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文檔簡介
1、第二節(jié) 化學位移及其影響因素一、化學位移1、化學位移的產(chǎn)生問題:根據(jù)NMR條件: 0 rH0/(2)同一種原子核,其旋磁比r一定,故射頻頻率0只取決于H0 。例如:對于1H核,若頻率0 60MHz,則使其發(fā)生核磁共振的外加磁場的磁通量H01.409T,也就是說,不論在任何化合物中,1H核都在H01.409T處發(fā)生共振,產(chǎn)生一個單一的吸收峰如果的確是這樣,那NMR對化合物結構分析就沒有意義了。1實際:各種化合物中不同種類(化學環(huán)境)的氫原子所吸收的射頻的頻率( 0 )稍有不同,即吸收峰的位置稍有不同。這種差別取決于被測原子核的化學環(huán)境。因為在分子中,具有自旋性從而具有磁性的原子核都不是裸核,它們
2、都被不斷運動著的電子云包圍。由于核的自旋,核外電子云產(chǎn)生環(huán)形電流,在外加磁場的作用下,這種環(huán)形電流會感生出一個對抗外磁場的次級磁場,如下圖:這種對抗外磁場的作用稱為屏蔽效應。由于核外電子云的屏蔽效應,使原子核實際受到的外磁場的作用減小,為此,引入屏蔽常數(shù),以表示原子核實際受到的磁場強度即:2H實 H0-H0 = H0 (1-)考慮到之后的原子核發(fā)生NMR時條件: 0 rH0(1 )/(2):由核外電子云密度決定,與化學結構密切相關,即與核在分子中所處的化學環(huán)境有關。核外電子云密度越大,值越大,反之,越小。屏蔽的存在,共振需更強的外磁場(相對于裸露的氫核)。故:在有機物中,處于不同化學環(huán)境中的各
3、種氫核,其周圍的電子云密度不同(結構中不同位置),其值不同,共振峰將出現(xiàn)在NMR譜圖中不同的頻率區(qū)域(H0一定),這種由于核所處化學環(huán)境不同,而在不同頻率(或不同磁場)出現(xiàn)吸收峰的現(xiàn)象稱為化學位移。32、 化學位移的表示方法0一定,改變H0,不同的核將在不同的地方出現(xiàn)吸收峰,但是由于電子云的屏蔽作用很小,產(chǎn)生的感應磁場僅為外加磁場H0的十萬分之一。這十萬分之一的差別表達起來很不方便,故引入化學位移相對值()的辦法來代替測定的絕對值。 = ( 樣 - TMS) / 儀器 106 ( ppm ) 一般是將某基準物(常用的是四甲基硅烷TMS)加入到樣品溶液中,以TMS中氫核共振時的磁場強度作為基準,
4、規(guī)定TMS的化學位移0,測出樣品吸收頻率與TMS吸收頻率的差值,并用相對值表示,以消除不同頻率的差別。4(1)化學位移的標準物 沒有完全裸露的氫核,沒有絕對的標準。 相對標準:四甲基硅烷Si(CH3)4 (TMS)(內標)與裸露的氫核相比,TMS的化學位移最大,但規(guī)定 TMS=0,其他種類氫核的位移為負值,負號不加。(2) 為什么用TMS作為基準? a. 12個氫處于完全相同的化學環(huán)境,只產(chǎn)生一個尖峰; b.屏蔽強烈,位移最大。與有機化合物中的質子峰不重迭; c.化學惰性;易溶于有機溶劑;沸點低(26 ),易回收。5二、影響化學位移的因素:當1H核外電子云密度增加時,即核外電子云對氫核產(chǎn)生更大
5、的屏蔽效應,共振峰將移向高場,也叫抗磁性位移,化學位移值較低。當1H核外電子云密度減少時,即核外電子云對氫核產(chǎn)生的屏蔽效應也?。ㄈテ帘涡?,共振峰將移向低場,也叫順磁性位移,化學位移值較高。在表達時,常用到下列術語:高場,低場,屏蔽效應,去屏蔽效應,順磁性位移,抗磁性位移,其關系如下:6與氫核相連原子的電負性越強,吸電子作用越強,價電子(電子云)偏離氫核,屏蔽作用減弱,信號峰在低場出現(xiàn), 大 。 -CH3 , =1.62.0,高場; -CH2I, =3.0 3.5, 低場-O-H, -C-H, 大 小低場 高場1、電負性-去屏蔽效應7若氫核與給電性原子或基團相連,氫核周圍的電子云密度就增加,
