山藥離體快速繁殖技術(shù)規(guī)程

2山藥離體快繁技術(shù)規(guī)程本文件規(guī)定了山藥離體快速繁殖的培養(yǎng)基配制、外植體的獲取、滅菌，無(wú)菌苗獲取、擴(kuò)繁和移栽等本文件適用于山藥離體快速繁殖技術(shù)規(guī)程管理的全過(guò)程。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。NY-T2306花卉種苗組培快繁技術(shù)規(guī)程DB15/T2594—2022紫花苜蓿組織培養(yǎng)技術(shù)規(guī)程3術(shù)語(yǔ)和定義下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。3.1零余子Bubil山藥地上莖部葉腋間生有的腎形或卵圓形的珠芽，是一種氣生變態(tài)莖。又稱(chēng)為山藥籽。3.2腋芽Axillarybud側(cè)芽的一種，特指從葉腋所生出的定芽。4培養(yǎng)基配制4.1誘導(dǎo)培養(yǎng)基零余子再生植株誘導(dǎo)培養(yǎng)基：具體成分為（1L）：MS培養(yǎng)基1.19g，蔗糖7.5g，瓊脂粉7g。莖段再生植株誘導(dǎo)培養(yǎng)基：具體成分為（1LMS培養(yǎng)基4.74g，蔗糖30g，NAA（萘乙酸）2.0mg，KT（激動(dòng)素）0.5mg，瓊脂粉7g。4.2繼代培養(yǎng)基用于山藥無(wú)菌苗的繼代培養(yǎng)。具體成分為（1L）：MS培養(yǎng)基4.74g，蔗糖30g，NAA2.0mg，KT0.5mg，瓊脂粉7g。34.3生根培養(yǎng)基用于山藥無(wú)菌苗的生根培養(yǎng)。具體成分為（1LMS培養(yǎng)基4.74g，蔗糖30g，NAA2.0mg，KT0.5mg，瓊脂粉7g。5外植體的獲取5.1零余子的獲取選取健壯、籽粒飽滿(mǎn)、表皮無(wú)破損的山藥零余子。5.2莖段的獲取選擇生長(zhǎng)健壯、無(wú)損傷、無(wú)病蟲(chóng)害的山藥植株，剪取幼嫩主枝或者側(cè)枝帶回實(shí)驗(yàn)室。6滅菌6.1滅菌前準(zhǔn)備制備無(wú)菌水，配制75%酒精，配制0.1%升汞（HgCl2）。6.2培養(yǎng)基滅菌培養(yǎng)基置于高壓滅菌鍋內(nèi)，在1.1kg/cm2、121℃條件下，滅菌20min,待壓力降至0時(shí)，盡快取出存放在接種室中指定位置備用。6.3接種工具滅菌將剪刀、鑷子等接種工具包扎好置于高壓滅菌鍋內(nèi)，參數(shù)設(shè)置同培養(yǎng)基滅菌，取出放置在超凈工作6.4超凈工作臺(tái)滅菌將滅菌的培養(yǎng)基和接種工具放置在超凈工作臺(tái)上，接通電源，打開(kāi)超凈工作臺(tái)上的紫外燈滅菌25min~30min，先啟動(dòng)風(fēng)機(jī)，再關(guān)閉紫外燈。接種前，工作臺(tái)面用75%乙醇擦拭一遍。6.5零余子消毒零余子用流動(dòng)水沖洗2h，去皮，在超凈工作臺(tái)上用75%乙醇浸泡30s，無(wú)菌水沖洗1次，0.1%的HgCl2浸泡10min，無(wú)菌蒸餾水沖洗7～10次，將零余子切成長(zhǎng)、寬、高均為0.5cm的小塊。6.6莖段的消毒幼嫩節(jié)間用流動(dòng)水沖洗20min，在超凈工作臺(tái)上，剪去莖蔓葉片，取2cm～3cm帶節(jié)莖段，消毒方法同零余子。47無(wú)菌苗獲取7.1零余子成苗將表面消毒的零余子小塊置于鋪有誘導(dǎo)培養(yǎng)基中培養(yǎng)皿中。在溫度25℃±2℃,光照強(qiáng)度2000Lx，光照時(shí)間16h/d進(jìn)行誘導(dǎo)培養(yǎng)。6d左右，零余子小塊組織周?chē)霈F(xiàn)少量的乳白色或黃綠色愈傷組織，18d左右，愈傷組織分化出根與芽；35d左右，形成再生植株。切下新芽接種到新的繼代培養(yǎng)基上，約20d可得到健壯的無(wú)菌苗。7.2莖段成苗在組培室內(nèi)培養(yǎng)，培養(yǎng)環(huán)境：溫度25℃±2℃,光照強(qiáng)度2000Lx，光照時(shí)間16h/d。將莖段接種于再生植株誘導(dǎo)培養(yǎng)基中，培養(yǎng)30d～35d可得到健壯無(wú)菌苗。8山藥無(wú)菌苗擴(kuò)繁8.1繼代培養(yǎng)當(dāng)誘導(dǎo)的叢生芽長(zhǎng)到約2cm～2.5cm，在超凈工作臺(tái)中將叢生芽分切為單苗，接種于培養(yǎng)基中進(jìn)行繼代培養(yǎng)。培養(yǎng)環(huán)境：溫度25℃±2℃,光照強(qiáng)度2000Lx，光照時(shí)間16h/d。8.2生根培養(yǎng)將繼代培養(yǎng)生長(zhǎng)健壯的無(wú)菌苗切成1cm～2cm單芽，接種到生根培養(yǎng)基中。培養(yǎng)環(huán)境：溫度25℃±2℃,光照強(qiáng)度2000Lx，光照時(shí)間16h/d。20d～30d即可誘導(dǎo)出新生根。9移栽9.1煉苗待植株根系生長(zhǎng)健壯時(shí)，去掉封口膜，煉苗2d～3d。9.2室內(nèi)移栽選擇根系生長(zhǎng)健壯的無(wú)菌苗，用自來(lái)水浸泡根部培養(yǎng)基12h，然后取出無(wú)菌苗洗凈根部殘留培養(yǎng)基，移栽到裝有蛭石