人工智能系列專題報(bào)告（二）：CoWoS技術(shù)引領(lǐng)先進(jìn)封裝國內(nèi)OSAT有望受益

——人工智能系列專題報(bào)告（一）數(shù)與訓(xùn)練數(shù)據(jù)量均出現(xiàn)了大幅提升，因此算力成為了AIGC時代的核心基礎(chǔ)設(shè)施。受益于AIGC的快速發(fā)展，2026年，智能算力規(guī)模年復(fù)合增長率有望達(dá)到52.3%。2024年，中國人工智能芯片市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到785億元，未來或?qū)⒈３州^高增速。滬深30020% 8% -4%滬深30020% 8% -4%-16%-28%-40%英偉達(dá)的算力芯片采用的是臺積電的CoWoS方案，這是一項(xiàng)2.5D多芯片封裝技術(shù)，該方案具備提供更高的存儲容量和帶寬的優(yōu)勢，適用于處理存儲密集型任務(wù)，如深度學(xué)習(xí)、5G網(wǎng)絡(luò)、節(jié)能的數(shù)據(jù)中心等。CoWoS封裝技術(shù)已經(jīng)成為了眾多國際算力芯片廠商的首選，是高端性能芯片封裝的主流方案之一。我們認(rèn)為，英偉達(dá)算力芯片的需求增長大幅提升了CoWos的封裝需求，CoWos有望進(jìn)一步帶動先進(jìn)封裝加速發(fā)展。03/2305/2307/2310/2312/2302/2403/2305/2307/2310/2312/2302/24《英偉達(dá)發(fā)布新一代AI處理器，HBM有望進(jìn)入增長快車道》片有望受益》是臺積電先進(jìn)封裝的獨(dú)立商標(biāo)，是其拿到英偉達(dá)訂單的關(guān)鍵。采用CoWoS封裝的產(chǎn)品主要分布于消費(fèi)和服務(wù)器領(lǐng)域，包括英偉達(dá)、AMD等推出的算力芯片在內(nèi)。近期臺積電訂單已滿，預(yù)估到2024年供不應(yīng)求的局面才能得到逐步緩解。我們認(rèn)為，受于大模型百花齊放，算力需求快速攀升帶動HPC增長，臺積電產(chǎn)能不足可能會導(dǎo)致AI芯片大廠將目光轉(zhuǎn)向其他OSAT，具備2.5D封裝技術(shù)的國內(nèi)封裝大廠有望從中受益。我們認(rèn)為，AI算力芯片的需求增長有望推動先進(jìn)封裝加速發(fā)展，CoWoS在目前的先進(jìn)封裝中扮演較為重要的角色，訂單充沛和產(chǎn)能不足有望使得國內(nèi)封裝大廠深度受益，建議關(guān)注具備先進(jìn)封裝技術(shù)的國內(nèi)封裝廠商：?Chiplet高密度多維異構(gòu)集成系列工藝已按計(jì)劃進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)階段，同步實(shí)現(xiàn)國際客戶4nm節(jié)點(diǎn)多芯片系統(tǒng)集成封裝產(chǎn)品出貨，是最大封裝體面積約為1500mm2的系統(tǒng)級封裝。通富微電：攜手AMD共同發(fā)展，深度布局先進(jìn)封裝。公司現(xiàn)已具備7nm、Chiplet先進(jìn)封裝技術(shù)規(guī)模量產(chǎn)能力。自建的2.5D/3D產(chǎn)線全線通線，1+4產(chǎn)品及4層/8層堆疊產(chǎn)品研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)。同時具備基于ChipLast工藝的Fan-out技術(shù)，實(shí)現(xiàn)5層RDL超大尺寸封裝（65×65mm）。成了基于FC+WBStackeddie的HybridBGA混合封裝技術(shù)開發(fā)及量產(chǎn)。公司已布局先進(jìn)封裝和汽車電子領(lǐng)域，包括Bumping、晶圓級封裝、FC-BGA、汽車電子的QFP等新的產(chǎn)品線。技術(shù)，并開發(fā)了完整的晶圓級CSP封裝工藝。擁有8英寸和12英寸TSV封裝能力，已大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用到CIS、MEMS、射頻等市場應(yīng)用。