6、屏蔽效應越強,該核就在較高的磁場出現(xiàn),化學位移值越?。慌c氫核相連的原子或基團的電負性越大,氫核周圍的電子云密度越低,屏蔽效應越弱,該核就在較低的磁場出現(xiàn),化學位移值越大;電負性 F=4.0 Cl=3.0 Br=2.8 I=2.5 8當電負性基團或原子與氫核距離增大(相距較遠)時,氫核受到電子云的屏蔽效應增強,化學位移值減小;電負性原子或基團增多時,相鄰氫核屏蔽效應減弱,化學位移值增大;92、 鍵電子屏蔽作用的各向異性效應各向異性效應:當化合物的電子云分布不是球形對稱時,就對鄰近的氫核附加了一個各向異性的磁場,從而對外磁場起著增強或減弱的作用,使在某些位置上的氫核受到屏蔽效應(),化學位移值較小
7、;另一些位置上的氫核受到去屏蔽效應(),化學位移值較大。磁各向異性是通過空間傳遞的,與通過化學鍵傳遞的誘導效應不一樣。含鍵(雙鍵)化合物中,不飽和碳上氫的 值與飽和氫的 值差別很大,而且呈現(xiàn)特定的規(guī)律性。 H: 0.96 5.84 2.86 7.210(1)芳環(huán)電子的去屏蔽效應苯環(huán)上的6個電子產(chǎn)生較強的誘導磁場,氫質子位于其磁力線上,與外磁場方向一致,去屏蔽。此種氫核出峰在低場,化學位移值較大。11雙鍵電子產(chǎn)生誘導磁場,氫質子位于其磁力線上,與外磁場方向一致,去屏蔽。此種氫核出峰在低場,化學位移值較大。此外,含雙鍵的基團如CN 、 CS等都具有同樣的效應。(2)雙鍵電子云的去屏蔽效應12(3)
8、炔鍵電子的屏蔽效應炔烴是直線型分子, 電子以圓柱形繞三鍵運行,若外磁場沿軸線的方向,炔烴中的氫核處于屏蔽區(qū),化學位移移向高場,值較小。13(4)單鍵的各向異性除鍵化合物存在電子屏蔽的各向異性效應外,單鍵化合物也存在各向異性效應,只不過CC單鍵中電子產(chǎn)生的各向異性效應較小。 (+) (-) C C (-) (+)可知:CC鍵就是錐形去屏蔽區(qū)的軸。位于這錐形之內的1H核,有去屏蔽效應,有較大的化學位移值。其余位置屬于屏蔽區(qū)。CH3 CH2 CH ( 0.9 1.3 1.5 , 飽和化合物中)因為隨著甲基的氫被碳原子取代,去屏蔽效應增大,故信號移向低場,化學位移值增大。 142、氫鍵形成氫鍵后1H核
9、屏蔽作用減少,共振出現(xiàn)在低場,化學位移值顯著增大。飽和醇:OH 0.55.5 ppm酚: OH 4.07.7 ppm羧酸: OH 10.512 ppm(1)、分子間氫鍵OH、NH2很容易形成分子間氫鍵,隨著溶液中樣品濃度的不同,其化學位移值也不固定。一般,脂肪胺波動為NH 0.33.2ppm,芳香胺波動大體在NH 2.65.0ppm。15當溫度升高或稀釋溶液時,分子間氫鍵或分子間締合現(xiàn)象會減弱,可以使1H核化學位移信號移向高場,化學位移值減小。(2)、分子內氫鍵分子內氫鍵同樣使1H的化學位移值增大。如硝基二苯胺分散染料: NH 5.62 ppm NH 9.46 ppm NH 6.30 ppm
10、16某一化合物其結構可能為(A)、(B)、(C),又知,它的兩個OH 10.5 ppm,OH 5.2 ppm。此化合物為下列那個結構: (A) (B) (C)解:結構 (B)、(C)都是對稱的,故OH所處的化學環(huán)境相同,應具有相同的化學位移值。在(C)中,兩個OH與CO2C2H5處在鄰位,都能形成分子內氫鍵,其化學位移都應在低場,化學位移值應較高。只有在(A)中,一個OH與CO2C2H5處在鄰位,形成分子內氫鍵,化學位移值較大;另一個處在間位,不能形成氫鍵,化學位移值要小。173、范德華效應(空間效應)Ha=3.92ppmHb=3.55ppm Hc=0.88ppmHa=4.68ppmHb=2.
11、40ppm Hc=1.10ppm當兩個原子非??拷鼤r,帶負電荷的電子云就會相互排斥,排除的結果使核外電子云密度降低,對核的屏蔽作用減小,使1H核在低場共振,化學位移值增大。18四、各類有機化合物的化學位移飽和烴-CH3: CH3=0.791.10ppm-CH2: CH2 =0.981.54ppm-CH: CH= CH3 +(0.5 0.6)ppmH=3.24.0ppmH=2.23.2ppmH=1.52.1ppmH=1.92.6ppmH=23ppm19各類有機化合物的化學位移烯烴 端烯質子:H=4.85.0ppm 內烯質子:H=5.15.7ppm芳香烴 芳烴質子:H=6.58.0ppm 供電子基團取代-OR,-NR2 時芳烴質子:H=6.57.0ppm吸電子基團取代-COCH3,-CN,-NO2 時芳烴質子:H=7.28.0ppm20各類有機化合物的化學位移-CO
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