GB/T 15651.5-2024半導(dǎo)體器件第5-5部分：光電子器件光電耦合器

ICS31080

CCSL.50

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T156515—2024/IEC60747-5-52020

.:

半導(dǎo)體器件第5-5部分

:

光電子器件光電耦合器

Semiconductordevices—

Part5-5Otoelectronicdevices—Photocoulers

:pp

IEC60747-5-52020IDT

(:,)

2024-03-15發(fā)布2024-07-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T156515—2024/IEC60747-5-52020

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………2

電特性

4……………………9

光電晶體管輸出型光電耦合器

4.1……………………9

光電雙向晶閘管輸出型光電耦合器或固態(tài)光繼電器

4.2……………10

具有電擊防護(hù)功能的光電耦合器

5………………………11

概述

5.1…………………11

類型

5.2…………………11

額定值

5.3………………11

電氣安全要求

5.4………………………12

電氣環(huán)境和或耐久性測(cè)試信息補(bǔ)充信息

5.5、/()……………………13

光電耦合器的測(cè)試方法

6…………………19

電流傳輸比H

6.1F(ctr)…………………19

輸入輸出電容C

6.2-IO…………………20

輸入輸出隔離電阻R

6.3-(IO)…………20

隔離試驗(yàn)

6.4……………21

光電耦合器的局部放電

6.5……………22

光電耦合器的集電極發(fā)射極飽和電壓V

6.6-CE(sat)…………………25

光電耦合器的開(kāi)關(guān)時(shí)間tt

6.7on,off……………………27

峰值關(guān)斷狀態(tài)電流I

6.8DRM……………28

峰值導(dǎo)通電壓V

6.9TM…………………30

直流關(guān)斷電流I

6.10BD…………………32

直流導(dǎo)通電壓V

6.11T………………33

維持電流I

6.12H………………………34

關(guān)斷電壓臨界上升率Vt

6.13d/d……………………34

輸入觸發(fā)電流

6.14……………………36

光電耦合器的共模瞬態(tài)抑制CMTI測(cè)試方法

6.15()………………37

光控雙向閘流晶體管型耦合器的電額定值的測(cè)試方法

7………………39

關(guān)斷狀態(tài)重復(fù)峰值電壓V

7.1DRM……………………39

Ⅰ

GB/T156515—2024/IEC60747-5-52020

.:

關(guān)斷狀態(tài)直流電壓V

7.2BD……………40

附錄規(guī)范性輸入輸出安全試驗(yàn)

A()/…………………41

目的

A.1………………41

測(cè)試電路

A.2…………………………41

電路描述

A.3…………………………41

注意事項(xiàng)

A.4…………………………41

測(cè)試步驟

A.5…………………………41

規(guī)定條件

A.6…………………………41

參考文獻(xiàn)

……………………42

Ⅱ

GB/T156515—2024/IEC60747-5-52020

.:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是的第部分已經(jīng)發(fā)布了以下部分

GB/T156515-5。GB/T15651:

半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第部分光電子器件

———5:(GB/T15651—1995);

半導(dǎo)體分立器件和集成電路第部分光電子器件基本額定值和特性

———5-2:(GB/T15651.2—

2003);

半導(dǎo)體分立器件和集成電路第部分光電子器件測(cè)試方法

———5-3:(GB/T15651.3—2003);

半導(dǎo)體器件分立器件第部分光電子器件半導(dǎo)體激光器

———5-4:(GB/T15651.4—2017);

半導(dǎo)體器件第部分光電子器件光電耦合器

———5-5:(GB/T15651.5—2024);

半導(dǎo)體器件第部分光電子器件發(fā)光二極管

———5-6:(GB/T15651.6—2023);

半導(dǎo)體器件第部分光電子器件光電二極管和光電晶體管

———5-7:(GB/T15651.7—2024)。

本文件等同采用半導(dǎo)體器件第部分光電子器件光電耦合器

IEC60747-5-5:2020《5-5:》。

本文件做了下列最小限度的編輯性改動(dòng)

:

范圍中刪除了注的內(nèi)容與的英文翻譯成中文都是光電耦合器

———,“optocoupler”“photocoupler”。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出并歸口

。

本文件起草單位中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十四研究所威凱檢測(cè)

