2024全國(guó)職業(yè)院校技能大賽GZ099集成電路應(yīng)用開發(fā)賽項(xiàng)規(guī)程+賽題

全國(guó)職業(yè)院校技能大賽賽項(xiàng)類別□每年賽?隔年賽(□單數(shù)年/?雙數(shù)年)賽項(xiàng)組別□中等職業(yè)教育?高等職業(yè)教育?學(xué)生賽(□個(gè)人/?團(tuán)體)□教師賽(試點(diǎn))□師生同賽(試點(diǎn))專業(yè)大類專業(yè)類專業(yè)名稱核心課程(對(duì)應(yīng)每個(gè)專業(yè)，明確涉及的專業(yè)核心課程)51電子與信息5101電子信息510101電子信息工PCB設(shè)計(jì)及應(yīng)用單片機(jī)技術(shù)及應(yīng)用電子裝聯(lián)技術(shù)及應(yīng)用智能電子產(chǎn)品檢測(cè)與維修傳感技術(shù)及應(yīng)用嵌入式技術(shù)及應(yīng)用智能應(yīng)用系統(tǒng)集成與維護(hù)510103應(yīng)用電子技術(shù)電子產(chǎn)品制圖與制版電子產(chǎn)品生產(chǎn)與檢驗(yàn)電子產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備操作與維護(hù)智能硬件的安裝與調(diào)試單片機(jī)技術(shù)應(yīng)用嵌入式技術(shù)與應(yīng)用智能電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)集成電路510401集成電路技術(shù)半導(dǎo)體器件與工藝基礎(chǔ)半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)應(yīng)用與芯片驗(yàn)證電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)與制作510402微電子技術(shù)集成電路導(dǎo)論半導(dǎo)體器件物理半導(dǎo)體器件物理集成電路制造工藝集成電路封裝與測(cè)試基礎(chǔ)半導(dǎo)體集成電路集成電路版圖設(shè)計(jì)技術(shù)對(duì)接產(chǎn)業(yè)行業(yè)、對(duì)應(yīng)崗位(群)及核心能力行業(yè)崗位(群)核心能力(對(duì)應(yīng)每個(gè)崗位(群),明確核心能力要求)集成電路具有集成電路版圖設(shè)計(jì)和版圖驗(yàn)證的能力；具有集成電路芯片邏輯提取和輔助設(shè)計(jì)的能力；集成電路應(yīng)用具有集成電路應(yīng)用開發(fā)的能力；FPGA應(yīng)用具有FPGA開發(fā)及應(yīng)用的能力；具有在集成電路封裝、測(cè)試生產(chǎn)中解決實(shí)際問(wèn)題的能二、競(jìng)賽目標(biāo)本賽項(xiàng)旨深入貫徹習(xí)近平總書記關(guān)于職業(yè)教育工作的重要指示，落實(shí)黨的二十大報(bào)告提出的“推動(dòng)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)融合集群發(fā)展，構(gòu)建新一代信息技術(shù)等一批新的增長(zhǎng)引擎”造強(qiáng)國(guó)”等戰(zhàn)略，集成電路應(yīng)用開發(fā)賽項(xiàng)對(duì)接集成電路行業(yè)學(xué)、以賽促改、以賽促建”,對(duì)接職業(yè)教育集成電路相關(guān)專業(yè)國(guó)家專業(yè)教學(xué)標(biāo)準(zhǔn)、職業(yè)技能等級(jí)標(biāo)準(zhǔn)、世界技能大賽規(guī)程，進(jìn)一步推動(dòng)集成電路相關(guān)專業(yè)“崗課賽證”綜合育人。集成電路應(yīng)用開發(fā)賽項(xiàng)比賽面向電子信息類專業(yè)學(xué)生，采取多項(xiàng)目方式將自主芯片設(shè)計(jì)技術(shù)、國(guó)產(chǎn)EDA技術(shù)應(yīng)用、工藝驗(yàn)證、測(cè)試技術(shù)和應(yīng)用開發(fā)技術(shù)等融入賽項(xiàng)，各環(huán)節(jié)對(duì)應(yīng)集成電路設(shè)計(jì)關(guān)鍵流程，與集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)結(jié)合。有助于培養(yǎng)參賽選手的“現(xiàn)場(chǎng)工程師”思維，引導(dǎo)參賽師生深入底層技術(shù)，將硬件集成電路設(shè)計(jì)與軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)相結(jié)合。促進(jìn)產(chǎn)教融合，科教融匯，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)教協(xié)同育人目標(biāo)，為集成電路產(chǎn)業(yè)培養(yǎng)用得上，更好用的技術(shù)技能型人才。本賽項(xiàng)圍繞職業(yè)教育國(guó)家教學(xué)標(biāo)準(zhǔn)、真實(shí)工作過(guò)程任務(wù)要求和企業(yè)生產(chǎn)現(xiàn)實(shí)需要進(jìn)行設(shè)計(jì)，旨在考查學(xué)生在集成電路設(shè)計(jì)驗(yàn)證、工藝仿真、測(cè)試開發(fā)等方面的專業(yè)核心能力和職業(yè)綜合能力。競(jìng)賽內(nèi)容由多個(gè)與集成電路應(yīng)用開發(fā)相關(guān)的3.集成電路測(cè)試開發(fā)模塊具體競(jìng)賽內(nèi)容如表1所示。主要內(nèi)容比賽時(shí)長(zhǎng)分值模塊一集成電路設(shè)數(shù)字集成電路和模擬集成電路設(shè)計(jì)工具的使用；使用設(shè)計(jì)工具實(shí)現(xiàn)指定的數(shù)字和模擬集成電路功能性能，并使用軟硬件工具對(duì)所設(shè)計(jì)的電路進(jìn)行驗(yàn)證。3小時(shí)模塊二集成電路工藝仿真集成電路制造設(shè)備的使用1小時(shí)20分集成電路測(cè)完成集成電路測(cè)試系統(tǒng)的搭建；完成集成電路自動(dòng)測(cè)試代碼的開按照給定的測(cè)試要求，完成集成電路的功能測(cè)試。考察參賽隊(duì)現(xiàn)場(chǎng)組織管理、團(tuán)隊(duì)協(xié)作、工作效率、質(zhì)量及安全意識(shí)等職業(yè)素養(yǎng)。3小時(shí)35分四、競(jìng)賽方式(一)競(jìng)賽形式(二)組隊(duì)方式本賽項(xiàng)高職學(xué)生組團(tuán)體賽，以院校為單位組隊(duì)參賽，不得跨校組隊(duì)，同一學(xué)校參賽隊(duì)不超過(guò)1支。每支參賽隊(duì)由3名選手組成，其中隊(duì)長(zhǎng)1名。每支參賽隊(duì)可配指導(dǎo)教師2名，指導(dǎo)教師須為本校專兼職教師。(三)參賽資格參賽選手的資格審查工作按照《全國(guó)職業(yè)院校技能大賽制度匯編》要求執(zhí)行。高職組參賽選手須為高等職業(yè)學(xué)校?？啤⒏叩嚷殬I(yè)學(xué)校本科全日制在籍學(xué)生(以報(bào)名時(shí)的學(xué)籍信息為準(zhǔn))。五年制高職學(xué)生報(bào)名參賽的，四、五年級(jí)學(xué)生參加高職組比賽。原則上參賽選手經(jīng)過(guò)各級(jí)選拔產(chǎn)生。凡在往屆全國(guó)職業(yè)院校技能大賽中獲一等獎(jiǎng)的選手，不能再參加今(一)競(jìng)賽時(shí)間賽項(xiàng)競(jìng)賽時(shí)長(zhǎng)三天，正式比賽前一天報(bào)到，第二天正式比賽，時(shí)長(zhǎng)為7小時(shí)(9:00-16:00),比賽后一天閉幕式。(二)競(jìng)賽時(shí)間安排(以賽項(xiàng)指南為準(zhǔn))競(jìng)賽時(shí)間安排如表2所示。表2競(jìng)賽時(shí)間安排表日期時(shí)間事項(xiàng)競(jìng)賽前一天參賽隊(duì)報(bào)到注冊(cè)召開領(lǐng)隊(duì)會(huì)、抽取檢錄序號(hào)競(jìng)賽第一天選手一次加密，抽取參賽號(hào)；二次加密，抽取賽位號(hào)；設(shè)備工具檢查并簽字確認(rèn)發(fā)放賽題(選手檢查無(wú)誤)正式比賽(包含就餐時(shí)間)申訴受理成績(jī)?cè)u(píng)定競(jìng)賽后一天閉幕式(三)競(jìng)賽流程圖根據(jù)大賽制度、考核內(nèi)容以及賽題關(guān)聯(lián)性，綜合考慮學(xué)生身體素集成電路應(yīng)用開發(fā)競(jìng)賽流程制定如圖1所示。競(jìng)賽前一天競(jìng)賽前一天競(jìng)賽后一天參賽隊(duì)報(bào)到注冊(cè)選手到指定地點(diǎn)集合檢錄閉幕式領(lǐng)隊(duì)會(huì)一次加密，抽取參賽號(hào)二次加密，抽取賽位號(hào)選手返程抽取檢錄序號(hào)裁判長(zhǎng)講解注意事項(xiàng)選手熟悉場(chǎng)地封存設(shè)備發(fā)放比賽試題—↓檢查設(shè)備并簽字確認(rèn)開始比賽比賽結(jié)束、裁判評(píng)分申訴與仲裁成績(jī)復(fù)核匯總統(tǒng)計(jì)、解密上交成績(jī)公示六、競(jìng)賽規(guī)則(一)報(bào)名規(guī)則本賽項(xiàng)為團(tuán)體賽，以省、自治區(qū)、直轄市、新疆生產(chǎn)建設(shè)兵團(tuán)為單位組織報(bào)名參賽。參賽選手和指導(dǎo)教師報(bào)名獲得確認(rèn)后不得隨意更換。如比賽前參賽選手和指導(dǎo)教師因故無(wú)法參賽，須由省級(jí)教育行政部門于開賽10個(gè)工作日之前出具書面說(shuō)明，經(jīng)大賽執(zhí)委會(huì)辦公室核實(shí)后予以更換；團(tuán)體賽選手因特殊原因不能參加比賽時(shí)，由大賽執(zhí)委會(huì)辦公室根據(jù)賽項(xiàng)的特點(diǎn)決定是否可進(jìn)行缺員比賽，并上報(bào)大賽執(zhí)委會(huì)備案。如發(fā)現(xiàn)未經(jīng)報(bào)備，實(shí)際參賽選手與報(bào)名信息不符的情況，不得入場(chǎng)。競(jìng)賽開始后，參賽隊(duì)不得更換選手，若有參賽隊(duì)員缺席，不得補(bǔ)充選手。(二)賽前規(guī)則1.正式比賽前1天，統(tǒng)一安排各參賽隊(duì)有序地熟悉場(chǎng)地，熟悉場(chǎng)地限定在觀摩區(qū)活動(dòng)，不允許進(jìn)入比賽區(qū)。2.熟悉場(chǎng)地時(shí)嚴(yán)禁與現(xiàn)場(chǎng)工作人員進(jìn)行交流，不發(fā)表沒(méi)有根據(jù)以及有損大賽整體形象的言論。3.熟悉場(chǎng)地期間嚴(yán)格遵守大賽各種制度，嚴(yán)禁擁擠，喧(三)入場(chǎng)規(guī)則1.參賽選手按規(guī)定的時(shí)間準(zhǔn)時(shí)到達(dá)賽場(chǎng)檢錄區(qū)集合，接受工作人員對(duì)選手身份、資格和有關(guān)證件的檢查。競(jìng)賽計(jì)時(shí)開始后，選手未到，視為自動(dòng)放棄。2.一次加密時(shí)選手按抽簽順序號(hào)依次抽取參賽編號(hào)，二次加密時(shí)選手憑參賽編號(hào)抽取比賽賽位號(hào)，然后在指定區(qū)域等待；在工作人員的引領(lǐng)下統(tǒng)一有序進(jìn)入賽場(chǎng)，按抽取的比賽賽位號(hào)就位，不得擅自變更、調(diào)整。3.工作人員檢驗(yàn)選手的工具、量具及書寫物品，不允許攜帶任何通訊及存儲(chǔ)設(shè)備、紙質(zhì)材料等物品，檢查合格后進(jìn)入賽場(chǎng)抽簽區(qū)參賽選手須提前到達(dá)檢錄現(xiàn)場(chǎng)，工作人員核查競(jìng)賽選手的身份證、學(xué)生證、參賽證并統(tǒng)一保管，對(duì)于違規(guī)物品立即收繳；如發(fā)現(xiàn)選手冒名頂替，應(yīng)報(bào)裁判長(zhǎng)按相關(guān)規(guī)定處理。參賽選手不得私自攜帶任何設(shè)備和工具(便攜式電腦、移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備、技術(shù)資源、通信工具等)。按工位號(hào)入座、檢查比賽所需設(shè)備齊全后，由參賽選手簽字確認(rèn)。遲到超過(guò)10分鐘不得入場(chǎng)。(四)賽場(chǎng)規(guī)則1.選手進(jìn)入賽場(chǎng)后，必須聽從現(xiàn)場(chǎng)裁判的統(tǒng)一布置和指2.比賽過(guò)程中，選手須嚴(yán)格遵守安全操作規(guī)程，并接受裁判員的監(jiān)督和警示，以確保人身及設(shè)備安全。選手因個(gè)人誤操作造成人身安全事故和設(shè)備故障時(shí)，裁判長(zhǎng)有權(quán)中止該隊(duì)比賽；如非選手個(gè)人原因出現(xiàn)設(shè)備故障而無(wú)法比賽，由裁3.