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文檔簡介
項(xiàng)目1電路基礎(chǔ)元件的使用
任務(wù)5CMOS數(shù)字集成電路的使用任務(wù)描述CMOS技術(shù)已經(jīng)成為數(shù)字電路和計算機(jī)芯片設(shè)計的主流技術(shù),理解和掌握CMOS技術(shù)下集成電路的基本原理、結(jié)構(gòu)和工作原理,是掌握現(xiàn)代電子技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)。本任務(wù)引導(dǎo)讀者從場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)、工作原理和特點(diǎn)入手,了解CMOS集成電路的工作原理;學(xué)習(xí)CMOS集成電路的制造工藝,認(rèn)識現(xiàn)代集成電路芯片的結(jié)構(gòu)和使用;通過一些簡單集成電路芯片的實(shí)驗(yàn),使讀者加深對以集成電路為核心的電路設(shè)計方式的理解,為后續(xù)隔離控制器的電路設(shè)計做好準(zhǔn)備。知識儲備
一、FET、MOS、CMOS的概念1.場效應(yīng)管1948年晶體管的發(fā)明給電子工業(yè)界帶來了巨大的變革,使電子技術(shù)急速發(fā)展。最初的晶體管的制作材料為鍺,但由于其耐熱性能較差,僅在80℃便易損壞,因此,目前晶體管多使用硅材質(zhì),其所承受的溫度可達(dá)180℃。盡管目前談及晶體管,多指晶體三極管,但是嚴(yán)格來說,晶體管是使用半導(dǎo)體制作的元件,包括各種二極管、三極管、晶閘管等。1.場效應(yīng)管晶體三極管主要分為雙極性晶體管和場效應(yīng)晶體管。前者通過將N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合,內(nèi)部有兩個PN結(jié),在外部組成了基極(B)、集電極(C)和發(fā)射極(E),其中基極在電流遠(yuǎn)小于其他兩極的情況下,可以控制集電極和發(fā)射極電流的大小,實(shí)現(xiàn)放大功能。后者晶體管三極的名稱分別為源極(S)、柵極(G)和漏極(D)。由于雙極性晶體管有三個電極,因此其使用方式也有三種:(1)發(fā)射極接地,即共射放大;(2)基極接地,即共基放大;(3)集電極接地,即共集放大。一、晶體管概述場效應(yīng)管FET(FieldEffectTransistor)是較新型的半導(dǎo)體材料,利用電場效應(yīng)來控制晶體管的電流,因而得名。它的外型也是一個三極管,因此又稱場效應(yīng)三極管。它只有一種載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件,是一種用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流。但對于場效應(yīng)管,其輸出的電流是由輸入的電壓(或稱電場)控制,可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流,這使得該器件有很高的輸入阻抗,同時這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因。一、晶體管概述和三極管類似,場效應(yīng)管在使用過程中,要注意最大漏極電流、最大擊穿電壓、最大耗散功率。晶體管和場效應(yīng)管的對比如下:(1)場效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。(2)在只允許從信號源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。(3)晶體管輸入阻抗小,場效應(yīng)管輸入阻抗大。(4)晶體管價格較場效應(yīng)管更低。(5)場效應(yīng)管驅(qū)動能力更大,常用于作為電源開關(guān),以及應(yīng)用于大電流條件下的開關(guān)電路。2.場效應(yīng)管分類從參與導(dǎo)電的載流子來劃分,場效應(yīng)管有電子作為載流子的N溝道器件和空穴作為載流子的P溝道器件。從場效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)來劃分,它有結(jié)型場效應(yīng)三極管(JunctionFieldEffectTransistor,JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(InsulatedGateFieldEffectTransistor,IGFET)。