下游終端需求不及預(yù)期、國產(chǎn)替代不及預(yù)期、公司請務(wù)必閱讀報(bào)告正文后各項(xiàng)聲明21.AI算力芯片需求攀升，先進(jìn)封裝有望加速成長 4 41.2.AI算力芯片需求攀升，先進(jìn)封裝加速前進(jìn) 6 9 9 19 20 22 23 25 4 4 5 6 6 7 8 10 10 12 12 12 13 13 13 14 15 15 16 17 17 17 18 18 21 22 24 5 6表3:2.5D封裝對比其他先進(jìn)封裝形式 8請務(wù)必閱讀報(bào)告正文后各項(xiàng)聲明3表4:先進(jìn)封裝大廠與其獨(dú)立商標(biāo) 9 20 22 23請務(wù)必閱讀報(bào)告正文后各項(xiàng)聲明4有望持續(xù)加速增長。2021-2026年，智能算力規(guī)模年復(fù)合增長率有望達(dá)到芯片集成度逐漸接近物理極限，先進(jìn)封裝技術(shù)有望成為延續(xù)摩爾定律、發(fā)片的快速放量而迅速提升。的過程中獲得問題的合理答案。通過學(xué)習(xí)大量現(xiàn)成文本和對話集合，ChatGPT能夠以人類口吻與思維方式回答各類問題，其能夠根據(jù)用戶的文請務(wù)必閱讀報(bào)告正文后各項(xiàng)聲明5 40GB80706050403020美國中國其他 22182830373020192020202120222023證券研究所請務(wù)必閱讀報(bào)告正文后各項(xiàng)聲明62021-2026年智能算力規(guī)模年復(fù)合增長率達(dá)52.3%。根據(jù)海光信息招股書1400120010008006004002000通用算力EFLOPS智能算力EFLOPS通用同比（%）智能同比（%）20192020202120222023E2024E2025E2026E160%140%120%100%80%60%40%20%0%甬興證券研究所9008007006005004003002000中國人工智能芯片市場規(guī)模（億元）同比（%）25125136855355378520192020E2021E2022E2023E2024E60%50%40%30%20%10%0%所表2:2022年IBS統(tǒng)計(jì)不同制程下資料來源：InternationalBusinessStrategie請務(wù)必閱讀報(bào)告正文后各項(xiàng)聲明7InterconnectBridge)等先進(jìn)封裝技術(shù)。根據(jù)Yole在《StatusoftheAdvanced2.5D封裝是一種先進(jìn)的異構(gòu)芯片封裝，具備低成本、高性能和可靠性密度（大于400μbumps/mm2)和I/O間距可擴(kuò)展性，支持同構(gòu)/異構(gòu)存儲請務(wù)必閱讀報(bào)告正文后各項(xiàng)聲明8短期內(nèi)難以突破摩爾定律的客觀條件，2.5D先進(jìn)封面臨成本高和產(chǎn)量低的難點(diǎn)，同時特別是在成本和可靠性方面突破其相關(guān)SiP(SysteminPackage)高的靈活性和機(jī)動性，同時成本更低。表3:2.5D封裝對比其他先進(jìn)封裝形式優(yōu)勢在長期可靠性和散熱方面受限，目前主要應(yīng)用于H請務(wù)必閱讀報(bào)告正文后各項(xiàng)聲明92.1.CoWos技術(shù)是高端性能封裝的全球各大廠對紛紛對先進(jìn)封裝技術(shù)注冊獨(dú)立商標(biāo)。近年來，在先進(jìn)封裝飛速發(fā)展的背景下，開發(fā)相關(guān)技術(shù)的公司都將自己的技術(shù)獨(dú)立命名注冊表4:先進(jìn)封裝大廠與其獨(dú)立商標(biāo)介紹將多個高級邏輯芯片一起封裝，并通過RDL層進(jìn)行互聯(lián)，增加了使用硅橋以及RDL層代替整塊硅，達(dá)到了性能與成本的芯片與用于高性能計(jì)算的電源和散熱模塊集成在X-Cube能封裝平臺包括例如超高密度扇出型封裝（UHDFO）、嵌入式硅橋三類,分別為HBM、3DS和3DNAND堆棧。片封裝技術(shù),最早發(fā)布于2011年的《AdvancedReliabilityStudyofTSV壁壘特點(diǎn)，目前需求較大。我們認(rèn)為，Co（SiP）晶圓，若其應(yīng)用于英偉達(dá)H100加速卡制造，則單塊晶圓預(yù)估售價2.2.CoWoS是臺積電拿到英偉達(dá)大單作為一種共同封裝HBM和邏輯芯片以獲得訓(xùn)練和推理工作負(fù)載最佳性能的重要封裝方式，有望成為算力加速卡主流封裝技術(shù)之一。