比賽過(guò)程中若有問(wèn)題，可示意現(xiàn)場(chǎng)裁判，由現(xiàn)場(chǎng)裁判解決。如更換設(shè)備或元器件、耗材，需記錄更換原因、更換時(shí)間，并簽工位號(hào)確認(rèn)后，由現(xiàn)場(chǎng)裁判并確認(rèn)簽字。須經(jīng)裁判人員同意。選手休息、飲水、上洗手間等，不安排專門用時(shí)，統(tǒng)一計(jì)在競(jìng)賽時(shí)間內(nèi)，競(jìng)賽計(jì)時(shí)工具，以賽場(chǎng)設(shè)5.參賽隊(duì)須按照競(jìng)賽任務(wù)提交比賽結(jié)果(電子文件),文件按照競(jìng)賽現(xiàn)場(chǎng)的規(guī)定進(jìn)行命名。配合裁判做好賽場(chǎng)情況記錄，與裁判一起確認(rèn)，參賽隊(duì)以簽工位號(hào)及手印確認(rèn)。裁6.參賽隊(duì)若要提前結(jié)束競(jìng)賽，應(yīng)舉手向裁判員示意，比賽結(jié)束時(shí)間由裁判員記錄，參賽隊(duì)結(jié)束比賽后不得再進(jìn)行任7.因故終止比賽，應(yīng)報(bào)告現(xiàn)場(chǎng)裁判，要填寫離場(chǎng)時(shí)間、離場(chǎng)原因并由現(xiàn)場(chǎng)裁判簽名和選手簽工位號(hào)確認(rèn)。(五)離場(chǎng)規(guī)則比賽結(jié)束信號(hào)給出，由裁判長(zhǎng)宣布終止比賽?，F(xiàn)場(chǎng)裁判組織、監(jiān)督選手退出工位，站在指定地點(diǎn)。裁判長(zhǎng)宣布離場(chǎng)時(shí)，現(xiàn)場(chǎng)裁判指揮選手統(tǒng)一離開賽場(chǎng)。(六)成績(jī)?cè)u(píng)定與結(jié)果公布賽項(xiàng)成績(jī)解密、匯總后，經(jīng)裁判長(zhǎng)、監(jiān)督仲裁組長(zhǎng)簽字，在賽項(xiàng)執(zhí)委會(huì)指定的地點(diǎn)，以紙質(zhì)形式向全體參賽隊(duì)進(jìn)行公布。七、技術(shù)規(guī)范集成電路應(yīng)用開發(fā)賽項(xiàng)按照《職業(yè)教育專業(yè)目錄(2021年)》《高等職業(yè)教育專業(yè)簡(jiǎn)介(2022年修訂)》中的集成電路類及電子信息類專業(yè)教學(xué)要求和《集成電路工程技術(shù)人員國(guó)家職業(yè)技術(shù)技能標(biāo)準(zhǔn)》,參照電子電氣國(guó)家技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)以及國(guó)內(nèi)外集成電路行業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，考查選手集成電路設(shè)計(jì)、工藝驗(yàn)證、集成電路測(cè)試與與開發(fā)等方面的知識(shí)和技能，考核選手半導(dǎo)體工藝維護(hù)和設(shè)備操作，集成電路輔助設(shè)計(jì)和版圖設(shè)計(jì)、芯片應(yīng)用開發(fā)和FPGA開發(fā)、集成電路制造及封測(cè)工藝維護(hù)等方面的能力。(一)賽項(xiàng)涉及專業(yè)教學(xué)能力要求4.版圖設(shè)計(jì)工具基本操作知識(shí)(二)本賽項(xiàng)遵循以下國(guó)家及行業(yè)技能標(biāo)準(zhǔn)(中華人民共和國(guó)職業(yè)分類大典2022年版)(三)本賽項(xiàng)遵循以下國(guó)家技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)及國(guó)內(nèi)外行業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)1.GB/T14030-1992:半導(dǎo)體集成電路時(shí)基電路測(cè)試方法2.GB/T14028/-1992:半導(dǎo)體集成電路模擬開關(guān)測(cè)試方3.GB/T4377-1996:半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整測(cè)試方法4.GB/T6798-1996:半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測(cè)試方5.GB/T14031-1992:半導(dǎo)體集成電路模擬鎖相環(huán)測(cè)試方6.GB/T14115-1993:半導(dǎo)體集成電路采樣/保持放大器測(cè)8.GB/T17023-1997:半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第二篇HCMOS數(shù)字集成電路54/74HC;9.GB/T9424-1998:半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路第五篇CMOS數(shù)字集成電路4000B和4000UB系八、技術(shù)環(huán)境(一)競(jìng)賽場(chǎng)地設(shè)置競(jìng)賽區(qū)、裁判區(qū)、服務(wù)區(qū)、技術(shù)支持區(qū)，場(chǎng)地需滿足參賽各功能區(qū)及參數(shù)隊(duì)伍數(shù)對(duì)應(yīng)數(shù)量工位的占地面積。采光、照明和通風(fēng)良好；提供穩(wěn)定的水、電和供電應(yīng)急設(shè)備。各參賽隊(duì)工作區(qū)面積不小于12平方米、工作臺(tái)面積不小于3平方米，確保參賽隊(duì)之間互不干擾，提供4把工作椅(凳)。每個(gè)參賽隊(duì)工作區(qū)采用220VAC/50Hz交流供電，供電負(fù)荷不小于2kW,配備220VAC/50Hz交流電源接線板不少于4個(gè)，電源具有保護(hù)裝置和安全保護(hù)措施。其中一個(gè)工作位符合電子裝調(diào)工藝要求。各參賽隊(duì)在本隊(duì)工位上進(jìn)行(1)恒溫烙鐵與熱風(fēng)焊臺(tái)。(2)常用工具箱(帶漏電保護(hù)的國(guó)標(biāo)電源插線板、含螺絲刀套件、防靜電鑷子、吸錫槍、剝線鉗、放大鏡、扁嘴鉗、防靜電刷子、芯片盒、酒精壺、助焊劑、刀片、飛線、導(dǎo)熱硅膠、吸錫線等)。(3)數(shù)字萬(wàn)用表(4%位及以上，即Count≥20000)。(4)數(shù)字示波器(雙蹤帶寬≥100MHz,采樣速率≥(5)信號(hào)發(fā)生器(雙蹤帶寬≥10MHz)。(6)直流穩(wěn)壓電源(至少4路輸出，可支持兩路24V/1A輸出，可選擇獨(dú)立工作模式或串并聯(lián)工作模式，具有限流型短路保護(hù)功能)。(7)電腦(雙核以上處理器，4G以上內(nèi)存，300G以上硬盤，百兆網(wǎng)絡(luò)接口，USB接口，不低于Windows7操作系統(tǒng)32位)。所有比賽用電腦和U盤由承辦校統(tǒng)一提供，參賽隊(duì)不得攜帶電腦和存儲(chǔ)設(shè)備(U盤、移動(dòng)硬盤、存儲(chǔ)卡(8)電腦須預(yù)裝操作系統(tǒng)和相關(guān)軟件不低于Windows7操作系統(tǒng)32位、2007版及以上Office設(shè)計(jì)工具、工藝仿真軟件等。以上軟件由技術(shù)保障人員在賽項(xiàng)執(zhí)委會(huì)專家組指導(dǎo)下安裝在比賽電腦中，并在比賽正式開始的24小時(shí)之前完成調(diào)試。各個(gè)參賽隊(duì)內(nèi)部可根據(jù)需要組建有線局域網(wǎng)進(jìn)行數(shù)據(jù)交換，也可用U盤進(jìn)行數(shù)據(jù)交換，不得采用無(wú)線方式和無(wú)線路由器。賽場(chǎng)采用網(wǎng)絡(luò)安全控制，嚴(yán)禁場(chǎng)內(nèi)外信息交互。(二)技術(shù)平臺(tái)(1)EDA軟件1)能夠提供原理圖編輯工具、版圖繪制和驗(yàn)證工具、2)支持典型工藝制程及PDK庫(kù)。(2)FPGA設(shè)計(jì)驗(yàn)證工具2)設(shè)計(jì)工具：需提供相應(yīng)的FPGA設(shè)計(jì)工具，如不低于Vivado2019.1版本等，這些工具提供了設(shè)計(jì)流程、仿真、綜合、布局布線等各種工具和功能，可以協(xié)助設(shè)計(jì)師完3)設(shè)計(jì)語(yǔ)言：可以使用HDL語(yǔ)言(如Verilog等)進(jìn)4)仿真工具：支持ModelSim、ISESimulator等；5)下載工具：支持XilinxJTAG、USBBlaster等；6)開發(fā)板：提供必要的接口和電源管理電路等。(1)提供晶圓制造、芯片封裝和測(cè)試等集成電路制造工藝流程的交互式虛擬仿真模型，可進(jìn)行典型集成電路制造工藝流程相關(guān)知識(shí)和技能的答題；(2)能夠在平臺(tái)內(nèi)播放常見(jiàn)格式視頻，動(dòng)畫等，可在(3)能夠完成相關(guān)答題內(nèi)容的自動(dòng)評(píng)分；(4)能夠在比賽前一個(gè)月遠(yuǎn)程發(fā)布公開題庫(kù)，為所有(5)能夠在比賽現(xiàn)場(chǎng)依據(jù)賽卷中選取的賽題，完成考3.集成電路測(cè)試開發(fā)平臺(tái)(1)具備數(shù)字電路、模擬電路和數(shù)?；旌想娐窚y(cè)試功(2)數(shù)字通道數(shù)不少于32;(3)數(shù)據(jù)速率不低于100MHz;(4)根據(jù)實(shí)際使用要求，可配置不低于12V的高壓電(5)電源通道數(shù)不少于4;(6)電源輸出驅(qū)動(dòng)電流可達(dá)1A;(7)具有參考電壓源通道，可提供8V參考電壓；(8)具備多種波形發(fā)生模塊，可以輸出多種波形；(9)具備相應(yīng)接口，能夠進(jìn)行AD、DA芯片測(cè)試。九、競(jìng)賽樣題樣題詳見(jiàn)附件。十、賽項(xiàng)安全賽事安全是技能競(jìng)賽一切工作順利開展的先決條件，是賽事籌備和運(yùn)行工作必須考慮的核心問(wèn)題。承辦院校采取切實(shí)有效措施保證大賽期間參賽人員、裁判員、工作人員的人身安全、食品安全、財(cái)務(wù)安全、交通安全等。1.賽項(xiàng)執(zhí)委會(huì)和承辦院校須在賽前組織專人對(duì)比賽現(xiàn)場(chǎng)、住宿場(chǎng)所和交通保障進(jìn)行考查，并對(duì)安全工作提出明確要求。賽場(chǎng)的布置，賽場(chǎng)內(nèi)的器材、設(shè)備，應(yīng)符合國(guó)家有關(guān)安全規(guī)定。承辦院校賽前須按照賽項(xiàng)執(zhí)委會(huì)要求排除安全隱2.賽場(chǎng)周圍要設(shè)立警戒線，防止無(wú)關(guān)人員進(jìn)入生意外事件。比賽現(xiàn)場(chǎng)內(nèi)應(yīng)參照相關(guān)職業(yè)崗位的要求為選手提供必要的勞動(dòng)保護(hù)。在具有危險(xiǎn)性的操作環(huán)節(jié)，裁判員要嚴(yán)防選手4.嚴(yán)格控制與參賽無(wú)關(guān)的易燃易爆以及各類危險(xiǎn)品進(jìn)入充分體現(xiàn)大賽的嚴(yán)肅、公平和公正性。6.賽項(xiàng)執(zhí)委會(huì)須會(huì)同承辦單位制定賽場(chǎng)和賽事人員的疏導(dǎo)方案。賽場(chǎng)環(huán)境中存在人員密集、車流人流交錯(cuò)的區(qū)域，除了設(shè)置齊全的指示標(biāo)志外，須增加引導(dǎo)人員，并開辟備用7.大賽期間，賽項(xiàng)承辦院校須在賽場(chǎng)設(shè)置醫(yī)療醫(yī)護(hù)工作站。在管理的關(guān)鍵崗位，增加力量，建立安全管理日志。(一)評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)競(jìng)賽評(píng)分嚴(yán)格按照公平、公正、公開、科學(xué)、規(guī)范、透明的原則，從集成電路設(shè)計(jì)驗(yàn)證、集成電路工藝仿真、集成電路測(cè)試開發(fā)(包括綜合素養(yǎng))等3個(gè)模塊評(píng)分，評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)如表3所示。序號(hào)評(píng)分細(xì)則分值1模擬電路圖設(shè)計(jì)符合要求，評(píng)分依據(jù)結(jié)果評(píng)分(客觀)5模擬電路版圖設(shè)計(jì)符合要求，評(píng)分依據(jù)其DRC檢查和LVS驗(yàn)證結(jié)果5確5用硬件描述語(yǔ)言設(shè)計(jì)數(shù)字電路，功能符合要求，評(píng)分依據(jù)其仿真功能是否與題目要求一致數(shù)字電路下載正確，驗(yàn)證功能正確2集成電路工藝仿真采用虛擬仿真軟件對(duì)集成電路制造工藝流程相關(guān)知識(shí)考核，根據(jù)結(jié)果自動(dòng)結(jié)果評(píng)分(客觀)工藝流程操作技能進(jìn)行考核，根據(jù)結(jié)果自動(dòng)評(píng)分3集成電路測(cè)數(shù)字電路功能和參數(shù)測(cè)試，評(píng)分依據(jù)為是否與賽題和芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)符合結(jié)果評(píng)分(客觀)模擬電路參數(shù)測(cè)試，評(píng)分依據(jù)為是否在數(shù)據(jù)手冊(cè)范圍之內(nèi)綜合電路功能和參數(shù)測(cè)試，評(píng)分依據(jù)為是否與賽題和芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)符合8考察參賽隊(duì)現(xiàn)場(chǎng)組織管理、團(tuán)隊(duì)協(xié)作5結(jié)果評(píng)分(主觀)(二)評(píng)分方式1.