如圖1-80所示。2.場效應(yīng)管分類結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)因有兩個PN結(jié)而得名,絕緣柵型場效應(yīng)管(IGFET)則因柵極與其他電極完全絕緣而得名。由于絕緣柵型的柵極為金屬鋁,因此又稱為MOS(MetalOxideSemiconductor)管。JFET相對來說較少使用,MOS管使用較為普遍。3.場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和符號場效應(yīng)管的源極S、柵極G、漏極D分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極E、基極B、集電極C,它們的作用相似。結(jié)型場效應(yīng)管如圖1-81所示。3.場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和符號增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和符號如圖1-82所示。3.場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和符號耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和符號如圖1-83所示。4.MOS場效應(yīng)管FET是場效應(yīng)管的統(tǒng)稱,其中,MOSFET是最常見的FET類型之一。MOSFET是一種基于MOS(Metal-Oxide-Semiconductor),也就是金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)管,一般稱為MOS管。MOSFET可以分為P型MOSFET和N型MOSFET,它們的工作原理是不同的,如圖1-84所示。4.MOS場效應(yīng)管耗盡型與增強(qiáng)型的主要區(qū)別在于耗盡型MOS管在G端(Gate)不加電壓時有導(dǎo)電溝道存在,而增強(qiáng)型MOS管只有在開啟后,才會出現(xiàn)導(dǎo)電溝道;兩者的控制方式也不一樣,耗盡型MOS管的VGS(柵極電壓)可以用正、零、負(fù)電壓控制導(dǎo)通,而增強(qiáng)型MOS管必須使得VGS>VGS(th)(柵極閾值電壓)才行。4.MOS場效應(yīng)管耗盡型MOS管在實(shí)際應(yīng)用中,當(dāng)設(shè)備開機(jī)時可能會誤觸發(fā)MOS管,導(dǎo)致整機(jī)失效;不易被控制,使得其應(yīng)用極少。因此,日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強(qiáng)型MOS管。增強(qiáng)型MOS管中,PMOS雖然可以用于高端驅(qū)動,但由于其存在導(dǎo)通電阻大、價格貴、替換種類少等問題,因此通常還是使用NMOS替代。這也是市面上無論是應(yīng)用還是產(chǎn)品種類,增強(qiáng)型NMOS管最為常見的重要原因,尤其在開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中,一般都用NMOS管。4.MOS場效應(yīng)管MOS管共有3個腳:柵極G、漏極D、源極S。通常情況下,MOS管的襯底與S極在管子內(nèi)部是連接在一起的,而且,MOS管的D極和S極之間一般會有一個寄生二極管,所以常見的MOS管的符號如圖1-85所示。4.MOS場效應(yīng)管對于MOS管符號的辨認(rèn):(1)G極(gate柵極)比較好認(rèn);S極(source源極),不論是P溝道還是N溝道,其引線都與中間襯底相連;D極(drain漏極),不論是P溝道還是N溝道,其電極表示是單獨(dú)的引線。(2)箭頭指向G極的是N溝道,箭頭背向G極的是P溝道。(3)不論是N溝道還是P溝道MOS管,中間襯底的箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的,要么都由S指向D,要么都由D指向S。(4)MOS管連接時的電流方向與中間襯底的箭頭方向相反。NMOS是D極接輸入,S極接輸出;PMOS是S極接輸入,D極接輸出。