半導(dǎo)體制造技術(shù)智慧樹(shù)知到期末考試答案2024年

半導(dǎo)體制造技術(shù)智慧樹(shù)知到期末考試答案2024年半導(dǎo)體制造技術(shù)當(dāng)使用負(fù)膠進(jìn)行光刻時(shí)，曝光部分發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，變得不可溶解。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)液化是指氣體變?yōu)橐后w。（）

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤氫氟酸可以盛放在玻璃杯中儲(chǔ)存。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)汽化是指液體變?yōu)闅怏w的過(guò)程。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)所有的外延層都是同質(zhì)外延。（）

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確暗場(chǎng)掩膜版的大部分被鉻覆蓋。（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確半導(dǎo)體級(jí)硅的純度99.999%。（）

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確光刻工藝的第一步是對(duì)硅片表面進(jìn)行清洗后直接旋涂光刻膠。（）

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確多晶的原子排列短程有序長(zhǎng)程無(wú)序。（）

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤區(qū)熔法制備的單晶硅直徑大于直拉法制備的單晶硅直徑。（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確當(dāng)使用負(fù)膠進(jìn)行光刻時(shí)，晶片上得到的圖形與掩膜版上的圖形相反。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)所有晶體材料，比如單晶，熱膨脹是各向異性的。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)亮場(chǎng)掩膜版有大面積透明的石英，只有很細(xì)的鉻圖形。（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確外延層的襯底可以是多晶。（）

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤（）是光刻膠的核心部分。

A:光源B:感光樹(shù)脂C:感光劑D:溶劑答案:感光樹(shù)脂常用的光刻膠分為（）。

A:負(fù)性光刻膠B:正性光刻膠C:G線D:I線答案:正性光刻膠###負(fù)性光刻膠光刻膠由（）組成。

A:感光樹(shù)脂B:光源C:溶劑D:感光劑答案:感光劑###樹(shù)脂###溶劑水汽氧化和濕氧氧化是完全一樣的氧化工藝。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:AI參考:答案：A。\n\n水汽氧化和濕氧氧化是兩種不同的氧化工藝，水汽氧化是在高溫高壓下，通過(guò)水蒸氣和氧氣的作用來(lái)氧化金屬，而濕氧氧化則是通過(guò)水溶液中的氧氣來(lái)氧化金屬。因此，這兩個(gè)過(guò)程是有區(qū)別的，不是完全一樣的氧化工藝。所以題目描述是錯(cuò)誤的。'化學(xué)氣相沉積外延屬于化學(xué)方法。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:AI參考:正確答案是B：對(duì)?；瘜W(xué)氣相沉積外延屬于化學(xué)方法?；瘜W(xué)氣相沉積（CVD）是一種利用氣態(tài)反應(yīng)物質(zhì)作為生長(zhǎng)源，在氣相生長(zhǎng)膜材料的過(guò)程。它是一種化學(xué)方法，與物理氣相沉積外延（如分子束外延、離子束外延等）有所區(qū)別。'摩爾定律是是真正意義上的定律。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:AI參考:答案：B。\n摩爾定律不是真正意義上的定律。摩爾定律是一個(gè)經(jīng)驗(yàn)規(guī)律，它描述了計(jì)算機(jī)性能每隔18-24個(gè)月就會(huì)翻倍的速度，但并不是一個(gè)定律，因?yàn)槠溥m用范圍、可重復(fù)性等方面都存在一定的限制。因此，該判斷題表述錯(cuò)誤。'離子注入工藝中注入劑量是單位面積晶圓表面注入的離子數(shù)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:AI參考:答案是B：對(duì)。\n\n離子注入工藝中，注入劑量是指單位面積晶圓表面注入的離子數(shù)，用于描述注入的深度和濃度。因此，這個(gè)說(shuō)法是正確的。'許居衍創(chuàng)建中國(guó)第一個(gè)集成電路專業(yè)研究所（二十四研究所）。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:AI參考:答案：B\n\n根據(jù)題干中給出的信息，許居衍是中國(guó)集成電路事業(yè)的先驅(qū)和奠基人之一，因此可以判斷二十四研究所是由他創(chuàng)建的，是中國(guó)第一個(gè)集成電路專業(yè)研究所。所以答案為B，即正確。'對(duì)于一個(gè)給定的透鏡，NA測(cè)量透鏡能夠接收多少衍射光，并且把衍射光發(fā)散成像。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:AI參考:答案是B:錯(cuò)。\n\n衍射光發(fā)散成像是指當(dāng)光線穿過(guò)透鏡時(shí)，由于透鏡的折射和散射作用，光線會(huì)發(fā)生發(fā)散，從而在視網(wǎng)膜上形成模糊的像。而NA（數(shù)值孔徑）是用來(lái)描述透鏡能夠收集和發(fā)散光線的性質(zhì)，與是否能夠接收衍射光沒(méi)有直接關(guān)系。因此，這個(gè)判斷題是錯(cuò)誤的。'凈化間的凈化級(jí)別標(biāo)定了凈化間的空氣質(zhì)量級(jí)別，它是由凈化室空氣中的（）表征的。