裁判員人數(shù)(含加密裁判)和組成條件要求(1)參與大賽賽項(xiàng)成績(jī)管理的組織機(jī)構(gòu)包括檢錄組、裁(2)裁判組實(shí)行“裁判長(zhǎng)負(fù)責(zé)制”,本賽項(xiàng)裁判組成員預(yù)計(jì)36人，其中裁判長(zhǎng)1名，加密裁判2名，現(xiàn)場(chǎng)裁判8名，評(píng)分裁判25名。裁判人數(shù)及專業(yè)等要求如表5所示。裁判員條件要求參照《2023年全國(guó)職業(yè)院校技能大賽專家和裁判工作管理辦法》中裁判遴選條件。(1)檢錄工作人員負(fù)責(zé)對(duì)參賽隊(duì)伍(選手)進(jìn)行點(diǎn)名登記、身份核對(duì)等工作；加密裁判負(fù)責(zé)組織參賽隊(duì)伍(選手)抽簽，對(duì)參賽隊(duì)信息、抽簽代碼等進(jìn)行加密、解密工作；現(xiàn)場(chǎng)裁判按規(guī)定做好賽場(chǎng)記錄，維護(hù)賽場(chǎng)紀(jì)律；評(píng)分裁判負(fù)責(zé)對(duì)參賽隊(duì)伍(選手)的比賽作品、比賽表現(xiàn)按賽項(xiàng)評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)(2)監(jiān)督組對(duì)賽項(xiàng)籌備與組織實(shí)施以及裁判組的工作進(jìn)行全程監(jiān)督，并對(duì)競(jìng)賽成績(jī)抽檢復(fù)核。(3)仲裁組負(fù)責(zé)接受由參賽隊(duì)領(lǐng)隊(duì)提出的對(duì)不符合大賽和賽項(xiàng)規(guī)程規(guī)定的儀器、設(shè)備、工裝、材料、物件、計(jì)算機(jī)軟硬件、競(jìng)賽使用工具、用品，競(jìng)賽執(zhí)裁、賽場(chǎng)管理，以及工作人員的不規(guī)范行為等的申訴，組織復(fù)議并及時(shí)反饋復(fù)議(1)成績(jī)?cè)u(píng)定是根據(jù)競(jìng)賽考核目標(biāo)、內(nèi)容對(duì)參賽隊(duì)或選手在競(jìng)賽過(guò)程中的表現(xiàn)和最終成果做出評(píng)價(jià)。(2)賽項(xiàng)總成績(jī)滿分100分，只對(duì)參賽隊(duì)團(tuán)體評(píng)分，不(3)參賽隊(duì)成績(jī)由賽項(xiàng)裁判組統(tǒng)一評(píng)定。采用分步得錯(cuò)誤不傳遞、累計(jì)總分的計(jì)分方式。比賽用時(shí)不計(jì)入成績(jī)。(4)集成電路設(shè)計(jì)及工藝仿真模塊由裁判到選手賽位上查看選手的仿真演示及軟件操作評(píng)判，工藝仿真模塊由系統(tǒng)自動(dòng)評(píng)判。集成電路測(cè)試模塊及集成電路應(yīng)用開發(fā)模塊由裁判到賽位上由選手演示、裁判現(xiàn)場(chǎng)評(píng)判。(1)裁判長(zhǎng)正式提交賽位號(hào)評(píng)分結(jié)果并復(fù)核無(wú)誤后，加密裁判在監(jiān)督人員監(jiān)督下對(duì)加密結(jié)果進(jìn)行逐層解密。(2)為保障成績(jī)?cè)u(píng)判的準(zhǔn)確性，監(jiān)督組將對(duì)賽項(xiàng)總成績(jī)排名前30%的所有參賽隊(duì)伍(選手)的成績(jī)進(jìn)行復(fù)核；對(duì)其余成績(jī)進(jìn)行抽檢復(fù)核，抽檢覆蓋率不得低于15%。如發(fā)現(xiàn)成績(jī)錯(cuò)誤，以書面方式及時(shí)告知裁判長(zhǎng)，由裁判長(zhǎng)更正成績(jī)并簽字確認(rèn)。復(fù)核、抽檢錯(cuò)誤率超過(guò)5%的，裁判組將對(duì)所有成記分員將解密后的各參賽隊(duì)伍(選手)成績(jī)匯總比賽成績(jī)，經(jīng)裁判長(zhǎng)、監(jiān)督仲裁組簽字，公示2小時(shí)(公示有效時(shí)間范圍07:00—24:00)且無(wú)異議后，公布比賽結(jié)果，將賽項(xiàng)總成績(jī)的最終結(jié)果錄入賽務(wù)管理系統(tǒng)，經(jīng)裁判長(zhǎng)、監(jiān)督仲裁長(zhǎng)在系統(tǒng)導(dǎo)出成績(jī)單上審核簽字后，在閉賽式上宣布并頒發(fā)證各賽項(xiàng)設(shè)參賽選手團(tuán)體一、二、三等獎(jiǎng)。以賽項(xiàng)實(shí)際參賽隊(duì)(團(tuán)體賽)總數(shù)為基數(shù)，一、二、三等獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)比例分別為10%、20%、30%(小數(shù)點(diǎn)后四舍五入)。總成績(jī)相同時(shí)，依序按照模塊三集成電路測(cè)試開發(fā)、模塊二集成電路工藝仿真、模塊一集成電路設(shè)計(jì)驗(yàn)證得分高低進(jìn)行排名，在前序模塊得分相同的情況，按照后序模塊得分排名。各賽項(xiàng)嚴(yán)格按照獲獎(jiǎng)比例設(shè)置獎(jiǎng)項(xiàng)，如因成績(jī)并列而突破獲獎(jiǎng)比例，則上優(yōu)秀裁判員由賽項(xiàng)執(zhí)委會(huì)負(fù)責(zé)推薦。賽項(xiàng)執(zhí)委會(huì)負(fù)責(zé)推薦賽項(xiàng)專家、監(jiān)督仲裁員；賽區(qū)執(zhí)委會(huì)負(fù)責(zé)推薦賽區(qū)和承辦學(xué)校工作人員；大賽執(zhí)委會(huì)辦公室負(fù)大賽執(zhí)委會(huì)辦公室根據(jù)績(jī)效評(píng)價(jià)負(fù)責(zé)推薦優(yōu)秀合作企業(yè)。賽區(qū)執(zhí)委會(huì)負(fù)責(zé)推薦優(yōu)秀承辦院校。推薦的優(yōu)秀裁判員、優(yōu)秀工作者和突出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)由大賽執(zhí)委會(huì)審核批準(zhǔn)。賽場(chǎng)提供占總參賽隊(duì)伍5%的備用賽位；預(yù)留充足備用個(gè)人電腦和設(shè)備。當(dāng)出現(xiàn)意外或設(shè)備掉電、故障等情況時(shí)經(jīng)現(xiàn)場(chǎng)裁判和裁判長(zhǎng)確認(rèn)后由賽場(chǎng)技術(shù)支持人員予以更換。比賽期間發(fā)生意外傷害、意外疾病等重大事故，裁判長(zhǎng)嚴(yán)重時(shí)立即呼叫120送往醫(yī)院。(一)比賽用計(jì)算機(jī)故障應(yīng)急預(yù)案比賽用的計(jì)算機(jī)出現(xiàn)故障，經(jīng)裁判長(zhǎng)、技術(shù)人員及仲裁現(xiàn)場(chǎng)判定后，予以更換備用計(jì)算機(jī)，做好相應(yīng)現(xiàn)場(chǎng)情況記錄(選手簽字確認(rèn))。在比賽時(shí)間結(jié)束后，選手個(gè)人原因?qū)е?二)比賽時(shí)斷電應(yīng)急預(yù)案1.比賽現(xiàn)場(chǎng)交流供電使用雙路供電，確保其中一路出現(xiàn)問(wèn)題時(shí)，可以啟用備用線路供電。組織技術(shù)人員排除故障，2.各賽位均設(shè)置獨(dú)立的漏電保護(hù)器，因選手個(gè)人不當(dāng)操員及比賽仲裁判定后，對(duì)于受到影響的賽位，做好相應(yīng)現(xiàn)場(chǎng)情況記錄(選手簽字確認(rèn)),在比賽時(shí)間結(jié)束后，酌情對(duì)該參(一)參賽隊(duì)須知1.參賽隊(duì)名稱統(tǒng)一使用規(guī)定的地區(qū)代表隊(duì)名稱，不使用3.參賽隊(duì)按照大賽賽程安排憑大賽組委會(huì)頒發(fā)的參賽證和有效身份證件參加比賽及相關(guān)活動(dòng)。4.各參賽隊(duì)按賽項(xiàng)執(zhí)委會(huì)統(tǒng)一安排參加比賽前熟悉場(chǎng)地5.各參賽隊(duì)按賽項(xiàng)執(zhí)委會(huì)統(tǒng)一要求，準(zhǔn)時(shí)參加賽前領(lǐng)隊(duì)止交通事故和其它意外事故的發(fā)生，為參賽選手購(gòu)買人身意8.競(jìng)賽所需的儀器設(shè)備及電腦由賽場(chǎng)統(tǒng)一提供，選手僅(二)指導(dǎo)教師須知2.指導(dǎo)教師應(yīng)認(rèn)真研究和掌握本賽項(xiàng)比賽的技術(shù)規(guī)則和賽場(chǎng)要求，指導(dǎo)選手做好賽前的一切準(zhǔn)備工作。(三)參賽選手須知意，并進(jìn)行更換；比賽結(jié)束后，所提供的所有紙質(zhì)材料均須扣5分。3.在完成工作任務(wù)的過(guò)程中，因操作不當(dāng)導(dǎo)致人身或設(shè)備安全事故，扣10～20分，情況嚴(yán)重者取消比賽資格。4.參賽選手有不服從裁判及監(jiān)考、擾亂賽場(chǎng)秩序等行為5.違反賽場(chǎng)紀(jì)律，依據(jù)情節(jié)輕重，扣1～5分。情節(jié)特別嚴(yán)重，并產(chǎn)生不良后果的，則報(bào)賽項(xiàng)執(zhí)委會(huì)批準(zhǔn)，由裁判長(zhǎng)場(chǎng)裁判負(fù)責(zé)記錄扣1~5分，情節(jié)嚴(yán)重，警告無(wú)效的，取消參7.參賽團(tuán)隊(duì)?wèi)?yīng)在規(guī)定時(shí)間內(nèi)完成任務(wù)書要求的內(nèi)容，任務(wù)實(shí)現(xiàn)過(guò)程中形成的文件資料必須存儲(chǔ)到任務(wù)書的指定位置，未存儲(chǔ)到指定位置造成裁判組無(wú)法檢查結(jié)果，相應(yīng)部分不得8.比賽過(guò)程中，選手認(rèn)定設(shè)備或器件有故障可向裁判員提出更換；如器件或設(shè)備經(jīng)測(cè)定完好屬誤判時(shí)，器件或設(shè)備則當(dāng)場(chǎng)更換設(shè)備，此過(guò)程中(設(shè)備測(cè)定開始到更換完成)造成的時(shí)間損失，在比賽時(shí)間結(jié)束后，酌情對(duì)該小組進(jìn)行適當(dāng)(四)工作人員須知1.工作人員必須服從賽項(xiàng)執(zhí)委會(huì)統(tǒng)一指揮，佩戴工作人員標(biāo)識(shí)，認(rèn)真履行職責(zé)，做好競(jìng)賽服務(wù)工作。行各自的工作職責(zé)，保證競(jìng)賽工作的順利進(jìn)行。進(jìn)入競(jìng)賽場(chǎng)地。如需進(jìn)場(chǎng)，需經(jīng)過(guò)裁判長(zhǎng)同意，核準(zhǔn)證件，作，避免重大事故發(fā)生，確保競(jìng)賽圓滿成功。用工作之便，弄虛作假、徇私舞弊。如有上述現(xiàn)象或因工作不負(fù)責(zé)任的情況，造成競(jìng)賽程序無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行，由賽項(xiàng)執(zhí)委會(huì)視情節(jié)輕重，給予通報(bào)批評(píng)或停止工作，并通知其所在單位做出相應(yīng)處理。(一)申訴管理，以及工作人員的不規(guī)范行為等持有異議時(shí)，由各參賽隊(duì)領(lǐng)隊(duì)向賽項(xiàng)監(jiān)督仲裁工作組提出書面申訴。期間向參賽隊(duì)和工作人員公示，確保信息暢通并同時(shí)接受大3.對(duì)場(chǎng)地、設(shè)備等的申訴需在比賽結(jié)束后(選手賽場(chǎng)比賽內(nèi)容全部完成)2小時(shí)內(nèi)由領(lǐng)隊(duì)書面實(shí)名申訴，對(duì)成績(jī)的異議是在賽項(xiàng)最終成績(jī)由監(jiān)督仲裁人員審核簽字后公示2小時(shí)內(nèi)(公示有效時(shí)間范圍07:00-24:00)書面實(shí)名申訴，超過(guò)時(shí)效不予受理。申訴報(bào)告應(yīng)對(duì)申訴事件的現(xiàn)象、發(fā)生時(shí)間、涉及人員、申訴依據(jù)等進(jìn)行充分、實(shí)事求是的敘述。非書面申6.申訴方必須提供真實(shí)的申訴信息并嚴(yán)格遵守申訴程序，不得以任何理由采取過(guò)激行為擾亂賽場(chǎng)秩序。3.