4.MOS場效應(yīng)管MOS管的重要參數(shù)有類型(NMOS、PMOS)、封裝、耐壓VDS(器件在斷開狀態(tài)下漏極和源極所能承受的最大電壓)、飽和電流ID、導(dǎo)通阻抗RDS、柵極閾值電壓VGS(th)等。5.MOS管的開關(guān)作用MOS管具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性,在電路中,可以用作放大器、電子開關(guān)等。MOS管做開關(guān)時,其條件是:N溝道導(dǎo)通時Ug>Us,Ugs>Ugs(th)時導(dǎo)通P溝道導(dǎo)通時Ug<Us,Ugs<Ugs(th)時導(dǎo)通5.MOS管的開關(guān)作用比如MOS管做電子開關(guān),用來驅(qū)動LED,如圖1-86所示。5.MOS管的開關(guān)作用一般認(rèn)為MOS管導(dǎo)通是不需要電流的,只要UGS提供一定的電壓就可以導(dǎo)通了。5.MOS管的開關(guān)作用對于N溝道增強(qiáng)型MOS管,當(dāng)UGS大于一定值時就會導(dǎo)通。這里所說的“一定值”是指開啟電壓UGS(th),N溝道增強(qiáng)型UGS(th)一般是2~4V,如圖1-87所示。5.MOS管的開關(guān)作用對于P溝道增強(qiáng)型MOS管,當(dāng)UGS小于一定值時就會導(dǎo)通,P溝道增強(qiáng)型UGS(th)一般是-2~-4V。PMOS管的開關(guān)作用如圖1-88所示。5.MOS管的開關(guān)作用當(dāng)柵極上的電壓低于某個閾值電壓時,PMOS管處于導(dǎo)通狀態(tài),允許電流從漏極向源極流動。當(dāng)柵極上的電壓高于閾值電壓時,導(dǎo)電通道關(guān)閉,不允許電流通過。因此,和NMOS管相比,PMOS管的開關(guān)行為是相反的。如果UGS達(dá)不到相應(yīng)的電壓值,MOS就無法導(dǎo)通,所以說MOS管是電壓控制型元件。5.MOS管的開關(guān)作用在MOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)里,G極與D極、S極實(shí)際上是有一層絕緣層二氧化硅進(jìn)行隔離的,這就相當(dāng)于存在一個電容器,如圖1-89所示。5.MOS管的開關(guān)作用這些寄生電容是無法避免的,電容的大小由MOS管的結(jié)構(gòu)、材料、所加的電壓決定。沒有電阻Rgs時,在G極接上5V控制信號,相當(dāng)于給寄生電容CGS充電,即使撤去G極上的控制電壓,G極上也有電容的電壓存在,所以MOS仍然是導(dǎo)通的。當(dāng)有G、S兩極有電阻RGS時,當(dāng)G極撤去5V信號,電阻Rgs可以把寄生電容Cgs上的電壓進(jìn)行釋放,所以MOS就截止了。所以,電路加入電阻RGS,可以對電容的電壓進(jìn)行及時的釋放,這樣有利于提高電路的可靠性,可以避免G極沒有控制信號時誤動作。課堂思考假設(shè)你需要設(shè)計一個需要高頻率開關(guān)的電路,你會選擇使用NPN三極管還是N溝道MOSFET?請分別說明使用這兩種器件的優(yōu)缺點(diǎn),并根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇。6.CMOSCMOS是ComplementaryMetalOxideSemiconductor(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)的縮寫。在CMOS工藝制成的邏輯器件或單片機(jī)中,N型管與P型管往往是成對出現(xiàn)的。同時出現(xiàn)的這兩個MOS管,任何時候,只要一只導(dǎo)通,另一只則不導(dǎo)通(即“截止”或“關(guān)斷”),所以稱為“互補(bǔ)型CMOS管”,如圖1-90所示。6.CMOS圖中,由于兩管柵極工作電壓極性相反,故將兩管柵極相連作為輸入端,兩個漏極相連作為輸出端,則兩管正好互為負(fù)載,處于互補(bǔ)工作狀態(tài)。兩管就像單刀雙擲開關(guān)一樣交替工作,構(gòu)成反相器。6.CMOS如圖1-91所示,用CMOS構(gòu)成了基本的與非門、或非門。6.CMOS以與非門為例,CMOS構(gòu)成與非門的結(jié)構(gòu)如圖1-92所示。6.CMOS以與非門為例CMOS制作過程如圖1-93和圖1-94所示。圖1-93CMOS制造工藝6.CMOS以與非門為例CMOS制作過程如圖1-93和圖1-94所示。圖1-94CMOS加工中的光刻6.CMOS圖1-93中,1-2步是光刻工藝的實(shí)施,需要進(jìn)行上百次,具體操作方式如圖1-94所示。