《8×100Gbs強(qiáng)度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊》（征求意見(jiàn)稿）

1T/GDEIIAxx—20248×100Gb/s強(qiáng)度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊本文件規(guī)定了基于單通道8×100Gb/s的800Gb/s強(qiáng)度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊（以下簡(jiǎn)稱為“光模塊”）的縮略語(yǔ)、術(shù)語(yǔ)和定義、技術(shù)要求、測(cè)試方法、可靠性試驗(yàn)、電磁兼容試驗(yàn)、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存要求。本文件適用于光電接口為8×100Gb/s的800Gb/s強(qiáng)度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T191包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志GB/T2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃GB/T26572-2011電子電氣產(chǎn)品中限用物質(zhì)的限量要求GB/T26125電子電氣產(chǎn)品六種限用物質(zhì)（鉛、汞、鎘、六價(jià)鉻、多溴聯(lián)苯和多溴二苯醚）的測(cè)定YD/T2798.1-2015用于光通信的光收發(fā)合一模塊測(cè)試方法第1部分：?jiǎn)尾ㄩL(zhǎng)型YD/T2798.2-2020用于光通信的光收發(fā)合一模塊測(cè)試方法第2部分：多波長(zhǎng)型YD/T2804.1-201540Gbit/s/100Gbit/s強(qiáng)度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊第1部分：4×10Gbit/sYD/T2804.2-201540Gbit/s/100Gbit/s強(qiáng)度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊第2部分：4×25Gbit/sYD/T3538.1-2019400Gbit/s強(qiáng)度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊第1部分：16×25Gbit/sYD/T3538.2-2019400Gbit/s強(qiáng)度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊第2部分：8×50Gbit/sYD/T3538.3-2020400Gbit/s強(qiáng)度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊第3部分：4×100Gb/sYD/T3538.4-2023400Gb/s強(qiáng)度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊第4部分：2×200Gb/sSJ/T11364-2014電子信息產(chǎn)品污染控制標(biāo)識(shí)要求IEC61000-4-2電磁兼容試驗(yàn)第4-2部分：試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)-靜電放電抗擾度試驗(yàn)（Electromagneticcompatibility(EMC)Part4-2:TestingandmeasurementtechniquesElectrostaticdischargeimmunitytest）IEC61000-4-3電磁兼容試驗(yàn)第4-3部分：試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)-輻射，射頻，電磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)（Electromagneticcompatibility(EMC)Part4-3:Testingandmeasurementtechniques-Radiated,radio-frequency,electromagneticfieldimmunitytest）IEEE802.3-2022IEEE以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)（IEEEStandardforEthernet）ANSI/ESDA/JEDEC-JS-001-2017靜電放電敏感度試驗(yàn)-人體放電模型（HBM）-器件等級(jí)（Forelectrostaticdischargesensitivitytesting-humanbodymodel(HBM)-componentlevel）SFF-8661Rev2.5SFF-8661SpecificationforQSFP+4XModule,Rev.2.5SFF-TA-8679Rev1.8.2四通道QSFP+硬件和電氣規(guī)（SFF-8679SpecificationforQSFP+4XHardwareandElectricalSpecificationRev1.8.2）2T/GDEIIAxx—2024QSFP-DDMSAHardwareRev7.0QSFP-DD/QSFP-DD800/QSFP112可插拔模塊硬件規(guī)范（QSFP-DD/QSFP-DD800/QSFP-DD1600HardwareSpecificationforQSFPDOUBLEDENSITY8XANDQSFP4XPLUGGABLETRANSCEIVERSRevision7.0）OSFPModuleSpecificationRev5.0OSFP八通道小型化可插拔模塊規(guī)范（OSFPMSASpecificationforOSFPOCTALSMALLFORMFACTORPLUGGABLEMODULERev5.0）NXPUM10204Rev7.0NXPUM10204,I2C-busspecificationandusermanual,Rev7.0,October2021.CMISRev5.2通用管理接口規(guī)范（CommonManagementInterfaceSpecification(CMIS)Revision5.2）FCCPART15射頻器件（Radiofrequencydevices）3縮略語(yǔ)下列縮略語(yǔ)適用于本文件。ERExtinctionRatio消光比OMAouterOuterOpticalModulationAmplitude外眼光調(diào)制幅度OSFPOctalSmallForm-factorPluggable八通道小型化可插拔模塊PAM4PulseAmplitudeModulation4四電平脈沖幅度調(diào)制QSFP-DD800QuadSmallForm-factorPluggable-雙密度四通道小型化可插拔模塊DoubleDensityRINRelativeIntensityNoise相對(duì)強(qiáng)度噪聲RINxOMARelativeIntensityNoiseOptical相對(duì)強(qiáng)度噪聲光調(diào)制幅度ModulationAmplitudeRxReceiver接收機(jī)SMSRSideModeSuppressionRatio邊模抑制比TDECQTransmitterDispersionEyeClosurePAM4信號(hào)發(fā)送色散眼閉合度f(wàn)orPAM4TxTransmitter發(fā)射機(jī)4術(shù)語(yǔ)和定義YD/T2798.1-2015、YD/T2798.2-2020、YD/T2804.1-2015、YD/T3357.2-2018、YD/T3538.1-2019、YD/T3538.2-2019、YD/T3538.3-2020、YD/T3538.4-2023界定術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。5分類(lèi)5.1按傳輸距離光模塊按傳輸距離可分為：——DR8（500m）；——DR8-2（2km）；——2xFR4（2km）；——其他5.2按封裝類(lèi)型3T/GDEIIAxx—2024光模塊按封裝類(lèi)型可分為：——QSFP-DD800；——OSFP；——其他。