賽項(xiàng)仲裁工作組在接到申訴報(bào)告后的2小時(shí)內(nèi)組織復(fù)議，并及時(shí)將復(fù)議結(jié)果以書面形式告知申訴方。申訴方對(duì)復(fù)議結(jié)果仍有異議，可由省(市)領(lǐng)隊(duì)向賽區(qū)仲裁委員會(huì)提出申訴。賽區(qū)仲裁委員會(huì)的仲裁結(jié)果為最終結(jié)果。點(diǎn)申訴人離開，視為自行放棄申訴。(一)觀摩對(duì)象(二)觀摩方法(三)賽場(chǎng)觀摩紀(jì)律十七、競(jìng)賽直播1.在大賽執(zhí)委會(huì)統(tǒng)一安排下，利用現(xiàn)代網(wǎng)絡(luò)傳媒技術(shù)對(duì)2.利用多媒體技術(shù)及設(shè)備錄制視頻資料，記錄競(jìng)賽全過(guò)程，為宣傳、仲裁、資源轉(zhuǎn)化提供全面的信息資料，賽后制規(guī)定的網(wǎng)站公布，突出賽項(xiàng)的技能重點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)特色，擴(kuò)大賽在大賽執(zhí)委會(huì)的領(lǐng)導(dǎo)與監(jiān)督下，賽項(xiàng)承辦院校應(yīng)在賽后30日內(nèi)向大賽執(zhí)委會(huì)辦公室提交資源轉(zhuǎn)化方案，半年內(nèi)完成(一)資源轉(zhuǎn)化方案及時(shí)間安排，如表4所示：資源名稱成果形式主要內(nèi)容目標(biāo)數(shù)量完成時(shí)間基本資源要文本文檔.微電子或集成電路專業(yè)技能介2.集成電路開發(fā)及應(yīng)用教學(xué)訓(xùn)練大3.集成電路開發(fā)及應(yīng)用競(jìng)賽技能要1套賽后60天內(nèi)完成訓(xùn)練單元演示文IC測(cè)試課件：完善相關(guān)電子課件、圖片等；IC測(cè)試云平臺(tái)：教學(xué)資源由視頻、PPT、文本、圖片、VR視頻等素材資源組成。1套賽后180天內(nèi)完成訓(xùn)練資源文本文檔.完善集成電路版圖設(shè)計(jì)教學(xué)案例2.完善集成電路制造工藝教學(xué)案例3.完善集成電路封裝測(cè)試教學(xué)案1套賽后180天內(nèi)完成拓展資源賽項(xiàng)宣傳片10-30分鐘視頻文件涵蓋產(chǎn)業(yè)發(fā)展、1個(gè)賽后30天內(nèi)完成試題庫(kù)文本文檔集成電路應(yīng)用開發(fā)實(shí)驗(yàn)案例5套賽后180天內(nèi)完成案例庫(kù)文本文檔集成電路應(yīng)用開發(fā)實(shí)驗(yàn)案例5套賽后180天內(nèi)完成(二)資源轉(zhuǎn)化途徑根據(jù)上表中的要求，經(jīng)大賽中相關(guān)內(nèi)容優(yōu)化整合，完成相關(guān)文本文檔，演示文稿及視頻等。2.完善微電子教學(xué)資源庫(kù)建設(shè)落實(shí)推進(jìn)微電子技術(shù)、集成電路技術(shù)專業(yè)教學(xué)資源庫(kù)建設(shè)，內(nèi)容涵蓋集成電路版圖設(shè)計(jì)案例、集成電路封裝測(cè)試案例、集成電路制造工藝案例、電子產(chǎn)品制造案例，建成一個(gè)切實(shí)發(fā)揮“能學(xué)、輔教”基本功能、應(yīng)用廣泛，具有可持續(xù)性發(fā)展的優(yōu)質(zhì)專業(yè)教學(xué)資源庫(kù)，為提高相關(guān)專業(yè)人才培養(yǎng)質(zhì)量、推動(dòng)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展服務(wù)。3.雙師型教師培訓(xùn)通過(guò)比賽資源向教學(xué)資源轉(zhuǎn)化，開展專業(yè)教師的國(guó)培，開設(shè)面向教師的相關(guān)培訓(xùn)，有利于學(xué)校培養(yǎng)更多的雙師型骨干教師，又可以提高教師自身的教學(xué)水平和實(shí)踐技能。4.總結(jié)推廣培養(yǎng)模式大賽前后組織參賽學(xué)校領(lǐng)導(dǎo)及師生進(jìn)行座談，總結(jié)推廣優(yōu)秀的培養(yǎng)模式及經(jīng)驗(yàn)，幫助各參賽院校師生提高教學(xué)指導(dǎo)和技能訓(xùn)練水平。附件：競(jìng)賽樣題集成電路應(yīng)用開發(fā)賽項(xiàng)來(lái)源于集成電路行業(yè)真實(shí)工作一、集成電路設(shè)計(jì)驗(yàn)證(一)子任務(wù)1使用集成電路設(shè)計(jì)軟件，根據(jù)下面功能要求，使用0.18μm工藝PDK,設(shè)計(jì)集成電在此基礎(chǔ)上完成版圖設(shè)計(jì)和驗(yàn)證。設(shè)計(jì)一個(gè)帶兩級(jí)CMOS反相器整形輸出的低電壓檢測(cè)電路，即當(dāng)電源電壓由高到低變化，并且低于某一個(gè)設(shè)定值 (低電壓檢測(cè)有效值LVDA)時(shí)，該電路會(huì)產(chǎn)生一個(gè)有效的低電壓檢測(cè)信號(hào)；反之，當(dāng)電源電壓從零開始慢慢上升，當(dāng)超過(guò)某一個(gè)設(shè)定值(低電壓檢測(cè)釋放值LVDR)時(shí)，該低電(1)根據(jù)給定的工藝庫(kù)選擇P和N兩種MOS管，這些MOS管的寬長(zhǎng)比W/L=5μm/lμm;MOS管數(shù)量盡量少。(2)使用的電阻數(shù)量盡量少，并根據(jù)給定的工藝庫(kù)選擇高阻多晶電阻，確定相應(yīng)的方塊數(shù)，考慮到電阻版圖精度，所有電阻方塊數(shù)不少于100。(3)設(shè)置電路引腳，包括1個(gè)電源VCC(電源值為5V)、1個(gè)地信號(hào)GND、1個(gè)電壓信號(hào)輸出端VOUT。(4)根據(jù)裁判現(xiàn)場(chǎng)抽取確定LVDA、LVDR值，選手運(yùn)行仿真程序，確定影響這兩個(gè)參數(shù)的電阻大小，并展示輸出(5)完成版圖設(shè)計(jì)，需考慮放置焊盤和布局的合理性，并且版圖面積盡量小。(6)通過(guò)DRC檢查與LVS驗(yàn)證。(1)只允許展示已完成的電路圖、仿真圖、DRC檢查和LVS驗(yàn)證結(jié)果、版圖及尺寸。(2)不能進(jìn)行增加、刪除、修改、連線等操作。(二)子任務(wù)2利用給定的FPGA芯片內(nèi)部資源，根據(jù)要求設(shè)計(jì)邏輯模塊，完成仿真并下載至FPGA應(yīng)用系統(tǒng)板上進(jìn)行功能驗(yàn)證。完成圖1數(shù)字時(shí)鐘單元的設(shè)計(jì)、仿真，并下載到FPGA應(yīng)用系統(tǒng)板上進(jìn)行功能驗(yàn)證。100進(jìn)制計(jì)數(shù)器100進(jìn)制計(jì)數(shù)器60進(jìn)制計(jì)數(shù)器60進(jìn)制計(jì)數(shù)器圖1數(shù)字時(shí)鐘單元功能框圖信號(hào)的高位和低位；MH,ML為分鐘信號(hào)的高位和低位。(1)FPGA程序設(shè)計(jì)與下載驗(yàn)證針對(duì)圖1所示的數(shù)字時(shí)鐘單元功能框圖，使用相關(guān)軟件、VerilogHDL語(yǔ)言，完成電路設(shè)計(jì)和功能仿真驗(yàn)證。(2)FPGA應(yīng)用系統(tǒng)板開發(fā)根據(jù)比賽所提供的物料和裝配圖等，完成FPGA應(yīng)用系(3)FPGA程序設(shè)計(jì)與下載驗(yàn)證用系統(tǒng)板上，利用系統(tǒng)板上相關(guān)的資源進(jìn)行驗(yàn)證，確保該單(1)只允許展示已完成的電路圖、驗(yàn)證結(jié)果等。(2)FPGA系統(tǒng)板不能進(jìn)行增加、刪除、修改、連線等二、集成電路工藝仿真(一)子任務(wù)1基于集成電路工藝仿真平臺(tái)，回答集成電路制造環(huán)節(jié)相(1)單晶硅生長(zhǎng)完成后，需要進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)，其中熱探針?lè)梢詼y(cè)量單晶硅的()參數(shù)。A、電阻率D、導(dǎo)電類型(2)清洗是晶圓制程中不可缺少的環(huán)節(jié)，使用S-2清洗液進(jìn)行清洗時(shí)，可以去除的物質(zhì)是()。C、金屬(3)植球時(shí)，球和焊盤金屬形成冶金結(jié)合，此時(shí)形成的B、第二焊點(diǎn)(4)引線鍵合最常使用的原材料是()。D、鋁線(5)制作開關(guān)器件通常背面蒸金，目的是()。A、減小摻雜濃度B、抑制寄生效應(yīng)C、提高開關(guān)速度(6)摻雜結(jié)束后，要對(duì)硅片進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)，造成硅片表面有顆粒污染的原因可能是()。B、注入機(jī)未清洗干凈C、注入過(guò)程中晶圓的傾斜角度不合適D、離子束電流檢測(cè)不夠精確(7)在傳統(tǒng)光刻機(jī)的光學(xué)鏡頭與晶圓之間的介質(zhì)可用水替代空氣，以縮短曝光光源波長(zhǎng)和增大鏡頭的數(shù)值孔徑，從而提高分辨率的光刻技術(shù)是()。A、極紫外光光刻B、電子束光刻C、離子束光刻(8)切割完的晶圓取出后先用氣槍將晶圓表面的()和B、不良晶粒C、去離子水D、切割時(shí)產(chǎn)生的火花(9)芯片檢測(cè)工藝中，在外觀檢查時(shí)發(fā)現(xiàn)料管破損，應(yīng)B、及時(shí)更換C、對(duì)破損部位進(jìn)行修補(bǔ)(10)以下哪種情況，探針針尖無(wú)法進(jìn)行修復(fù)?()。A、探針針尖被磨平B、探針針尖異常C、探針針尖有異物D、探針針尖氧化(1)高壓氧化的作用有()。B、壓力增強(qiáng)，迫使原子更快的穿越氧化層C、高壓氧化，可以降低溫度D、相同溫度，速率更快(2)進(jìn)行增粘處理式，涂布HMDS的方法有()。(3)探針卡是晶圓測(cè)試重要的材料，對(duì)測(cè)試結(jié)果起到重要作用。當(dāng)探針卡使用次數(shù)過(guò)多會(huì)影響扎針測(cè)試結(jié)果。過(guò)多使用探針卡的表現(xiàn)有()。A、探針針尖過(guò)短B、探針針尖變粗C、探針針尖變細(xì)D、探針針尖斷裂(4)晶圓檢測(cè)工藝中，晶圓在烘烤過(guò)程所采用的設(shè)備稱A、高溫烘箱B、高溫干燥箱C、加熱平板(5)下列情況中，需要更換點(diǎn)膠頭的有()。A、點(diǎn)膠頭工作超過(guò)2小時(shí)B、更換銀漿類型D、點(diǎn)膠頭損壞(6)堅(jiān)膜常常采用的加熱方式有()。B、紅外D、真空烘焙(7)晶圓劃片后對(duì)其外觀進(jìn)行檢查，觀察到視頻中的不良現(xiàn)象，出現(xiàn)該異常的原因可能有()。A.載片臺(tái)步進(jìn)過(guò)大B.劃片刀磨損C.劃片刀轉(zhuǎn)速過(guò)大D.冷卻水流量過(guò)小(8)砷化鎵的濕法腐蝕溶液包括()。(9)退火的方式有()。A、普通熱退火D、氧化退火(10)裝片機(jī)主要由()系統(tǒng)組成。A、視覺(jué)識(shí)別C、光敏(二)子任務(wù)2基于集成電路工藝仿真平臺(tái)，進(jìn)行集成電路制造環(huán)節(jié)相1.CMP平坦化工藝(1)考核技能點(diǎn)考查對(duì)CMP技術(shù)的認(rèn)知與設(shè)備參數(shù)設(shè)置，通過(guò)操作設(shè)備完成平坦化表面、去除殘留物等工作。(2)具體操作在虛擬仿真中通過(guò)設(shè)置CMP設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流程并以操作、圖片或問(wèn)答的形式考查對(duì)研漿、拋光、清洗等工2.引線鍵合(1)考核技能點(diǎn)考查對(duì)引線鍵合工藝的認(rèn)知與設(shè)備參數(shù)設(shè)置，將芯片與封裝基座連接的關(guān)鍵工藝，用于實(shí)現(xiàn)電信號(hào)傳輸和電源供應(yīng)，并提供機(jī)械支撐和保護(hù)作用。(2)具體操作在虛擬仿真中通過(guò)設(shè)置引線鍵合機(jī)的設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流程并以操作、圖片或問(wèn)答的形式考查焊球制備、芯片定位、焊接加熱與壓力施加、焊點(diǎn)形成以及后續(xù)檢測(cè)等工藝流3.薄膜淀積(1)考核技能點(diǎn)考查對(duì)薄膜淀積技術(shù)的認(rèn)知與設(shè)備參數(shù)設(shè)置，通過(guò)在材料表面上形成一層均勻、致密且具有特定功能的薄膜，以改變或增強(qiáng)材料的性質(zhì)和實(shí)現(xiàn)特定應(yīng)用需求。(2)具體操作在虛擬仿真中通過(guò)設(shè)置薄膜淀積機(jī)的設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流程并以操作、圖片或問(wèn)答的形式考查對(duì)清洗與預(yù)處理、薄膜淀積、后處理和退火等工藝流程的理解。4.