1-10步主要是前端處理,也即如何做出場效應(yīng)管。11-12步會重復(fù)多次,屬于后端處理,后端處理主要是用來布線。一般一個高度集中的芯片上幾乎看不見底層的硅片,都會被布線遮擋住。整個芯片最后的剖面如圖1-95所示。6.CMOS圖1-95芯片成型結(jié)構(gòu)知識補(bǔ)充光刻機(jī)是制造先進(jìn)微電子器件中的重要設(shè)備,其技術(shù)難點(diǎn)主要包括以下幾個方面:(1)分辨率:光刻機(jī)的分辨率要求越來越高。隨線寬的縮小,需要在光學(xué)設(shè)計、材料科學(xué)、圖形編輯等多個領(lǐng)域進(jìn)行極度深入和精細(xì)化的研究。(2)晶圓尺寸:目前行業(yè)對處理直徑巨大晶圓的需求帶來了更多的挑戰(zhàn)和技術(shù)難點(diǎn),需要更高的對位精度和平整度。(3)光源技術(shù):需要具備高功率、低波長、穩(wěn)定性好等特點(diǎn),同時還需要滿足環(huán)保、節(jié)能等要求。(4)投影鏡頭和準(zhǔn)直系統(tǒng):投影鏡頭需要滿足高分辨率、大視場角、強(qiáng)光學(xué)透射等要求。準(zhǔn)直系統(tǒng)需要將光線精確地聚焦到晶圓表面,同時還要保證能量均勻和具備抗干擾能力。(5)自動化技術(shù):高度自動化的要求,包括晶圓對位、曝光、顯影、清洗等過程都需要實(shí)現(xiàn)自動化控制和管理。綜上所述,半導(dǎo)體芯片光刻機(jī)的技術(shù)難點(diǎn)非常多,需要在光學(xué)、材料科學(xué)、圖形編輯、自動化控制等多個領(lǐng)域進(jìn)行深入研究和創(chuàng)新。二、CMOS數(shù)字集成電路1.TTL與CMOS集成電路目前應(yīng)用最廣泛的數(shù)字電路是TTL電路和CMOS電路。1.TTL與CMOS集成電路(1)TTL電路。TTL電路以雙極型晶體管為開關(guān)元件,所以又稱雙極型集成電路。雙極型數(shù)字集成電路是利用電子和空穴兩種不同極性的載流子進(jìn)行電傳導(dǎo)的器件。它具有速度高(開關(guān)速度快)、驅(qū)動能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),但其功耗較大,集成度相對較低。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域的不同,TTL集成電路分為54系列和74系列,前者為軍品,一般工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品多用后者。74系列數(shù)字集成電路是國際上通用的標(biāo)準(zhǔn)電路。其品種分為六大類:74××(標(biāo)準(zhǔn))、74S××(肖特基)、74LS××(低功耗肖特基)、74AS××(先進(jìn)肖特基)、74ALS××(先進(jìn)低功耗肖特基)、74F××(高速)。它們的邏輯功能完全相同。1.TTL與CMOS集成電路(2)CMOS電路。CMOS電路又稱場效應(yīng)集成電路,屬于單極型數(shù)字集成電路。單極型數(shù)字集成電路只利用一種極性的載流子(電子或空穴)進(jìn)行電傳導(dǎo)。它的主要優(yōu)點(diǎn)是輸入阻抗高、功耗低、抗干擾能力強(qiáng)且適合大規(guī)模集成。特別是其主導(dǎo)產(chǎn)品CMOS集成電路有著特殊的優(yōu)點(diǎn),如靜態(tài)功耗幾乎為零、輸出邏輯電平可為VDD或VSS、上升和下降時間處于同數(shù)量級等,因而CMOS集成電路產(chǎn)品已成為集成電路的主流之一。2.四種CMOS集成電路下面介紹四種常用的CMOS集成電路,均選擇雙列直插(DIP)封裝形式。這4個集成電路中,4011、4013、4069有14個引腳,4017有16個引腳。引腳的識別順序是將集成電路正面擺放,有缺口的一端在左邊,左下端的引腳為第1腳,按逆時針方向依次編號,最終左上端的是最后一個引腳,該引腳也是集成電路的電源正極。右下端的引腳是集成電路的電源負(fù)極。2.四種CMOS集成電路(1)門電路4069(六反相器、六非門)。反相器是執(zhí)行邏輯“非”功能,也就是反相功能的邏輯器件,反相器也可以稱作“非門”功能。4069實(shí)物和非門符號如圖1-96所示。2.四種CMOS集成電路(1)門電路4096真值表見表1-6。A(輸入端)B(輸出端)0110表1-64069真值表2.