不同封裝類(lèi)型光模塊的功耗等級(jí)見(jiàn)表1。表1光模塊功耗等級(jí)光模塊功耗等級(jí)12345678最大功耗QSFP-DD8003.578>14OSFP3.578>146技術(shù)要求6.1功能框圖8×100Gb/s光模塊的功能框圖如圖1所示。（a）MPO型4T/GDEIIAxx—2024（b）雙路LC型圖1光模塊功能框圖6.2測(cè)試參考點(diǎn)8×100Gb/s光模塊的測(cè)試參考點(diǎn)如圖2所示。（a）MPO型5T/GDEIIAxx—2024（b）雙路LC型圖2光模塊測(cè)試參考點(diǎn)PMA——物理媒介連接層；PMD——物理媒介相關(guān)層；MDI——媒介相關(guān)接口；TP——測(cè)試參考點(diǎn)。其中，TP1為光發(fā)射端電口測(cè)試點(diǎn)；TP2為光發(fā)射端光口測(cè)試點(diǎn)；TP3為光接收端光口測(cè)試點(diǎn)；TP4為光接收端電口測(cè)試點(diǎn)。6.3極限條件光模塊的極限條件見(jiàn)表2。表2光模塊極限條件參數(shù)最小值最大值單位電源電壓—+3.6V貯存溫度-40+85℃相對(duì)濕度595%模塊插入力QSFP-DD800—90NOSFP 40模塊拔出力QSFP-DD800 50NOSFP 30模塊插拔次數(shù)QSFP-DD80050 次OSFP50 上電浪涌電流QSFP-DD800 mA/μsOSFP—掉電浪涌電流QSFP-DD800—mA/μsOSFP—6.4推薦工作條件6T/GDEIIAxx—2024光模塊的推薦工作條件見(jiàn)表3。表3光模塊推薦工作條件參數(shù)最小值最大值單位電源電壓3.3153.465V供電電流 等級(jí)1：0.478等級(jí)2：1.116等級(jí)3：2.233等級(jí)4：2.552等級(jí)5：3.190等級(jí)6：3.828等級(jí)7：4.466等級(jí)8：>4.466A管殼溫度商業(yè)級(jí)0+70℃擴(kuò)展級(jí)+85工業(yè)級(jí)-40+856.5光接口技術(shù)要求6.5.1DR8（傳輸距離為500m）光模塊光接口技術(shù)要求DR8（傳輸距離為500m）光模塊光接口技術(shù)要求見(jiàn)表4。表4DR8（傳輸距離為500m）光模塊光接口參數(shù)參數(shù)最小值最大值單位發(fā)送部分每通道信號(hào)波特率及波動(dòng)范圍53.125±50ppmGbd調(diào)制格式PAM4—通道波長(zhǎng)1304.5～1317.5nm邊模抑制比（SMSR）30—dB每通道平均發(fā)送光功率-2.9a+4dBm每通道發(fā)送外眼光調(diào)制幅度（OMAouter）TDECQ<1.4dB-0.8+4.2dBm1.4dB≤TDECQ≤3.4dB-2.2+TDECQPAM4信號(hào)發(fā)送色散眼閉合度（TDECQ） 3.4dBPAM4信號(hào)發(fā)送眼閉合度（TECQ） 3.4dB|TDECQ-TECQ| 2.5dB過(guò)沖與欠沖—22%發(fā)送光功率偏差—5dBm消光比3.5—dB光發(fā)送轉(zhuǎn)換時(shí)間—ps每通道關(guān)斷平均發(fā)送光功率 dBmRIN21.4OMA dB/Hz光回波損耗容限 21.4dB發(fā)射光反射 -26dB7T/GDEIIAxx—2024參數(shù)最小值最大值單位接收部分每通道信號(hào)波特率及波動(dòng)范圍53.125±50ppmGbd調(diào)制格式PAM4—通道波長(zhǎng)1304.5～1317.5nm每通道光功率損傷閾值 dBm每通道平均接收光功率-5.9c+4dBm接收光反射—-26dB每通道OMAouter接收光功率—4.2dBm每通道OMAouter接收靈敏度—SOMAddBm每通道OMAouter加壓接收靈敏度—dBma每通道平均發(fā)送光功率的最小值為參考值，不是信號(hào)強(qiáng)度的主要指標(biāo)。發(fā)送光功率低于該值不滿足要求，但高于該值也不能確保一定滿足要求，需全面衡量其他指標(biāo)參數(shù)；b持續(xù)暴露在該光功率水平下，要求接收部分沒(méi)有損傷；c每通道平均接收光功率的最小值為參考值，不是信號(hào)強(qiáng)度的主要指標(biāo)。接收光功率低于該值不滿足要求，但高于該值也不能確保一定滿足要求，需全面衡量其他指標(biāo)參數(shù)；d每通道OMAouter接收靈敏度的最大值為參考值，若TECQ＜1.4dB，則SOMA為-3.9；若1.4≤TECQ≤3.4dB，則SOMA為-5.3+TECQ；e在TP3處，BER為2.4×10-4條件下測(cè)試得到該靈敏度指標(biāo)。6.5.2DR8-2（傳輸距離為2km）光模塊光接口技術(shù)要求DR8-2（傳輸距離為2km）光模塊光接口技術(shù)要求見(jiàn)表5。表5DR8-2（傳輸距離為2km）光模塊光接口參數(shù)參數(shù)最小值最大值單位發(fā)送部分每通道信號(hào)波特率及波動(dòng)范圍53.125±50ppmGbd調(diào)制格式PAM4 通道波長(zhǎng)1304.5～1317.5nm邊模抑制比（SMSR）30 dB每通道平均發(fā)送光功率-2.9a+4.0dBm每通道發(fā)送外眼光調(diào)制幅度（OMAouter）TDECQ<1.4dB+4.2dBm1.4dB≤TDECQ≤3.4dB-1.5+TDECQPAM4信號(hào)發(fā)送色散眼閉合度（TDECQ）—3.4dBPAM4信號(hào)發(fā)送眼閉合度（TECQ） 3.4dB|TDECQ-TECQ|—2.5dB過(guò)沖與欠沖 22%發(fā)送光功率偏差 5dBm消光比3.5 dB光發(fā)送轉(zhuǎn)換時(shí)間 ps每通道關(guān)斷平均發(fā)送光功率—dBm8T/GDEIIAxx—2024參數(shù)最小值最大值單位RIN21.4OMA dB/Hz光回波損耗容限—21.4dB發(fā)射光反射 -26dB接收部分每通道信號(hào)波特率及波動(dòng)范圍53.125±50ppmGbd調(diào)制格式PAM4 通道波長(zhǎng)1304.5～1317.5nm每通道光功率損傷閾值 dBm每通道平均接收光功率-6.9c+4dBm接收光反射 -26dB每通道OMAouter接收光功率 4.2dBm每通道OMAouter接收靈敏度—SOMAddBm每通道OMAouter加壓接收靈敏度 -2.3edBma每通道平均發(fā)送光功率的最小值為參考值，不是信號(hào)強(qiáng)度的主要指標(biāo)。發(fā)送光功率低于該值不滿足要求，但高于該值也不能確保一定滿足要求，需全面衡量其他指標(biāo)參數(shù)；b持續(xù)暴露在該光功率水平下，要求接收部分沒(méi)有損傷；c每通道平均接收光功率的最小值為參考值，不是信號(hào)強(qiáng)度的主要指標(biāo)。接收光功率低于該值不滿足要求，但高于該值也不能確保一定滿足要求，需全面衡量其他指標(biāo)參數(shù)；d每通道OMAouter接收靈敏度的最大值為參考值，若TECQ＜1.4dB，則SOMA為-4.3；若1.4≤TECQ≤3.4dB，則SOMA為-5.7+TECQ；e在TP3處，BER為2.4×10-4條件下測(cè)試得到該靈敏度指標(biāo)。6.5.32xFR4（傳輸距離為2km）光模塊光接口技術(shù)要求2xFR4（傳輸距離為2km）光模塊的波長(zhǎng)要求見(jiàn)表6。表62xFR4（傳輸距離為2km）光模塊波長(zhǎng)分配通道中心波長(zhǎng)（nm）波長(zhǎng)范圍（nm）01264.5~1277.511284.5~1297.521304.5~1317.531324.5~1337.541264.5~1277.551284.5~1297.561304.5~1317.571324.5~1337.52xFR4（傳輸距離為2km）光模塊光接口技術(shù)要求見(jiàn)表7。