A:顆粒尺寸密度B:噪音C:顆粒尺寸大小D:干燥度答案:AI參考:凈化間的凈化級(jí)別標(biāo)定了凈化間的空氣質(zhì)量級(jí)別，它是由凈化室空氣中的顆粒尺寸大小表征的。因此，答案為C：顆粒尺寸大小。顆粒尺寸密度、噪音和干燥度雖然也是凈化間環(huán)境質(zhì)量的一部分，但它們并不是唯一或主要的指標(biāo)，顆粒尺寸大小才是決定凈化間空氣質(zhì)量的關(guān)鍵因素。'半導(dǎo)體制造凈化間李，為了減少人類帶來(lái)的沾污，凈化間的工作人員需要穿（）。

A:超凈服B:反穿服C:自己的衣服D:一般的工作服答案:AI參考:正確選項(xiàng)是A：超凈服。\n\n超凈服是一種專為半導(dǎo)體制造凈化間設(shè)計(jì)的特殊工作服，能夠有效地減少人類帶來(lái)的沾污。它通常由特殊材料制成，能夠阻擋微粒和細(xì)菌的進(jìn)入，同時(shí)具有較好的透氣性和舒適性。反穿服和一般的工作服可能無(wú)法提供足夠的防護(hù)，而自己的衣服則可能無(wú)法達(dá)到凈化間的衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)要求。'戈登摩爾在（）年修正摩爾定律：芯片上集成的晶體管數(shù)目將每?jī)赡攴环?/p>

A:1960B:1975C:1965D:1970答案:AI參考:正確答案是B，即1975年。戈登·摩爾在1975年提出，芯片上集成的晶體管數(shù)目將每?jī)赡攴环?，這成為摩爾定律的基本原則之一。這一預(yù)測(cè)得到了科技發(fā)展的證實(shí)，隨著半導(dǎo)體技術(shù)、制造工藝和封裝技術(shù)的不斷進(jìn)步，芯片上的晶體管數(shù)量不斷增加，性能和能效也得到了顯著提高。因此，選項(xiàng)B是正確答案。'霜屬于下列哪個(gè)過(guò)程（）。

A:汽化B:液化C:升華D:凝華答案:AI參考:正確答案是D：凝華。\n霜是空氣中的水蒸氣遇冷直接凝華成固體，故選D。'特征尺寸是芯片上的（）物理尺寸，是衡量工藝難度的標(biāo)志，代表集成電路的工藝水平。

A:最小B:最大C:平均答案:AI參考:正確選項(xiàng)是A：最小。\n\n特征尺寸是芯片上最小的幾何尺寸，是衡量工藝難度的標(biāo)志，代表集成電路的工藝水平。它反映了集成電路的集成度和密度，是芯片制造過(guò)程中的關(guān)鍵參數(shù)之一。特征尺寸的減小可以提高芯片的性能和功耗，但同時(shí)也需要更高的工藝精度和更先進(jìn)的制造技術(shù)。因此，特征尺寸的大小是衡量集成電路工藝水平的重要指標(biāo)之一。'（）年我國(guó)第一家專業(yè)設(shè)計(jì)公司成立（中國(guó)華大集成電路設(shè)計(jì)公司）。

A:1980年B:1985年C:1986年D:1990年答案:AI參考:正確答案是D：1990年。\n根據(jù)題干所給的信息，第一家專業(yè)設(shè)計(jì)公司成立的時(shí)間是在1990年，因此答案為D。題目中沒(méi)有提到其他年份，因此不需要進(jìn)行選項(xiàng)分析。'下列屬于等離子體態(tài)的是（）。