芯片粘接與銀漿固化(1)考核技能點(diǎn)考查對(duì)固晶技術(shù)的認(rèn)知與設(shè)備參數(shù)設(shè)置，將芯片與載體基底牢固連接在一起，并建立電氣連接，同時(shí)利用銀漿的導(dǎo)(2)具體操作在虛擬仿真中通過(guò)設(shè)置粘接機(jī)與銀漿固化機(jī)的設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流程并以操作、圖片或問(wèn)答的形式考查對(duì)粘接劑選擇、對(duì)準(zhǔn)、壓合、固化等工藝流程的理解。5.晶圓施加探針測(cè)試(1)考核技能點(diǎn)考查對(duì)基于測(cè)試機(jī)，對(duì)圓片施加探針，進(jìn)行功能和性能(2)具體操作準(zhǔn)確設(shè)置探針臺(tái)參數(shù)，以確保測(cè)試的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。此外完成扎針前的調(diào)參，以保證探針與晶圓良好接觸，并避免損壞或測(cè)試誤差；同時(shí)核對(duì)MAP圖信息以確保在正確的位置進(jìn)行晶圓測(cè)試；最后需要記錄不合格品，準(zhǔn)確記錄測(cè)試結(jié)果并標(biāo)記不合格晶圓，以便進(jìn)一步處理和排查。三、集成電路測(cè)試開發(fā)參賽選手從現(xiàn)場(chǎng)下發(fā)的元器件中選取待測(cè)試芯片及工裝所需元件和材料，參考現(xiàn)場(chǎng)下發(fā)的技術(shù)資料(芯片手冊(cè)、元器件清單等),在規(guī)定時(shí)間內(nèi)，按照相關(guān)電路原理與電子使用測(cè)試儀器與工具，實(shí)施并完成測(cè)試任務(wù)。集成電路測(cè)試共分為數(shù)字集成電路測(cè)試、模擬集成電路測(cè)試和專用集成電路測(cè)試三項(xiàng)子任務(wù)。(一)子任務(wù)一：數(shù)字集成電路測(cè)試?yán)绱郎y(cè)FV轉(zhuǎn)換器(例如GP8101)。引腳圖如圖2所8273645以下測(cè)試參數(shù)均在VCC供電+12V的條件下進(jìn)行測(cè)試。(1)對(duì)芯片各個(gè)管腳進(jìn)行開短路測(cè)試，并記錄數(shù)據(jù)。(2)測(cè)量靜態(tài)下額定工作電流(ICC)。(3)測(cè)量靜態(tài)工作下第8管腳(V5V)的電壓值。(4)測(cè)量靜態(tài)工作下第8管腳(V5V)的最大驅(qū)動(dòng)電流根據(jù)芯片手冊(cè)，設(shè)計(jì)、焊接、調(diào)試完成測(cè)試工裝，用該數(shù)據(jù)FV轉(zhuǎn)換器搭建并配置測(cè)試環(huán)境，并進(jìn)行相關(guān)測(cè)試。(1)測(cè)試芯片輸出電壓誤差值。1)測(cè)試條件：PWM占空比30%、50%、70%、100%2)測(cè)試要求：測(cè)量輸出電壓并計(jì)算誤差值；(2)測(cè)量芯片輸出電壓范圍2)測(cè)試要求：輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(3)測(cè)量芯片在PWM占空比50%時(shí)輸出驅(qū)動(dòng)電流。2)輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位。(二)子任務(wù)二：模擬集成電路測(cè)試?yán)缙?例如AD8058)。二運(yùn)放集成電路，它采用8腳雙列直插塑料封裝，內(nèi)部包含四組形式完全相同的運(yùn)算放大根據(jù)芯片手冊(cè)進(jìn)行參數(shù)測(cè)試：(1)Ig輸入靜態(tài)電流測(cè)試1)測(cè)試條件：Vs=±5V、RL=100Q;2)測(cè)試要求：分別記錄單電源及雙電源供電時(shí)的測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；2)測(cè)試要求：記錄測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(3)CMRR共模抑制比測(cè)試2)測(cè)試要求：記錄測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(4)AoL開環(huán)增益測(cè)試1)測(cè)試條件：雙電源±5V供電；2)測(cè)試要求：記錄測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；2.應(yīng)用電路測(cè)試?yán)帽荣惉F(xiàn)場(chǎng)提供的AD8058芯片、萬(wàn)能板、各類阻容元件等，搭建一個(gè)如圖4所示的全波整流電路。—M6M1W600+~405測(cè)試并記錄以下數(shù)據(jù)；(1)輸出波形；(2)輸出電壓以及紋波系數(shù)；(3)改成雙電源供電后的輸出波形；(4)改成雙電源供電后的輸出電壓以及紋波系數(shù)；(三)子任務(wù)三：混合集成電路測(cè)試?yán)绱郎y(cè)芯片：AD7895,AD7895是一款快速、12位逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC,采用+5V單電源供電。1.參數(shù)測(cè)試(1)OS開短路測(cè)試測(cè)試行開短路測(cè)試，輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(2)最低有效位電壓測(cè)試2)測(cè)試要求：輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(3)功能測(cè)試1)測(cè)試條件：Vpp=5V,Vrer=2.5V2)測(cè)試要求：輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(4)ViNH輸入最高電壓測(cè)試2)測(cè)試要求：輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；2)測(cè)試要求：輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(6)Vot輸出電壓測(cè)試2)測(cè)試要求：輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；根據(jù)芯片手冊(cè)，利用比賽現(xiàn)場(chǎng)提供的AD7895芯片、單片機(jī)8X51模塊、萬(wàn)能板、各類阻容元件等，搭建頻率為室1集成電路應(yīng)用開發(fā)賽項(xiàng)來(lái)源于集成電路行業(yè)真實(shí)工作一、集成電路設(shè)計(jì)驗(yàn)證(一)子任務(wù)1使用集成電路設(shè)計(jì)軟件，根據(jù)下面功能要求，使用0.18μm工藝PDK,設(shè)計(jì)集成電路原理圖并進(jìn)行功能仿真；在此基礎(chǔ)上完成版圖設(shè)計(jì)和驗(yàn)證。設(shè)計(jì)一個(gè)鑒幅器，它有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，從一個(gè)狀態(tài)到另一個(gè)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換取決于輸入信號(hào)的幅度，可以將非矩形脈沖(1)根據(jù)給定的工藝庫(kù)選擇P和N兩種MOS管，其溝(2)設(shè)置電路引腳，包括1個(gè)電源VCC(電源值為5V)、1個(gè)地信號(hào)GND、1個(gè)輸入信號(hào)端VIN、1個(gè)信號(hào)輸出端(3)根據(jù)裁判現(xiàn)場(chǎng)抽取確定VTP、VTN值，選手運(yùn)行仿真程序，確定相應(yīng)管子的溝道寬度，并展示輸出結(jié)果。2(4)完成版圖設(shè)計(jì)，需考慮放置焊盤和布局的合理性，(1)只允許展示已完成的電路圖、仿真圖、DRC檢查和LVS驗(yàn)證結(jié)果、版圖及尺寸。(2)不能進(jìn)行增加、刪除、修改、連線等操作。(二)子任務(wù)2利用給定的FPGA芯片內(nèi)部資源，根據(jù)要求設(shè)計(jì)邏輯模塊，完成功能仿真驗(yàn)證并下載至FPGA芯片驗(yàn)證功能。(1)FPGA應(yīng)用系統(tǒng)板開發(fā)場(chǎng)提供的已經(jīng)設(shè)計(jì)完成的FPGA應(yīng)用基礎(chǔ)板，另外一部分是首先根據(jù)比賽所提供的PCB板和電子元器件以及相關(guān)裝配圖等，進(jìn)行FPGA應(yīng)用開發(fā)板的設(shè)計(jì)及焊接；在此基礎(chǔ)上將比賽現(xiàn)場(chǎng)提供的FPGA應(yīng)用基礎(chǔ)板裝接到FPGA應(yīng)用開(2)FPGA程序設(shè)計(jì)與下載驗(yàn)證設(shè)計(jì)一個(gè)狀態(tài)機(jī)，該狀態(tài)機(jī)包括1個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，1個(gè)信號(hào)輸入端IN和3個(gè)信號(hào)輸出端OUT1、OUT0、HZ。狀態(tài)機(jī)的狀態(tài)轉(zhuǎn)移要求如表1所示，在CLK上升沿觸發(fā)進(jìn)行狀態(tài)3轉(zhuǎn)移。比賽選手采用VerilogHDL語(yǔ)言，并使用相關(guān)軟件完成電路設(shè)計(jì)和功能仿真，并將設(shè)計(jì)下載到FPGA應(yīng)用系統(tǒng)板序號(hào)狀態(tài)轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)移條件12345678(1)采用FPGA應(yīng)用系統(tǒng)板頻率為32MHz的晶振；(2)選手設(shè)計(jì)一個(gè)分頻器，將32MHz進(jìn)行分頻，產(chǎn)生的信號(hào)作為表1所示狀態(tài)機(jī)的時(shí)鐘輸入；(3)設(shè)計(jì)表1所示的狀態(tài)機(jī)；(4)使用VerilogHDL設(shè)計(jì)七段數(shù)碼管譯碼電路；(5)將OUT1OUT0組合的二進(jìn)制數(shù)經(jīng)譯碼后，送到FPGA應(yīng)用系統(tǒng)擴(kuò)展板的七段數(shù)碼管上進(jìn)行顯示，從數(shù)碼管上直接讀出0,1,2,3這四個(gè)數(shù)。4(1)只允許展示已完成的電路圖、驗(yàn)證結(jié)果等。(2)FPGA系統(tǒng)板不能進(jìn)行增加、刪除、修改、連線等5(一)子任務(wù)1基于集成電路工藝仿真平臺(tái)，回答集成電路制造環(huán)節(jié)相(1)二氧化硅厚度的測(cè)量方法中最精確的是：()。B、光學(xué)干涉法C、橢圓偏振光法(2)視頻中正在進(jìn)行塑封作業(yè)，若①部件閉合壓力不足，可能會(huì)造成()。A.塑封料填充不足B.開模失敗C.溢料D.塑封體變色(3)二氧化硅的干法刻蝕所采用的等離子體為()。6(4)使用有機(jī)溶劑清洗時(shí)，按()的順序進(jìn)行才能收到(5)氮化硅腐蝕一般采用以()為基礎(chǔ)的水溶液。A、鹽酸B、硝酸C、氫氟酸D、磷酸(6)以立式氧化擴(kuò)散爐為例，以下氧化擴(kuò)散方式正確的1)產(chǎn)品放置完成后在電腦終端輸入控制片ID。2)在電腦終端輸入操作設(shè)備ID、硅片批號(hào)等。3)放置硅片盒后，在設(shè)備上確認(rèn)硅片批號(hào)等信息后按下4)將一定數(shù)量的硅片盒放在立式氧化擴(kuò)散爐設(shè)備的loader窗口，確認(rèn)放好后按下按鈕進(jìn)行操作。5)等待設(shè)備傳片，傳完片后石英舟上升進(jìn)入爐管。76)按同樣的方法將控制片放置在氧化爐窗口。中現(xiàn)象②表示的環(huán)節(jié)是()。B.植球C.走線況。若發(fā)現(xiàn)針痕有異常，應(yīng)()。8(9)氣相外延生長(zhǎng)硅常常采用哪種氣體進(jìn)行拋光?()。(10)含有薄膜所需要的原子或分子的化學(xué)物質(zhì)在反應(yīng)室內(nèi)混合并在氣態(tài)下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，其原子或分子淀積在晶圓表面并聚集，形成薄膜的工藝是()。(1)封裝工藝中，晶圓劃片機(jī)顯示區(qū)可以進(jìn)行()等操A、給其他操作人員發(fā)送消息B、設(shè)置參數(shù)C、切割道對(duì)位D、操作過(guò)程中做筆記(2)IC制造中用的光刻膠一般由()組成。B、增感劑9D、去離子水(3)影響顯影工藝的因素有()。B、顯影液濃度D、工序的溫度和時(shí)間(4)由沙子到多晶硅的化學(xué)反應(yīng)有哪些?()(5)切筋成型前進(jìn)行芯片檢查，下列需要進(jìn)行剔除的芯B、引線框架不平C、鍍錫露銅D、引腳斷裂(6)光刻膠膜的最終厚度是由哪些因素決定的?()。A、光刻膠黏度B、旋轉(zhuǎn)速度C、表面張力D、光刻膠干燥性(7)SC-2清洗液的成分是什么?()。(8)能夠去除金屬離子的清洗液是什么?()。(9)制備二氧化硅常常采用的CVD方法有()。D、ALD原子沉積(10)硅常用的濕法刻蝕溶液為()。