表72xFR4（傳輸距離為2km）光模塊光接口參數(shù)9T/GDEIIAxx—2024參數(shù)最小值最大值單位發(fā)送部分每通道信號(hào)波特率及波動(dòng)范圍53.125±100ppmGBd調(diào)制格式PAM4—通道波長(zhǎng)見(jiàn)表6nm邊模抑制比（SMSR）30 dB總平均發(fā)送光功率a dBm每通道平均發(fā)送光功率-3.2b+4.4dBm每通道發(fā)送外眼光調(diào)制幅度（OMAouter）TDECQ<1.4dB-0.2+3.7dBm1.4dB≤TDECQ≤3.4dB-1.6+TDECQ任意兩個(gè)通道之間OMAouter差值—3.9dBPAM4信號(hào)發(fā)送色散眼閉合度（TDECQ）—3.4dBPAM4信號(hào)發(fā)送眼閉合度（TECQ） 3.4dB|TDECQ-TECQ| 2.5dB過(guò)沖與欠沖 22%發(fā)送光功率偏差 dBm消光比3.5—dB光發(fā)送轉(zhuǎn)換時(shí)間—ps每通道關(guān)斷平均發(fā)送光功率 dBmRIN17.1OMA dB/Hz光回波損耗容限 dB發(fā)射光反射 -26dB接收部分每通道信號(hào)波特率及波動(dòng)范圍53.125±100ppmGBd調(diào)制格式PAM4—通道波長(zhǎng)見(jiàn)表6nm每通道光功率損傷閾值5.4c dBm每通道平均接收光功率-7.2d+4.4dBm每通道OMAouter接收光功率 3.7dBm任意兩個(gè)通道之間OMAouter接收光功率差值—4.1dB接收光反射—-26dB每通道OMAouter接收靈敏度 SOMAedBm每通道OMAouter加壓接收靈敏度 -2.6fdBma總平均發(fā)送光功率為每光口的總平均發(fā)送功率；b每通道平均發(fā)送光功率的最小值為參考值，不是信號(hào)強(qiáng)度的主要指標(biāo)。發(fā)送光功率低于該值不滿足要T/GDEIIAxx—2024求，但高于該值也不能確保一定滿足要求，需全面衡量其他指標(biāo)參數(shù)；c持續(xù)暴露在該光功率水平下，要求接收部分沒(méi)有損傷；d每通道平均接收光功率的最小值為參考值，不是信號(hào)強(qiáng)度的主要指標(biāo)。接收光功率低于該值不滿足要求，但高于該值也不能確保一定滿足要求，需全面衡量其他指標(biāo)參數(shù)；e每通道OMAouter接收靈敏度的最大值為參考值，若TECQ＜1.4dB，則SOMA為-4.6；若1.4≤TECQ≤3.4dB，則SOMA為-6+TECQ；f在TP3處，BER為2.4×10-4條件下測(cè)試得到該靈敏度指標(biāo)。6.6電接口技術(shù)要求6.6.1高速電接口要求高速電信號(hào)要求如下：a）高速電信號(hào)在模塊內(nèi)部采用交流耦合；b）高速數(shù)據(jù)信號(hào)電氣特性的要求符合IEEE802.3ck-2022附錄120G和OIFCEI-112G-VSR-PAM4附錄25.A。6.6.2低速電接口要求QSFP-DD800光模塊的通訊接口采用I2C接口，引腳及功能符合QSFP-DDMSAHardwareRev7.0第4.1節(jié)要求，具體要求見(jiàn)附錄表B.1。I2C接口的電氣特性符合QSFP-DDMSAHardwareRev7.0第4.4.1節(jié)要求，具體要求見(jiàn)表8。表8QSFP-DD800光模塊低速控制和感應(yīng)信號(hào)特性參數(shù)符號(hào)最小值最大值單位條件SCL和SDAVOL00.4V快速模式：IOL(max)=3mA，快速模式+：IOL(max)=20mASCL和SDAVIL-0.3Vcc*0.3V VIHVcc*0.7Vcc+0.5V SCL和SDAI/O信號(hào)Ci—pF考慮連接器電容和跟蹤電容，本規(guī)范中SCL和SDA的電容高于NXPUM10204Rev7.0中要求SCL和SDA總線總電容負(fù)載Cb—400pF快速模式下的最大總線電容400kHz—550pF快速模式+的最大總線電容1MHzLPMode/TxDis、ResetL、ModSelL和ePPS/ClockVIL-0.30.8V—VIH2Vcc+0.3V P/VS[1,2,3,4]VIL—TBDV—P/VS[1,2,3,4]VIH—TBD—LPMode、ResetL和ModSelL—3600V＜Vin＜VccePPS/Clock—6.5mA0V＜Vin＜VccP/VS[1,2,3,4]—TBD—IntL/RxLOSVOL00.4VIOL=2.0mAT/GDEIIAxx—2024參數(shù)符號(hào)最小值最大值單位條件VOHVcc-0.5Vcc+0.3V10kΩ上拉至主機(jī)VccModPrsLVOL00.4VIOL=2.0mAVOH———ModPrsL可以實(shí)現(xiàn)為對(duì)模塊上的GND短路OSFP光模塊采用I2C接口，引腳及功能符合OSFPModuleSpecificationRev5.0第13章要求，具體要求見(jiàn)附錄B.2。電氣特性符合OSFPModuleSpecificationRev5.0第13.5節(jié)要求，具體要求見(jiàn)表9和表10。表9OSFP光模塊INT/RSTn電路參數(shù)特性參數(shù)標(biāo)稱值最小值最大值單位注HostVCC3.3003.1353.465V主機(jī)上的VCC電壓H_Vref_INT2.5002.4752.525VH_INT的精確電壓參考值M_Vref_RSTnVM_RSTn的精確電壓參考值R168k66k70kΩ推薦68.1kΩ1%電阻R25k4.9kΩ推薦4.99kΩ1%電阻R37.8k8.2kΩ推薦8.06kΩ1%電阻V_INT/RSTn_10.0000.000V未安裝模塊的INT/RSTn電壓V_INT/RSTn_20.0000.000V已安裝模塊的INT/RSTn電壓，H_RSTn=LowV_INT/RSTn_32.250V已安裝模塊的INT/RSTn電壓，H_RSTn=High，M_INT=LowV_INT/RSTn_43.0002.7503.465V已安裝模塊的INT/RSTn電壓，H_RSTn=High，M_INT=High表10OSFP光模塊LPWn/PRSn電路參數(shù)特性參數(shù)標(biāo)稱值最小值最大值單位注HostVCC3.3003.1353.465V主機(jī)上的VCC電壓H_Vref_INT2.5002.4752.525VH_INT的精確電壓參考值M_Vref_RSTnVM_RSTn的精確電壓參考值R1125k24.5k25.5kΩ推薦68.1kΩ1%電阻R12Ω推薦4.99kΩ1%電阻R139.8kΩ推薦8.06kΩ1%電阻V_LPWn/PRSn_10.9500.000V已安裝模塊的LPWn/PRSn電壓，H_LPWn=LowV_LPWn/PRSn_22.250V已安裝模塊的LPWn/PRSn電壓，H_LPWn=HighV_LPWn/PRSn_33.3002.7503.465V未安裝模塊的LPWn/PRSn電壓6.6.3時(shí)序要求QSFP-DD800光模塊的I2C時(shí)序符合QSFP-DDMSAHardwareRev7.0第4.5.2節(jié)要求，控制及狀態(tài)信號(hào)時(shí)序符合第4.5.3節(jié)要求。OSFP光模塊的I2C時(shí)序OSFPModuleSpecificationRev5.0第13.5節(jié)要求。T/GDEIIAxx—20246.7機(jī)械外形尺寸和引腳要求光模塊的機(jī)械外形尺寸參見(jiàn)附錄A，引腳及定義見(jiàn)附錄B。6.8軟件技術(shù)要求QSFP-DD800和OSFP光模塊的軟件技術(shù)要求應(yīng)符合CMISRev5.2的要求。6.9外觀要求光模塊的外觀應(yīng)平滑、潔凈、無(wú)油漬、無(wú)傷痕及裂紋，整個(gè)器件牢固，與連接器插拔平順。標(biāo)志清晰牢固，標(biāo)志內(nèi)容符合12.1節(jié)的要求；標(biāo)志貼放位置符合GB/T191中相關(guān)要求。6.10環(huán)保符合性光模塊的組成單元分類(lèi)應(yīng)符合GB/T26572-2011中表1的規(guī)定，有毒有害物質(zhì)的限量要求按GB/T26125規(guī)定檢測(cè)，應(yīng)符合GB/T26572-2011中表2的要求。7測(cè)試環(huán)境性能測(cè)試通常在潔凈室進(jìn)行，潔凈室至少10萬(wàn)級(jí)，測(cè)試環(huán)境要求如下：——溫度15℃~35℃;——相對(duì)濕度45%～75%；——大氣壓力：86kPa～106kPa；——有嚴(yán)格的防靜電措施（設(shè)備接地良好，操作人員防靜電措施得當(dāng)），電源220V±10%。當(dāng)不能在標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下進(jìn)行時(shí)，應(yīng)在試驗(yàn)報(bào)告上寫(xiě)明測(cè)試和試驗(yàn)的環(huán)境條件。