求完成下列問題：(1)第三周期中半徑最大的元素A，其基態(tài)原子的價層電子軌道表示式為；(2)B元素的負(fù)二價離子電子層結(jié)構(gòu)與氖相同，寫出B離子的電子排布式；(3)元素C的M層p軌道電子比s軌道電子多2個，寫出元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖：；(4)元素D處于周期表第四周期第ⅦB族，其原子的價電子排布式為；(5)某元素E的激發(fā)態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p34s1，則該元素基態(tài)原子的電子排布式為；(6)元素F基態(tài)原子核外有8個原子軌道占有電子，則該原子電子排布式是：；(7)G元素基態(tài)原子的M層全充滿，N層沒有成對電子，只有一個未成對電子，G的元素符號為