A、熱磷酸C、硝酸D、硫酸(二)子任務(wù)2基于集成電路工藝仿真平臺(tái)，進(jìn)行集成電路制造環(huán)節(jié)相(1)考核技能點(diǎn)熔融和凈化過(guò)程、晶體生長(zhǎng)的控制和優(yōu)化、晶體形態(tài)和尺寸的調(diào)整、晶體切割和拋光、晶圓的平整化和清潔處理，確保(2)具體操作在虛擬仿真中通過(guò)設(shè)置拉晶機(jī)、切片機(jī)等設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流程并以操作、圖片或問(wèn)答的形式考查對(duì)材料準(zhǔn)備、爐管轉(zhuǎn)載、生長(zhǎng)區(qū)域形成、晶柱拉伸、切割拋光等工藝流程2.氧化工藝(1)考核技能點(diǎn)考查操作氧化爐分批自動(dòng)進(jìn)料，并在爐管內(nèi)開始氧化的過(guò)程，同時(shí)為保證后續(xù)工藝質(zhì)量，需要檢驗(yàn)氧化層的質(zhì)量，確認(rèn)本次氧化情況，同時(shí)監(jiān)控氧化爐工作是否正常。(2)具體操作在虛擬仿真中通過(guò)設(shè)置氧化爐的設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流程并以操作、圖片或問(wèn)答的形式考查對(duì)氣氛控制、溫度控制、時(shí)間與速率、氧化層評(píng)估等工藝流程的理解。3.光刻工藝(1)考核技能點(diǎn)考查對(duì)光刻技術(shù)的認(rèn)知與設(shè)備參數(shù)設(shè)置，通過(guò)涂膠顯影機(jī)、光刻機(jī)、烘烤設(shè)備等實(shí)現(xiàn)晶圓涂膠光刻的工藝流程。(2)具體操作在虛擬仿真中通過(guò)設(shè)置離子注入機(jī)的設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流程并以操作、圖片或問(wèn)答的形式考查對(duì)加載晶圓、表面處理、噴涂涂膠、烘干、光刻、顯影、堅(jiān)膜等工藝流程的理4.干法刻蝕與濕法刻蝕(1)考核技能點(diǎn)考查運(yùn)行蝕刻設(shè)備進(jìn)行干法蝕刻與濕法蝕刻兩種工藝(2)具體操作在虛擬仿真中通過(guò)設(shè)置兩種蝕刻方式的設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流程并以操作、圖片或問(wèn)答的形式考查對(duì)預(yù)處理、曝光與顯影、蝕刻溶液、蝕刻、清洗等工藝流程的理解。5.切筋成型(1)考核技能點(diǎn)考查對(duì)切筋成型工藝的認(rèn)知與設(shè)備參數(shù)設(shè)置，將在金屬板材上進(jìn)行的工藝，用于剪斷和彎曲金屬以獲得所需形狀并(2)具體操作在虛擬仿真中通過(guò)設(shè)置切筋成型機(jī)的設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流程并以操作、圖片或問(wèn)答的形式考查設(shè)計(jì)定位、切割操作、折彎成型以及后續(xù)檢測(cè)等工藝流程的理解。參賽選手從現(xiàn)場(chǎng)下發(fā)的元器件中選取待測(cè)試芯片及工裝所需元件和材料，參考現(xiàn)場(chǎng)下發(fā)的技術(shù)資料(芯片手冊(cè)、元器件清單等),在規(guī)定時(shí)間內(nèi)，按照相關(guān)電路原理與電子使用測(cè)試儀器與工具，實(shí)施并完成測(cè)試任務(wù)。集成電路測(cè)試共分為數(shù)字集成電路測(cè)試、模擬集成電路測(cè)試和專用集成電路測(cè)試三項(xiàng)子任務(wù)。(一)子任務(wù)一：數(shù)字集成電路測(cè)試?yán)绱郎y(cè)芯片：數(shù)據(jù)選擇器(例如74HC151),引腳圖如圖1所示。(1)輸入嵌位電壓測(cè)試：2)測(cè)試要求：測(cè)試I0、I1、I2、I3、I4、I5、I6、I7引腳，輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(2)VoH輸出高電平電壓測(cè)試1)測(cè)試條件：Vcc=4.75V,Ion=-0.4mA;2)測(cè)試要求：測(cè)試Y、W引腳，輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注(3)Ior輸出低電平電流測(cè)試2)測(cè)試要求：測(cè)試Y、W引腳，輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注(4)Im輸入低電平電流測(cè)試2)測(cè)試要求：測(cè)試I0、I1、I2、I3、I4、I5、腳，輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；設(shè)計(jì)、焊接、調(diào)試完成測(cè)試工裝，用該數(shù)據(jù)選擇器搭建并配置測(cè)試環(huán)境，實(shí)現(xiàn)三位表決功能,測(cè)試Y輸出電壓值(二)子任務(wù)二：模擬集成電路測(cè)試LM324是四運(yùn)放集成電路，它采用14腳雙列直插塑料封裝，內(nèi)部包含四組形式完全相同的運(yùn)算放大器，除電源共用外，四組運(yùn)放相互獨(dú)立。其引腳功能如圖2所示：測(cè)試電路圖如圖3所示：(1)Icc靜態(tài)工作電流測(cè)試1)測(cè)試條件：?jiǎn)坞娫?.5V供電，雙電源±2.5V供電；2)測(cè)試要求：分別記錄單電源及雙電源供電時(shí)的測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(2)Vos失調(diào)電壓測(cè)試1)測(cè)試條件：雙電源±2.5V供電；2)測(cè)試要求：記錄測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；2)測(cè)試要求：記錄測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；利用比賽現(xiàn)場(chǎng)提供的LM324芯片、萬(wàn)能板、各類阻容元件等，搭建頻率為1KHz左右的方波信號(hào)發(fā)生器，如圖4所(2)三角波信號(hào)的波形、周期、Vpp。(三)子任務(wù)三：存儲(chǔ)集成電路測(cè)試芯片，該芯片利用IIC通信協(xié)議進(jìn)行工作，是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。選手根據(jù)參考驅(qū)動(dòng)代碼，將其在自行編寫的測(cè)試程序里行開短路測(cè)試，輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(2)Leackage測(cè)試1)測(cè)試條件：Vcc=5V,Vm=0V,Vih=5.5V;2)測(cè)試要求：輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(3)讀寫功能測(cè)試2)測(cè)試要求：輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位。1集成電路應(yīng)用開發(fā)賽項(xiàng)來(lái)源于集成電路行業(yè)真實(shí)工作一、集成電路設(shè)計(jì)驗(yàn)證(一)子任務(wù)1使用集成電路設(shè)計(jì)軟件，根據(jù)下面功能要求，使用0.18μm工藝PDK,設(shè)計(jì)集成電路原理圖并進(jìn)行功能仿真；在此基礎(chǔ)上完成版圖設(shè)計(jì)和驗(yàn)證。設(shè)計(jì)一個(gè)鑒幅器，它有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，從一個(gè)狀態(tài)到另一個(gè)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換取決于輸入信號(hào)的幅度，可以將非矩形脈沖(1)根據(jù)給定的工藝庫(kù)選擇P和N兩種MOS管，其溝(2)設(shè)置電路引腳，包括1個(gè)電源VCC(電源值為5V)、1個(gè)地信號(hào)GND、1個(gè)輸入信號(hào)端VIN、1個(gè)信號(hào)輸出端(3)根據(jù)裁判現(xiàn)場(chǎng)抽取確定VTP、VTN值，選手運(yùn)行仿真程序，確定相應(yīng)管子的溝道寬度，并展示輸出結(jié)果。2(4)完成版圖設(shè)計(jì)，需考慮放置焊盤和布局的合理性，(1)只允許展示已完成的電路圖、仿真圖、DRC檢查和LVS驗(yàn)證結(jié)果、版圖及尺寸。(2)不能進(jìn)行增加、刪除、修改、連線等操作。(二)子任務(wù)2利用給定的FPGA芯片內(nèi)部資源，根據(jù)要求設(shè)計(jì)邏輯模塊，完成功能仿真驗(yàn)證并下載至FPGA芯片驗(yàn)證功能。(1)FPGA應(yīng)用系統(tǒng)板開發(fā)場(chǎng)提供的已經(jīng)設(shè)計(jì)完成的FPGA應(yīng)用基礎(chǔ)板，另外一部分是首先根據(jù)比賽所提供的PCB板和電子元器件以及相關(guān)裝配圖等，進(jìn)行FPGA應(yīng)用開發(fā)板的設(shè)計(jì)及焊接；在此基礎(chǔ)上將比賽現(xiàn)場(chǎng)提供的FPGA應(yīng)用基礎(chǔ)板裝接到FPGA應(yīng)用開(2)FPGA程序設(shè)計(jì)與下載驗(yàn)證設(shè)計(jì)一個(gè)狀態(tài)機(jī)，該狀態(tài)機(jī)包括1個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，1個(gè)信號(hào)輸入端IN和3個(gè)信號(hào)輸出端OUT1、OUT0、HZ。狀態(tài)機(jī)的狀態(tài)轉(zhuǎn)移要求如表1所示，在CLK上升沿觸發(fā)進(jìn)行狀態(tài)3轉(zhuǎn)移。比賽選手采用VerilogHDL語(yǔ)言，并使用相關(guān)軟件完成電路設(shè)計(jì)和功能仿真，并將設(shè)計(jì)下載到FPGA應(yīng)用系統(tǒng)板序號(hào)狀態(tài)轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)移條件12345678(1)采用FPGA應(yīng)用系統(tǒng)板頻率為32MHz的晶振；(2)選手設(shè)計(jì)一個(gè)分頻器，將32MHz進(jìn)行分頻，產(chǎn)生的信號(hào)作為表1所示狀態(tài)機(jī)的時(shí)鐘輸入；(3)設(shè)計(jì)表1所示的狀態(tài)機(jī)；(4)使用VerilogHDL設(shè)計(jì)七段數(shù)碼管譯碼電路；(5)將OUT1OUT0組合的二進(jìn)制數(shù)經(jīng)譯碼后，送到FPGA應(yīng)用系統(tǒng)擴(kuò)展板的七段數(shù)碼管上進(jìn)行顯示，從數(shù)碼管上直接讀出0,1,2,3這四個(gè)數(shù)。4(1)只允許展示已完成的電路圖、驗(yàn)證結(jié)果等。(2)FPGA系統(tǒng)板不能進(jìn)行增加、刪除、修改、連線等5(一)子任務(wù)1基于集成電路工藝仿真平臺(tái)，回答集成電路制造環(huán)節(jié)相(1)將預(yù)行制好的掩膜版直接和涂有光刻膠的晶片表面接觸，再用紫外光照射來(lái)進(jìn)行曝光的方法，稱為()曝光。B、接近式C、投影式(2)用四氯化硅氫還原法進(jìn)行硅提純時(shí)，通過(guò)()可以A、高溫還原爐B、精餾塔C、多晶沉積設(shè)備D、單晶爐(3)視頻中是某臺(tái)正在作業(yè)的設(shè)備，當(dāng)該區(qū)域的液體供應(yīng)不足時(shí)，可能會(huì)造成下列選項(xiàng)中的哪種現(xiàn)象?()6針位置的調(diào)試后，用()遮擋住晶圓四周，完全避光后再進(jìn)(5)在視頻中，()不屬于沒(méi)有被粘接而留在藍(lán)膜上的B.正常良品D.針印偏出PAD點(diǎn)7(6)濺射法是由()轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面飛濺出來(lái)淀積在襯底上形成薄膜。(7)通常一個(gè)片盒中最多裝()片晶圓。(8)利用全自動(dòng)探針臺(tái)進(jìn)行扎針測(cè)試時(shí)，關(guān)于上片的步驟，下列所述正確的是()。(9)晶圓切割的作用是()。8A、對(duì)晶圓邊緣進(jìn)行修正B、將完整的晶圓分割成單獨(dú)的晶粒C、在完整的晶圓上劃出切割道的痕跡，方便后續(xù)晶粒的分離D、切除電氣性能不良的晶粒(10)點(diǎn)銀漿時(shí)，銀漿的覆蓋范圍需要()。A、小于50%B、大于50%C、大于75%D、不小于90%(1)雜質(zhì)以恒定的表面雜質(zhì)濃度源源不斷的通入，該擴(kuò)散過(guò)程稱為()。B、預(yù)淀積(2)工藝用水中可能存在的污染物有()。A、顆粒D、溶解氧9(3)晶圓框架盒的主要作用為()。A、固定并保護(hù)晶圓，避免其隨意滑動(dòng)而發(fā)生碰撞口B、用于儲(chǔ)存晶圓的容器C、保護(hù)藍(lán)膜，防止晶圓上的藍(lán)膜受到污染(4)二氧化硅作為選擇性擴(kuò)散掩蔽層的條件有()。