8測(cè)試方法8.1通道波長(zhǎng)8.1.1測(cè)試框圖光模塊通道波長(zhǎng)測(cè)試框圖如圖3所示。圖3通道波長(zhǎng)測(cè)試框圖8.1.2預(yù)置條件(1)設(shè)置好多波長(zhǎng)計(jì)參數(shù)；(2)設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號(hào)；(3)設(shè)置可調(diào)光衰減器的工作波長(zhǎng)為被測(cè)光模塊接收端工作波長(zhǎng)；(4)校準(zhǔn)光路，獲取光路校準(zhǔn)值。8.1.3測(cè)試步驟T/GDEIIAxx—2024(1)按測(cè)試框圖連接好測(cè)試系統(tǒng)；(2)給被測(cè)光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)；(3)調(diào)節(jié)可調(diào)光衰減器，使進(jìn)入到多波長(zhǎng)計(jì)的光功率符合其工作范圍；(4)啟動(dòng)波長(zhǎng)測(cè)試功能，即可從多波長(zhǎng)計(jì)上測(cè)得被測(cè)光模塊該通道的波長(zhǎng)值；(5)改變被測(cè)通道，重復(fù)以上步驟，測(cè)出每通道的波長(zhǎng)值。8.2邊模抑制比8.2.1測(cè)試框圖光模塊邊模抑制比測(cè)試框圖如圖4所示。圖4邊模抑制比測(cè)試框圖8.2.2預(yù)置條件(1)光譜儀預(yù)熱并設(shè)定好參數(shù)，包括：激光器類(lèi)型、掃描范圍、分辨率；(2)設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號(hào)；(3)設(shè)置可調(diào)光衰減器的工作波長(zhǎng)為被測(cè)光模塊接收端工作波長(zhǎng)；(4)校準(zhǔn)光路，獲取光路校準(zhǔn)值。8.2.3測(cè)試步驟(1)按測(cè)試框圖連接好測(cè)試系統(tǒng)；(2)給被測(cè)光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)；(3)調(diào)節(jié)可調(diào)光衰減器，使輸入到光譜分析儀的光功率符合其工作范圍；(4)啟動(dòng)光譜分析儀邊模抑制比測(cè)試功能，讀出被測(cè)光模塊的邊模抑制比；(5)改變被測(cè)通道，重復(fù)以上步驟，測(cè)出每通道的邊模抑制比。8.3總平均發(fā)送光功率8.3.1測(cè)試框圖光模塊總平均發(fā)送光功率測(cè)試框圖圖5如所示。圖5總平均發(fā)送光功率測(cè)試框圖8.3.2預(yù)置條件(1)設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號(hào)；(2)設(shè)置光功率計(jì)測(cè)試波長(zhǎng)為被測(cè)光模塊的中心波長(zhǎng)。T/GDEIIAxx—20248.3.3測(cè)試步驟(1)按測(cè)試框圖連接好測(cè)試系統(tǒng)；(2)給被測(cè)光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)；(3)通過(guò)光功率計(jì)讀出被測(cè)光模塊的輸出光功率，即為被測(cè)光模的總平均發(fā)送光功率。8.4每通道平均發(fā)送光功率8.4.1測(cè)試框圖400Gb/s光模塊每通道平均發(fā)送光功率測(cè)試框圖如圖6所示。圖6每通道平均發(fā)送光功率測(cè)試框圖8.4.2預(yù)置條件(1)設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號(hào)；(2)設(shè)置光功率計(jì)測(cè)試波長(zhǎng)為被測(cè)光模塊的中心波長(zhǎng)；(3)校準(zhǔn)光路，獲取光路校準(zhǔn)值。8.4.3測(cè)試步驟(1)按測(cè)試框圖連接好測(cè)試系統(tǒng)；(2)給被測(cè)光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)；(3)通過(guò)光功率計(jì)測(cè)出光模塊通道0的輸出光功率值，將該光功率值加入光路校準(zhǔn)值計(jì)算后，即為被測(cè)光模塊該通道的平均發(fā)送光功率；(4)改變被測(cè)通道，重復(fù)以上步驟，測(cè)出每通道的平均發(fā)送光功率。8.5每通道關(guān)斷平均發(fā)送光功率8.5.1測(cè)試框圖光模塊每通道關(guān)斷平均發(fā)送光功率測(cè)試框圖如圖7所示。圖7每通道關(guān)斷平均發(fā)送光功率測(cè)試框圖8.5.2預(yù)置條件(1)設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號(hào)；(2)設(shè)置光功率計(jì)測(cè)試波長(zhǎng)為被測(cè)光模塊的中心波長(zhǎng)；T/GDEIIAxx—2024(3)校準(zhǔn)光路，獲取光路校準(zhǔn)值。8.5.3測(cè)試步驟(1)按測(cè)試框圖連接好測(cè)試系統(tǒng)；(2)給被測(cè)光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)；(3)通過(guò)DDM監(jiān)控配置激光器狀態(tài)為關(guān)斷，使激光器處于關(guān)閉狀態(tài)，測(cè)出該通道的平均發(fā)送光功率，將該光功率值加入光路校準(zhǔn)值計(jì)算后，即為關(guān)斷激光器后該通道的平均發(fā)送光功率；(4)改變被測(cè)通道，重復(fù)以上步驟，測(cè)出每通道的關(guān)斷平均發(fā)送光功率。8.6消光比8.6.1測(cè)試框圖光模塊消光比測(cè)試框圖如圖8所示。圖8消光比測(cè)試框圖8.6.2預(yù)置條件(1)設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號(hào)；(2)設(shè)置可調(diào)光衰減器的工作波長(zhǎng)為被測(cè)光模塊接收端工作波長(zhǎng)；(3)校準(zhǔn)光路，獲取光路校準(zhǔn)值。8.6.3測(cè)試步驟(1)按測(cè)試框圖連接好測(cè)試系統(tǒng)；(2)給被測(cè)光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)；(3)調(diào)節(jié)可調(diào)光衰減器，使輸入到示波器的光功率符合其工作范圍；(4)根據(jù)被測(cè)光模塊工作的速率，選擇示波器相應(yīng)的光濾波器帶寬和眼圖模板；(5)啟動(dòng)示波器上的消光比測(cè)試功能，測(cè)試消光比值；(6)改變被測(cè)通道，重復(fù)以上步驟，測(cè)出每通道的消光比。8.7每通道發(fā)送外眼光調(diào)制幅度(OMAouter)和任意兩個(gè)通道之間OMAouter差值8.7.1測(cè)試框圖光模塊每通道發(fā)送外眼光調(diào)制幅度（OMAouter）測(cè)試框圖如圖9所示。T/GDEIIAxx—2024圖9每通道發(fā)送外眼光調(diào)制幅度（OMAouter）測(cè)試框圖8.7.2預(yù)置條件(1)設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號(hào)；(2)設(shè)置可調(diào)光衰減器的工作波長(zhǎng)為被測(cè)光模塊接收端工作波長(zhǎng)；(3)校準(zhǔn)光路，獲取光路校準(zhǔn)值。8.7.3測(cè)試步驟(1)按測(cè)試框圖連接好測(cè)試系統(tǒng)；(2)給被測(cè)光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)，測(cè)試時(shí)要求所有非被測(cè)通道的光功率之和小于-30dBm，如果非被測(cè)通道處于工作狀態(tài)，應(yīng)使用合適的濾波器分離待測(cè)通道；(3)調(diào)節(jié)可調(diào)光衰減器，使輸入到示波器的光功率符合其工作范圍；(4)接入示波器；到OMAouter值；若示波器具備測(cè)試OMAouter功能，則直接啟動(dòng)該功能測(cè)試OMAouter值；(7)改變被測(cè)通道，重復(fù)以上步驟，測(cè)出每通道的OMAouter值；(8)所有通道中最大OMAouter值與最小OMAouter值的差值，即為任意兩個(gè)通道之間OMAouter差值。