:、、

技術(shù)有限公司中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所國(guó)網(wǎng)江蘇省電力有限公司

、、。

本文件主要起草人劉秀娟趙英張佳寧曹勇崔波龔磊徐曉軼劉東月成先文霍福廣

:、、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T156515—2024/IEC60747-5-52020

.:

引言

制定系列的第部分為光電耦合器產(chǎn)品的測(cè)試評(píng)價(jià)等提供適當(dāng)?shù)囊罁?jù)

GB/T156515-5,、。

系列的第部分是半導(dǎo)體光電子器件的系列標(biāo)準(zhǔn)主要規(guī)定了光電子器件的總體要

GB/T156515,

求基本額定值和特性測(cè)試方法半導(dǎo)體激光器光電耦合器發(fā)光二極管光電二極管和光電晶體管等

、、、、、、

器件的技術(shù)要求質(zhì)量保證規(guī)定等內(nèi)容擬由以下幾個(gè)部分構(gòu)成

、,。

第部分光電子器件目的在于給出半導(dǎo)體光發(fā)射器件半導(dǎo)體光電探測(cè)器件半導(dǎo)體光敏

———5:。、、

元器件內(nèi)部工作機(jī)理與光輻射有關(guān)的半導(dǎo)體器件和分類型器件的標(biāo)準(zhǔn)

、。

第部分光電子器件基本額定值和特性目的在于給出半導(dǎo)體光電子發(fā)射器件半導(dǎo)體

———5-2:。、

光電探測(cè)器件半導(dǎo)體光敏器件內(nèi)部進(jìn)行光輻射工作的半導(dǎo)體器件及分類為光電子器件的基

、、

本額定值和特性用于光纖系統(tǒng)或子系統(tǒng)的除外

,。

第部分光電子器件測(cè)試方法目的在于給出光電子器件的測(cè)試方法用于光纖系統(tǒng)或

———5-3:。,

子系統(tǒng)的除外

。

第部分光電子器件半導(dǎo)體激光器目的在于規(guī)定半導(dǎo)體激光器的基本額定值特性及

———5-4:。、

測(cè)試方法

。

第部分光電子器件光電耦合器目的在于規(guī)定光耦合器的術(shù)語(yǔ)基本額定值特性安

———5-5:。、、、

全試驗(yàn)及測(cè)量方法

。

第部分光電子器件發(fā)光二極管目的在于規(guī)定發(fā)光二極管的術(shù)語(yǔ)額定值和特性測(cè)

———5-6:。、、

試方法和質(zhì)量評(píng)估方法

。

第部分光電子器件光電二極管和光電晶體管目的在于規(guī)定光電二極管和光電晶體

———5-7:。

管的術(shù)語(yǔ)基本額定值和特性以及測(cè)量方法

、。

Ⅳ

GB/T156515—2024/IEC60747-5-52020

.:

半導(dǎo)體器件第5-5部分

:

光電子器件光電耦合器

1范圍

本文件規(guī)定了光電耦合器的基本額定值特性安全試驗(yàn)及測(cè)試方法

、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

環(huán)境試驗(yàn)概述和指南

GB/T2421—2020(IEC60068-1:2013,IDT)

音視頻信息技術(shù)和通信技術(shù)設(shè)備第部分安全要求

GB4943.1—2022、1:(IEC62368-1:

2018,MOD)

注被引用的內(nèi)容與被引用的內(nèi)容沒(méi)有技術(shù)上的差異

:GB4943.1—2022IEC62368-1:2018。

低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第部分原理要求和試驗(yàn)

GB/T16935.1—20231:、(IEC60664-1:

2020,IDT)

環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)低溫

IEC60068-2-12:A:(Environmentaltesting—Part2-1:

Tests—TestA:Cold)

環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)高溫

IEC60068-2-22:B:(Environmentaltesting—Part2-2:

Tests—TestB:Dryheat)

環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)振動(dòng)正弦

IEC60068-2-62:Fc:()[Environmentaltesting—

Part2-6:Tests—TestFc:Vibration(sinusoidal)]

環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)溫度變化

IEC60068-2-142:N:(Environmentaltesting—

Part2-14:Tests—TestN:Changeoftemperature)

環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)密封

IEC60068-2-17