平臺為高性能計(jì)算應(yīng)用提供了同類最佳的性能和最高的集成密度。這種晶可以實(shí)現(xiàn)大于2倍封裝尺寸（或約1,700平方CoWoS工藝流程包含多項(xiàng)步驟，根據(jù)中國臺灣大學(xué)資料，我們總結(jié)需求量較大。良好的信號和電源完整性性能，路由線的RC值較低，可實(shí)現(xiàn)較高的傳輸數(shù)據(jù)速率。共面GSGSG和層間接地屏蔽以及六個RDL互連提供了卓越機(jī)可處理的極限尺寸（ReticleLimit）的問LevelSystemIntegrationoftheFifthGenerat相結(jié)合，可多集成近20倍的晶體管和2倍的內(nèi)存堆PerformanceSiInterposerat2500mm2》(PKHuang,2021)，甬興證券研究所LevelSystemIntegrationoftheFifthGe方案將金屬跡線片電阻和通孔接觸電阻都降PerformanceSiInterposerat2500mm2》(PKHuang,2021)，甬興證券研究所CoWoS-S5有兩種熱解決方案，分別是環(huán)型封裝與帶散熱器的蓋型封比較成熟。然而，3-10W/K的熱導(dǎo)率和可靠性的覆蓋退化無法滿足HPC和人工智能領(lǐng)域的高功率要求。故在CoWoS-S5中，采用了新型非凝膠uHAST264h和TSAM測試后無明顯衰減，可靠性測試后熱阻衰減小于資料來源：《WaferLevelIntegrationofanAdvancedLogicMemorySystemTechnology》(S.Y.Hou,2017)，甬興證券研究所求快速攀升帶動HPC增長，臺積電產(chǎn)能不足可能會導(dǎo)致A光轉(zhuǎn)向其他OSAT，具備2.5D封裝技術(shù)的長電科技是全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商，也是國內(nèi)封科技官網(wǎng)，XDFOI?全系列極高密度扇出型封裝解決方案是新型無硅通孔晶圓級極高密度封裝技術(shù)，旨在為全球客戶高度關(guān)注的芯片異構(gòu)集成提供高度、高密度互聯(lián)和高可靠性的解決方案。XDFOI?全系列解決方案通過將不請務(wù)必閱讀報(bào)告正文后各項(xiàng)聲明20扇出型封裝高密度異構(gòu)集成解決方案，其利用協(xié)同設(shè)計(jì)理念實(shí)現(xiàn)了芯片成表5:長電科技XDFOI封裝平臺根據(jù)投資者互動平臺，2016年公司出資3.71億美元收購了AMD高集成、雙面塑封SIP模組的技術(shù)開發(fā)，高階手機(jī)射頻前端模組PAMiD和L-PAMiD等多款產(chǎn)品以及高端可穿戴產(chǎn)品雙面模組已進(jìn)入大批量量產(chǎn)請務(wù)必閱讀報(bào)告正文后各項(xiàng)聲明212.5D/3D等先進(jìn)封裝技術(shù)方面的提前布局，可為客戶扇出型封裝（FOPoS或?qū)⒊蔀閲鴥?nèi)第一家有自主能力提供高階扇出型封請務(wù)必閱讀報(bào)告正文后各項(xiàng)聲明22表6:通富微電扇出型封裝特征meWLB、FOPoS-chipfirstfacedown、FOPoFOPoS-chipfirstface用的高清圖像Sensor封裝工藝開發(fā)；高集成小型化的電磁屏蔽(EMI請務(wù)必閱讀報(bào)告正文后各項(xiàng)聲明23與技術(shù)引領(lǐng)者。封裝產(chǎn)品主要包括圖像傳感器芯片、生物身份識別芯片、射頻等市場應(yīng)用。汀蘭巷及長陽街廠區(qū)都致等先進(jìn)封裝需求攀升過程中持續(xù)受益。請務(wù)必閱讀報(bào)告正文后各項(xiàng)聲明24請務(wù)必閱讀報(bào)告正文后各項(xiàng)聲明252）下游終端需求不及預(yù)期的風(fēng)險未來若下游終端需求不及預(yù)期，則存在產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)公司業(yè)績發(fā)生較大波動3）國產(chǎn)替代不及預(yù)期的風(fēng)險請務(wù)必閱讀報(bào)告正文后各項(xiàng)聲明26本報(bào)告署名分析師具有中國證券業(yè)協(xié)會授予的證券投資咨詢執(zhí)業(yè)資格并注冊為證券分析師，以勤勉盡責(zé)的職業(yè)態(tài)度，專業(yè)審慎的研究方法，獨(dú)立、客觀地出具本報(bào)告，保證報(bào)告采用的信息均來自合規(guī)渠道，并對本報(bào)告的內(nèi)容和觀點(diǎn)負(fù)責(zé)。