8.8每通道PAM4信號(hào)發(fā)送色散眼閉合度(TDECQ)8.8.1測(cè)試框圖光模塊每通道PAM4信號(hào)發(fā)送色散眼閉合度（TDECQ）測(cè)試框圖如圖10所示。圖10每通道PAM4信號(hào)發(fā)送色散眼閉合度（TDECQ）測(cè)試框圖8.8.2預(yù)置條件設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號(hào)。8.8.3測(cè)試步驟T/GDEIIAxx—2024(1)按測(cè)試框圖連接好測(cè)試系統(tǒng)；(2)給被測(cè)光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)；任一通道測(cè)試時(shí)，保持其它通道處于工作狀態(tài)；(3)調(diào)整分光器和可變反射器，調(diào)整至規(guī)定回波損耗值；(4)調(diào)整反射光的偏振以產(chǎn)生最大的相對(duì)噪聲強(qiáng)度；濾波器用于隔離待測(cè)通道和其它通道，其通帶紋波應(yīng)限制在0.5dB峰峰值內(nèi)，并選擇合適的隔離度使得測(cè)試通道的功率與其他所有通道功率之和的比值大于20dB；(5)選擇與待測(cè)光模塊傳輸距離一致長(zhǎng)度的G.652標(biāo)準(zhǔn)單模測(cè)試光纖，并使色散滿足IEEE802.3bs中的相關(guān)規(guī)定。(6)光電轉(zhuǎn)換后，接入具備TDECQ測(cè)試功能的采樣示波器，以恢復(fù)時(shí)鐘為基準(zhǔn)形成PAM4信號(hào)眼圖；光電轉(zhuǎn)換器和示波器整體具備4階貝寒爾-湯姆遜濾波響應(yīng)；使用參考均衡器進(jìn)行補(bǔ)償，符合IEEE802.3bs中的相關(guān)規(guī)定；(7)選擇相應(yīng)配置后啟動(dòng)示波器TDECQ測(cè)試功能，測(cè)出TDECQ值；(8)改變被測(cè)通道，重復(fù)以上步驟，測(cè)出其余通道的TDECQ值。8.9回波損耗容限8.9.1測(cè)試框圖光模塊回波損耗容限測(cè)試框圖如圖11所示。圖11回波損耗容限測(cè)試框圖8.9.2預(yù)置條件(1)設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號(hào)；(2)設(shè)置光功率計(jì)的波長(zhǎng)為被測(cè)光模塊規(guī)定的中心波長(zhǎng)；(3)設(shè)置可調(diào)光衰減器的工作波長(zhǎng)為被測(cè)光模塊接收端工作波長(zhǎng)；(4)對(duì)分光器的支路端插入損耗進(jìn)行測(cè)試，計(jì)算兩個(gè)支路的插損差值Δ。8.9.3測(cè)試步驟(1)按測(cè)試框圖連接好測(cè)試系統(tǒng)；(2)給被測(cè)光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)；(3)斷開(kāi)光反射器，測(cè)試出通道0發(fā)送光功率P0，單位為mW；(4)調(diào)節(jié)可變衰減器1，使輸入?yún)⒖冀邮諜C(jī)的光功率為靈敏度最大值，并在誤碼儀上監(jiān)測(cè)比特差錯(cuò)率逐漸增大并達(dá)到規(guī)定的值；(5)接入光反射器，調(diào)節(jié)光可變衰減器2，逐步增加輸入進(jìn)光分路器的光功率P1；T/GDEIIAxx—2024(6)當(dāng)誤碼儀出現(xiàn)誤碼時(shí)，斷開(kāi)被測(cè)通道的輸出，記下光分路器公共口的光功率，單位為mW；(7)將P0和P1值代入公式：光回波損耗容限=10×lgP0/P1，計(jì)算得出光回波損耗容限值，單位為dB；(8)改變被測(cè)通道，重復(fù)以上步驟，測(cè)出各通道光回波損耗容限。8.10光發(fā)送轉(zhuǎn)換時(shí)間8.10.1測(cè)試框圖光模塊的光發(fā)送轉(zhuǎn)換時(shí)間測(cè)試框圖如圖12所示。圖12光發(fā)送轉(zhuǎn)換時(shí)間測(cè)試框圖8.10.2預(yù)置條件(1)設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號(hào)；(2)設(shè)置可調(diào)光衰減器的工作波長(zhǎng)為被測(cè)光模塊接收端工作波長(zhǎng)。8.10.3測(cè)試步驟(1)按測(cè)試框圖連接好測(cè)試系統(tǒng)；(2)給被測(cè)光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)；(3)調(diào)節(jié)可調(diào)光衰減器，使輸入到示波器的光功率符合其工作范圍；(4)光電轉(zhuǎn)換后，接入示波器，光電轉(zhuǎn)換器和示波器整體具備4階貝塞爾-湯姆遜濾波響應(yīng)；(5)啟動(dòng)示波器Tr和Tf測(cè)試功能鍵，測(cè)出Tr和Tf值；(6)選取Tr和Tf較大值，即為該通道光發(fā)送轉(zhuǎn)換時(shí)間；(7)改變被測(cè)通道，重復(fù)以上步驟，測(cè)試其余通道光發(fā)送轉(zhuǎn)換時(shí)間。8.11.1測(cè)試框圖光模塊RINXOMA測(cè)試框圖如圖13所示。XOMA測(cè)試框圖T/GDEIIAxx—20248.11.2預(yù)置條件設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號(hào)。8.11.3測(cè)試步驟(1)按測(cè)試框圖連接好測(cè)試系統(tǒng)，電功率計(jì)清零；(2)給被測(cè)光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)；開(kāi)啟被測(cè)光模塊的激光器，在規(guī)定的調(diào)制信號(hào)下，激光器輸出信號(hào)的波長(zhǎng)、消光比、眼圖應(yīng)滿足規(guī)定要求；(3)斷開(kāi)調(diào)制信號(hào)，調(diào)節(jié)可調(diào)光反射儀至規(guī)定的反射系數(shù)；(4)激光器工作在連續(xù)光條件下，調(diào)節(jié)偏振控制器，從電功率計(jì)上讀出最大的噪聲功率PN；(5)激光器工作在調(diào)制狀態(tài)下，讀取電功率計(jì)的讀數(shù)，記為PM；(6)將PN、PM代入以下公式，計(jì)算出RINXOMA；式中：RINXOMA為相對(duì)強(qiáng)度噪聲光調(diào)制幅度，單位為dB/Hz，其中X為規(guī)定的反射系數(shù)；PN為無(wú)調(diào)制狀態(tài)下的噪聲功率，單位為W；PM為調(diào)制狀態(tài)下測(cè)得的電功率，單位為W；BW為測(cè)試系統(tǒng)的噪聲帶寬，單位為Hz。(7)改變被測(cè)通道，重復(fù)以上步驟，測(cè)出每條通道的RINXOMA值。8.12每通道光功率損傷閾值8.12.1測(cè)試框圖光模塊每通道光功率損傷閾值測(cè)試框圖如圖14所示。圖14每通道光功率損傷閾值測(cè)試框圖8.12.2預(yù)置條件(1)設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號(hào)；(2)設(shè)置光功率計(jì)的波長(zhǎng)為被測(cè)光模塊規(guī)定的中心波長(zhǎng)；(3)設(shè)置可調(diào)光衰減器的工作波長(zhǎng)為被測(cè)光模塊接收端工作波長(zhǎng)；(4)對(duì)分光器的支路端插入損耗進(jìn)行測(cè)試，計(jì)算兩個(gè)支路的插損差值Δ。