C、雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于在硅中的擴(kuò)散系數(shù)(5)摻氯氧化的好處是()。D、迫使原子更快的穿越氧化層(6)光刻膠的最重要的性能指標(biāo)有()。B、分辨率C、粘附性(7)切片是拋光片制備中一道重要的工序，因?yàn)檫@一工序基本上決定了硅片的四個(gè)重要參數(shù)，即晶向以及()。A、平行度C、翹度D、厚度(8)軟烘(softbake)的目的是什么?()。A、將硅片上覆蓋的光刻膠溶劑去除B、增強(qiáng)光刻膠的粘附性以便在顯影時(shí)光刻膠可以很好地粘附C、緩和在旋轉(zhuǎn)過(guò)程中光刻膠膜內(nèi)產(chǎn)生的應(yīng)力D、使顯影后的膠膜更加堅(jiān)硬(9)在全自動(dòng)探針臺(tái)上進(jìn)行扎針調(diào)試時(shí)，需要根據(jù)晶圓測(cè)試隨件單在探針臺(tái)輸入界面輸入的信息包括()。A、晶圓產(chǎn)品名稱C、晶圓片號(hào)(10)砷化鎵的濕法腐蝕溶液包括()。(二)子任務(wù)2基于集成電路工藝仿真平臺(tái)，進(jìn)行集成電路制造環(huán)節(jié)相(1)考核技能點(diǎn)(2)具體操作在虛擬仿真中通過(guò)設(shè)置拋光片清洗設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流程并以操作、圖片或問(wèn)答的形式考查對(duì)清洗的目的、清洗劑的類型、不同有機(jī)污染物的處理方法等內(nèi)容。2.擴(kuò)散工藝(1)考核技能點(diǎn)考查操作氧化爐進(jìn)行擴(kuò)散工藝，并在爐管內(nèi)開始擴(kuò)散的過(guò)程，同時(shí)為保證后續(xù)工藝質(zhì)量，需要檢驗(yàn)擴(kuò)散層的質(zhì)量，確認(rèn)本次擴(kuò)散情況，同時(shí)監(jiān)控氧化爐工作是否正常。(2)具體操作在虛擬仿真中通過(guò)設(shè)置氧化爐的設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流程并以操作、圖片或問(wèn)答的形式考查對(duì)雜質(zhì)源選擇、溫度控制、擴(kuò)散時(shí)間及速率等工藝流程的理解。3.離子注入(1)考核技能點(diǎn)考查對(duì)離子注入技術(shù)的認(rèn)知與設(shè)備參數(shù)設(shè)置，通過(guò)設(shè)置所需的半導(dǎo)體摻雜類型，并能夠在注入完成后退火以緩和注(2)具體操作在虛擬仿真中通過(guò)設(shè)置離子注入機(jī)的設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流程并以操作、圖片或問(wèn)答的形式考查對(duì)雜質(zhì)摻入、電學(xué)性質(zhì)改變、硬化表面等工藝流程的理解。4.晶圓減薄與劃片(1)考核技能點(diǎn)考查準(zhǔn)確設(shè)置減薄機(jī)與劃片機(jī)工作參數(shù)的能力。(2)具體操作在虛擬仿真中需要選擇適當(dāng)?shù)牡毒咭约皽?zhǔn)確設(shè)置刀具參數(shù)的能力，如刀盤速度、刀盤深度；劃片工藝中調(diào)節(jié)參數(shù)的能力，如刀盤壓力、過(guò)渡速度等。檢查劃片面質(zhì)量，測(cè)量劃片線的精度和平整度等。5.注塑與電鍍?nèi)ヒ缌?1)考核技能點(diǎn)考查塑封和電鍍?nèi)ヒ缌霞夹g(shù)的認(rèn)知與設(shè)備參數(shù)設(shè)置，通過(guò)塑封膠注保護(hù)和封裝集成電路芯片，并通過(guò)電鍍的方式去(2)具體操作在虛擬仿真中通過(guò)設(shè)置注塑機(jī)與電鍍機(jī)等的設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流程并以操作、圖片或問(wèn)答的形式考查對(duì)塑封膠注入時(shí)間、固化溫度、電鍍處理、清洗等工藝流程的理解。參賽選手從現(xiàn)場(chǎng)下發(fā)的元器件中選取待測(cè)試芯片及工元器件清單等),在規(guī)定時(shí)間內(nèi)，按照相關(guān)電路原理與電子圖1所示。(1)靜態(tài)測(cè)試：(2)Voh輸出高電平電壓測(cè)試1)測(cè)試條件：Vcc=4.75V,Ion=-0.42)測(cè)試要求：測(cè)試4、5、6、7引腳，輸出測(cè)試結(jié)果(3)Ior輸出低電平電流測(cè)試1)測(cè)試條件：Ior=4mA,Vcc=2)測(cè)試要求：測(cè)試4、5、6、7引腳，輸出測(cè)試結(jié)果(4)Iπ輸入低電平電流測(cè)試2)測(cè)試要求：測(cè)試4、5、6、7引腳，輸出測(cè)試結(jié)果設(shè)計(jì)、焊接、調(diào)試完成測(cè)試工裝，用該譯碼器驅(qū)動(dòng)四位LED循環(huán)顯示，搭建并配置測(cè)試環(huán)境，測(cè)試Ooa-O?a輸出電壓值并標(biāo)注單位。(二)子任務(wù)二：模擬集成電路測(cè)試它采用8腳雙列直插塑料封裝，內(nèi)部包含四組形式完全相同的運(yùn)算放大器，除電源共用外，兩組運(yùn)放相互獨(dú)立。其引腳功能如圖2所示：端；+IN為同相輸入端；OUT為輸出端。其工作條件為：?jiǎn)坞娫矗?V～36V;雙電源：±2V~±16V。測(cè)試電路圖如圖3(1)Ig輸入偏置電流測(cè)試1)測(cè)試條件：?jiǎn)坞娫?V供電；2)測(cè)試要求：分別記錄單電源及雙電源供電時(shí)的測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(2)Vos失調(diào)電壓測(cè)試1)測(cè)試條件：?jiǎn)坞娫?0V供電；2)測(cè)試要求：記錄測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(3)CMRR共模抑制比測(cè)試1)測(cè)試條件：?jiǎn)坞娫?0V供電；2)測(cè)試要求：記錄測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(4)Aol開環(huán)增益測(cè)試1)測(cè)試條件：雙電源±10V供電；2)測(cè)試要求：記錄測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；2.應(yīng)用電路測(cè)試?yán)帽荣惉F(xiàn)場(chǎng)提供的LM324芯片、萬(wàn)能板、各類阻容元件等，搭建一個(gè)如圖4所示300mA的恒流源。測(cè)試并記錄以下數(shù)據(jù)；(2)恒流源輸出電流穩(wěn)定性；(3)負(fù)載兩端的電壓以及紋波系數(shù)；(4)恒流源的效率；(三)子任務(wù)三：光感集成電路測(cè)試光感芯片，該芯片利用IIC通信協(xié)議進(jìn)行工作。選手根據(jù)參考驅(qū)動(dòng)代碼，將其在自行編寫的測(cè)試程序里面進(jìn)行實(shí)現(xiàn)：行開短路測(cè)試，輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(2)Leackage測(cè)試1)測(cè)試條件：Vcc=5V,Vπ=0V2)測(cè)試要求：輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(3)讀寫功能測(cè)試1)測(cè)試條件：a、Vcc=5V,輸入一組數(shù)據(jù)b、Vcc=5V,讀取存入寄存器的數(shù)據(jù)；3)測(cè)試要求：輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位。1集成電路應(yīng)用開發(fā)賽項(xiàng)來(lái)源于集成電路行業(yè)真實(shí)工作一、集成電路設(shè)計(jì)驗(yàn)證(一)子任務(wù)1使用集成電路設(shè)計(jì)軟件，根據(jù)下面功能要求，使用0.18μm工藝PDK,設(shè)計(jì)集成電路原理圖并進(jìn)行功能仿真；在此基礎(chǔ)上完成版圖設(shè)計(jì)和驗(yàn)證。設(shè)計(jì)一個(gè)鑒幅器，它有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，從一個(gè)狀態(tài)到另一個(gè)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換取決于輸入信號(hào)的幅度，可以將非矩形脈沖(1)根據(jù)給定的工藝庫(kù)選擇P和N兩種MOS管，其溝(2)設(shè)置電路引腳，包括1個(gè)電源VCC(電源值為5V)、1個(gè)地信號(hào)GND、1個(gè)輸入信號(hào)端VIN、1個(gè)信號(hào)輸出端(3)根據(jù)裁判現(xiàn)場(chǎng)抽取確定VTP、VTN值，選手運(yùn)行仿真程序，確定相應(yīng)管子的溝道寬度，并展示輸出結(jié)果。2(4)完成版圖設(shè)計(jì)，需考慮放置焊盤和布局的合理性，(1)只允許展示已完成的電路圖、仿真圖、DRC檢查和LVS驗(yàn)證結(jié)果、版圖及尺寸。(2)不能進(jìn)行增加、刪除、修改、連線等操作。(二)子任務(wù)2利用給定的FPGA芯片內(nèi)部資源，根據(jù)要求設(shè)計(jì)邏輯模塊，完成功能仿真驗(yàn)證并下載至FPGA芯片驗(yàn)證功能。(1)FPGA應(yīng)用系統(tǒng)板開發(fā)場(chǎng)提供的已經(jīng)設(shè)計(jì)完成的FPGA應(yīng)用基礎(chǔ)板，另外一部分是首先根據(jù)比賽所提供的PCB板和電子元器件以及相關(guān)裝配圖等，進(jìn)行FPGA應(yīng)用開發(fā)板的設(shè)計(jì)及焊接；在此基礎(chǔ)上將比賽現(xiàn)場(chǎng)提供的FPGA應(yīng)用基礎(chǔ)板裝接到FPGA應(yīng)用開(2)FPGA程序設(shè)計(jì)與下載驗(yàn)證設(shè)計(jì)一個(gè)狀態(tài)機(jī)，該狀態(tài)機(jī)包括1個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，1個(gè)信號(hào)輸入端IN和3個(gè)信號(hào)輸出端OUT1、OUT0、HZ。狀態(tài)機(jī)的狀態(tài)轉(zhuǎn)移要求如表1所示，在CLK上升沿觸發(fā)進(jìn)行狀態(tài)3轉(zhuǎn)移。比賽選手采用VerilogHDL語(yǔ)言，并使用相關(guān)軟件完成電路設(shè)計(jì)和功能仿真，并將設(shè)計(jì)下載到FPGA應(yīng)用系統(tǒng)板序號(hào)狀態(tài)轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)移條件12345678(1)采用FPGA應(yīng)用系統(tǒng)板頻率為32MHz的晶振；(2)選手設(shè)計(jì)一個(gè)分頻器，將32MHz進(jìn)行分頻，產(chǎn)生的信號(hào)作為表1所示狀態(tài)機(jī)的時(shí)鐘輸入；(3)設(shè)計(jì)表1所示的狀態(tài)機(jī)；(4)使用VerilogHDL設(shè)計(jì)七段數(shù)碼管譯碼電路；(5)將OUT1OUT0組合的二進(jìn)制數(shù)經(jīng)譯碼后，送到FPGA應(yīng)用系統(tǒng)擴(kuò)展板的七段數(shù)碼管上進(jìn)行顯示，從數(shù)碼管上直接讀出0,1,2,3這四個(gè)數(shù)。4(1)只允許展示已完成的電路圖、驗(yàn)證結(jié)果等。(2)FPGA系統(tǒng)板不能進(jìn)行增加、刪除、修改、連線等5(一)子任務(wù)1基于集成電路工藝仿真平臺(tái)，回答集成電路制造環(huán)節(jié)相(1)單晶硅生長(zhǎng)完成后，需要進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)，其中熱探針?lè)梢詼y(cè)量單晶硅的()參數(shù)。A、電阻率C、少數(shù)載流子壽命D、導(dǎo)電類型(2)清洗是晶圓制程中不可缺少的環(huán)節(jié)，使用S-2清洗液進(jìn)行清洗時(shí)，可以去除的物質(zhì)是()。C、金屬(3)植球時(shí)，球和焊盤金屬形成冶金結(jié)合，此時(shí)形成的焊點(diǎn)為()。A、第一焊點(diǎn)B、第二焊點(diǎn)6(4)引線鍵合最常使用的原材料是()。(5)制作開關(guān)器件通常背面蒸金，目的是()。A、減小摻雜濃度B、抑制寄生效應(yīng)C、提高開關(guān)速度(6)摻雜結(jié)束后，要對(duì)硅片進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)，造成硅片表面有顆粒污染的原因可能是()。