負(fù)責(zé)準(zhǔn)備以及撰寫本報(bào)告的所有研究人員在此保證，本報(bào)告所發(fā)表的任何觀點(diǎn)均清晰、準(zhǔn)確、如實(shí)地反映了研究人員的觀點(diǎn)和結(jié)論，并不受任何第三方的授意或影響。此外，所有研究人員薪酬的任何部分不曾、不與、也將不會與本報(bào)告中的具體推薦意見或觀點(diǎn)直接或間接相關(guān)。公司業(yè)務(wù)資格說明甬興證券有限公司經(jīng)中國證券監(jiān)督管理委員會核準(zhǔn)，取得證券投資咨詢業(yè)務(wù)許可，具備證券投資咨詢業(yè)務(wù)資格。投資評級體系與評級定義股票投資評級：分析師給出下列評級中的其中一項(xiàng)代表其根據(jù)公司基本面及（或）估值預(yù)期以報(bào)告日起6個月內(nèi)公司股價相對于同期市場基準(zhǔn)指數(shù)表現(xiàn)的看法。買入股價表現(xiàn)將強(qiáng)于基準(zhǔn)指數(shù)20%以上增持股價表現(xiàn)將強(qiáng)于基準(zhǔn)指數(shù)5-20%股價表現(xiàn)將介于基準(zhǔn)指數(shù)±5%之間減持股價表現(xiàn)將弱于基準(zhǔn)指數(shù)5%以上行業(yè)投資評級：分析師給出下列評級中的其中一項(xiàng)代表其根據(jù)行業(yè)歷史基本面及（或）估值對所研究行業(yè)以報(bào)告日起12個月內(nèi)的基本面和行業(yè)指數(shù)相對于同期市場基準(zhǔn)指數(shù)表現(xiàn)的看法。增持相對表現(xiàn)優(yōu)于同期基準(zhǔn)指數(shù)相對表現(xiàn)與同期基準(zhǔn)指數(shù)持平減持相對表現(xiàn)弱于同期基準(zhǔn)指數(shù)相關(guān)證券市場基準(zhǔn)指數(shù)說明：A股市場以滬深300指數(shù)為基準(zhǔn)；港股市場以恒生指數(shù)為基準(zhǔn)；新三板市場以三板成指（針對協(xié)議轉(zhuǎn)讓標(biāo)的）或三板做市指數(shù)（針對做市轉(zhuǎn)讓標(biāo)的）為基準(zhǔn)指數(shù)。投資評級說明：不同證券研究機(jī)構(gòu)采用不同的評級術(shù)語及評級標(biāo)準(zhǔn)，投資者應(yīng)區(qū)分不同機(jī)構(gòu)在相同評級名稱下的定義差異。本評級體系采用的是相對評級體系。投資者買賣證券的決定取決于個人的實(shí)際情況。投資者應(yīng)閱讀整篇報(bào)告，以獲取比較完整的觀點(diǎn)與信息，投資者不應(yīng)以分析師的投資評級取代個人的分析與判斷。在法律許可的情況下，甬興證券有限公司(以下簡稱“本公司”）或其關(guān)聯(lián)機(jī)構(gòu)可能會持有報(bào)告中涉及的公司所發(fā)行的證券或期權(quán)并進(jìn)行交易，也可能為這些公司提供或爭取提供投資銀行、財(cái)務(wù)顧問以及金融產(chǎn)品等各種服務(wù)。因此，投資者應(yīng)當(dāng)考慮到本公司或其相關(guān)人員可能存在影響本報(bào)告觀點(diǎn)客觀性的潛在利益沖突，投資者請勿將本報(bào)告視為投資或其他決定的唯一參考依據(jù)。也不應(yīng)當(dāng)認(rèn)為本報(bào)告可以取代自己的判斷。版權(quán)聲明本報(bào)告版權(quán)歸屬于本公司所有，屬于非公開資料。本公司對本報(bào)告保留一切權(quán)利。未經(jīng)本公司事先書面許可，任何機(jī)構(gòu)或個人不得以任何形式翻版、復(fù)制、轉(zhuǎn)載、刊登和引用本報(bào)告中的任何內(nèi)容。否則由此造成的一切不良后果及法律責(zé)任由私自翻版、復(fù)制、轉(zhuǎn)載、刊登和引用者承擔(dān)。請務(wù)必閱讀報(bào)告正文后各項(xiàng)聲明