A:冰融化成水B:水變成水蒸氣C:水凝固成冰D:霓虹燈答案:AI參考:單選題而言，我們需要根據(jù)給定的選項(xiàng)進(jìn)行分析。首先看選項(xiàng)A：“冰融化成水”，這個(gè)過(guò)程是由固態(tài)變?yōu)橐簯B(tài)，并非等離子體態(tài)。再看選項(xiàng)B：“水變成水蒸氣”，這個(gè)過(guò)程是由液態(tài)變?yōu)闅鈶B(tài)，也非等離子體態(tài)。選項(xiàng)C：“水凝固成冰”，雖然從液態(tài)到固態(tài)，但其不是由其他物質(zhì)電離產(chǎn)生的。只有選項(xiàng)D：“霓虹燈”，是氣體電離產(chǎn)生等離子體態(tài)。因此，正確答案是D：霓虹燈。'集成電路,就是通常所說(shuō)的（）。

A:晶體管B:三極管C:芯片D:二極管答案:AI參考:正確答案是C：芯片。\n集成電路是微電子技術(shù)的主要產(chǎn)品，是半導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱，是利用半導(dǎo)體制作工藝將大量晶體管、電阻、電容等元件集成在一塊半導(dǎo)體基片上而形成的芯片。因此，集成電路通常也被稱為芯片。晶體管、三極管、二極管是集成電路中的重要元件，但不是集成電路的統(tǒng)稱。因此，本題答案為C。'集成電路是制造業(yè)的（）。

A:糧食B:窗口C:水D:眼睛答案:AI參考:正確答案是A：糧食。\n集成電路是制造業(yè)的糧食。制造業(yè)是工業(yè)的核心，而集成電路是制造業(yè)的基礎(chǔ)，是現(xiàn)代工業(yè)的糧食。它被廣泛用于各種電子設(shè)備中，是現(xiàn)代社會(huì)不可或缺的技術(shù)。因此，正確答案是A。'擴(kuò)散工藝的三個(gè)微觀步驟包括（）。

A:激活B:預(yù)擴(kuò)散C:推進(jìn)D:生長(zhǎng)答案:"AI參考:正確答案是：B:預(yù)擴(kuò)散、C:推進(jìn)、D:生長(zhǎng)。擴(kuò)散工藝是使雜質(zhì)通過(guò)晶格的擴(kuò)散過(guò)程。其三個(gè)微觀步驟為預(yù)擴(kuò)散、推進(jìn)和生長(zhǎng)。其中預(yù)擴(kuò)散使雜質(zhì)離子達(dá)到足夠的激活能，形成足夠強(qiáng)的電荷交換和晶體中的碰撞來(lái)引發(fā)遷移，再經(jīng)過(guò)適當(dāng)?shù)募せ畈襟E和隨后的推進(jìn)步驟使雜質(zhì)原子/離子進(jìn)入目標(biāo)位置。所以答案為B、C、D。"下列哪些屬于材料的化學(xué)屬性（）。

A:腐蝕性B:反應(yīng)性C:可燃性D:密度答案:"AI參考:正確選項(xiàng)為：A:腐蝕性C:可燃性D:密度。化學(xué)屬性是指材料在化學(xué)變化中表現(xiàn)出來(lái)的性質(zhì)，包括腐蝕性、反應(yīng)性、可燃性、毒性等。其中，腐蝕性是指材料對(duì)其他物質(zhì)產(chǎn)生破壞或影響的能力；反應(yīng)性是指材料在與其他物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)時(shí)所表現(xiàn)出的性質(zhì)；可燃性是指材料在特定條件下可以被點(diǎn)燃或燃燒的性質(zhì)；密度是指材料單位體積的質(zhì)量。因此，選項(xiàng)A、C、D都屬于材料的化學(xué)屬性。而選項(xiàng)B反應(yīng)性雖然也屬于化學(xué)性質(zhì)，但通常指的是材料的物理性質(zhì)，如與某些物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的能力，因此不是本題的正確選項(xiàng)。"集成電路產(chǎn)業(yè)是以（）為主的產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)。