B、注入機(jī)未清洗干凈C、注入過(guò)程中晶圓的傾斜角度不合適D、離子束電流檢測(cè)不夠精確(7)在傳統(tǒng)光刻機(jī)的光學(xué)鏡頭與晶圓之間的介質(zhì)可用水替代空氣，以縮短曝光光源波長(zhǎng)和增大鏡頭的數(shù)值孔徑，從而提高分辨率的光刻技術(shù)是()。A、極紫外光光刻7D、浸潤(rùn)式光刻(8)切割完的晶圓取出后先用氣槍將晶圓表面的()和硅粉塵進(jìn)行初步的清理。B、不良晶粒D、切割時(shí)產(chǎn)生的火花(9)芯片檢測(cè)工藝中，在外觀檢查時(shí)發(fā)現(xiàn)料管破損，應(yīng)B、及時(shí)更換C、對(duì)破損部位進(jìn)行修補(bǔ)(10)以下哪種情況，探針針尖無(wú)法進(jìn)行修復(fù)?()。A、探針針尖被磨平B、探針針尖異常C、探針針尖有異物D、探針針尖氧化(1)高壓氧化的作用有()。8B、壓力增強(qiáng)，迫使原子更快的穿越氧化層C、高壓氧化，可以降低溫度D、相同溫度，速率更快(2)進(jìn)行增粘處理式，涂布HMDS的方法有()。C、手動(dòng)涂抹(3)探針卡是晶圓測(cè)試重要的材料，對(duì)測(cè)試結(jié)果起到重要作用。當(dāng)探針卡使用次數(shù)過(guò)多會(huì)影響扎針測(cè)試結(jié)果。過(guò)多使用探針卡的表現(xiàn)有()。A、探針針尖過(guò)短B、探針針尖變粗C、探針針尖變細(xì)D、探針針尖斷裂(4)晶圓檢測(cè)工藝中，晶圓在烘烤過(guò)程所采用的設(shè)備稱B、高溫干燥箱(5)下列情況中，需要更換點(diǎn)膠頭的有()。A、點(diǎn)膠頭工作超過(guò)2小時(shí)9B、更換銀漿類型C、點(diǎn)膠頭堵塞D、點(diǎn)膠頭損壞(6)堅(jiān)膜常常采用的加熱方式有()。D、真空烘焙(7)晶圓劃片后對(duì)其外觀進(jìn)行檢查，觀察到視頻中的不良現(xiàn)象，出現(xiàn)該異常的原因可能有()。A.載片臺(tái)步進(jìn)過(guò)大B.劃片刀磨損C.劃片刀轉(zhuǎn)速過(guò)大D.冷卻水流量過(guò)小(8)砷化鎵的濕法腐蝕溶液包括()。(9)退火的方式有()。B、快速熱退火C、電阻絲退火(10)裝片機(jī)主要由()系統(tǒng)組成。A、視覺(jué)識(shí)別(二)子任務(wù)2基于集成電路工藝仿真平臺(tái)，進(jìn)行集成電路制造環(huán)節(jié)相1.CMP平坦化工藝(1)考核技能點(diǎn)考查對(duì)CMP技術(shù)的認(rèn)知與設(shè)備參數(shù)設(shè)置，通過(guò)操作設(shè)備完成平坦化表面、去除殘留物等工作。(2)具體操作在虛擬仿真中通過(guò)設(shè)置CMP設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流程并以操作、圖片或問(wèn)答的形式考查對(duì)研漿、拋光、清洗等工2.引線鍵合(1)考核技能點(diǎn)考查對(duì)引線鍵合工藝的認(rèn)知與設(shè)備參數(shù)設(shè)置，將芯片與封裝基座連接的關(guān)鍵工藝，用于實(shí)現(xiàn)電信號(hào)傳輸和電源供應(yīng)，并提供機(jī)械支撐和保護(hù)作用。(2)具體操作在虛擬仿真中通過(guò)設(shè)置引線鍵合機(jī)的設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流程并以操作、圖片或問(wèn)答的形式考查焊球制備、芯片定位、焊接加熱與壓力施加、焊點(diǎn)形成以及后續(xù)檢測(cè)等工藝流3.薄膜淀積(1)考核技能點(diǎn)考查對(duì)薄膜淀積技術(shù)的認(rèn)知與設(shè)備參數(shù)設(shè)置，通過(guò)在材料表面上形成一層均勻、致密且具有特定功能的薄膜，以改變或增強(qiáng)材料的性質(zhì)和實(shí)現(xiàn)特定應(yīng)用需求。(2)具體操作在虛擬仿真中通過(guò)設(shè)置薄膜淀積機(jī)的設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流程并以操作、圖片或問(wèn)答的形式考查對(duì)清洗與預(yù)處理、薄膜淀積、后處理和退火等工藝流程的理解。4.芯片粘接與銀漿固化(1)考核技能點(diǎn)考查對(duì)固晶技術(shù)的認(rèn)知與設(shè)備參數(shù)設(shè)置，將芯片與載體基底牢固連接在一起，并建立電氣連接，同時(shí)利用銀漿的導(dǎo)電性能實(shí)現(xiàn)良好的信號(hào)傳輸。(2)具體操作在虛擬仿真中通過(guò)設(shè)置粘接機(jī)與銀漿固化機(jī)的設(shè)備參數(shù)、執(zhí)行工藝流程并以操作、圖片或問(wèn)答的形式考查對(duì)粘接劑選擇、對(duì)準(zhǔn)、壓合、固化等工藝流程的理解。5.晶圓施加探針測(cè)試(1)考核技能點(diǎn)考查對(duì)基于測(cè)試機(jī)，對(duì)圓片施加探針，進(jìn)行功能和性能(2)具體操作準(zhǔn)確設(shè)置探針臺(tái)參數(shù)，以確保測(cè)試的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。此外完成扎針前的調(diào)參，以保證探針與晶圓良好接觸，并避免損壞或測(cè)試誤差；同時(shí)核對(duì)MAP圖信息以確保在正確的位置進(jìn)行晶圓測(cè)試；最后需要記錄不合格品，準(zhǔn)確記錄測(cè)試結(jié)果并標(biāo)記不合格晶圓，以便進(jìn)一步處理和排查。參賽選手從現(xiàn)場(chǎng)下發(fā)的元器件中選取待測(cè)試芯片及工裝所需元件和材料，參考現(xiàn)場(chǎng)下發(fā)的技術(shù)資料(芯片手冊(cè)、元器件清單等),在規(guī)定時(shí)間內(nèi)，按照相關(guān)電路原理與電子使用測(cè)試儀器與工具，實(shí)施并完成測(cè)試任務(wù)。集成電路測(cè)試共分為數(shù)字集成電路測(cè)試、模擬集成電路測(cè)試和專用集成電路測(cè)試三項(xiàng)子任務(wù)。(一)子任務(wù)一：數(shù)字集成電路測(cè)試?yán)绱郎y(cè)芯片：譯碼器(例如CD4511BE),引腳圖如圖1所示。DDeg立岳9ABub8(1)Ipp靜態(tài)工作電流測(cè)試1)測(cè)試條件：Vpp=3V,LE=1,/Br=1,/Lr=1;2)測(cè)試要求：輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(2)VoH輸出高電平電壓測(cè)試2)測(cè)試要求：測(cè)試a、b、c、d、e、f、g引腳，輸出測(cè)試(3)Ior輸出低電平電流測(cè)試1)測(cè)試條件：Vpp=5V,Vor=0.6V;2)測(cè)試要求：測(cè)試a、b、c、d、e、f、g引腳，輸出測(cè)試(4)Iπ輸入低電平電流測(cè)試2)測(cè)試要求：測(cè)試A、B、C、D引腳，輸出測(cè)試結(jié)果并設(shè)計(jì)、焊接、調(diào)試完成測(cè)試工裝，用該譯碼器驅(qū)動(dòng)數(shù)碼(二)子任務(wù)二：模擬集成電路測(cè)試可以提供最大400mA的電流輸出。它們的輸入輸出最小壓降可以達(dá)到75mV,且輸出端無(wú)須外接濾波電容也可以保持用先進(jìn)的雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(BiCMOS)工藝在保持高精度輸出的同時(shí)，提供極低輸入輸出壓降和接地電流。此類擁有極低輸入輸出壓降能力的穩(wěn)壓器通常也稱為L(zhǎng)DO。而接地電流極低也意味著待機(jī)功耗極低，對(duì)于一些便攜式產(chǎn)品來(lái)說(shuō)是很好的選擇。芯片封裝及引腳說(shuō)明如圖2所示：型號(hào)芯片尺寸NCNR/FBNCNC1)測(cè)試條件：lour=4002)測(cè)試要求：記錄測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(2)Ict輸出電流范圍2)測(cè)試要求：記錄測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；1)測(cè)試條件：Iour=4002)測(cè)試要求：記錄測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(4)Isc輸出短路電流測(cè)試2)測(cè)試要求：記錄測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；搭建一個(gè)輸出電壓為5V的穩(wěn)壓源。(1)輸出電源(2)最大輸出電流(3)輸入輸出壓差(4)接地電流(5)負(fù)載調(diào)整率(6)線性調(diào)整率(7)電源抑制比(8)輸出噪聲電源(三)子任務(wù)三：專用集成電路測(cè)試芯片，該芯片利用SPI通信協(xié)議進(jìn)行工作。選手根據(jù)參考驅(qū)動(dòng)代碼，將其在自行編寫的測(cè)試程序里面進(jìn)行實(shí)現(xiàn)：行開短路測(cè)試，輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(2)Leackage測(cè)試2)測(cè)試要求：輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位；(3)讀寫功能測(cè)試2)測(cè)試要求：輸出測(cè)試結(jié)果并標(biāo)注單位。1集成電路應(yīng)用開發(fā)賽項(xiàng)來(lái)源于集成電路行業(yè)真實(shí)工作一、集成電路設(shè)計(jì)驗(yàn)證(一)子任務(wù)1使用集成電路設(shè)計(jì)軟件，根據(jù)下面功能要求，使用0.18μm工藝PDK,設(shè)計(jì)集成電路原理圖并進(jìn)行功能仿真；在此基礎(chǔ)上完成版圖設(shè)計(jì)和驗(yàn)證。設(shè)計(jì)一個(gè)兩級(jí)CMOS反相器驅(qū)動(dòng)電路。(1)根據(jù)給定的工藝庫(kù)選擇P和N兩種MOS管，MOS(2)設(shè)置電路引腳，包括1個(gè)電源VCC(電源值為5V)、1個(gè)地信號(hào)GND、1個(gè)輸入信號(hào)端VIN、1個(gè)信號(hào)輸出端(3)根據(jù)裁判現(xiàn)場(chǎng)抽取確定輸出高電平電流值，選手運(yùn)行仿真程序，確定主要影響輸出高電平電流值的MOS管溝道寬度，并根據(jù)通常CMOS數(shù)字電路設(shè)計(jì)原則確定其它MOS管的溝道寬度，展示輸出結(jié)果。2(4)完成版圖設(shè)計(jì)，需考慮放置焊盤和布局的合理性，(1)只允許展示已完成的電路圖、仿真圖、DRC檢查和LVS驗(yàn)證結(jié)果、版圖及尺寸。(2)不能進(jìn)行增加、刪除、修改、連線等操作。(二)子任務(wù)2利用給定的FPGA芯片內(nèi)部資源，根據(jù)要求設(shè)計(jì)邏輯模塊，完成仿真并下載至FPGA應(yīng)用系統(tǒng)板上進(jìn)行功能驗(yàn)證。完成圖1所示算術(shù)邏輯單元的設(shè)計(jì)、仿真，并下載到FPGA應(yīng)用系統(tǒng)板上進(jìn)行功能驗(yàn)證。圖1算術(shù)邏輯單元功能框圖3端口及功能描述如表1所示。序號(hào)端口功能描述1第一組8位輸入信號(hào)2第二組8位輸入信號(hào)32位輸入控制信號(hào)，分別實(shí)現(xiàn)加法、減法、按位與操作、按位或操作等功能49位的輸出信號(hào)(1)FPGA程序設(shè)計(jì)與下載驗(yàn)證針對(duì)圖1所示的算術(shù)邏輯單元功能框圖，使用相關(guān)軟件、VerilogHDL語(yǔ)言，完成電路設(shè)計(jì)和功能仿真驗(yàn)證。(2)FPGA應(yīng)用系統(tǒng)板開發(fā)根據(jù)比賽所提供的物料和裝配圖等，完成FPGA應(yīng)用系(3)FPGA程序設(shè)計(jì)與下載驗(yàn)證將設(shè)計(jì)好的算術(shù)邏輯單元Verilog代碼下載到FPGA應(yīng)用系統(tǒng)板上，利用系統(tǒng)板上相關(guān)的資源進(jìn)行驗(yàn)證，確保該單(1)只允許展示已完成的電路圖、驗(yàn)證結(jié)果等。(2)FPGA系統(tǒng)板不能進(jìn)行增加、刪除、修改、連線等4(一)子任務(wù)1基于集成電路工藝仿真平臺(tái)，回答集成電路制造環(huán)節(jié)相(1)二氧化硅厚度的測(cè)量方法中最精確的是：()。B、光學(xué)干涉法C、橢圓偏振光法(2)視頻中正在進(jìn)行塑封作業(yè)，若①部件閉合壓力不足，可能會(huì)造成()。A.塑封料填充不足B.開模失敗C.溢料D.塑封體變色(3)二氧化硅的干法刻蝕所采用的等離子體為()。5(4)使用有機(jī)溶劑清洗時(shí)，按()的順序進(jìn)行才能收到(5)氮化硅腐蝕一般采用以()為基礎(chǔ)的水溶液。A、鹽酸B、硝酸C、氫氟酸D、磷酸(6)以立式氧化擴(kuò)散爐為例，以下氧化擴(kuò)散方式正確的1)產(chǎn)品放置完成后在電腦終端輸入控制片ID。2)在電腦終端輸入操作設(shè)備ID、硅片批號(hào)