四種CMOS集成電路(1)門電路其邏輯關(guān)系的特點(diǎn)是:輸入端A為低電平“0”狀態(tài)時,輸出端Y為高電平“1“狀態(tài);當(dāng)輸入端A為高電平“1”狀態(tài)時,輸出正常Y為低電平“0”狀態(tài)。圖1-97是4069的引腳功能排列示意圖。2.四種CMOS集成電路(1)門電路從圖1-97中可以看出,4069內(nèi)封裝了六個反相器,這六個反相器的功能、參數(shù)都一樣,用戶可以自行選擇全部使用或部分使用。2.四種CMOS集成電路(1)門電路4011(四2輸入端與非門)。與非門,顧名思義,是先執(zhí)行“與“功能,再執(zhí)行“非“功能。電路圖形符號和引腳功能排列如圖1-98所示。2.四種CMOS集成電路(1)門電路與非門邏輯關(guān)系的特點(diǎn)是:只有當(dāng)輸入端全部為高電平“1”狀態(tài)時,輸出端才為低電平“0”狀態(tài),在其他輸入狀態(tài)下,輸出端均為高電平“1”狀態(tài)。從圖可以看出,4011內(nèi)部共封裝有四個與非門,每個與非門均有2個輸入端,1個輸出端。這四個與非門的功能、參數(shù)一致,用戶可以自行選擇全部使用或部分使用。2.四種CMOS集成電路(1)門電路4011真值表見表1-7。A(輸入端)B(輸入端)Y(輸入端)001101011110表1-74011真值表2.四種CMOS集成電路(2)觸發(fā)器觸發(fā)器與門電路一樣,都是邏輯電路。門電路屬于組合邏輯電路,觸發(fā)器屬于時序邏輯電路。組合邏輯電路的特點(diǎn)是:電路的輸出狀態(tài)完全由該時刻的輸入狀態(tài)決定,輸入狀態(tài)發(fā)生變化,輸出狀態(tài)也隨著發(fā)生相應(yīng)的變化。而時序邏輯電路的輸出狀態(tài)不僅取決于該時刻的輸入狀態(tài),還與前一時刻的輸入狀態(tài)有關(guān),它的狀態(tài)變化經(jīng)常是借助時鐘脈沖的“觸發(fā)“作用,因此,分析電路時必須考慮時鐘脈沖的各種有關(guān)因素,它的另一重要特點(diǎn)是具有記憶數(shù)碼(0或1)的功能。2.四種CMOS集成電路(2)觸發(fā)器觸發(fā)器是計數(shù)器、分頻器、移位寄存器等電路的基本單元電路之一,是這些電路的重要邏輯單元電路,在信號發(fā)生、波形變換、控制電路中也常常使用。常用的觸發(fā)器有D觸發(fā)器、JK觸發(fā)器、RS觸發(fā)器、施密特觸發(fā)器等,這里我們介紹最常用的D觸發(fā)器——4013(雙D觸發(fā)器)。D觸發(fā)器的輸出狀態(tài)的改變依賴于時鐘脈沖的觸發(fā)作用,即在時鐘脈沖觸發(fā)時,輸入數(shù)據(jù)。D觸發(fā)器由時鐘脈沖上升沿觸發(fā),置位和復(fù)位有效電平為高電平“1”。D觸發(fā)器通常用于數(shù)據(jù)鎖存或控制電路中。2.四種CMOS集成電路(2)觸發(fā)器圖1-99是4013的引腳功能排列示意圖。從圖1-99中可以看出,4013內(nèi)部共封裝有兩個D觸發(fā)器,這兩個觸發(fā)器的功能、參數(shù)一致,用戶可以自行選擇全部使用或部分使用。2.四種CMOS集成電路(2)觸發(fā)器4013的工作過程是:R=0,S=0,在CP脈沖上升沿的作用下,Q=0;R=0,S=1,無條件置位,Q=1,該狀態(tài)又稱“置1”;R=1,S=0,無條件復(fù)位,Q=0,該狀態(tài)又稱“置0”;R=0,S=0,CP=0,Q保持狀態(tài)不變。2.四種CMOS集成電路(2)觸發(fā)器4013真值表見表1-8。2.四種CMOS集成電路(3)計數(shù)器在數(shù)字電路中,計數(shù)器應(yīng)用非常廣泛,它屬于計數(shù)器件,不僅用于記憶脈沖個數(shù),也用于分頻、定時、程序控制、遞輯控制等電路中。計數(shù)器的品種較多,按計數(shù)單元更新狀態(tài)的不同,計數(shù)器分為同步計數(shù)器和異步計數(shù)器兩大類。同步計數(shù)器的各個計數(shù)單元電路共用一個時鐘,它們的狀態(tài)變化是同步進(jìn)行的,因此它們具有工作頻率高、時間延遲小等優(yōu)點(diǎn),但要求CP時鐘脈沖的功率較大,電路較復(fù)雜;異步計數(shù)器各個計數(shù)單元不共用一個時鐘,后級的時鐘可以是前級的輸出。因此,異步計數(shù)器的優(yōu)缺點(diǎn)正好與同步計數(shù)器相反。2.四種CMOS集成電路(3)計數(shù)器
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