A:IC設(shè)計(jì)業(yè)B:IC芯片制造業(yè)C:IC封裝測(cè)試業(yè)答案:"AI參考:正確選項(xiàng)為【A:IC設(shè)計(jì)業(yè)】。集成電路產(chǎn)業(yè)是以IC設(shè)計(jì)業(yè)為主導(dǎo)的產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，IC設(shè)計(jì)業(yè)是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)，負(fù)責(zé)將軟件和硬件相結(jié)合，設(shè)計(jì)出滿足客戶需求的產(chǎn)品方案，隨后由IC制造業(yè)將設(shè)計(jì)方案轉(zhuǎn)化為實(shí)際芯片，最后由封裝測(cè)試業(yè)對(duì)芯片進(jìn)行封裝和測(cè)試。"參數(shù)測(cè)試的一個(gè)重要方面就是觀察數(shù)據(jù)傾向。不可接受的數(shù)據(jù)傾有（）。

A:同一參數(shù)在不同硅片上總是不合格B:同一參數(shù)成批不合格，暗示有很嚴(yán)重的工藝問(wèn)題C:一個(gè)硅片上相同芯片的位置持續(xù)不合格D:不同硅片之間測(cè)試數(shù)據(jù)差別過(guò)大答案:"AI參考:正確選項(xiàng)是【ABD】參數(shù)測(cè)試的一個(gè)重要方面就是觀察數(shù)據(jù)傾向。不可接受的數(shù)據(jù)傾向通常包括：1.同一參數(shù)在不同硅片上總是不合格（A選項(xiàng)正確）；2.同一參數(shù)成批不合格，暗示有很嚴(yán)重的工藝問(wèn)題（B選項(xiàng)正確）；3.一個(gè)硅片上相同芯片的位置持續(xù)不合格（C選項(xiàng)正確）。這些都屬于不合常規(guī)的傾向，應(yīng)該進(jìn)一步進(jìn)行原因分析和針對(duì)性措施的采取。而對(duì)于D選項(xiàng)“不同硅片之間測(cè)試數(shù)據(jù)差別過(guò)大”，一般來(lái)說(shuō)這并不算作不合接受的傾向，需要分析數(shù)據(jù)產(chǎn)生過(guò)大的原因，而不是直接拒絕接受。因此，D選項(xiàng)屬于可接受的差異范圍。"在硅片制造工藝過(guò)程中有兩種類型的電學(xué)測(cè)試。稱它們?yōu)楣杵瑴y(cè)試是因?yàn)樗麄兪窃诠杵ǘ皇欠庋b的硅片）上進(jìn)行的，它們是（）。

A:硅片揀選測(cè)試B:在線參數(shù)測(cè)試C:模型測(cè)試D:成品率測(cè)試答案:"AI參考:正確答案是B:在線參數(shù)測(cè)試。在線參數(shù)測(cè)試是在硅片制造過(guò)程中對(duì)硅片進(jìn)行電學(xué)測(cè)試的一種類型，這些測(cè)試是在硅片上進(jìn)行的，而不是在封裝的硅片上進(jìn)行的。硅片制造工藝過(guò)程主要是為了制造硅片，而不是制造完整的芯片或設(shè)備，因此不會(huì)對(duì)成品率進(jìn)行測(cè)試。硅片揀選測(cè)試是在硅片制造過(guò)程中根據(jù)檢測(cè)結(jié)果選擇合格的硅片進(jìn)行下一步工藝的一種過(guò)程，與本題無(wú)關(guān)。模型測(cè)試通常是在封裝階段進(jìn)行的，用于驗(yàn)證芯片的功能和性能。因此，本題答案為B選項(xiàng)。"芯片封裝的基本功能包括（）。

A:電源分配B:信號(hào)分配C:熱耗散D:防護(hù)答案:"AI參考:正確選項(xiàng)是：B、C、D。芯片封裝的基本功能包括信號(hào)分配、電源分配、熱耗散和防護(hù)等。其中，信號(hào)分配是指將芯片的輸入輸出信號(hào)進(jìn)行連接和保護(hù)，確保信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性和可靠性；電源分配是指將芯片所需的電源引腳進(jìn)行連接和保護(hù)，確保電源的穩(wěn)定供應(yīng)；熱耗散是指通過(guò)散熱