8.12.3測(cè)試步驟(1)按測(cè)試框圖連接好測(cè)試系統(tǒng)；T/GDEIIAxx—2024(2)給被測(cè)光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)；(3)調(diào)節(jié)可調(diào)光衰減器，使輸入到被測(cè)光模塊接收端的光功率由小逐漸增加，直到誤碼儀監(jiān)測(cè)到的比特差錯(cuò)率逐漸增大并達(dá)到規(guī)定的值；(4)斷開(kāi)光波分復(fù)用器其它路光信號(hào)輸入和被測(cè)光模塊接收端的光輸入，將光波分復(fù)用器的輸出和光功率計(jì)相連，記錄對(duì)應(yīng)通道的接收光功率P1；(5)調(diào)節(jié)可調(diào)光衰減器，使光功率計(jì)顯示的功率在損傷閾值點(diǎn)，將其他的光路接入光波分復(fù)用器和光波分復(fù)用器的輸出和被測(cè)光模塊接收端連接1分鐘，使比特誤碼率小于滿足平均接收最大靈敏度的比特誤碼率；(6)調(diào)節(jié)可調(diào)光衰減器，使輸入到被測(cè)光模塊接收端的光功率由小逐漸增加，直到誤碼儀監(jiān)測(cè)到的比特差錯(cuò)率逐漸增大并達(dá)到規(guī)定的值；(7)斷開(kāi)光波分復(fù)用器其它路光信號(hào)輸入和被測(cè)光模塊接收端的光輸入，將光波分復(fù)用器的輸出和光功率計(jì)相連，記錄對(duì)應(yīng)通道的接收光功率P2；(8)比較接收光功率P1和接收光功率P2，2個(gè)光功率變化在0.3dB以內(nèi)為合格；(9)改變被測(cè)通道，重復(fù)以上步驟，測(cè)出每個(gè)通道的光功率損傷閾值。8.13每通道平均接收光功率8.13.1測(cè)試框圖光模塊每通道平均接收光功率測(cè)試框圖同8.12.1。8.13.2預(yù)置條件(1)設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號(hào)；(2)設(shè)置光功率計(jì)的波長(zhǎng)為被測(cè)光模塊規(guī)定的中心波長(zhǎng)；(3)設(shè)置可調(diào)光衰減器的工作波長(zhǎng)為被測(cè)光模塊接收端工作波長(zhǎng)；(4)對(duì)分光器的支路端插入損耗進(jìn)行測(cè)試，計(jì)算兩個(gè)支路的插損差值Δ。8.13.3測(cè)試步驟(1)按測(cè)試框圖連接好測(cè)試系統(tǒng)；(2)給被測(cè)光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)；(3)調(diào)節(jié)可調(diào)光衰減器，使輸入到被測(cè)光模塊接收端的光功率值逐漸增大，直到誤碼儀監(jiān)測(cè)的比特差錯(cuò)率逐漸增大并達(dá)到規(guī)定的值，斷開(kāi)光波分復(fù)用器其它路光信號(hào)輸入，用光功率計(jì)測(cè)出此時(shí)的光波分復(fù)用器輸出端值，即為對(duì)應(yīng)通道的平均接收光功率的最大值；(4)調(diào)節(jié)可調(diào)光衰減器，使輸入到被測(cè)光模塊接收端的光功率由大逐漸減小，直到誤碼儀監(jiān)測(cè)的比特差錯(cuò)率逐漸增大并達(dá)到規(guī)定的值，用光功率計(jì)測(cè)出此時(shí)的值，即為對(duì)應(yīng)通道的平均接收光功率的最小值；(5)改變被測(cè)通道，重復(fù)以上步驟，測(cè)出每個(gè)通道的平均接收光功率值。8.14每通道OMAouter接收光功率根據(jù)8.13中的方法測(cè)出每個(gè)通道的平均接收光功率的最大值后，將其代入以下公式，計(jì)算出被測(cè)光模塊對(duì)應(yīng)通道的OMAouter接收光outer=10×lg2×PreER?式中：Pre為平均接收光功率，單位為mW；T/GDEIIAxx—2024ER為消光比，單位為dB；OMAouter為外眼光調(diào)制幅度。8.15任意兩個(gè)通道之間OMAouter接收光功率差值根據(jù)8.14中的方法測(cè)出所有通道的OMAouter接收光功率后，按以下定義計(jì)算出2個(gè)通道間OMAouter接收光功率差值：所有通道的最大OMAouter接收光功率與最小OMAouter接收光功率的差值，即為任意2個(gè)通道間OMAouter接收光功率差值。8.16每通道OMAouter接收靈敏度根據(jù)8.13中的方法測(cè)出每個(gè)通道的平均接收光功率的最小值后，將其代入以下公式，計(jì)算出被測(cè)光模塊對(duì)應(yīng)通道的OMAouter接收靈outer=10×lg1式中：Pre為平均接收光功率，單位為mW；ER為消光比，單位為dB；OMAouter為外眼光調(diào)制幅度。8.17每通道OMAouter加壓接收靈敏度8.17.1測(cè)試框圖光模塊每通道OMAouter加壓接收靈敏度測(cè)試框圖如圖15所示。圖15每通道OMAouter加壓接收靈敏度測(cè)試框圖8.17.2預(yù)置條件(1)設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號(hào)；(2)設(shè)置光功率計(jì)的波長(zhǎng)為被測(cè)光模塊規(guī)定的中心波長(zhǎng)；(3)設(shè)置可調(diào)光衰減器的工作波長(zhǎng)為被測(cè)光模塊接收端工作波長(zhǎng)。8.17.3測(cè)試步驟(1)按測(cè)試框圖連接好測(cè)試系統(tǒng)；(2)給被測(cè)光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)；T/GDEIIAxx—2024(3)誤碼儀輸出規(guī)定的壓力信號(hào)，例如偽隨機(jī)序列長(zhǎng)度、碼型和速率、眼圖垂直閉合代價(jià)、抖動(dòng)條件等發(fā)送眼圖壓力參數(shù)，利用光示波器驗(yàn)證壓力信號(hào)；(4)調(diào)節(jié)可調(diào)光衰減器，使輸入到被測(cè)光模塊接收端的光功率由大逐漸減小，直到誤碼儀監(jiān)測(cè)的比特差錯(cuò)率逐漸增大并達(dá)到規(guī)定的值，用光功率計(jì)測(cè)出此時(shí)的值，即為對(duì)應(yīng)通道的平均加壓接收靈敏度PL，單位為dBm；(5)調(diào)節(jié)可調(diào)光衰減器，增大輸入光功率使光示波器的輸入光功率合適，記錄待測(cè)信道光功率PH，用光示波器測(cè)試其光調(diào)制幅度OMAH，光示波器功率測(cè)量如有誤差可通過(guò)光功率計(jì)比較校準(zhǔn)消(6)出被測(cè)光模塊對(duì)應(yīng)通道的OMAouter加壓接收靈敏度，計(jì)算公式為：OMAL=OMAH?PH?PL)。(7)改變被測(cè)通道，重復(fù)以上步驟，測(cè)出每通道OMAouter加壓接收靈敏度。8.18接收光反射8.18.1測(cè)試框圖光模塊接收光反射測(cè)試框圖如圖16所示。圖16接收光反射測(cè)試框圖8.18.2預(yù)置條件(1)確保被測(cè)試光模塊接收端口端面干凈；(2)確保測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)光跳線端面干凈，無(wú)損傷；(3)對(duì)光回?fù)p測(cè)試儀進(jìn)行校準(zhǔn)。8.18.3測(cè)試步驟(1)按測(cè)試框圖連接好測(cè)試系統(tǒng)；(2)設(shè)置可調(diào)諧光源輸出信號(hào)波長(zhǎng)為光模塊對(duì)應(yīng)通道的工作波長(zhǎng)范圍；(3)測(cè)試讀取光模塊接收點(diǎn)的光反射值；(4)改變被測(cè)通道，重復(fù)以上步驟，測(cè)出每個(gè)通道的接收光反射值。9可靠性試驗(yàn)9.1可靠性試驗(yàn)環(huán)境要求可靠性試驗(yàn)環(huán)境要求同第7章。9.2可靠性試驗(yàn)要求可靠性試驗(yàn)要求應(yīng)符合表11。表11可靠性試驗(yàn)要求T/GDEIIAxx—2024實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目引用標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)條件抽樣方案LTPDaSSaCa物理特性試驗(yàn)ESD等級(jí)ANSI/ESDA/JEDEC-JS-001-2017人體放電模型，1次放電；高速管腳組≥500V；低速管腳組≥2000V-60ESD抗擾度IEC61000-4-2空氣放電：±15kV，10次放電；接觸放電：±8kV，10次放電-30機(jī)械完整性試驗(yàn)機(jī)械沖擊TelcordiaGR-468-CORE:20加速度500g，脈沖持續(xù)時(shí)間1.0ms，200變頻振動(dòng)TelcordiaGR-468-CORE:20加速度20g，頻率：20Hz～2000Hz，掃頻速率：4min/循環(huán)，循環(huán)次數(shù)：4循環(huán)/軸向，方向X、Y、Z200光口插拔重復(fù)性TelcordiaGR-468-CORE:20插拔次數(shù)：200次2000非工作環(huán)境試驗(yàn)高溫貯存TelcordiaGR-468-CORE:20043.3.2.1200低溫貯存TelcordiaGR-468-CORE:20043.3.2.1200溫度循環(huán)TelcordiaGR-468-CORE:20043.3.2.2溫度范圍-40℃~+85℃,溫度變化速率>10℃/min，極限溫度下的停留時(shí)間不小于10min，循環(huán)次數(shù)：500次（UNCc）、100次（COc）200恒定濕熱TelcordiaGR-468-CORE:20043.3.2.3溫度85℃,相對(duì)濕度85%，時(shí)間500h200工作環(huán)境試驗(yàn)壽命（高TelcordiaGR-468-CORE:20043.3.3.1工作溫度70℃（或85℃),正常工作條件下，時(shí)間2000h200濕熱循環(huán)（工作）dTelcordiaGR-468-CORE:20043.3.3.2溫度范圍65℃~25℃~-10℃,高溫時(shí)濕度90%，低溫濕度不控制，循環(huán)10次200恒定濕熱（工作）TelcordiaGR-468-CORE:20043.3.3.3產(chǎn)品最高工作溫度，相對(duì)濕度85%，正常工作條件下，時(shí)間1000h200aLTPD為批內(nèi)允許不合格品率，SS為最小樣品數(shù)，C為合格判定數(shù)；b試驗(yàn)氣候條件除相對(duì)濕度為30%～60%外，其它同第8章；試驗(yàn)室的電磁環(huán)境不應(yīng)影響試驗(yàn)結(jié)cUNC為非可控環(huán)境，CO為可控環(huán)境；d僅適用于非可控環(huán)境（UNC）。T/GDEIIAxx—20249.3失效判據(jù)9.3.1ESD閾值、機(jī)械完整性、非工作環(huán)境試驗(yàn)、工作環(huán)境試驗(yàn)失效判據(jù)各項(xiàng)試驗(yàn)完成后，在相同測(cè)試條件下，出現(xiàn)下列故障中的任意一種情況即判定為不合格：——外殼破裂或有裂紋，內(nèi)部元器件發(fā)生脫落；——參數(shù)不滿足表4、表5、表7的要求；——參數(shù)平均發(fā)送光功率、消光比、平均接收光靈敏度的變化量大于1dB。9.3.2ESD抗擾度試驗(yàn)失效等級(jí)判據(jù)ESD抗擾度等級(jí)應(yīng)按照如下原則進(jìn)行判定，判定為c或d時(shí)即為不合格。a）在制造商、委托方或購(gòu)買(mǎi)方規(guī)定的限值內(nèi)性能正常；b）功能或性能暫時(shí)喪失或降低，但在騷擾停止后能自行恢復(fù)，不需要操作者干預(yù)；c）功能或性能暫時(shí)性喪失或降低，但需操作者干預(yù)才能恢復(fù)；d）因設(shè)備硬件或軟件損壞，或數(shù)據(jù)丟失而造成不能恢復(fù)的功能喪失或性能下降。10電磁兼容試驗(yàn)10.1電磁兼容試驗(yàn)要求光模塊的電磁兼容試驗(yàn)要求應(yīng)符合表12。表12電磁兼容試驗(yàn)要求實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目引用標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)條件抽樣方案LTPDaSSaCa射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)IEC61000-4-380MHz～6000MHz，10V/m，80%幅度調(diào)制（1kHz正弦波)-10射頻電磁場(chǎng)輻射發(fā)射試驗(yàn)FCCPART15B級(jí)信息技術(shù)設(shè)備要求30MHz～40GHzb-30aLTPD為批內(nèi)允許不合格品率，SS為最小樣品數(shù)，C為合格判定數(shù)；b測(cè)量頻率上限的選擇如下：頻率低于108MHz，測(cè)量頻率上限為1GHz；頻率在108MHz~500MHz之間，測(cè)量頻率上限為2GHz；頻率在500MHz～1GHz之間，測(cè)量頻率上限為5GHz；頻率高于1GHz，測(cè)量頻率上限為40GHz。10.2射頻電磁場(chǎng)輻射發(fā)射試驗(yàn)限值光模塊的射頻電磁場(chǎng)輻射發(fā)射試驗(yàn)限值應(yīng)符合表13。表13射頻電磁場(chǎng)輻射發(fā)射試驗(yàn)限值頻率范圍B級(jí)信息技術(shù)設(shè)備在測(cè)量距離10m處B級(jí)信息技術(shù)設(shè)備在測(cè)量距離3m處準(zhǔn)峰值/平均值限值adBμV/m峰值限值dBμV/m準(zhǔn)峰值/平均值限值adBμV/m峰值限值dBμV/m30～8830-40-T/GDEIIAxx—2024頻率范圍B級(jí)信息技術(shù)設(shè)備在測(cè)量距離10m處B級(jí)信息技術(shù)設(shè)備在測(cè)量距離3m處88～21633.5-43.5-216～96036-46-960～40000--5474注1：當(dāng)出現(xiàn)環(huán)境干擾時(shí)，可采取附加措施；注2：B級(jí)信息技術(shù)設(shè)備在測(cè)量距離3m處或者10m處，二者選一；注3：在過(guò)渡頻率處，可采取較低的限值。a960MHz及以下頻率測(cè)試時(shí)限值要求為準(zhǔn)峰值限值；960MHz及以上頻率測(cè)試時(shí)限值要求為平均值限值和峰值限值。10.3失效判據(jù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)，產(chǎn)品應(yīng)達(dá)到等級(jí)a的要求，即在制造商、委托方或購(gòu)買(mǎi)方規(guī)定的限值內(nèi)性能正常。射頻電磁場(chǎng)輻射發(fā)射試驗(yàn)失效判據(jù)應(yīng)符合YD/T1766-2016中8.2節(jié)的規(guī)定。11檢驗(yàn)規(guī)則11.1檢驗(yàn)分類(lèi)檢驗(yàn)分為出廠檢驗(yàn)、型式檢驗(yàn)和電磁兼容試驗(yàn)。出廠檢驗(yàn)分為常規(guī)檢驗(yàn)和抽樣檢驗(yàn)。11.2出廠檢驗(yàn)11.2.1常規(guī)檢驗(yàn)常規(guī)檢驗(yàn)應(yīng)百分之百進(jìn)行，檢驗(yàn)項(xiàng)目如下：a）外觀：目測(cè)，符合6.9節(jié)的要求。b）性能：對(duì)平均發(fā)送光功率、消光比、平均接收光靈敏度按第8章規(guī)定的測(cè)試方法進(jìn)行檢測(cè)，其結(jié)果符合表4、表5、表7的規(guī)定。c）高溫電老化——老化條件：在最大工作溫度下，光模塊正常工作狀態(tài)，老化時(shí)間至少24h；——恢復(fù)：在正常大氣條件下恢復(fù)1h后按第8章規(guī)定的測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試；——失效判據(jù)：參數(shù)平均發(fā)送光功率、消光比、平均接收光靈敏度等不滿足合表4、表5、表7的規(guī)規(guī)定或者變化量大于1dB。d）溫度循環(huán)——溫循條件：非工作狀態(tài)，極限溫度-40℃、+85℃,溫度變化速率大于或等于10℃/min，極限溫度下的停留時(shí)間不小于10min，循環(huán)次數(shù)20次；——恢復(fù)：在正常大氣條件下恢復(fù)1h后按第8章規(guī)定的測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試；——失效判據(jù)：每通道平均發(fā)送光功率、消光比、每通道平均接收光靈敏度等不滿足表4、表5、表7的規(guī)定，或者變化量大于1.0dB。11.2.2抽樣檢驗(yàn)從批量生產(chǎn)中生產(chǎn)的同批或若干批產(chǎn)品中，按GB/T2828.1規(guī)定，取一般檢查水平Ⅱ,接收質(zhì)量限（AQL）和檢驗(yàn)項(xiàng)目如下：T/GDEIIAxx—2024——AQL取1.5；——檢驗(yàn)方法：目測(cè)，其結(jié)果符合6.9節(jié)的要求。b）外形尺寸：——AQL取1.5；——檢驗(yàn)方法：用滿足精度要求的量度工具測(cè)量，其結(jié)果符合6.7節(jié)的要求。c）性能檢測(cè)：——AQL取0.4；——檢驗(yàn)方法：同11.2.1b）。11.3型式檢驗(yàn)11.3.1型式檢驗(yàn)條件光模塊有下列情況之一時(shí)，應(yīng)進(jìn)行型式檢驗(yàn)：——產(chǎn)品定型時(shí)或已定型產(chǎn)品轉(zhuǎn)場(chǎng)時(shí)；——正式生產(chǎn)后，如果結(jié)構(gòu)、材料、工藝有較大改變，可能影響產(chǎn)品性能時(shí)；——產(chǎn)品長(zhǎng)期停產(chǎn)12個(gè)月后，恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)；——出廠檢驗(yàn)結(jié)果與定型時(shí)的型式檢驗(yàn)有較大差別時(shí)；——正常生產(chǎn)24個(gè)月后；——國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督機(jī)構(gòu)提出進(jìn)行型式檢驗(yàn)要求時(shí)。11.3.2電磁兼容試驗(yàn)條件光模塊有下列情況之一時(shí)，應(yīng)進(jìn)行電磁兼容試驗(yàn)：——產(chǎn)品設(shè)計(jì)定型時(shí)；——正式生產(chǎn)后，如果結(jié)構(gòu)、材料、工藝有較大改變，可能影響產(chǎn)品的電磁兼容性能時(shí)。11.3.3檢驗(yàn)要求在進(jìn)行型式檢驗(yàn)前，按第8章的規(guī)定，對(duì)樣品的性能參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，并記錄測(cè)試結(jié)果。11.3.4檢驗(yàn)項(xiàng)目及抽樣方案型式檢驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目及抽樣方案應(yīng)符合表11。電磁兼容的試驗(yàn)項(xiàng)目及抽樣方案應(yīng)符合表12。11.3.5樣品的使用規(guī)則樣品的使用規(guī)則如下：a）凡經(jīng)受了型式檢驗(yàn)的樣品，一律不能作為合格品交付使用；b）在不影響檢驗(yàn)和試驗(yàn)結(jié)果的條件下，一組樣品可用于其他分組的檢驗(yàn)和試驗(yàn)。11.3.6產(chǎn)品的不合格判定各項(xiàng)試驗(yàn)完成后，不合格判定按9.3節(jié)或10.3節(jié)規(guī)定執(zhí)行，若其中任何一項(xiàng)試驗(yàn)不符合要求時(shí)，則判該批不合格。11.3.7不合格批的重新提交當(dāng)提交型式檢驗(yàn)或電磁兼容試驗(yàn)的任一檢驗(yàn)批不符合表11或表12中規(guī)定的任一分組要求時(shí)，應(yīng)根據(jù)不合格原因，采取糾正措施后，對(duì)不合格的檢驗(yàn)分組重新提交檢驗(yàn)。重新檢驗(yàn)應(yīng)采用加嚴(yán)抽樣方案。若T/GDEIIAxx—2024重新檢驗(yàn)仍有失效，則該批拒收。如通過(guò)檢驗(yàn)，則判為合格。但重新檢驗(yàn)不得超過(guò)2次，并應(yīng)清楚標(biāo)明為重新檢驗(yàn)批。11.3.8檢驗(yàn)批的構(gòu)成提交檢驗(yàn)的批，可由一個(gè)生產(chǎn)批構(gòu)成，或由符合下述條件的幾個(gè)生產(chǎn)批構(gòu)成：——這些生產(chǎn)批是在相同材料、工藝、設(shè)備等條件下制造出來(lái)的；——若干個(gè)生產(chǎn)批構(gòu)成一個(gè)檢驗(yàn)批的時(shí)間不超過(guò)1個(gè)月。12標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存12.1標(biāo)志12.1.1標(biāo)志內(nèi)容每個(gè)產(chǎn)品應(yīng)標(biāo)明產(chǎn)品型號(hào)、規(guī)格、編號(hào)、批的識(shí)別代碼及安全等標(biāo)志。12.1.2標(biāo)志要求進(jìn)行全部試驗(yàn)后，標(biāo)志應(yīng)保持清晰。標(biāo)志損傷了的產(chǎn)品應(yīng)重新打印標(biāo)志，以保證發(fā)貨之前標(biāo)志的清12.1.3污染控制標(biāo)志產(chǎn)品的污染控制標(biāo)志應(yīng)按SJ/T11364-2014第5章規(guī)定，在包裝盒或產(chǎn)品上打印上電子信息產(chǎn)品污染控制標(biāo)志。12.2包裝產(chǎn)品應(yīng)有良好的包裝及防靜電措施，避免在運(yùn)輸過(guò)程中受到損壞。包裝盒上應(yīng)標(biāo)有產(chǎn)品名稱、型號(hào)和規(guī)格、生產(chǎn)廠家、產(chǎn)品執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)號(hào)、防靜電標(biāo)識(shí)、激光防護(hù)標(biāo)志等。12.3運(yùn)輸包裝好的產(chǎn)品可用常用的交通工具運(yùn)輸，運(yùn)輸過(guò)程中應(yīng)避免雨雪的直接淋襲、烈日曝曬和猛烈撞擊。12.4貯存產(chǎn)品應(yīng)貯存在環(huán)境溫度為-10℃~+40℃,相對(duì)濕度不大于80%且無(wú)腐蝕性氣體、液體的倉(cāng)庫(kù)里。貯存期超過(guò)12個(gè)月的產(chǎn)品，出庫(kù)前，應(yīng)按第8章規(guī)定的方法進(jìn)行光電特性測(cè)試，測(cè)試結(jié)果應(yīng)符合表4、表5、表7的規(guī)定方可出庫(kù)。T/GDEIIAxx—2024（資料性附錄）機(jī)械尺寸及光口A.1QSFP-DD800光模塊機(jī)械尺寸QSFP-DD800光模塊機(jī)械尺寸參見(jiàn)圖A.1。圖A.1QSFP-DD800光模塊機(jī)械尺寸A.2OSFP光模塊機(jī)械尺寸OSFP光模塊機(jī)械尺寸參見(jiàn)圖A.2。T/GDEIIAxx—2024圖A.2OSFP光模塊機(jī)械尺寸T/GDEIIAxx—2024（規(guī)范性性附錄）引腳及定義B.1QSFP-DD800光模塊引腳及定義B.1.1QSFP-DD800光模塊引腳QSFP-DD800光模塊引腳應(yīng)符合圖B.1。從頂面看從底面看圖B.1QSFP-DD800光模塊引腳圖B.1.2QSFP-DD800光模塊引腳定義T/GDEIIAxx—2024QSFP-DD800光模塊引腳定義應(yīng)符合表B.1。表B.1QSFP-DD800光模塊連接器引腳定義列表序號(hào)符號(hào)功能描述邏輯電平輸入或輸出接觸順序1GND接地--2Tx2n通道2反向輸入數(shù)據(jù)CML-I輸入3B3Tx2p通道2輸入數(shù)據(jù)CML-I輸入3B4GND接地--5Tx4n通道4反向輸入數(shù)據(jù)CML-I輸入3B6Tx4p通道4輸入數(shù)據(jù)CML-I輸入3B7GND接地--8ModSelL模塊選擇LVTTL-I輸入3B9ResetL模塊復(fù)位LVTTL-I輸入3BVccRx--2BSCL兩線串行接口時(shí)鐘線LVCMOS-I/O輸入/輸出3BSDA兩線串行接口數(shù)據(jù)線LVCMOS-I/O輸入/輸出3BGND接地--Rx3p通道3輸出數(shù)據(jù)CML-O輸出3BRx3n通道3反向輸出數(shù)據(jù)CML-O輸出3BGND接地--Rx1p通道1輸出數(shù)據(jù)CML-O輸出3BRx1n通道1反向輸出數(shù)據(jù)CML-O輸出3BGND接地--20GND接地--21Rx2n通道2反向輸出數(shù)據(jù)CML-O輸出3B22Rx2p通道2輸出數(shù)據(jù)CML-O輸出3B23GND接地--24Rx4n通道4反向輸出數(shù)據(jù)CML-O輸出3B25Rx4p通道4輸出數(shù)據(jù)CML-O輸出3B26GND接地